WO2024117050A1 - 弾性波装置及びフィルタ装置 - Google Patents
弾性波装置及びフィルタ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2024117050A1 WO2024117050A1 PCT/JP2023/042232 JP2023042232W WO2024117050A1 WO 2024117050 A1 WO2024117050 A1 WO 2024117050A1 JP 2023042232 W JP2023042232 W JP 2023042232W WO 2024117050 A1 WO2024117050 A1 WO 2024117050A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- envelope
- electrode fingers
- elastic wave
- electrode
- wave device
- Prior art date
Links
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 219
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 116
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 167
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 23
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000004149 tartrazine Substances 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 101100008048 Caenorhabditis elegans cut-4 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000002151 riboflavin Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015372 FeAl Inorganic materials 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016583 MnAl Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 aluminum compound Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
Definitions
- the present invention relates to an elastic wave device and a filter device.
- an acoustic wave device is disclosed in the following Patent Document 1.
- an IDT (Interdigital Transducer) electrode is provided on a piezoelectric substrate.
- the shape of the multiple electrode fingers of the IDT electrode includes a curved shape. More specifically, each electrode finger extends along a curve from the center of the area where the IDT electrodes intersect to the common electrode.
- the electrode finger pitch in the center portion in the direction in which the multiple electrode fingers extend is narrower than the electrode finger pitch at the ends in the same direction. This provides the effect of suppressing the response of unwanted waves.
- the object of the present invention is to provide an elastic wave device and a filter device that can suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the elastic wave device comprises a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer, an IDT electrode provided on the piezoelectric layer and having a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers, and a pair of reflectors provided on the piezoelectric layer so as to sandwich the IDT electrode and facing each other, each of the reflectors having a plurality of reflector electrode fingers, the pair of bus bars being a first bus bar and a second bus bar facing each other, the plurality of electrode fingers being a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers, one end of each of the plurality of first electrode fingers being connected to the first bus bar, one end of each of the plurality of second electrode fingers being connected to the second bus bar, the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers being interdigitated with each other, A virtual line formed by connecting the tips of the second electrode fingers is a first envelope, and a virtual line formed by connecting the tips of the first electrode fingers is a second envelope.
- the region between the first envelope and the second envelope in the IDT electrode is an intersection region
- the piezoelectric layer has a propagation axis
- the shapes of the first electrode fingers and the second electrode fingers in a plan view each include a curved portion in the intersection region
- the shapes of the reflector electrode fingers in a plan view each include a curved portion
- at least one of the first envelope and the second envelope has a portion that extends at an angle to the propagation axis and has at least one bend where the extension direction changes.
- a plurality of elastic wave resonators are provided, and at least one of the elastic wave resonators is an elastic wave device configured according to the present invention.
- a plurality of elastic wave resonators are provided, at least two of the elastic wave resonators are elastic wave devices configured according to the present invention, and the first bus bars of the two elastic wave devices are connected to each other.
- the filter device is provided with a plurality of elastic wave resonators, at least two of the elastic wave resonators are elastic wave devices configured according to the present invention, and the second bus bars of the two elastic wave devices are connected to each other.
- the elastic wave device and filter device of the present invention can suppress unwanted waves and increase the Q value.
- FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a reference line indicated by a two-dot chain line in FIG.
- FIG. 3 is a schematic plan view of one segment of an IDT electrode for explaining the configuration of the IDT electrode according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 4 is a schematic plan view of a conventional elastic wave device.
- FIG. 5 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first reference example.
- FIG. 6 is a schematic plan view of an elastic wave device of a comparative example.
- FIG. 7 is a diagram showing impedance frequency characteristics in the first embodiment of the present invention, the first reference example, and the comparative example.
- FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along a reference line indicated by a two-d
- FIG. 8 is a diagram showing the relationship between frequency and Q value in the first embodiment of the present invention, the first reference example, and the comparative example.
- FIG. 9 is a diagram showing phase characteristics in the first embodiment of the present invention, the first reference example, and the comparative example.
- FIG. 10 is a schematic plan view illustrating an elastic wave device according to a second reference example.
- FIG. 11 is a diagram showing the relationship between the inclination angle of the envelope and the maximum value of the integrated waveform of 2 MHz in the transverse mode when the number of pairs of electrode fingers between the bent portions is 10 or 20.
- FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the number of pairs of electrode fingers between bent portions and the maximum value of the integrated waveform of 2 MHz in the transverse mode when the inclination angle of the envelope is 5°, 10°, or 15°.
- FIG. 13 is a schematic plan view showing the vicinity of a first offset electrode in a first modified example of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 14 is a diagram showing the reverse velocity plane of an elastic wave propagating through a first piezoelectric substrate and a second piezoelectric substrate.
- FIG. 15 is a diagram showing the reverse velocity planes of a longitudinal wave, a fast shear wave, and a slow shear wave in a first piezoelectric substrate.
- FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the absolute value of the excitation angle
- FIG. 17 is a schematic plan view of one segment of an IDT electrode for explaining the configuration of the IDT electrode in the third modified example of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 18 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fourth modified example of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 19 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 20 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the absolute value
- FIG. 22 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fifth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 23 is a diagram showing the relationship between the absolute value of the excitation angle
- FIG. 24 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a seventh preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 25 is a diagram showing the relationship between the absolute value
- FIG. 26 is a diagram showing the relationship between the absolute value
- FIG. 27 is a schematic front cross-sectional view of an elastic wave device according to an eighth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 28 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a first modified example of the eighth embodiment of the present invention.
- FIG. 29 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a second modified example of the eighth embodiment of the present invention.
- FIG. 30 is a schematic front cross-sectional view of an elastic wave device according to a ninth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 31 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a tenth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 32 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a first modified example of the tenth embodiment of the present invention.
- FIG. 33 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a second modified example of the tenth embodiment of the present invention.
- FIG. 34 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a third modified example of the tenth embodiment of the present invention.
- FIG. 35 is a circuit diagram of a filter device according to an eleventh embodiment of the present invention.
- FIG. 36 is a schematic plan view showing a portion where series arm resonators are connected to each other in the eleventh embodiment of the present invention.
- FIG. 37 is a schematic plan view showing a portion where series arm resonators are connected to each other in a first modified example of the eleventh embodiment of the present invention.
- FIG. 38 is a schematic plan view showing a portion where series arm resonators are connected to each other in a second modified example of the eleventh embodiment of the present invention.
- FIG. 39 is a schematic plan view showing a portion where series arm resonators are connected to each other in a third modified example of the eleventh embodiment of the present invention.
- FIG. 40 is a schematic plan view showing an enlarged portion of an IDT electrode in the fifth modification of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 41 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a sixth modified example of the first embodiment of the present invention.
- FIG. 42 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a twelfth preferred embodiment of the present invention.
- FIGS. 43(a) to 43(d) are schematic diagrams for explaining angles defined by a first line segment and a second line segment of a first envelope.
- FIG. 44 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first modified example of the twelfth embodiment of the present invention.
- FIG. 45 is a schematic plan view showing the vicinity of a first edge region and the vicinity of a second edge region of an IDT electrode in a second modified example of the twelfth embodiment of the present invention.
- FIG. 46 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a thirteenth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 47 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first modified example of the thirteenth embodiment of the present invention.
- FIG. 48 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second modified example of the thirteenth embodiment of the present invention.
- FIG. 49 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third modified example of the thirteenth embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a schematic cross-sectional view along a reference line indicated by a two-dot chain line in FIG. 1.
- the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
- the piezoelectric substrate 2 is a substrate having piezoelectricity.
- the piezoelectric substrate 2 has a support member 3 and a piezoelectric layer 6.
- the support member 3 has a support substrate 4 and an intermediate layer 5.
- the intermediate layer 5 includes a first layer 5a and a second layer 5b.
- the first layer 5a is provided on the support substrate 4.
- the second layer 5b is provided on the first layer 5a.
- the piezoelectric layer 6 is provided on the second layer 5b.
- the layer structure of the piezoelectric substrate 2 is not limited to the above.
- the intermediate layer 5 may be a single-layer dielectric film.
- the piezoelectric substrate 2 may be a substrate consisting of only the piezoelectric layer 6.
- a piezoelectric single crystal is used as the material for the piezoelectric layer 6 of the elastic wave device 1.
- the propagation axis is in the X-propagation direction.
- the propagation axis extends parallel to the reference line N shown in FIG. 1.
- the reference line N will be described later.
- the piezoelectric layer 6 has a first principal surface 6a and a second principal surface 6b.
- the first principal surface 6a and the second principal surface 6b face each other.
- the second principal surface 6b is located on the support substrate 4 side.
- An IDT electrode 8 is provided on the first principal surface 6a of the piezoelectric layer 6.
- the IDT electrode 8 has a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers.
- the pair of bus bars is specifically a first bus bar 14 and a second bus bar 15.
- the first bus bar 14 and the second bus bar 15 face each other.
- the plurality of electrode fingers is specifically a plurality of first electrode fingers 16 and a plurality of second electrode fingers 17.
- One end of each of the plurality of first electrode fingers 16 is connected to the first bus bar 14.
- One end of each of the plurality of second electrode fingers 17 is connected to the second bus bar 15.
- Each of the plurality of first electrode fingers 16 and the plurality of second electrode fingers 17 includes a base end and a tip end.
- the base end of the first electrode finger 16 is the portion connected to the first bus bar 14.
- the base end of the second electrode finger 17 is the portion connected to the second bus bar 15.
- the plurality of first electrode fingers 16 and the plurality of second electrode fingers 17 are interdigitated with each other.
- the IDT electrode 8 further has a plurality of offset electrodes.
- the plurality of offset electrodes are a plurality of first offset electrodes 18 and a plurality of second offset electrodes 19.
- One end of each of the plurality of first offset electrodes 18 is connected to the first bus bar 14.
- the first electrode fingers 16 and the first offset electrodes 18 are arranged alternately.
- One end of each of the plurality of second offset electrodes 19 is connected to the second bus bar 15.
- the second electrode fingers 17 and the second offset electrodes 19 are arranged alternately.
- the first offset electrodes 18 and the second offset electrodes 19 each include a base end and a tip end.
- the base ends of the first electrode fingers 16 and the first offset electrodes 18 are connected to the first bus bar 14.
- the base ends of the second electrode fingers 17 and the second offset electrodes 19 are connected to the second bus bar 15.
- the tip end of the first electrode finger 16 and the tip end of the second offset electrode 19 face each other across a gap.
- the tip end of the second electrode finger 17 and the tip end of the first offset electrode 18 face each other across a gap. Note that the first offset electrodes 18 and the second offset electrodes 19 do not necessarily have to be provided.
- first electrode finger 16 and the second electrode finger 17 may be simply referred to as electrode fingers.
- the first offset electrode 18 and the second offset electrode 19 may be simply referred to as offset electrodes.
- the first bus bar 14 and the second bus bar 15 may be simply referred to as bus bars.
- the pitch or duty ratio of the offset electrodes may be different from, for example, the electrode finger pitch or duty ratio of the IDT electrode 8 in the crossing region described below.
- the electrode finger pitch is constant in the IDT electrode 8 of the acoustic wave device 1.
- the electrode finger pitch is the center-to-center distance between adjacent first electrode fingers 16 and second electrode fingers 17.
- a virtual line formed by connecting the tips of the second electrode fingers 17 is a first envelope E1
- a virtual line formed by connecting the tips of the first electrode fingers 16 is a second envelope E2.
- the first envelope E1 has multiple portions that are inclined with respect to the propagation axis.
- the first envelope E1 has multiple bends V1. More specifically, a bend is a portion where the direction in which the envelope extends changes.
- the shape of the first envelope E1 is a wavy shape in which adjacent bends V1 are connected by straight lines.
- the shape of the first envelope E1 may also be a wavy shape in which adjacent bends V1 are connected by curved lines.
- the second envelope E2 also has multiple portions that are inclined with respect to the propagation axis.
- the second envelope E2 has multiple bends V2.
- the shape of the second envelope E2 is a wavy shape in which adjacent bends V2 are connected by straight lines. Note that the shape of the second envelope E2 may also be a wavy shape in which adjacent bends V2 are connected by curved lines.
- both the first envelope E1 and the second envelope E2 have multiple bends. However, it is sufficient that at least one of the first envelope E1 and the second envelope E2 has at least one bend.
- the region between the first envelope E1 and the second envelope E2 is the intersection region D. More specifically, the region surrounded by the electrode finger at one end in the direction in which the electrode fingers are arranged, the electrode finger at the other end, the first envelope E1, and the second envelope E2 is the intersection region D.
- the first envelope E1 corresponds to the edge of the intersection region D on the first bus bar 14 side.
- the second envelope E2 corresponds to the edge of the intersection region D on the second bus bar 15 side.
- adjacent electrode fingers overlap each other.
- a pair of reflectors 9A and 9B are provided on the piezoelectric layer 6.
- the reflectors 9A and 9B face each other across the IDT electrode 8 in the direction in which the multiple electrode fingers of the IDT electrode 8 are arranged.
- the reflector 9A has a pair of reflector bus bars 9a and 9b, and multiple reflector electrode fingers 9c.
