JPH02250416A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JPH02250416A JPH02250416A JP7150489A JP7150489A JPH02250416A JP H02250416 A JPH02250416 A JP H02250416A JP 7150489 A JP7150489 A JP 7150489A JP 7150489 A JP7150489 A JP 7150489A JP H02250416 A JPH02250416 A JP H02250416A
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- surface acoustic
- acoustic wave
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- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 101710156809 DNA ligase B Proteins 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、４５＠ＸＩＺ伝搬、Ｌｉ、Ｂ、Ｏ。
基板を用いた弾性表面波装置の改良に関し、特に、短絡
型反射器の構造が改良されたものに関する。
型反射器の構造が改良されたものに関する。
第２図は、従来の弾性表面波装置の一例を示す平面図で
ある０弾性表面波装置１は、４５°Ｘ板Ｚ伝搬、Ｌｉ、
Ｂ、Ｏ，からなる圧電基板２上に、互いに間挿し合うく
し歯電極３．４を有するインターデジタルトランスデユ
ーサ５と、インターデジタルトランスデユーサ５の両側
に配置された反射器６．７とを有する。
ある０弾性表面波装置１は、４５°Ｘ板Ｚ伝搬、Ｌｉ、
Ｂ、Ｏ，からなる圧電基板２上に、互いに間挿し合うく
し歯電極３．４を有するインターデジタルトランスデユ
ーサ５と、インターデジタルトランスデユーサ５の両側
に配置された反射器６．７とを有する。
くし歯電極３．４の電極指３ａ、４ａは、上述したよう
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６，７は、互いに平行に配置された複数本のメタル・
ストリップ６ａ、７ａと、メタル・ストリップ６ａ、７
ａを短絡する短絡部６ｂ、７ｂとを有する。
に互いに間挿し合うように配置されている。また、反射
器６，７は、互いに平行に配置された複数本のメタル・
ストリップ６ａ、７ａと、メタル・ストリップ６ａ、７
ａを短絡する短絡部６ｂ、７ｂとを有する。
弾性表面波装置においても、他の電子部品と同様に、よ
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
り小型のものが求められている。そこで、従来の弾性表
面波装置１では、反射器６．７における反射効率を高め
ることにより、反射器６．７の表面波伝搬方向の大きさ
を低減し、それによって全体を小型化することが試みら
れている。
すなわち、メタル・ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚（
することにより、メタル・ストリップ１本当たりの反射
率を高め、それによってメタル・ストリップの数を低減
した構造が採用されていた。
することにより、メタル・ストリップ１本当たりの反射
率を高め、それによってメタル・ストリップの数を低減
した構造が採用されていた。
〔発明が解決しようとする技術的課題〕しかしながら、
メタル・ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合に
は、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反
射効率にばらつきが生じがちであった。よって、膜厚を
厚くするにも自ずと限度があった。
メタル・ストリップ６ａ、７ａの膜厚を厚くした場合に
は、その膜厚を一定に制御することが難しく、従って反
射効率にばらつきが生じがちであった。よって、膜厚を
厚くするにも自ずと限度があった。
他方、１２Ｂ＠Ｙ−Ｘ、Ｌ ｌＮｂＯ５からなる圧電基
板におけるレイリー波の反射に関しては、短絡型の反射
器においてメタル・ストリップのデユーティ比、すなわ
ちメタル・ストリップの幅のメタルストリップ・ピッチ
に対する割合ｄをｄ≦０、 ５とした場合に反射係数を
高め得ることが報告されている。
板におけるレイリー波の反射に関しては、短絡型の反射
器においてメタル・ストリップのデユーティ比、すなわ
ちメタル・ストリップの幅のメタルストリップ・ピッチ
に対する割合ｄをｄ≦０、 ５とした場合に反射係数を
高め得ることが報告されている。
本発明の目的は、４５°Ｘ板Ｚ伝搬、Ｌｉ□Ｂ４０マか
らなる圧電基板を用いた弾性表面波装置において、短絡
型の反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るも
のを提供することにある。
らなる圧電基板を用いた弾性表面波装置において、短絡
型の反射器の反射効率を安定にかつ効果的に高め得るも
のを提供することにある。
本発明の弾性表面波装置は、４５°Ｘ板Ｚ伝搬ＬｉｇＢ
ｓＯｔからなる圧電基板を用い、該圧電基板に励起され
るレイリー波を利用したものである。圧電基板上には、