- the reflector bus bars 9a and 9b face each other.
- One end of the multiple reflector electrode fingers 9c is connected to the reflector bus bar 9a.
- the other end of the multiple reflector electrode fingers 9c is connected to the reflector bus bar 9b.
- the reflector 9B has a pair of reflector bus bars 9d and 9e, and multiple reflector electrode fingers 9f.
- the shapes of the first electrode fingers 16 and the second electrode fingers 17 in a planar view include a curved shape.
- the shapes of the reflector electrode fingers 9c of the reflector 9A and the reflector electrode fingers 9f of the reflector 9B in a planar view each include a curved shape.
- the shape of each electrode finger and each reflector electrode finger in a planar view is an arc shape.
- a planar view refers to a view from a direction corresponding to the top in FIG. 2. In FIG. 2, for example, of the support substrate 4 side and the piezoelectric layer 6 side, the piezoelectric layer 6 side is the top.
- the shapes of the electrode fingers and the reflector electrode fingers are not limited to the above. It is sufficient that the shape of the electrode fingers in a planar view includes a curved shape in the intersection region D. It is sufficient that the shape of the reflector electrode fingers in a planar view includes a curved shape.
- the present embodiment is characterized by the following configurations 1) to 3).
- 1) The shapes of the first electrode fingers 16 and the second electrode fingers 17 in a plan view each include a curved portion in the intersection region D.
- 2) The shapes of the reflector electrode fingers in a plan view each include a curved portion.
- the first envelope E1 and the second envelope E2 have a portion that extends at an angle to the propagation axis and have at least one bend. It is sufficient that at least one of the first envelope E1 and the second envelope E2 has a portion that extends at an angle to the propagation axis and has at least one bend.
- the above configuration of the elastic wave device 1 makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value. This will be described below.
- the first envelope E1 and the second envelope E2 each have a portion that extends at an angle to the propagation axis, so that the main mode can be confined within the waveguide. This makes it possible to suppress leakage of the main mode. This makes it possible to increase the Q value. Furthermore, it is also possible to suppress transverse modes.
- the shape of the multiple electrode fingers of the IDT electrode 8 in a plan view includes a curved portion in the crossing region D. This makes it possible to effectively suppress transverse modes and unwanted waves outside the passband.
- outside the passband in an elastic wave device refers to the lower frequency side than the resonant frequency and the higher frequency side than the anti-resonant frequency.
- the shape of the reflector electrode fingers as well as the electrode fingers of the IDT electrode 8 in a plan view includes curved portions. This makes it possible to effectively suppress leakage of the main mode and effectively increase the Q value.
- first envelope E1 or the second envelope E2 has a portion that extends at an angle to the propagation axis, the gaps between the tips of the electrode fingers and the offset electrodes are aligned at an angle to the propagation axis. This makes it possible to effectively suppress transverse modes. Furthermore, the first envelope E1 and the second envelope E2 each have a bent portion. This makes it possible to further increase the Q value.
- the IDT electrode 8 has multiple segments, with the electrode fingers passing through the bend V1 of the first envelope E1 as boundaries.
- the multiple segments are aligned in the direction in which the propagation axis extends.
- four segments are shown as a schematic.
- FIG. 3 the configuration of the IDT electrode 8 will be described in detail using one segment as an example.
- FIG. 3 is a schematic plan view of one segment of an IDT electrode to explain the configuration of the IDT electrode in the first embodiment.
- each of the multiple electrode fingers of the IDT electrode 8 in a planar view corresponds to each of the arcs in the multiple concentric circles. Therefore, the centers of the circles containing the arcs in the shapes of the multiple electrode fingers are aligned.
- the ellipse coefficient of a circle or ellipse including an arc in the shape of the multiple electrode fingers is ⁇ 2/ ⁇ 1
- the ellipse coefficient ⁇ 2/ ⁇ 1 in this embodiment is 1.
- the shape including an arc in the shape of the multiple electrode fingers is an ellipse
- the ellipse coefficient ⁇ 2/ ⁇ 1 is other than 1.
- ⁇ 1 corresponds to the dimension of the major and minor axes of the ellipse along the axis direction that passes through the intersection region D.
- ⁇ 2 corresponds to the dimension of the major and minor axes of the ellipse along the axis direction that does not pass through the intersection region D.
- r is an arbitrary constant
- the propagation axis extends parallel to the reference line N.
- the propagation axis is the propagation axis of the elastic wave.
- the reference line N is a straight line that extends parallel to the propagation axis among straight lines passing through the intersection region D and the fixed point C.
- the angle between the straight line passing through the fixed point C and the reference line N is ⁇ C .
- FIG. 3 shows an example of the straight line.
- the positive direction of the angle ⁇ C is the counterclockwise direction when viewed in a plan view. More specifically, the direction from the second bus bar 15 side toward the first bus bar 14 side is the positive direction.
- an elastic wave is excited in the crossing region D.
- the crossing region D has parts located on countless straight lines passing through the fixed point C.
- a straight line M is shown as an example of the countless straight lines passing through the fixed point C and the crossing region D.
- an elastic wave is excited in parts located on the straight line M in the crossing region D.
- An elastic wave is also excited in parts located on countless straight lines (not shown) that pass through the fixed point C and the crossing region D.
- the elastic wave device 1 has an excitation section located on the straight line M, and excitation sections located on countless other straight lines (not shown).
- the angle between the line passing through the fixed point C and the excitation section and the reference line N is the angle ⁇ C.
- the angle between the line passing through the fixed point C and the excitation section in the intersection region D, and the excitation direction of the elastic wave at the intersection of the electrode fingers and the reference line N is the excitation angle ⁇ C _prop .
- the angle ⁇ C and the excitation angle ⁇ C _prop are 0°. Since the excitation angles ⁇ C _prop are different between the respective excitation sections, the propagation characteristics of the elastic waves are different from each other.
- the duty ratios are different between the multiple excitation sections so that the resonance frequencies or anti-resonance frequencies of all the excitation sections are approximately the same. Note that the duty ratios are the same between the excitation sections having the same absolute value
- the angle ⁇ C in the excitation section and the excitation angle ⁇ C_prop are approximately equal.
- the configuration of the present invention may be described in detail by taking up either the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C_prop .
- the angle ⁇ C and the excitation angle ⁇ C_prop there is no difference between the angle ⁇ C and the excitation angle ⁇ C_prop that would have an influence that would overturn the action and effect.
- the ellipse coefficient ⁇ 2/ ⁇ 1 is 1, that is, when the shape of the electrode finger is an arc, the angle ⁇ C and the excitation angle ⁇ C_prop are equal.
- one frequency and the other frequency being substantially the same means that the absolute value of the difference between the two frequencies is 10% or less with respect to the reference frequency.
- the reference frequency is the frequency when the excitation angle ⁇ C_prop is 0°.
- the absolute value of the difference between the highest resonance frequency and the lowest resonance frequency of the main mode is preferably 2% or less with respect to the reference frequency, and more preferably 1% or less.
- the absolute value of the difference between the highest anti-resonance frequency and the lowest anti-resonance frequency of the main mode is preferably 2% or less with respect to the reference frequency, and more preferably 1% or less. This makes it possible to more reliably improve the resonance characteristics.
- the electrode finger pitch is constant in IDT electrode 8 of elastic wave device 1. Therefore, when a wavelength defined by the electrode finger pitch is ⁇ , the wavelength ⁇ in IDT electrode 8 is constant regardless of the excitation angle ⁇ C — prop .
- the angle ⁇ C between the bent portion V1 in the first envelope E1 and the straight line passing through the fixed point C and the reference line N is defined as the first intersection angle ⁇ C_AP1_k .
- k is a natural number.
- the first intersection angle ⁇ C_AP1_k can be defined for each bent portion V1. Specifically, k in the first intersection angle ⁇ C_AP1_k is set to 1, 2, 3, etc., in order from the bent portion V1 closer to the fixed point C. In this way, the first intersection angle ⁇ C_AP1_k related to the bent portion V1 closer to the fixed point C has a smaller value of k.
- the first intersection angles are, for example, ⁇ C_AP1_m and ⁇ C_AP1_m+1 . m is a natural number.
- the angle ⁇ C between the straight line passing through the bent portion V2 and the fixed point C in the second envelope E2 and the reference line N is defined as a second intersection angle ⁇ C_AP2_k .
- the second intersection angles are, for example, ⁇ C_AP2_n and ⁇ C_AP2_n+1 , where n is a natural number.
- the straight line connecting the fixed point C and the tip of the second electrode finger 17 is not parallel to the first envelope curve E1. Therefore, ⁇ C_AP1_m ⁇ ⁇ C_AP1_m+1 .
- the straight line connecting the fixed point C and the tip of the first electrode finger 16 is not parallel to the second envelope curve E2. Therefore, ⁇ C_AP2_n ⁇ ⁇ C_AP2_n+1 .
- the shape of the multiple reflector electrode fingers 9c of the reflector 9A and the shape of the multiple reflector electrode fingers 9f of the reflector 9B are shapes that correspond to the respective arcs of the multiple concentric circles.
- the centers of the circles including the arcs in the shapes of the multiple reflector electrode fingers 9c and the multiple reflector electrode fingers 9f coincide with the fixed point C.
- the shape of each reflector electrode finger may be a curved or straight shape different from the shape of the electrode fingers of the IDT electrode 8 in the excitation section. Parameters such as the reflector electrode finger pitch or duty ratio of each reflector may be different from the parameters of the electrode fingers of the IDT electrode 8 in the excitation section.
- the reflector electrode finger pitch is the center-to-center distance between adjacent reflector electrode fingers.
- the reflector electrode fingers of each reflector may be configured in a pattern different from the shape of the electrode fingers of the IDT electrode 8 in the excitation section.
- the direction in which an elastic wave is excited is one of the following three directions.
- the first direction is perpendicular to the direction in which the electrode fingers extend.
- the second direction is the direction that connects the shortest distance between adjacent electrode fingers.
- the third direction is parallel to the electric field vector generated between the electrode fingers.
- each electrode finger includes a pair of edge portions that connect the base end and the tip end in a plan view. Both edge portions have a curved shape.
- the direction in which the electrode fingers extend is as follows. First, when a virtual line parallel to the reference line in the present invention is drawn to connect both edge portions in any part of the electrode finger, the center of gravity of the part located on the virtual line is set as the representative point of the virtual line. An infinite number of virtual lines can be drawn on the electrode finger, and there are an infinite number of representative points. The direction in which the tangent of the curve connecting these representative points extends is set as the direction in which the electrode finger extends. The direction in which the electrode finger extends differs for each position on the electrode finger. For example, if the intersection region includes multiple curved regions and each curved region has a different reference line, the direction in which the reference line of the curved region on which the virtual line is drawn extends may be set as the direction in which the virtual line extends.
- the propagation axis is the X-propagation direction.
- the propagation axis may be not only the X-propagation direction, but also a direction perpendicular to either the 90° X-propagation direction or the direction in which the electrode fingers of the IDT electrode 8 extend.
- the reference line N does not necessarily have to extend parallel to the propagation axis.
- the first reference example differs from the first embodiment in that, as shown in FIG. 5, neither the first envelope E101 nor the second envelope E102 is inclined with respect to the propagation axis.
- the first embodiment, the first reference example, and the comparative example were compared in terms of impedance frequency characteristics, the relationship between frequency and Q value, and phase characteristics.
- the design parameters of the elastic wave device 1 of the first embodiment are as follows.
- the dimension along the direction connecting the base end and tip end of the offset electrode is the length of the offset electrode.
- the dimension of the gap between the tip end of the electrode finger and the tip end of the offset electrode along the direction in which the electrode finger and the offset electrode face each other is the gap length.
- the gap between the tip end of the second electrode finger and the tip end of the first offset electrode, and the gap between the tip end of the first electrode finger and the tip end of the second offset electrode have the same gap length.
- the direction in which the multiple electrode fingers extend is the electrode finger extension direction, and the dimension of the intersection region along the electrode finger extension direction is the intersection width.
- the intersection width in IDT electrode 108 of the comparative example elastic wave device is 25 ⁇ .
- the number of pairs of electrode fingers in IDT electrode 108 is 100 pairs, and the number of pairs of reflector electrode fingers in reflector 109A and reflector 109B is 20 pairs each.
- the duty ratio is 0.5.
- the angle at which each bus bar is inclined with respect to the direction perpendicular to the electrode finger extension direction is 7.5°.
- the unwanted waves shown in FIG. 9 are Rayleigh waves. It can be seen that the unwanted waves are suppressed more in the first embodiment than in the comparative example. The unwanted waves are also suppressed more in the first reference example than in the comparative example. This is because in the first embodiment and first reference example, the shape of the multiple electrode fingers in a plan view has a curved shape in the intersection region.
- the first embodiment it is possible to suppress unwanted waves and increase the Q value at the same time. This is because, in the first embodiment, the first envelope E1 and the second envelope E2 have bent portions. Details of this will be described below with reference to the second reference example.
- the elastic wave device of the second reference example shown diagrammatically in FIG. 10 differs from the first embodiment in that the first envelope and the second envelope do not have any bends.
- the dashed-dotted line Ex101 in FIG. 10 is an extension of the first envelope and a virtual line that includes the first envelope.
- the dashed-dotted line Ex102 is an extension of the second envelope and a virtual line that includes the second envelope.
- the first envelope and the second envelope are inclined with respect to the propagation axis.
- the two-dot chain line N101 in FIG. 10 indicates the portion in which the main mode propagates in the direction in which the propagation axis extends.
- the two-dot chain line N101 is an imaginary line that indicates the portion where the normal direction to the direction in which the curved electrode fingers extend is parallel to the direction in which the propagation axis extends.
- the IDT electrode will include many electrode fingers that are not located on the two-dot chain line N101.
- the proportion of the portion of the IDT electrode where the main mode does not propagate in the direction in which the propagation axis extends will increase. In this case, it will be difficult to achieve a sufficiently high Q value.
- the portion on the reference line N in FIG. 1 is the portion where the main mode propagates in the direction in which the propagation axis extends.
- the first envelope E1 and the second envelope E2 have bent portions. This increases the proportion of the portion where the main mode propagates in the direction in which the propagation axis extends. Therefore, the Q value can be effectively increased.
- all the electrode fingers include a portion in which the normal direction to the extension direction of the electrode fingers is the same as the direction in which the propagation axis extends. It is even more preferable that 80% or more of all the electrode fingers include a portion in which the normal direction to the extension direction of the electrode fingers is the same as the direction in which the propagation axis extends. This makes it possible to more reliably increase the Q value. It is also preferable that in the first embodiment, all the electrode fingers include a portion in which the normal direction to the extension direction of the electrode fingers is the same as the direction in which the propagation axis extends. This makes it possible to more reliably and effectively increase the Q value.
- the first envelope E1 has multiple bends V1. This allows a configuration in which a greater number of electrode fingers include portions in which the normal direction to the direction in which the electrode fingers extend is the same as the direction in which the propagation axis extends. This makes it possible to more reliably increase the Q value.
- the second envelope E2 has a wavy shape having multiple bends V2 and bends in the same direction as the first envelope E1.
- the first envelope E1 has a bend V1, which is a portion where the first envelope E1 is bent so as to be convex toward the first busbar 14 side.
- the second envelope E2 has a bend V2, which is a portion where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the first busbar 14 side. It is preferable that these bends V1 and V2, which are portions bent so as to be convex toward the first busbar 14 side, are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis.
- first envelope E1 has a bent portion V1, which is a portion where the first envelope E1 is bent so as to be convex toward the second busbar 15 side.
- second envelope E2 has a bent portion V2, which is a portion where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the second busbar 15 side. It is preferable that these bent portions V1 and V2, which are portions bent so as to be convex toward the second busbar 15 side, are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis.
- the change in dimension along the direction perpendicular to the propagation axis of the intersection region D is small. This allows the elastic wave to propagate stably. Therefore, the characteristics of the main mode can be improved.
- the conditions of the first envelope E1 and the second envelope E2 were changed to compare the effects of the transverse mode on the frequency characteristics. Specifically, the effects of the transverse mode were evaluated each time the number of pairs of electrode fingers between the bends V1 of the first envelope E1 and the inclination angle of the first envelope E1 with respect to the propagation axis were changed. Note that the number of pairs of electrode fingers between the bends and the inclination angle with respect to the propagation axis were the same for the first envelope E1 and the second envelope E2.
- the inclination angles of the first envelope E1 and the second envelope E2 with respect to the propagation axis may be simply referred to as the inclination angles of the envelopes.
- the impact of the transverse mode was evaluated based on the maximum value of the 2 MHz integrated waveform (2 MHz Any Ripple) in the band between the resonant frequency and the anti-resonant frequency.
- the smaller the maximum value the more the transverse mode is suppressed and the higher the Q value.
- Figure 11 shows the relationship between the inclination angle of the envelope and the maximum value of the 2 MHz integrated waveform in transverse mode when the number of pairs of electrode fingers between the bends is 10 or 20 pairs.
- Figure 12 shows the relationship between the number of pairs of electrode fingers between the bends and the maximum value of the 2 MHz integrated waveform in transverse mode when the inclination angle of the envelope is 5°, 10°, or 15°.
- the two-dot chain lines in Figures 11 and 12 show the maximum value under the conditions where the above maximum value is the smallest.
- the maximum value of the integrated waveform of 2 MHz in the transverse mode can be made 0.1 dB or less. It is more preferable that the number of pairs of electrode fingers between the bends V1 is 20 or more pairs, and that the absolute value of the inclination angle at each portion where the first envelope E1 is inclined with respect to the propagation axis is 7° or more. As a result, the above maximum value can be made 0.05 dB or less.
- the number of pairs of electrode fingers between the bends V1 is 20 or more pairs, and that the absolute value of the inclination angle at each portion where the first envelope E1 is inclined with respect to the propagation axis is 10° or more.
- the above maximum value can be made the minimum value. In these cases, the transverse mode can be effectively suppressed, and the Q value can be effectively increased.
- the absolute value of the inclination angle in each portion where the first envelope E1 is inclined with respect to the propagation axis is 10° or more, and that seven or more pairs of electrode fingers are provided between adjacent bends V1 in the first envelope E1.
- the maximum value of the 2 MHz integrated waveform in the transverse mode can be made 0.1 dB or less.
- the absolute value of the inclination angle in each portion where the first envelope E1 is inclined with respect to the propagation axis is 10° or more, and that the number of pairs of electrode fingers between the bends V1 in the first envelope E1 is 10 pairs or more.
- the maximum value can be made 0.05 dB or less.
- the absolute value of the inclination angle in each portion where the first envelope E1 is inclined with respect to the propagation axis is 10° or more, and that the number of pairs of electrode fingers between the bends V1 in the first envelope E1 is 20 pairs or more.
- the maximum value can be made the minimum value. In these cases, the transverse mode can be effectively suppressed and the Q value can be effectively increased.
- the IDT electrode 8 has a plurality of first offset electrodes 18 and a plurality of second offset electrodes 19. This allows the main mode propagating from the crossing region D toward each bus bar side to be reflected toward the crossing region D side. This reduces the loss of the main mode and improves the characteristics of the main mode.
- the shape of the multiple first offset electrodes 18 in a planar view is curved.
- the shape of the first offset electrodes 18 can be made to match the frequency of the main mode reflected by the first offset electrodes 18. This can increase the reflection efficiency of reflecting the main mode. This can effectively improve the characteristics of the main mode.
- the shape of the second offset electrodes 19 in a planar view is curved.
- the shape of the multiple offset electrodes in plan view does not have to be curved.
- the shape of the multiple first offset electrodes 18A in plan view is linear.
- the shape of the multiple second offset electrodes in plan view is also linear.
- the distance from the tip of the first offset electrode 18A to the first bus bar 14 can be shortened.
- the distance from the tip of the second offset electrode to the second bus bar can be shortened. This can reduce the electrical resistance of the IDT electrode. Therefore, when the elastic wave device is used in a filter device, it is possible to suppress the insertion loss from increasing due to the series resistance component. In addition, as in the first embodiment, it is possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the shape of the portion of the first busbar 14 on the first envelope E1 side in a plan view is wavy.
- the distance between the first busbar 14 and the first envelope E1 in the direction perpendicular to the propagation axis is constant.
- the length of the multiple first offset electrodes 18 is constant.
- the gap length of the gap between the tip of the second electrode finger 17 and the tip of the first offset electrode 18 is also constant. In this way, the gap length can be made constant without lengthening the first offset electrode 18 in accordance with the shape of the first envelope E1. This makes it possible to more reliably suppress leakage of the main mode without increasing the electrical resistance of the IDT electrode 8.
- the distance between the second busbar 15 and the second envelope E2 in the direction perpendicular to the propagation axis is constant.
- the length of the multiple second offset electrodes 19 is constant.
- the gap length of the gap between the tip of the first electrode finger 16 and the tip of the second offset electrode 19 is also constant. This makes it possible to more reliably suppress leakage of the main mode without increasing the electrical resistance of the IDT electrode 8.
- the propagation characteristics of the elastic waves are different in each excitation section, which makes use of this to obtain effects such as suppressing unwanted waves. This will be explained in detail below.
- the configuration of the IDT electrode 8 in the first embodiment is only one example, and the configuration of the IDT electrode in the present invention is not limited to the following configuration.
- the phase velocity of the elastic wave has a dependency on the excitation angle ⁇ C _prop , and shows a unique characteristic according to the configuration of the substrate.
- the inverse of the phase velocity corresponds to the reverse velocity plane. Therefore, the relationship between the excitation angle ⁇ C _prop and the phase velocity is approximately equal to the reverse velocity plane of the piezoelectric substrate. Therefore, in FIG. 14, an example of the reverse velocity plane of the piezoelectric substrate having a layer configuration different from each other is shown.
- One piezoelectric substrate is a substrate made only of LiTaO 3 (LT) with a rotated Y cut and 42° X propagation. This substrate is the first piezoelectric substrate.
- the other piezoelectric substrate is a laminated substrate of a piezoelectric layer/support substrate.
- This substrate is the second piezoelectric substrate. More specifically, the second piezoelectric substrate is a substrate in which a silicon substrate with a plane orientation of (100), a silicon oxide film, and a lithium tantalate layer are laminated in this order. Even if the plane orientation of the silicon substrate is other plane orientations such as (110) or (111), the shape of the unevenness of the reverse velocity plane does not change.
- FIG. 14 shows the reverse velocity plane of elastic waves propagating through the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate.
- the x-axis shown in FIG. 14 corresponds to the result when it is parallel to the propagation axis. In other words, it corresponds to the result when the excitation angle ⁇ C _prop is 0°.
- the reverse velocity planes in the first piezoelectric substrate and the second piezoelectric substrate are both symmetrical with respect to the x-axis.
- the reverse velocity plane in the first piezoelectric substrate has a concave shape.
- the reverse velocity plane in the second piezoelectric substrate has a convex shape.
- Figure 15 shows the inverse velocity planes of longitudinal waves, fast shear waves, and slow shear waves in a first piezoelectric substrate.
- the reverse velocity planes of the three elastic wave modes, the longitudinal wave, the fast transverse wave, and the slow transverse wave are different from each other.
- the portions passing through the arrows L1 and L2 in FIG. 15 correspond to examples of results when the excitation angle ⁇ C_prop is other than 0°.
- the interval between the reverse velocity planes of the slow transverse wave and the fast transverse wave in the portion passing through the arrow L1 is different from the interval between the reverse velocity planes of the slow transverse wave and the fast transverse wave in the portion passing through the arrow L2.
- the interval between the reverse velocity planes of the fast transverse wave and the longitudinal wave in the portion passing through the arrow L1 is different from the interval between the reverse velocity planes of the fast transverse wave and the longitudinal wave in the portion passing through the arrow L2. That is, in excitation sections having different excitation angles ⁇ C_prop , the interval between the reverse velocity planes of different modes is different. This is also true for the relationship between the main mode used in the elastic wave device and the unwanted waves.
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies of the main modes are made to be approximately the same in all excitation parts. Therefore, the frequencies of the unwanted waves are different in different excitation parts. This causes the unwanted waves and transverse modes outside the passband to be dispersed. Therefore, the unwanted waves and transverse modes outside the passband can be suppressed.
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies of each excitation section are approximately the same, so that the main mode is preferably excited. This makes it possible to more reliably suppress deterioration of the resonance characteristics.
- the first intersection angles ⁇ C_AP1_k are different between adjacent bends V1 of the first envelope E1.
- the second intersection angles ⁇ C_AP2_k are different between adjacent bends V2 of the second envelope E2. Therefore, the ranges of the excitation angles ⁇ C_prop of the excitation parts including the electrode fingers are different between the electrode fingers.
- the intervals between the reverse velocity planes of the main mode and the unwanted waves are different between excitation sections having different excitation angles ⁇ C _prop .
- the resonance frequency or anti-resonance frequency of the main mode is substantially the same in all excitation sections.
- the ranges of the excitation angles ⁇ C _prop of the excitation sections including each electrode finger are different from each other. Therefore, the range of variation in the frequency of the excited unwanted waves differs for each part where each electrode finger is located. Therefore, the unwanted waves can be effectively dispersed. Therefore, the unwanted waves and transverse modes outside the passband can be effectively suppressed.
- the phase velocity corresponds to the reciprocal of the reverse velocity plane. Therefore, the relationship between the excitation angle ⁇ C_prop and the phase velocity is approximately equal to that of the reverse velocity plane in the XY plane of the piezoelectric substrate as shown in FIG. 15. In other words, it can be said that the function expressing the curved shape of the electrode fingers is determined by the shape of the reverse velocity plane in the XY plane of the piezoelectric substrate.
- the phase velocity of the elastic wave has a dependency on the excitation angle ⁇ C_prop .
- the duty ratio which affects the frequency, is changed according to the excitation angle ⁇ C_prop , so that the frequencies of the elastic waves excited at each excitation angle ⁇ C_prop are made substantially equal.
- the relationship between the excitation angle ⁇ C_prop and the duty ratio in the first embodiment is shown in FIG. 16. Note that an example in which the maximum value of the duty ratio is different from that in the first embodiment is also shown as a second modified example of the first embodiment.