互いに間挿し合うくし歯電極を有するインターデジタル
トランスデユーサが形成されている。このインターデジ
タルトランスデユーサの側方には、表面波伝搬方向と直
交する方向に延びる複数本の導電性ストリップを互いに
平行に配置し、かつ短絡部により短絡させた反射器が形
成されている。
ｓＯｔからなる圧電基板を用い、該圧電基板に励起され
るレイリー波を利用したものである。圧電基板上には、
互いに間挿し合うくし歯電極を有するインターデジタル
トランスデユーサが形成されている。このインターデジ
タルトランスデユーサの側方には、表面波伝搬方向と直
交する方向に延びる複数本の導電性ストリップを互いに
平行に配置し、かつ短絡部により短絡させた反射器が形
成されている。
反射器における複数本の導電性ストリップのデユーティ
比、すなわち導電性ストリップの幅のストリップ・ピッ
チに対する割合ｄは、ｄ≧０． ５５とされている。ま
た、導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する割
合は、１％以上、１０％以下とされている。
比、すなわち導電性ストリップの幅のストリップ・ピッ
チに対する割合ｄは、ｄ≧０． ５５とされている。ま
た、導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する割
合は、１％以上、１０％以下とされている。
反射器における導電性ストリップの膜厚を厚くすること
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、短絡型の反射器のデユーティ比を上
記のようにｄ≧０．５５とし、かつ膜厚／波長を１％以
上、１０％以下とすることにより、後述の実施例に示す
ように反射効率が高められている。すなわち、本発明は
、デユーティ比及び膜厚／波長を上述のように設定する
ことにより、反射器の反射効率を高め、それによって弾
性表面波装置の小型化を図ったことに特徴を有するもの
である。
により、反射係数を高めることには限度があることを考
慮し、本発明では、短絡型の反射器のデユーティ比を上
記のようにｄ≧０．５５とし、かつ膜厚／波長を１％以
上、１０％以下とすることにより、後述の実施例に示す
ように反射効率が高められている。すなわち、本発明は
、デユーティ比及び膜厚／波長を上述のように設定する
ことにより、反射器の反射効率を高め、それによって弾
性表面波装置の小型化を図ったことに特徴を有するもの
である。
第１図は、本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
４５°Ｘ板２＠搬、Ｌ１ｇＢ４０フからなる圧電基板１
２を用いて構成されている。
である。この弾性表面波装置１１は、平面形状が矩形の
４５°Ｘ板２＠搬、Ｌ１ｇＢ４０フからなる圧電基板１
２を用いて構成されている。
圧電基板１２の中央には、互いに間挿し合うくし歯電極
１３．１４からなるインターデジタルトランスデユーサ
１５が形成されている。＜シ歯雪掻１３．１４は、それ
ぞれ、互いに間挿し合う複数本の電極指１３ａ、１４ａ
を有する。
１３．１４からなるインターデジタルトランスデユーサ
１５が形成されている。＜シ歯雪掻１３．１４は、それ
ぞれ、互いに間挿し合う複数本の電極指１３ａ、１４ａ
を有する。
インターデジタルトランスデユーサ１５の表面波伝搬方
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
０反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７ａを、短絡部
１６ｂ、１７ｂで短絡させた構造を有する。導電性スト
リップ１６ａ、１７ａ及び短絡部１６ｂ、１７ｂは、／
１等の金属またはその他の適宜の導電材で構成されてい
る。
向外側には、一対の反射器１６．１７が形成されている
０反射器１６．１７は、それぞれ、表面波伝搬方向と直
交する方向に延び、かつ互いに平行に配置された複数本
の独立した導電性ストリップ１６ａ、１７ａを、短絡部
１６ｂ、１７ｂで短絡させた構造を有する。導電性スト
リップ１６ａ、１７ａ及び短絡部１６ｂ、１７ｂは、／
１等の金属またはその他の適宜の導電材で構成されてい
る。
本実施例の特徴のひとつは、この短絡型の反射器１６．
１７を構成する複数本の導電性ストリップ１６ａ、１７
ａのデユーティ比にある。
１７を構成する複数本の導電性ストリップ１６ａ、１７
ａのデユーティ比にある。
すなわち、第３図に、反射器１６の要部を拡大して断面
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの輻ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合ｄ−ａ／（ａ＋ｂ）が、ｄ≧０．
５５とされている。
図で示すように、デユーティ比、すなわち反射器１６の
導電性ストリップ１６ａの輻ａのストリップ・ピッチ（
ａ＋ｂ）に対する割合ｄ−ａ／（ａ＋ｂ）が、ｄ≧０．
５５とされている。
なお、反射器１７側も同様のデユーティ比を有するよう
に構成されている。
に構成されている。
４５°Ｘ板Ｚ伝搬、Ｌ ｉｓ Ｂａ Ｏｔ圧電基板を用
いた従来構造（第２図）では、反射器のデユーティ比は
約０．５とされていたが、本発明においてデユーティ比
ｄを上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導