- FIG. 16 is a diagram showing the relationship between the absolute value of the excitation angle
- the duty ratio when the excitation angle ⁇ C _prop is 0°, the duty ratio is maximum. That is, in the first embodiment, the straight line passing through the fixed point C and the excitation section with the largest duty ratio among all excitation sections is the reference line N. Note that in the first embodiment, when the excitation angle ⁇ C _prop is 0°, the duty ratio is 0.5. The larger the absolute value of the excitation angle
- the duty ratio is smaller as the absolute value of the excitation angle
- the duty ratio is 0.634.
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies are approximately the same in all excitation sections.
- the second modified example is configured in the same manner as the first embodiment except for the duty ratio. Therefore, it is possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the relationship between the duty ratio and the frequency of each mode varies depending on the reverse velocity plane of the piezoelectric substrate. Therefore, depending on the configuration of the piezoelectric substrate or the configuration on the piezoelectric substrate, when the absolute value of the excitation angle
- the straight line passing through the excitation part with the smallest duty ratio among all excitation parts and the fixed point C is the reference line N.
- an elastic wave device in which an IDT electrode provided on a substrate made of only LiNbO 3 with a rotated Y cut -4°X propagation is embedded in a thick SiO 2 film.
- the duty ratio is not necessarily maximum or minimum in the excitation part where the reference line N passes and the excitation angle ⁇ C _prop is 0°.
- the shapes of the multiple first offset electrodes 18 and the multiple second offset electrodes 19 in a plan view are each equivalent to a circular arc in a plurality of concentric circles.
- the centers of the circles including the circular arcs in the shapes of the multiple first offset electrodes 18 and the multiple second offset electrodes 19 coincide with fixed point C.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers 9c of reflector 9A and the multiple reflector electrode fingers 9f of reflector 9B in a plan view are also each equivalent to a circular arc in a plurality of concentric circles.
- the centers of the circles including the circular arcs in the shapes of the multiple reflector electrode fingers 9c and the multiple reflector electrode fingers 9f coincide with fixed point C.
- this is not limited to this.
- FIG. 17 is a schematic plan view of one segment of an IDT electrode to explain the configuration of the IDT electrode in a third modified example of the first embodiment.
- the shape of the multiple electrode fingers in a planar view includes the shape of an elliptical arc.
- the shape of the multiple electrode fingers in a planar view is a shape that corresponds to each of the elliptical arcs of multiple ellipses with the same center of gravity.
- the midpoint of focal points A and B is fixed point C.
- fixed point C is the center of gravity of focal points A and B.
- the center of gravity of focal points A and B is the center of gravity of an ellipse having focal points A and B.
- the elliptical coefficient ⁇ 1/ ⁇ 2 of the shape of the multiple electrode fingers in a planar view is other than 1.
- the shapes of the multiple offset electrodes in plan view are each equivalent to an elliptical arc in multiple ellipses with the same center of gravity.
- the midpoints of the foci of the ellipses that include the elliptical arcs in the shapes of the multiple offset electrodes coincide with the fixed point C.
- the centers of gravity of the foci of these ellipses coincide with the fixed point C.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers of each reflector in plan view are also each equivalent to an elliptical arc in multiple ellipses with the same center of gravity.
- the midpoints of the foci of the ellipses that include the elliptical arcs in the shapes of the multiple reflector electrode fingers of each reflector coincide with the fixed point C.
- the centers of gravity of the foci of these ellipses coincide with the fixed point C.
- the first envelope E1 and the second envelope E2 have portions that extend at an angle to the propagation axis and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude in the first envelope E1 are constant.
- the dimension corresponding to the period is the component in the direction in which the propagation axis extends of the distance between the two end bends V1 of the three consecutive bends V1.
- the dimension corresponding to the amplitude is the component in the direction perpendicular to the propagation axis of the distance between adjacent bends V1.
- at least one of the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude does not have to be constant. In this case, the transverse mode can be effectively suppressed.
- the dimension corresponding to the period of the wavy shape of the second envelope E2 and the dimension corresponding to the amplitude can also be defined in the same way as the first envelope E1.
- the second envelope E2 at least one of the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude does not have to be constant.
- the dimensions corresponding to the period of the wavy shape and the dimensions corresponding to the amplitude in the first envelope E1 and the second envelope E2 are the same. However, at least one of the dimensions corresponding to the period of the wavy shape and the dimensions corresponding to the amplitude in the first envelope E1 and the second envelope E2 may be different from each other. In this case, the transverse mode can be effectively suppressed.
- the absolute value of the tilt angle is constant in each of the first envelope E1 and the second envelope E2. Note that the absolute value of the tilt angle does not have to be constant in each of the first envelope E1 and the second envelope E2.
- At least one of the first envelope E1 and the second envelope E2 has a bent portion.
- first envelope E1 and the second envelope E2 has a bent portion.
- first envelope E1 and the second envelope E102 of the IDT electrode 8B only the first envelope E1 has a wavy shape.
- the second envelope E102 has a linear shape.
- the shape of the portion of the second busbar 25 on the side of the second envelope E102 in a plan view is linear. Even in this case, as in the first embodiment, unwanted waves can be suppressed and the Q value can be increased.
- the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate of the support substrate 4, the first layer 5a and the second layer 5b of the intermediate layer 5, and the piezoelectric layer 6.
- the first layer 5a in the first embodiment is a high acoustic velocity film.
- a high acoustic velocity film is a film with a relatively high acoustic velocity. More specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the high acoustic velocity film is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 6.
- the second layer 5b is a low acoustic velocity film.
- a low acoustic velocity film is a film with a relatively low acoustic velocity. More specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low acoustic velocity film is lower than the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 6.
- the high acoustic velocity film, the low acoustic velocity film, and the piezoelectric layer 6 are laminated in this order on the piezoelectric substrate 2. This makes it possible to effectively confine the energy of the elastic waves on the piezoelectric layer 6 side.
- the material of the high sound velocity film may be, for example, a piezoelectric material such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz; a ceramic material such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, spinel, or sialon; a dielectric material such as aluminum oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), or diamond; or a semiconductor material such as silicon; or a material mainly composed of the above-mentioned material.
- a piezoelectric material such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz
- a ceramic material such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, spine
- the spinel includes an aluminum compound containing one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc., and oxygen.
- the spinel include MgAl 2 O 4 , FeAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 , and MnAl 2 O 4.
- the main component refers to a component that accounts for more than 50% by weight.
- the main component material may be in any one of a single crystal, polycrystalline, and amorphous state, or a mixture of these.
- the low acoustic velocity film may be made of a dielectric material such as glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum oxide, or a compound of silicon oxide with fluorine, carbon, or boron added, or a material that contains the above materials as its main component.
- a dielectric material such as glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum oxide, or a compound of silicon oxide with fluorine, carbon, or boron added, or a material that contains the above materials as its main component.
- the material for the piezoelectric layer 6 may be, for example, lithium tantalate, lithium niobate, zinc oxide, aluminum nitride, quartz, or PZT (lead zirconate titanate). It is preferable to use lithium tantalate or lithium niobate as the material for the piezoelectric layer 6.
- the material of the support substrate 4 may be, for example, a piezoelectric material such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz; a ceramic material such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, or forsterite; a dielectric material such as diamond or glass; a semiconductor material such as silicon, gallium nitride, or gallium arsenide; or a resin; or a material containing the above materials as a main component. It is preferable to use high-resistivity silicon for the support substrate 4. It is desirable for the volume resistivity of the material of the support substrate 4 to be 1000 ⁇ cm or more.
- the material of the IDT electrode 8 may be, for example, one or more metals selected from the group consisting of Ti, Mo, Ru, W, Al, Pt, Ir, Cu, Cr, and Sc.
- the same material as the IDT electrode 8 may be used for each reflector.
- the IDT electrode 8 and each reflector may be made of a single layer metal film or a laminated metal film.
- the duty ratio is changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop , so that the resonant frequencies or anti-resonant frequencies of all the excitation parts are made to substantially coincide with each other.
- the setting of parameters such as the duty ratio is not particularly limited. However, it is preferable to change parameters that affect the frequency, such as the duty ratio, the electrode finger pitch, the thickness of the electrode fingers, the thickness of the piezoelectric layer, and the thickness of the intermediate layer in the piezoelectric substrate, according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- the thickness of the dielectric film may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- a plurality of parameters among the above parameters may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop. It is preferable that at least one of these parameters is changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop so that the resonant frequencies or anti-resonant frequencies of all the excitation parts are made to substantially coincide with each other. This makes it possible to more reliably improve the resonance characteristics.
- the reflectors 9A and 9B it is preferable to change parameters such as the duty ratio, the reflector electrode finger pitch, the thickness of the reflector electrode fingers, the thickness of the piezoelectric layer, and the thickness of the intermediate layer in the piezoelectric substrate according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- the thickness of the dielectric film may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- a plurality of parameters among the above parameters may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- the reflectors 9A and 9B are part of the IDT electrode 8.
- the shape of the IDT electrode in the first embodiment and each of its modified examples is an example in the present invention.
- the shape of the multiple electrode fingers of the IDT electrode in a planar view and the shape of the multiple reflector electrode fingers of each reflector in a planar view may be any curved shape.
- the multiple electrode fingers may have a shape in which multiple fixed points are defined.
- the shape of the multiple electrode fingers in a planar view may be a shape in which different curves are connected to each other.
- the shape of the multiple electrodes in a planar view may include a curved shape as well as a linear shape.
- the multiple electrode fingers may have multiple inflection points. The same applies to the multiple reflector electrode fingers.
- the curves in the shapes of the multiple electrode fingers and the multiple reflector electrode fingers in a planar view may be shapes formed by connecting very small straight lines.
- the curves in the shapes of the multiple electrode fingers and the multiple reflector electrode fingers in a planar view do not necessarily have to be smooth curves.
- each electrode finger changes continuously.
- the width of each electrode finger may also change discontinuously.
- each electrode finger may have a configuration corresponding to a configuration in which multiple parts are connected, and at the connection parts where different parts are connected, the widths of the connected parts may differ from each other. The same applies to each reflector electrode finger.
- the reference line does not necessarily have to pass through the fixed point.
- the reference line can be defined individually in a localized area of the curve of the shape of each electrode finger in a planar view. In this case, the reference line has an origin other than the fixed point.
- the directions in which the multiple reference lines extend are parallel.
- the reflector busbars 9a and 9b of the reflector 9A in the elastic wave device 1 extend parallel to the propagation axis.
- the reflector busbars 9d and 9e of the reflector 9B extend parallel to the propagation axis.
- each reflector busbar of each reflector may extend at an angle to the propagation axis.
- the shapes of the multiple first electrode fingers and the multiple second electrode fingers in a planar view each include a curved portion in the intersection region.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope and the second envelope have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- FIG. 19 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a second embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in that the first bus bar 24 has a linear shape in a plan view on the first envelope E1 side, and the second bus bar 25 has a linear shape in a plan view on the second envelope E2 side.
- This embodiment also differs from the first embodiment in that the lengths of the multiple first offset electrodes 18 are not constant, and the lengths of the multiple second offset electrodes 19 are not constant.
- the elastic wave device of this embodiment has a similar configuration to the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the portion of the first busbar 24 where the base ends of the multiple first offset electrodes 18 are connected has a linear shape.
- the first envelope E1 has a wavy shape. Therefore, as described above, the length of the first offset electrode 18 is not constant. This widens the area for reflecting the main mode. This makes it possible to effectively suppress leakage of the main mode. Similarly, leakage of the main mode can also be effectively suppressed on the side of the multiple second offset electrodes 19. This makes it possible to improve the resonance characteristics.
- FIG. 20 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a third embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in that the first envelope E1 and the second envelope E2 are bent in opposite directions.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the first envelope E1 has a bent portion V1 where the first envelope E1 is bent so as to be convex toward the first busbar 14 side.
- the second envelope E2 has a bent portion V2 where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the second busbar 15 side.
- the bent portion V1 where the first envelope E1 is bent so as to be convex toward the first busbar 14 side and the bent portion V2 where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the second busbar 15 side are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis.
- the first envelope E1 has a bent portion V1 where the first envelope E1 is bent so as to be convex toward the second busbar 15 side.
- the second envelope E2 has a bent portion V2 where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the first busbar 14 side.
- the bent portion V1 where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the second busbar 15 side and the bent portion V2 where the second envelope E2 is bent so as to be convex toward the first busbar 14 side are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis.
- the frequency at which the transverse mode occurs and the intensity of the transverse mode depend on the dimension along the direction perpendicular to the propagation axis of the crossing region.
- the dimension along the direction perpendicular to the propagation axis of the crossing region is changed. This makes it possible to disperse the frequency at which the transverse mode occurs.
- the crossing region of this embodiment can be divided into parts having different dimensions along the direction perpendicular to the propagation axis. Transverse modes occur in each of these divided parts. Therefore, the transverse modes occurring in each individual part are small. Therefore, the magnitude of the transverse mode response is also small overall. Therefore, the transverse modes can be effectively suppressed.
- the duty ratio is adjusted to make the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all excitation sections approximately matched.
- the electrode finger pitch may be adjusted to make the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all excitation sections approximately matched. An example of this is shown in the fourth embodiment.
- the fourth embodiment differs from the first embodiment in that the duty ratio of the IDT electrodes is constant and the electrode finger pitch is not constant.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the duty ratio is constant in the IDT electrodes. Specifically, the duty ratio is 0.5.
- the reference line N is a straight line passing through the excitation part having the widest electrode finger pitch among all the excitation parts. The larger the absolute value of the excitation angle
- and the electrode finger pitch is specifically shown below.
- the electrode finger pitch in the excitation part where the excitation angle ⁇ C _prop is 0° is p0
- the electrode finger pitch in an arbitrary part is p1
- ⁇ (p1-p0)/p0 ⁇ 100[%] is the change rate ⁇ pitch[%] of the electrode finger pitch.
- FIG. 21 is a diagram showing the relationship between the absolute value
- ⁇ pitch is 0% in the excitation portion of the IDT electrode where the excitation angle ⁇ C _prop is 0°.
- the shapes of the multiple first electrode fingers and the multiple second electrode fingers in a planar view each include a curved portion in the intersection region.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope and the second envelope have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the relationship between the electrode finger pitch and the frequency of each mode varies depending on the reverse velocity plane of the piezoelectric substrate. Therefore, depending on the configuration of the piezoelectric substrate or the configuration on the piezoelectric substrate, when the electrode finger pitch is wider as the absolute value of the excitation angle
- the straight line passing through the excitation part with the narrowest electrode finger pitch among all excitation parts and the fixed point C is the reference line N.
- An example of this is an elastic wave device in which an IDT electrode provided on a substrate made of only LiNbO 3 with a rotated Y cut -4°X propagation is embedded in a thick SiO 2 film.
- the value of the electrode finger pitch is not necessarily maximum or minimum in the excitation part where the reference line N passes and the excitation angle ⁇ C _prop is 0°.
- FIG. 22 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a fifth embodiment.
- the shape of the multiple electrode fingers of the IDT electrode 38 is different from that of the first embodiment.
- the shape of the multiple reflector electrode fingers of the reflectors 39A and 39B is also different from that of the first embodiment.
- the elastic wave device of this embodiment has a similar configuration to the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the shapes of the multiple first electrode fingers 36 and the multiple second electrode fingers 37 in plan view each have an inflection point.
- an inflection point is a point where mutually different curves are connected to each other, or a point where a curve and a straight line are connected.
- the directions of the curved shapes differ with the inflection point as a boundary.
- the different directions of the curved shapes mean, for example, that the curved directions are different in the curved shapes. More specifically, for example, the direction of the curved shapes differs between the case where the curve is convex to the left in FIG. 22 and the case where the curve is convex to the right.
- the two curved shapes are inverted to each other with the inflection point as a boundary.
- each of the multiple electrode fingers in a planar view is a shape in which two arcs are connected.
- one of the arcs in each of the multiple electrode finger shapes is a respective arc in the multiple concentric circles. Therefore, the centers of the circles containing the arcs in the multiple electrode finger shapes are coincident. The centers of these circles can be defined as a first fixed point.
- the other arc in each of the multiple electrode finger shapes is also a respective arc in the multiple concentric circles. The centers of these circles can be defined as a second fixed point. In this way, in this embodiment, two fixed points are defined. The two fixed points face each other across the IDT electrode 38.
- the shapes of the multiple first electrode fingers 36 and the multiple second electrode fingers 37 in a planar view may each include at least two curved portions in which the first electrode fingers 36 and the second electrode fingers 37 bend in different directions in the intersection region D. Furthermore, the shapes of the multiple electrode fingers in a planar view may each have at least one inflection point in the intersection region D.
- the multiple reflector electrode fingers of each reflector each have a shape in a planar view of two connected arcs. Fixed points can also be defined for each reflector electrode finger, which are the same as the fixed points defined for the multiple electrode fingers of the IDT electrode 38.
- the intersection region D has multiple curved regions. Specifically, the multiple curved regions are a first curved region W1 and a second curved region W2.
- the first curved region W1 includes a first envelope E1.
- the second curved region W2 includes a second envelope E2.
- the shape of the multiple first electrode fingers 36 and the shape of the multiple second electrode fingers 37 in a planar view are each a single arc shape or an elliptical arc shape.
- the shape of the multiple electrode fingers in a planar view is a single arc shape.
- the number of curved regions in the intersection region D is not limited to two.
- the intersection region D may include three or more curved regions.
- One of the two fixed points is a fixed point defined in the first curved region W1.
- the other fixed point is a fixed point defined in the second curved region W2.
- the portion on any straight line passing through the fixed point in each curved region is defined as the excitation section.
- a straight line that extends parallel to the propagation axis and passes through the fixed point is defined as the reference line N. Note that in this embodiment, two fixed points are located on one reference line N. The boundary between the first curved region W1 and the second curved region W2 is the reference line N.
- An angle ⁇ C is defined as an angle between a fixed point in each curved region and a straight line passing through the excitation portion in each curved region, and a reference line N.
- an angle between a fixed point, a straight line passing through the excitation portion in each curved region, and an excitation direction of an elastic wave at an intersection of the electrode fingers, and a reference line N is defined as an excitation angle ⁇ C_prop .
- the electrode finger pitch changes according to each angle ⁇ C or excitation angle ⁇ C_prop so that the resonance frequencies or anti-resonance frequencies in all the excitation portions of each curved region are approximately equal to each other.
- At least one of the duty ratio, the electrode finger pitch, and the thickness of the first electrode fingers 36 and the second electrode fingers 37 may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- the thickness of the dielectric film may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- a plurality of the above parameters may be changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop .
- At least one of these parameters is changed according to the angle ⁇ C or the excitation angle ⁇ C _prop so that the resonance frequencies or the anti-resonance frequencies in all the excitation parts are approximately equal to each other. This makes it possible to more reliably improve the resonance characteristics.
- the shapes of the multiple first electrode fingers 36 and the multiple second electrode fingers 37 in a planar view each include a curved portion in the intersection region D.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope E1 and the second envelope E2 have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the shape of the combined portion of the multiple offset electrodes and multiple electrode fingers is approximately point symmetric in the first curved region W1 and second curved region W2 of the intersection region D.
- each electrode finger includes a portion that is curved so as to be convex toward the reflector 39A side, and a portion that is curved so as to be convex toward the reflector 39B side.
- the piezoelectric layer 6 is a single crystal film having material anisotropy, the unwanted waves propagating toward the reflector 39A side and the unwanted waves propagating toward the reflector 39B side may have opposite phase signs. In this case, the unwanted waves can be effectively suppressed.
- the duty ratio or electrode finger pitch is adjusted to make the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all excitation sections approximately equal.
- the thickness of multiple electrode fingers may be adjusted to make the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all excitation sections approximately equal. An example of this is shown in the sixth embodiment.
- the sixth embodiment differs from the first embodiment in that the duty ratio of the IDT electrode is constant and the thickness of the multiple electrode fingers is not constant.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- FIG. 23 is a diagram showing the relationship between the absolute value of the excitation angle
- a straight line passing through a fixed point C and an excitation part in which the first electrode fingers and the second electrode fingers are the thickest among all the excitation parts is a reference line N.
- the thickness of the first electrode fingers and the second electrode fingers is thinner as the absolute value
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all the excitation parts are approximately the same.
- the shapes of the multiple first electrode fingers and the multiple second electrode fingers in a planar view each include a curved portion in the intersection region.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope and the second envelope have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the relationship between the thickness of the first electrode finger and the second electrode finger and the frequency of each mode varies depending on the reverse velocity plane of the piezoelectric substrate. Therefore, depending on the configuration of the piezoelectric substrate and the configuration on the piezoelectric substrate, the larger the absolute value of the excitation angle
- the straight line passing through the excitation part in which the thickness of the first electrode finger and the second electrode finger is the thinnest among all excitation parts and the fixed point C is the reference line N.
- an elastic wave device in which an IDT electrode provided on a substrate made only of LiNbO 3 with a rotated Y cut -4°X propagation is embedded in a thick SiO 2 film.
- the thickness value of the first electrode finger and the second electrode finger is not necessarily maximum or minimum.
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all excitation sections are made to substantially coincide with each other by the configuration of the IDT electrodes.
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all excitation sections may also be made to substantially coincide with each other by adjusting the thickness of the dielectric film covering the IDT electrodes. An example of this is shown in the seventh embodiment and its modified example.
- FIG. 24 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a seventh embodiment. Note that FIG. 24 is a schematic cross-sectional view taken along reference line N. The same applies to the schematic cross-sectional front views other than FIG. 24.
- This embodiment differs from the first embodiment in that the duty ratio of the IDT electrode 48 is constant. This embodiment also differs from the first embodiment in that a dielectric film 45 is provided on the piezoelectric layer 6 so as to cover the IDT electrode 48.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the sound velocity of the shear wave propagating through the dielectric film 45 is lower than the sound velocity of the main mode propagating through the dielectric film 45.
- the thickness of the dielectric film 45 varies depending on the excitation angle ⁇ C_prop of the excitation portion of the IDT electrode 48 covered by the dielectric film 45.
- FIG. 25 is a diagram showing the relationship between the absolute value
- the straight line passing through the fixed point C and the excitation portion where the thickest portion of the dielectric film 45 is located among all the excitation portions is the reference line N.
- the thickness of the dielectric film 45 is thinner as the absolute value
- the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all the excitation portions are approximately the same.
- the shapes of the multiple first electrode fingers and the multiple second electrode fingers in a planar view each include a curved portion in the intersection region.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope and the second envelope have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the sound velocity of the transverse waves propagating through the dielectric film 45 is lower than the sound velocity of the main mode propagating through the dielectric film 45.
- the relationship between the sound velocities of the waves propagating through the dielectric film is not limited to the above. Below is shown a modified example of the seventh embodiment in which only the sound velocity of the transverse waves propagating through the dielectric film and the manner in which the thickness of the dielectric film changes are different from the seventh embodiment.
- the sound velocity of the transverse wave propagating through the dielectric film is higher than the sound velocity of the main mode propagating through the dielectric film.
- of the excitation angle in the excitation part of the IDT electrode covered by the dielectric film and the thickness of the dielectric film is as shown in FIG. 26. More specifically, in this modification, the reference line N is a straight line passing through the excitation part where the thinnest part of the dielectric film is located among all the excitation parts and the fixed point C. The larger the absolute value
- the thickness of the portion of the dielectric film covering the excitation portion through which the reference line N passes may not necessarily be the maximum or minimum.
- the laminated structure of the piezoelectric substrate is not limited to the configuration shown in FIG. 2.
- the eighth embodiment shows an example in which an elastic wave device has a piezoelectric substrate different from that of the first embodiment.
- FIG. 27 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to an eighth embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in the layered structure of the piezoelectric substrate 52.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the piezoelectric substrate 52 has a support substrate 4, an intermediate layer 55, and a piezoelectric layer 6.
- the intermediate layer 55 is provided on the support substrate 4.
- the piezoelectric layer 6 is provided on the intermediate layer 55.
- the intermediate layer 55 has a frame-like shape. That is, the intermediate layer 55 has a through hole.
- the support substrate 4 blocks one end of the through hole in the intermediate layer 55.
- the piezoelectric layer 6 blocks the other end of the through hole in the intermediate layer 55. This forms a hollow portion 52c in the piezoelectric substrate 52.
- a part of the piezoelectric layer 6 and a part of the support substrate 4 face each other with the hollow portion 52c in between.
- the main mode can be reflected toward the piezoelectric layer 6. Therefore, the energy of the elastic wave can be effectively trapped on the piezoelectric layer 6 side.
- unwanted waves can be suppressed and the Q value can be increased.
- first and second modified example of the eighth embodiment are shown, which differ from the eighth embodiment only in the laminated structure of the piezoelectric substrate.
- unwanted waves can be suppressed and the Q value can be increased.
- the energy of the elastic waves can be effectively confined on the piezoelectric layer 6 side.
- the piezoelectric substrate 52A has a support substrate 4, an acoustic reflection film 57, an intermediate layer 55A, and a piezoelectric layer 6.
- the acoustic reflection film 57 is provided on the support substrate 4.
- the intermediate layer 55A is provided on the acoustic reflection film 57.
- the piezoelectric layer 6 is provided on the intermediate layer 55A.
- the intermediate layer 55A is a low sound velocity film.
- the acoustic reflection film 57 is a laminate of multiple acoustic impedance layers. Specifically, the acoustic reflection film 57 has multiple low acoustic impedance layers and multiple high acoustic impedance layers.
- the high acoustic impedance layers are layers with relatively high acoustic impedance. More specifically, the multiple high acoustic impedance layers of the acoustic reflection film 57 are high acoustic impedance layer 57a, high acoustic impedance layer 57c, and high acoustic impedance layer 57e.
- the low acoustic impedance layers are layers with relatively low acoustic impedance.
- the multiple low acoustic impedance layers of the acoustic reflection film 57 are low acoustic impedance layer 57b and low acoustic impedance layer 57d.