電性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高めら
れ、それによって反射器１６．１７を小型化し得るから
である。これを、第４図及び第５図を参照して説明する
。
いた従来構造（第２図）では、反射器のデユーティ比は
約０．５とされていたが、本発明においてデユーティ比
ｄを上述の範囲に設定したのは、該範囲内で反射器の導
電性ストリップ−本当たりの反射効率が効果的に高めら
れ、それによって反射器１６．１７を小型化し得るから
である。これを、第４図及び第５図を参照して説明する
。
第４図は、第１図実施例の構造において、デユーティ比
ｄを変化させた場合の導電性スト９フ１１本当たりの反
射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６．
１７における導電性ストリップｌ ６ ａ ＋ １７
”の膜厚／波長（単位はいずれもμｍ）を２％、４％
及び６％とした場合の３種類の特性を示した。
ｄを変化させた場合の導電性スト９フ１１本当たりの反
射率を示す図である。なお、第４図では、反射器１６．
１７における導電性ストリップｌ ６ ａ ＋ １７
”の膜厚／波長（単位はいずれもμｍ）を２％、４％
及び６％とした場合の３種類の特性を示した。
第４図から明らかなように、膜厚／波長が２゜４及び６
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０．５
を越えると、増大することがわかる。
％の何れの場合においても、導電性ストリップ１６ａ、
１７ａ１本当たりの反射率は、デユーティ比ｄが０．５
を越えると、増大することがわかる。
また、第５図は、導電性ストリップ１６ａ、１７ａの膜
厚／波長を０〜６％の範囲で変化させ、デユーティ比を
１．０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大と
なる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数が
最大の場合から一１０％の範囲の領域（斜線でハツチン
グを付した領域Ｂ）を示す。
厚／波長を０〜６％の範囲で変化させ、デユーティ比を
１．０までの範囲で変化させた場合の反射係数が最大と
なる組み合わせ（実線Ａで示す、）、並びに反射係数が
最大の場合から一１０％の範囲の領域（斜線でハツチン
グを付した領域Ｂ）を示す。
第５図の破線Ｃから明らかなように、（ｌｌＩ厚／波長
）が１〜６％の範囲で、デユーティ比を０゜５５以上と
した場合には、高反射係数を実現し得ることがわかる。
）が１〜６％の範囲で、デユーティ比を０゜５５以上と
した場合には、高反射係数を実現し得ることがわかる。
他方、膜厚／波長が１０％を越えると、製造上のばらつ
きが大きくなり、また伝搬損失の増大のおそれもある。
きが大きくなり、また伝搬損失の増大のおそれもある。
従って、本発明では、デユーティ比ｄが０．５５％以上
であり、かつ膜厚／波長が１％以上、１０％以下とされ
ていなお、例としてインターデジタルトランスチエ−９
１個を用いた１ポート型の弾性表面波装置を示したが、
２個のインターデジタルトランスデユーサを用いた２ポ
一ト型表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図っ
たフィルタ等、反射器を利用した表面波装置一般に本発
明は適用できる。
であり、かつ膜厚／波長が１％以上、１０％以下とされ
ていなお、例としてインターデジタルトランスチエ−９
１個を用いた１ポート型の弾性表面波装置を示したが、
２個のインターデジタルトランスデユーサを用いた２ポ
一ト型表面波共振器や、反射器を用いて低損失化を図っ
たフィルタ等、反射器を利用した表面波装置一般に本発
明は適用できる。
なお、インターデジタルトランスデユーサのみで反射器
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を、大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明
装置のような構造では、インターデジタルトランスデユ
ーサのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め
効率も高められる。
が設けられていない共振器では、インターデジタルトラ
ンスデユーサ内部での弾性表面波の反射率を上げるため
に、インターデジタルトランスデユーサのデユーティ比
を、大きくすれば有効であるが、反射器を用いた本発明
装置のような構造では、インターデジタルトランスデユ
ーサのデユーティ比を高めることにより表面波の閉込め
効率も高められる。
以上のように、本発明では、４５＠ＸＦｉＺ伝搬。
Ｌｉ、Ｂ、Ｏ，基板を用い、かつ複数本の導電性ス）
ＩＪツブを短絡部で短絡させた短絡型反射器を構成した
ものにおいて、デユーティ比ｄが０． ５５以上、膜厚
／波長が１％以上、１０％以下に設定されているので、
反射器における反射効率が効果的に高められる。よって
、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より小さな弾
性表面波装置を実現することができる。しかも、導電性
ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高めたような