- the low acoustic impedance layers and high acoustic impedance layers are alternately laminated.
- the high acoustic impedance layer 57a is the layer located closest to the piezoelectric layer 6 in the acoustic reflection film 57.
- the acoustic reflection film 57 has two low acoustic impedance layers and three high acoustic impedance layers. However, it is sufficient that the acoustic reflection film 57 has at least one low acoustic impedance layer and one high acoustic impedance layer.
- the material for the low acoustic impedance layer may be, for example, silicon oxide or aluminum.
- the material for the high acoustic impedance layer may be, for example, a metal such as platinum or tungsten, or a dielectric such as aluminum nitride or silicon nitride.
- the material for the intermediate layer 55A may be the same as the material for the low acoustic impedance layer.
- the piezoelectric substrate 52B has a support substrate 54 and a piezoelectric layer 6.
- the piezoelectric layer 6 is provided directly on the support substrate 54. More specifically, the support substrate 54 has a recess.
- the piezoelectric layer 6 is provided on the support substrate 54 so as to cover the recess. This provides a hollow portion in the piezoelectric substrate 52B. The hollow portion overlaps at least a portion of the IDT electrode 8 in a plan view.
- FIG. 30 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a ninth embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in that the IDT electrode 8 is embedded in a protective film.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- a protective film 69 is provided on the piezoelectric layer 6 so as to cover the IDT electrode 8.
- the thickness of the protective film 69 is greater than the thickness of the IDT electrode 8.
- the IDT electrode 8 is embedded in the protective film 69. This makes it difficult for the IDT electrode 8 to be damaged.
- the protective film 69 has a first layer 69a and a second layer 69b.
- the IDT electrode 8 is embedded in the first layer 69a.
- the second layer 69b is provided on the first layer 69a. This allows the protective film 69 to provide a number of effects.
- silicon oxide is used as the material for the first layer 69a. This allows the absolute value of the temperature coefficient of frequency (TCF) in the acoustic wave device to be reduced. This allows the temperature characteristics of the acoustic wave device to be improved.
- the second layer 69b is made of silicon nitride. This allows the moisture resistance to be increased.
- the shapes of the multiple first electrode fingers 16 and the multiple second electrode fingers 17 in a planar view each include a curved portion in the intersection region.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope and the second envelope have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the materials of the first layer 69a and the second layer 69b are not limited to those mentioned above.
- the protective film 69 may be a single layer or a laminate of three or more layers.
- FIG. 31 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a tenth embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in that an IDT electrode 8 is provided on both the first principal surface 6a and the second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6.
- the IDT electrode 8 provided on the second principal surface 6b is embedded in the second layer 5b of the intermediate layer 5.
- the elastic wave device 71 of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the shapes of the multiple first electrode fingers 16 and the multiple second electrode fingers 17 in a planar view each include a curved portion in the intersection region.
- the shapes of the multiple reflector electrode fingers in a planar view each include a curved portion.
- the first envelope and the second envelope have a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis, and have at least one bend. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the IDT electrodes 8 provided on the first principal surface 6a and the second principal surface 6b of the piezoelectric layer 6 may have, for example, different design parameters.
- first to third modified examples of the tenth embodiment are shown, which differ from the tenth embodiment only in at least one of the configuration of the electrodes provided on the second main surface of the piezoelectric layer and the laminated structure of the piezoelectric substrate.
- the first to third modified examples can also suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the piezoelectric substrate 52 is configured in the same manner as in the eighth embodiment. Specifically, the piezoelectric substrate 52 has a support substrate 4, an intermediate layer 55, and a piezoelectric layer 6. The IDT electrode 8 provided on the second main surface 6b of the piezoelectric layer 6 is located within the hollow portion 52c.
- a plate-shaped electrode 78 is provided on the second main surface 6b of the piezoelectric layer 6.
- the electrode 78 is embedded in the second layer 5b.
- the IDT electrode 8 and the electrode 78 face each other with the piezoelectric layer 6 in between.
- the piezoelectric substrate 52 is configured in the same manner as in the first modified example, and an electrode 78 similar to that in the second modified example is provided on the second main surface 6b of the piezoelectric layer 6.
- the electrode 78 is located within the hollow portion 52c.
- the IDT electrode 8 and the electrode 78 face each other with the piezoelectric layer 6 in between.
- the elastic wave device according to the present invention can be used, for example, in a filter device. An example of this is shown below.
- FIG. 35 is a circuit diagram of a filter device according to the 11th embodiment.
- the filter device 80 of this embodiment is a ladder-type filter.
- the filter device 80 has a first signal terminal 82, a second signal terminal 83, a plurality of series arm resonators, and a plurality of parallel arm resonators.
- all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators are elastic wave resonators.
- all of the series arm resonators and all of the parallel arm resonators are elastic wave devices according to the present invention.
- it is sufficient that at least one of the plurality of elastic wave resonators of the filter device 80 is an elastic wave device according to the present invention.
- the first signal terminal 82 is an antenna terminal.
- the antenna terminal is connected to an antenna.
- the first signal terminal 82 does not necessarily have to be an antenna terminal.
- the first signal terminal 82 and the second signal terminal 83 may be configured as, for example, an electrode pad or as wiring.
- the multiple series arm resonators in this embodiment are specifically series arm resonators S1, S2, and S3.
- the multiple series arm resonators are connected in series between a first signal terminal 82 and a second signal terminal 83.
- the multiple parallel arm resonators are specifically parallel arm resonators P1 and P2.
- the parallel arm resonator P1 is connected between the connection point between the series arm resonators S1 and S2 and ground potential.
- the parallel arm resonator P2 is connected between the connection point between the series arm resonators S2 and S3 and ground potential.
- the circuit configuration of the filter device 80 is not limited to the above.
- the filter device 80 may include, for example, a longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter.
- the elastic wave resonator in the filter device 80 is an elastic wave device according to the present invention. Therefore, in the elastic wave resonator of the filter device 80, it is possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- both the series arm resonator S1 and the series arm resonator S2 are the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the first bus bar 14 in the series arm resonator S1 and the second bus bar 15 in the series arm resonator S2 are connected.
- the first bus bars 14 may be connected to each other, or the second bus bars 15 may be connected to each other.
- the combination of shapes of the busbars that are connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a wavy shape.
- the combination of shapes of the busbars that are not connected to each other is also a combination in which the envelope sides of both busbars have a wavy shape.
- the combination of shapes of the envelopes of the busbars that are connected to each other is also a combination in which the envelopes of both busbars have a wavy shape.
- the combination of shapes of the envelopes of the busbars that are not connected to each other is also a combination in which the envelopes of both busbars have a wavy shape.
- this is not limited to this.
- first to third modified examples of the 11th embodiment are shown, which differ from the 11th embodiment only in the combination of connected series arm resonators.
- unwanted waves can be suppressed and the Q value can be increased in the elastic wave resonators of the filter device.
- elastic wave devices according to the second embodiment are connected to each other.
- the first bus bar 24 of one elastic wave device is connected to the second bus bar 25 of the other elastic wave device.
- the combination of shapes of busbars that are connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a straight shape.
- the combination of shapes of busbars that are not connected to each other is also a combination in which the envelope sides of both busbars have a straight shape.
- the combination of shapes of envelopes on busbars that are connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a wavy shape.
- the combination of shapes of envelopes on busbars that are not connected to each other is also a combination in which the envelope sides of both busbars have a wavy shape.
- elastic wave devices according to the fourth modified example of the first embodiment are connected to each other.
- the second bus bar 25 of one elastic wave device is connected to the second bus bar 25 of the other elastic wave device. Note that in one elastic wave device, the direction in which the multiple electrode fingers and multiple reflector electrode fingers are bent is opposite to the example shown in FIG. 18.
- the combination of shapes of busbars that are connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a straight shape.
- the combination of shapes of busbars that are not connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a wavy shape.
- the combination of shapes of envelopes on busbars that are connected to each other is a combination in which both envelopes have a straight shape.
- the combination of shapes of envelopes on busbars that are not connected to each other is a combination in which both envelopes have a wavy shape.
- elastic wave devices according to the fourth modified example of the first embodiment are connected to each other.
- the first bus bar 14 of one elastic wave device is connected to the first bus bar 14 of the other elastic wave device. Note that in one elastic wave device, the direction in which the multiple electrode fingers and multiple reflector electrode fingers are bent is opposite to the example shown in FIG. 18.
- the combination of shapes of busbars that are connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a wavy shape.
- the combination of shapes of busbars that are not connected to each other is a combination in which the envelope sides of both busbars have a straight shape.
- the combination of envelope shapes of busbars that are connected to each other is a combination in which both envelope shapes have a wavy shape.
- the combination of envelope shapes of busbars that are not connected to each other is a combination in which both envelope shapes have a straight shape.
- the dimensions of the crossover region change in a direction perpendicular to the propagation axis. This allows the frequencies at which transverse modes occur to be dispersed. Thus, the transverse modes can be effectively suppressed.
- the flexibility of the design of the elastic wave device can be increased.
- unwanted waves can be suppressed and the Q value can be increased.
- the two connected elastic wave resonators have the same capacitance, the same dimensions along the direction perpendicular to the propagation axis of the crossing region, and the same number of pairs of electrode fingers.
- the two connected elastic wave resonators may not have the same capacitance, may not have the same dimensions along the direction perpendicular to the propagation axis of the crossing region, and may not have the same number of pairs of electrode fingers.
- the above elastic wave resonators may have different curved shapes in a plan view of the electrode fingers or different designs of the electrode fingers. Even when three or more elastic wave resonators are connected, the same combination of bus bars and envelope shapes as in the above example may be used.
- the bus bar connected between the elastic wave resonators may be one bus bar.
- the combination of the shapes of the first envelope and the second envelope may be the same or different between the two connected elastic wave resonators.
- the envelope may have a shape in which the bends are connected by curves and a shape in which the bends are connected by straight lines.
- the curves in the shape of the multiple electrode fingers when viewed in a planar view are smooth curves.
- the curves in the shape of the multiple electrode fingers when viewed in a planar view may be a shape formed by connecting very small straight lines.
- the curves in the shape of the multiple electrode fingers when viewed in a planar view may be a shape formed by connecting multiple vertices with curves.
- the curves in the shape of the multiple electrode fingers when viewed in a planar view do not necessarily have to be smooth curves. This example is shown as a fifth modified example of the first embodiment.
- the curve in the shape of each first electrode finger 16C when viewed in a plane is not a smooth curve.
- the shape of each first electrode finger 16C when viewed in a plane is formed by connecting straight lines. Note that the straight lines in this shape are not very small. More specifically, the length of the straight lines in this shape is, for example, about a few percent of the total length of the first electrode finger 16C. However, in this shape, the angle between the connected straight lines is large, for example, greater than 160° and less than 180°. Therefore, the shape of each first electrode finger 16C when viewed in a plane can be approximated to a curve.
- each second electrode finger 17C in a planar view is the same as the shape of each first electrode finger 16C in a planar view.
- unwanted waves can be suppressed and the Q value can be increased.
- the shapes of the first electrode finger and the second electrode finger in a planar view may include straight line shapes.
- the intersection region includes a straight line region F, a first curved region W1, and a second curved region W2.
- the first electrode finger 16D and the second electrode finger 17D have a linear shape in a planar view.
- the first curved region W1 and the second curved region W2 face each other with the linear region F in between.
- the first curved region W1 includes a first envelope E1.
- the second curved region W2 includes a second envelope E2.
- Each electrode finger includes two inflection points.
- the inflection points in this modified example are points where a curve and a straight line are connected.
- An extension of the boundary line between the straight line region F and the first curved region W1 passes through the fixed point C1.
- a straight line including the boundary line and the extension of the boundary line is the reference line N1 in the first curved region W1.
- An angle ⁇ C in the first curved region W1 is an angle between the reference line N1 and a straight line passing through the fixed point C1 and the excitation section in the first curved region W1.
- ⁇ C ⁇ C_prop in the first curved region W1.
- an extension of the boundary line between the straight line region F and the second curved region W2 passes through the fixed point C2.
- a straight line including the boundary line and the extension of the boundary line is the reference line N2 in the second curved region W2.
- the angle ⁇ C in the second curved region W2 is the angle between the reference line N2 and a straight line passing through the fixed point C2 and the excitation section in the second curved region W2.
- ⁇ C ⁇ C_prop in the second curved region W2.
- the excitation angle is constant. More specifically, the excitation angle ⁇ C _prop is 0° at the boundary between the linear region F and the first curved region W1. Similarly, the excitation angle ⁇ C _prop is 0° at the boundary between the linear region F and the second curved region W2. Therefore, the excitation angle of the excitation unit in the linear region F corresponds to 0°. Note that the excitation angle of the excitation unit in the linear region F does not necessarily have to be 0°.
- the linear regions F are stable regions with respect to the propagation axis.
- the intersection region in the present invention has a pair of edge regions and a central region.
- the pair of edge regions face each other with the central region in between.
- One edge region includes a first envelope.
- the other edge region includes a second envelope.
- a low sound speed region may be formed in at least one of the pair of edge regions.
- the low sound speed region is a region in which the sound speed is lower than the sound speed in the central region.
- the low acoustic velocity region may be configured, for example, by making the duty ratio in the edge region greater than the duty ratio in the central region.
- the width of the electrode finger in the edge region is greater than the width of the electrode finger in the central region.
- the width of the electrode finger is the dimension along the normal direction of the electrode finger. Therefore, in the curved region, the normal direction that is the basis for the width of the electrode finger differs from part to part.
- the low acoustic velocity region may be configured by stacking electrode fingers and a mass-adding film in the edge region. In the portion where the electrode fingers and mass-adding film are stacked, the piezoelectric layer, electrode fingers, and mass-adding film may be stacked in this order. In this portion, the piezoelectric layer, mass-adding film, and electrode fingers may be stacked in this order.
- the low acoustic velocity region may be configured both with wide electrode fingers and with a mass-adding film.
- the mass-adding film may be made of a suitable dielectric material or a suitable metal. However, if the mass-adding film is made of a metal, one mass-adding film is not in contact with multiple electrode fingers that are connected to different potentials.
- the pair of bus bars face each other from the center toward the outside, and the central region and low sound velocity region are arranged in this order, resulting in a piston mode. This makes it possible to suppress transverse modes, which are unwanted waves. It is preferable that the low sound velocity region is formed in both of the pair of edge regions. This makes it possible to more reliably suppress transverse modes.
- FIG. 42 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a twelfth embodiment.
- This embodiment differs from the first embodiment in that the absolute value of the inclination angle with respect to the propagation axis of the piezoelectric layer 6 is not constant in the first envelope E91.
- This embodiment also differs from the first embodiment in that the number of pairs of electrode fingers located between adjacent bends V1 is not constant in the first envelope E91.
- this embodiment differs from the first embodiment in that the shape of the second envelope E102 is linear and in the configuration of the second bus bar 95.
- This embodiment also differs from the first embodiment in that the intersection region has one curved region and one linear region.
- this embodiment also differs from the first embodiment in the shape of each reflector.
- the elastic wave device of this embodiment has a similar configuration to the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the straight line region in the intersection region is one of the edge regions.
- the pair of edge regions in the intersection region is a first edge region H1 and a second edge region H2.
- the first edge region H1 includes a first envelope E91.
- the second edge region H2 includes a second envelope E102. More specifically, the first edge region H1 is a region in which the tips of the second electrode fingers 97 and the portions of each of the first electrode fingers 96 that are adjacent to the tips of the second electrode fingers 97 are located.
- the second edge region H2 is a region in which the tips of the first electrode fingers 96 and the portions of each of the second electrode fingers 97 that are adjacent to the tips of the first electrode fingers 96 are located.
- the straight line region in the intersection region is the second edge region H2. Meanwhile, the curved region includes the first edge region H1 and the central region J.
- the shape of the first envelope E91 is such that adjacent bends V1 are connected by straight lines. Therefore, the first envelope E91 has multiple line segments as multiple straight line segments.
- the multiple line segments of the first envelope E91 include multiple first line segments e1 and multiple second line segments e2.
- the first line segments e1 and the second line segments e2 are alternately connected.
- the portion where the first line segments e1 and the second line segments e2 are connected is the bend V1.
- the positive direction of the angle at which the envelope is inclined with respect to the propagation axis of the piezoelectric layer 6 is defined as the counterclockwise direction when viewed in a plan view.
- the inclination angle of the first line portion e1 with respect to the propagation axis is defined as the first inclination angle ⁇ 1
- the sign of the first inclination angle ⁇ 1 is positive.
- the propagation axis is the X propagation direction.
- the positive and negative signs of the first inclination angle ⁇ 1 and the second inclination angle ⁇ 2 are different from each other.
- the sign of the second inclination angle ⁇ 2 is negative.
- the number of pairs of electrode fingers located on the first line portion e1 is less than the number of pairs of electrode fingers located on the second line portion e2. However, the number of pairs of electrode fingers located on each first line portion e1 is the same. Similarly, the number of pairs of electrode fingers located on each second line portion e2 is the same.
- the first tilt angle ⁇ 1 is 20°
- the second tilt angle ⁇ 2 is -10°. Therefore, the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1 is greater than the absolute value of the second tilt angle ⁇ 2.
- the values of the first tilt angle ⁇ 1 and the second tilt angle ⁇ 2 are not limited to the above.
- Figures 43(a) to 43(d) are schematic diagrams for explaining the angles defined by the first line portion and the second line portion of the first envelope.
- the two-dot chain lines in Figures 43(a), 43(c), and 43(d) are imaginary lines extending parallel to the propagation axis of the piezoelectric layer.
- the positive and negative signs of each angle are indicated by the direction of the arrow. If the arrow direction is counterclockwise, the sign of the angle represented by the arrow is positive.
- the first tilt angle ⁇ 1 and the second tilt angle ⁇ 2 are angles based on the direction in which the propagation axis of the piezoelectric layer extends.
- the reference angle of the first line segment e1 and the second line segment e2 can also be defined based on the shape of the electrode fingers. More specifically, for example, the normal lines K1 and K2 of the electrode fingers shown in FIG. 43(b) may be used as the reference angle of the first line segment e1 and the second line segment e2. As shown in FIG. 43(c), the angle between the normal line K1 of the electrode fingers and the first line segment e1 is defined as ⁇ 1b. The angle between the normal line K2 of the electrode fingers and the second line segment e2 is defined as ⁇ 2b.
- the positive direction of the angle between the propagation axis of the piezoelectric layer and the normal to the electrode finger is the counterclockwise direction when viewed in a plan view.
- the signs of the first tilt angle ⁇ 1 and the angle ⁇ 1h are both positive. Therefore, the absolute value of the angle ⁇ 1b is the difference between the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1 and the absolute value of the angle ⁇ 1h. Therefore, when ⁇ 1> ⁇ 1h, the greater the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1, the greater the absolute value of the angle ⁇ 1b.
- Angle ⁇ 2b is the angle at which the second line portion e2 is inclined with respect to the normal K2 of the tip of the second electrode finger 97 located at the second line portion e2.
- ⁇ 2- ⁇ 2h ⁇ 2b.
- the sign of the second inclination angle ⁇ 2 is negative, and the sign of the angle ⁇ 2h is positive. Therefore, the absolute value of the angle ⁇ 2b is the sum of the absolute value of the second inclination angle ⁇ 2 and the absolute value of the angle ⁇ 2h. Therefore, the larger the absolute value of the second inclination angle ⁇ 2, the larger the absolute value of the angle ⁇ 2b.
- the normal direction of the electrode fingers is the first type of direction among the directions exemplified above as the excitation direction of the elastic wave.
- the excitation direction of the elastic wave may not be the normal direction as the first type of direction. However, the excitation direction of the elastic wave is at least a direction close to the normal direction.
- the angle ⁇ 1b is the angle between the normal K1 of the electrode fingers and the first line portion e1. Therefore, the larger the absolute value of the angle ⁇ 1b, the more the first line portion e1 is inclined with respect to the excitation direction of the elastic wave. Similarly, the larger the absolute value of the angle ⁇ 2b, the more the second line portion e2 is inclined with respect to the excitation direction of the elastic wave.
- the greater the inclination of the first line segment e1 or the second line segment e2 in the first envelope E91 with respect to the excitation direction of the elastic wave the more effectively the transverse mode can be suppressed.
- the greater the absolute value of the angle ⁇ 1b or the absolute value of the angle ⁇ 2b the more effectively the transverse mode can be suppressed.
- both the absolute value of the angle ⁇ 1b and the absolute value of the angle ⁇ 2b can be increased.
- the number of pairs of electrode fingers located between adjacent bends V1 will be reduced. In this case, the effect of suppressing the transverse mode may be reduced.
- the absolute value of angle ⁇ 2b is the sum of the absolute value of the second tilt angle ⁇ 2 and the absolute value of angle ⁇ 2h. Therefore, the absolute value of angle ⁇ 2b is sufficiently large even if the second tilt angle ⁇ 2 is small.
- the absolute value of angle ⁇ 1b is the difference between the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1 and the absolute value of angle ⁇ 1h. Therefore, by increasing the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1, the absolute value of angle ⁇ 1b can be effectively increased.
- the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1 is greater than the absolute value of the second tilt angle ⁇ 2. This makes it possible to increase the absolute values of the angles ⁇ 1b and ⁇ 2b in the first envelope E91 without increasing the dimension corresponding to the amplitude of the wavy shape and without decreasing the dimension corresponding to the period. Therefore, the transverse mode can be effectively suppressed without increasing the size of the elastic wave device.
- the first envelope in the first embodiment and the like described above also has a first line portion and a second line portion.
- the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1 and the absolute value of the second tilt angle ⁇ 2 are the same.
- the first envelope E91 includes a plurality of first line segments e1 and a plurality of second line segments e2 that extend at an angle to the propagation axis, and has a plurality of bends V1. This makes it possible to suppress unwanted waves and increase the Q value.
- the sign of the first tilt angle ⁇ 1 does not necessarily have to be positive. It is sufficient that the positive and negative signs of the first tilt angle ⁇ 1 and the angle ⁇ 1h are the same. For example, if the shape of the IDT electrode and each reflector is inverted in the left-right direction in FIG. 42 compared to the shape in the twelfth embodiment, the signs of the first tilt angle ⁇ 1 and the angle ⁇ 1h are negative.
- the first line portion e1 and the second line portion e2 are alternately connected throughout the first envelope E91.
- the first envelope E91 only needs to include at least one first line portion e1 and at least one second line portion e2.
- the first line portion e1 and the second line portion e2 only need to be connected in at least a portion of the first envelope E91.
- the absolute value of the first tilt angle ⁇ 1 only needs to be greater than the absolute value of the second tilt angle ⁇ 2. Even in this case, it is possible to suppress unwanted waves outside the passband and increase the Q value. In addition, it is possible to effectively suppress transverse modes.
- the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude are constant. Note that at least one of the dimensions corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude in the first envelope E91 does not have to be constant.
- the second busbar 95 has a plurality of openings 95d. More specifically, the second busbar 95 has an inner busbar portion 95a, an outer busbar portion 95b, and a plurality of connection portions 95c. The inner busbar portion 95a and the outer busbar portion 95b face each other. Of the inner busbar portion 95a and the outer busbar portion 95b, the inner busbar portion 95a is located on the crossing region side. The plurality of connection portions 95c connect the inner busbar portion 95a and the outer busbar portion 95b. Each of the plurality of openings 95d is an opening surrounded by the inner busbar portion 95a, the outer busbar portion 95b, and the plurality of connection portions 95c.
- the inner busbar portion 95a extends parallel to the second envelope E102.
- the inner busbar portion 95a faces the first electrode fingers 96 across a gap.
- each of the multiple connection portions 95c of the second busbar 95 extends on an extension line of the second electrode finger 97.
- the multiple connection portions 95c are not provided on an extension line of the first electrode finger 96.
- the first electrode fingers 96 and the second electrode fingers 97 are arranged alternately. Therefore, the sound speed in the region of the second busbar 95 where the multiple openings 95d are formed is higher than the sound speed in the intersection region.
- a high sound speed region is formed in the region of the second busbar 95 where the multiple openings 95d are formed. Note that the high sound speed region is a region where the sound speed is higher than the sound speed in the central region J.
- energy leakage of the elastic waves may occur due to mode conversion of the main mode.
- SH waves are used as the main mode of the elastic waves
- energy leakage of the elastic waves occurs due to conversion from SH waves to Rayleigh waves or from SH waves to bulk waves. Such leakage occurs from the crossing region side toward the busbar side.
- the inner busbar portion 95a of the second busbar 95 faces the first electrode fingers 96 across a gap. This makes it possible to suppress the leakage of elastic wave energy associated with mode conversion.
- the distance between the inner busbar portion 95a and the first electrode finger 96 is preferably 0.5 ⁇ or less. This effectively suppresses the leakage of elastic wave energy that accompanies mode conversion.
- the elastic wave device may be configured to be able to use the piston mode.
- This example is shown in the first and second modified examples of the twelfth embodiment.
- unwanted waves outside the passband can be suppressed and the Q value can be increased.
- the transverse mode can be further suppressed without increasing the size of the elastic wave device.
- low acoustic velocity regions are formed in both the first edge region H1 and the second edge region H2. More specifically, one mass-adding film 98A is provided in the first edge region H1. In the first edge region H1, one mass-adding film 98A is provided over multiple electrode fingers. The mass-adding film 98A is also provided in the portion of the piezoelectric layer 6 between the electrode fingers.
- the first envelope E91 has a wavy shape. Therefore, the tips of the multiple second electrode fingers 97 are also arranged in a wavy shape.
- the first edge region H1 is a region in which the tips of the multiple second electrode fingers 97 and the portions of each of the multiple first electrode fingers 96 that are adjacent to the tips of the second electrode fingers 97 are located. Therefore, the first edge region H1 has a wavy shape. Accordingly, the shape of the mass-adding film 98A is also wavy.
- a mass-adding film 98B is provided in the second edge region H2.