場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
ＩＪツブを短絡部で短絡させた短絡型反射器を構成した
ものにおいて、デユーティ比ｄが０． ５５以上、膜厚
／波長が１％以上、１０％以下に設定されているので、
反射器における反射効率が効果的に高められる。よって
、反射器の導電性ストリップ数を低減し、より小さな弾
性表面波装置を実現することができる。しかも、導電性
ストリップの膜厚を増大させて反射係数を高めたような
場合のような反射効率のばらつきも生じ難い。
第１図は本発明の一実施例の弾性表面波装置の平面図、
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図のｍ−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデユーティ比ｄと反射器の導電性スト９フ１１本当た
りの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップ、１６ｂ。 １７ｂは短絡部を示す。
第２図は従来の弾性表面波装置の平面図、第３図は第１
図のｍ−■線に沿う部分を拡大して示す断面図、第４図
はデユーティ比ｄと反射器の導電性スト９フ１１本当た
りの反射率との関係を示す図、第５図は反射係数が高め
られる範囲を示す図である。 図において、１１は弾性表面波装置、１２は圧電基板、
１３．１４はくし歯電極、１５はインターデジタルトラ
ンスデユーサ、１６．１７は反射器、１６ａ、１７ａは
導電性ストリップ、１６ｂ。 １７ｂは短絡部を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ４５°Ｘ板Ｚ伝搬，Ｌｉ＿２，Ｂ＿４Ｏ＿７からなる圧
電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合うく
し歯電極を有するインターデジタルトランスデューサと
、 前記インターデジタルトランスデューサの側方に配置さ
れており、かつ表面波伝搬方向と直交する方向に延び、
かつ互いに平行に設けられた複数本の導電性ストリップ
と、該複数本の導電性ストリップを短絡する導電性短絡
部とを有する反射器とを備えた弾性表面波装置において
、 前記反射器における導電性ストリップの幅のストリップ
・ピッチに対する割合ｄが、ｄ≧０．５５とされており
、かつ導電性ストリップの膜厚の表面波の波長に対する
割合が１％以上，１０％以下であることを特徴とする、
弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150489A JPH02250416A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150489A JPH02250416A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02250416A true JPH02250416A (ja) | 1990-10-08 |
Family
ID=13462577
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150489A Pending JPH02250416A (ja) | 1989-03-23 | 1989-03-23 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02250416A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729186A (en) * | 1995-04-12 | 1998-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonator ladder surface acoustic wave filter suppressing spurious signals |
| US6940208B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
-
1989
- 1989-03-23 JP JP7150489A patent/JPH02250416A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729186A (en) * | 1995-04-12 | 1998-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resonator ladder surface acoustic wave filter suppressing spurious signals |
| US6940208B2 (en) * | 2001-07-24 | 2005-09-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
| US7132779B2 (en) | 2001-07-24 | 2006-11-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave device |
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