- the mass-adding film 98B has a band-like shape. More specifically, in the second edge region H2, a mass-adding film 98B is provided over multiple electrode fingers. The mass-adding film 98B is also provided in the portions of the piezoelectric layer 6 between the electrode fingers.
- a low sound velocity region is formed in both the first edge region H1 and the second edge region H2.
- the order in which the mass-adding films and electrode fingers are stacked is not particularly limited.
- the mass-adding film needs to be laminated with at least one electrode finger. However, it is preferable that the mass-adding film be laminated with multiple electrode fingers, and it is even more preferable that the mass-adding film be laminated with all of the electrode fingers. This makes it possible to more reliably establish the piston mode.
- each mass-adding film may be provided in each edge region.
- each mass-adding film needs to be laminated with at least one electrode finger.
- the electrode fingers have wide portions.
- the width of the electrode fingers in the wide portions is wider than the width of the electrode fingers in the central region J. More specifically, in the first edge region H1, the first electrode fingers 96A have wide portions 96a. In the second edge region H2, the first electrode fingers 96A have wide portions 96b. Similarly, in the first edge region H1, the second electrode fingers 97A have wide portions 97a. In the second edge region H2, the second electrode fingers 97A have wide portions 97b. As a result, low acoustic velocity regions are formed in both the first edge region H1 and the second edge region H2.
- At least one electrode finger needs to have a wide portion.
- the same is true for the second edge region H2. This makes it possible to more reliably establish the piston mode.
- multiple pairs of electrode fingers are positioned between adjacent bends of the first envelope. Note that, in the first envelope, one or more pairs of electrode fingers do not necessarily have to be positioned between all bends. An example of this is shown in the thirteenth embodiment.
- FIG. 46 is a schematic plan view of an elastic wave device according to a thirteenth embodiment.
- This embodiment differs from the twelfth embodiment in that the first envelope E93 includes a plurality of first line segments e1 and a plurality of third line segments e3, but does not include the second line segment e2.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device of the twelfth embodiment.
- the first line portion e1 and the third line portion e3 are alternately connected.
- the portion where the first line portion e1 and the third line portion e3 are connected is the bend portion V1.
- the third line portion e3 is a portion that connects the tips of two adjacent second electrode fingers 97 located on adjacent bend portions V1.
- the entirety of adjacent first line portions e1 overlap when viewed from the direction in which the propagation axis of the piezoelectric layer 6 extends. Therefore, the dimension of the intersection region along the normal direction to the propagation axis changes abruptly at the boundary where the third line portion e3 of the first envelope E93 is located.
- the transverse mode is a standing wave that occurs in the direction from the crossing region toward the busbar.
- the transverse mode becomes unstable due to the sudden change in the dimension of the crossing region along the normal direction of the propagation axis. This makes it possible to effectively suppress the transverse mode.
- the first envelope E93 includes a plurality of first line portions e1 that extend at an angle to the propagation axis, and has a plurality of bends V1. This makes it possible to suppress unwanted waves and transverse modes outside the passband, and to increase the Q value.
- first line portion e1 and the third line portion e3 are alternately connected throughout the first envelope E93. However, it is sufficient that two first line portions e1 are connected by the third line portion e3 in at least a portion of the first envelope E93.
- the first inclination angle ⁇ 1 and the length are the same for the multiple first line segments e1. Note that the first inclination angle ⁇ 1 and the length do not necessarily have to be the same for the first line segments e1 connected by the same third line segment e3. For example, at least one of the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude of the first envelope E93 does not have to be constant.
- the first envelope E93 may include at least two line segments inclined with respect to the propagation axis of the piezoelectric layer 6 and at least one third line segment e3. Both ends of the third line segment e3 may be connected to the two line segments. The positive and negative signs of the inclination angles with respect to the propagation axis of the line segments connected to the same third line segment e3 may be the same. In the thirteenth embodiment, the line segment connected to the same third line segment e3 is the first line segment e1, and the sign of the first inclination angle ⁇ 1 is positive.
- the sign of the inclination angle of the line segments connected to the same third line segment e3 with respect to the propagation axis may be negative.
- the first envelope E95 includes a plurality of second line segments e2 and a plurality of third line segments e3, but does not include the first line segment e1.
- the second line portion e2 and the third line portion e3 are alternately connected.
- the tip of the second electrode finger 97 is not located in the third line portion e3.
- the tip of the second electrode finger 97 is located in each bend V1 where both ends of the third line portion e3 are connected.
- the second line portion e2 and the third line portion e3 are alternately connected throughout the first envelope E95. However, it is sufficient that two second line portions e2 are connected by the third line portion e3 in at least a portion of the first envelope E95.
- the second inclination angle ⁇ 2 is the same for multiple second line segments e2, and the lengths are the same. Note that the second inclination angle ⁇ 2 and the lengths do not necessarily have to be the same for second line segments e2 connected by the same third line segment e3. For example, at least one of the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude in the first envelope E95 does not have to be constant.
- the elastic wave device may be configured to be able to use the piston mode. Examples of these are shown in the second and third modified examples of the thirteenth embodiment.
- unwanted waves outside the passband can be suppressed and the Q value can be increased.
- the transverse mode can be further suppressed without increasing the size of the elastic wave device.
- the first envelope E93 includes a plurality of first line segments e1 and a plurality of third line segments e3.
- a plurality of mass-adding films 98C are provided in the first edge region H1.
- one mass-adding film 98B is provided in the second edge region H2.
- each mass-adding film 98C is provided periodically. More specifically, each mass-adding film 98C is provided along each first line portion e1 of the first envelope E93. Each mass-adding film 98C is provided over a plurality of electrode fingers. Each mass-adding film 98C is also provided in the portion between the electrode fingers in the piezoelectric layer 6. The mass-adding film 98C is not provided along the third line portion e3.
- the first envelope E95 includes a plurality of second line segments e2 and a plurality of third line segments e3.
- a plurality of mass-adding films 98C are provided in the first edge region H1.
- one mass-adding film 98B is provided in the second edge region H2.
- each mass-adding film 98C is provided periodically. More specifically, each mass-adding film 98C is provided along each second line portion e2 of the first envelope E95. Each mass-adding film 98C is provided over a plurality of electrode fingers. Each mass-adding film 98C is also provided in the portion between the electrode fingers in the piezoelectric layer 6. The mass-adding film 98C is not provided along the third line portion e3.
- At least one electrode finger may have a wide portion in at least one of a pair of edge regions.
- the low acoustic velocity region may be formed by both a configuration in which the electrode finger has a wide portion and a configuration in which a mass-adding film is provided.
- the thirteenth embodiment, and each of the modifications thereof an example of the second bus bar and the second envelope curve is shown.
- the thirteenth embodiment, and each of the modifications thereof, the second bus bar and the second envelope curve in the other embodiments of the present invention may also be adopted.
- a configuration in which a plurality of second offset electrodes are provided may also be adopted.
- a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer; an IDT electrode provided on the piezoelectric layer, the IDT electrode having a pair of bus bars and a plurality of electrode fingers; and a pair of reflectors provided on the piezoelectric layer so as to sandwich the IDT electrode and facing each other, each having a plurality of reflector electrode fingers, the pair of bus bars being a first bus bar and a second bus bar facing each other, the plurality of electrode fingers being a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers, one end of each of the plurality of first electrode fingers being connected to the first bus bar, one end of each of the plurality of second electrode fingers being connected to the second bus bar, the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers being interdigitated with each other, and the plurality of second electrode fingers being interdigitated with each other.
- An elastic wave device in which a virtual line formed by connecting the tips of the first and second electrode fingers is a first envelope, a virtual line formed by connecting the tips of the first electrode fingers is a second envelope, a region between the first envelope and the second envelope in the IDT electrode is an intersection region, the piezoelectric layer has a propagation axis, the shapes of the first electrode fingers and the second electrode fingers in a plan view each include a curved portion in the intersection region, the shapes of the reflector electrode fingers in a plan view each include a curved portion, and at least one of the first envelope and the second envelope has a portion that extends at an angle with respect to the propagation axis and has at least one bend where the extension direction changes.
- ⁇ 2> An elastic wave device according to ⁇ 1>, in which 50% or more of all the electrode fingers include a portion in which the normal direction to the extension direction of the electrode fingers is the same as the direction in which the propagation axis extends.
- An elastic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, in which the shape of the first electrode fingers and the second electrode fingers in a planar view includes a circular arc or an elliptical arc shape.
- the elastic wave device in which the center of a circle including the circular arc in the shape of the first electrode finger and the second electrode finger, or the center of gravity of two foci of an ellipse including the elliptical arc, is a fixed point, a portion on an arbitrary straight line passing through the fixed point in the intersection region is an excitation part, a straight line extending parallel to the propagation axis and passing through the fixed point is a reference line, an angle formed between the straight line passing through the fixed point and the excitation part and the reference line is defined, and an excitation angle is defined as an angle formed between the straight line passing through the fixed point and the excitation part and the excitation direction of an elastic wave at the intersection of the electrode fingers and the reference line, so that the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all the excitation parts are approximately the same.
- the elastic wave device further comprising a dielectric film provided on the piezoelectric layer so as to cover the IDT electrode, the center of a circle including the circular arc in the shape of the first electrode finger and the second electrode finger, or the center of gravity of two foci of an ellipse including the elliptical arc being a fixed point, a portion on any straight line passing through the fixed point in the intersection region being an excitation part, a straight line extending parallel to the propagation axis and passing through the fixed point being a reference line, an angle formed between the straight line passing through the fixed point and the excitation part and the reference line is defined, and an excitation angle is defined as an angle formed between the straight line passing through the fixed point and the excitation part and the excitation direction of an elastic wave at the intersection of the electrode fingers and the reference line, the resonance frequencies or anti-resonance frequencies in all the excitation parts being approximately the same.
- the elastic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, in which the shapes of the first electrode fingers and the second electrode fingers in a plan view each include at least two curved portions in the intersection region in which the first electrode fingers and the second electrode fingers bend in different directions, and have at least one inflection point.
- the elastic wave device described in ⁇ 6> in which the at least two curved portions in the shape of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers in a planar view each include a shape of a circular arc or an elliptical arc, and the intersection region includes at least two curved regions in which the shape of the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers in a planar view each includes a shape of a single circular arc or an elliptical arc.
- the center of a circle including the circular arc in the shape of the first electrode finger and the second electrode finger, or the center of gravity of two foci of an ellipse including the elliptical arc is taken as a fixed point, and in each of the curved regions, a portion on any straight line passing through the fixed point is taken as an excitation section, and a straight line extending parallel to the propagation axis and passing through the fixed point is taken as a reference line, and an angle is defined between the straight line passing through the fixed point and the excitation section in the curved region including the first envelope and the reference line, and the curved region including the first envelope is taken as a fixed point.
- the elastic wave device described in ⁇ 7> in which, when an excitation angle is defined as an angle between a reference line and a straight line passing through the fixed point and the excitation portion in the curved region including the fixed point and the excitation portion, and an excitation direction of an elastic wave at an intersection of the electrode fingers, the duty ratio, the electrode finger pitch, and at least one of the thicknesses of the first electrode fingers and the second electrode fingers change according to the angle or the excitation angle so that the resonant frequencies or anti-resonant frequencies in all the excitation portions of the curved region are approximately equal to each other.
- the elastic wave device further comprising a dielectric film provided on the piezoelectric layer so as to cover the IDT electrode, and in each of the curved regions, the center of a circle including the circular arc in the shape of the first electrode finger and the second electrode finger, or the center of gravity of two foci of an ellipse including the elliptical arc is set as a fixed point, and in each of the curved regions, a portion on an arbitrary straight line passing through the fixed point is set as an excitation part, and a straight line extending parallel to the propagation axis and passing through the fixed point is set as a reference line, and an angle formed by a straight line passing through the fixed point and the excitation part in the curved region including the first envelope and the reference line is defined, and an excitation angle formed by an excitation direction of an elastic wave at an intersection of a straight line passing through the fixed point and the excitation part in the curved region including the first envelope and the electrode fingers and the reference line is defined, so
- An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, wherein in the intersection region, the shapes of the first electrode fingers and the second electrode fingers in a planar view include straight line shapes.
- ⁇ 11> An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, in which the piezoelectric substrate has a support substrate and the piezoelectric layer is provided on the support substrate.
- ⁇ 12> The elastic wave device described in ⁇ 11>, wherein the piezoelectric substrate has an intermediate layer provided between the support substrate and the piezoelectric layer.
- An elastic wave device in which a hollow portion is formed in the piezoelectric substrate, and a part of the support substrate and a part of the piezoelectric layer face each other with the hollow portion in between.
- An elastic wave device comprising a plurality of first offset electrodes and a plurality of second offset electrodes, each of the plurality of first offset electrodes being connected to the first bus bar, each of the plurality of second offset electrodes being connected to the second bus bar, a tip of the second electrode finger and a tip of the first offset electrode facing each other across a gap, and a tip of the first electrode finger and a tip of the second offset electrode facing each other across a gap.
- intersection region has a first edge region including the first envelope, a second edge region including the second envelope, and a central region sandwiched between the first edge region and the second edge region, and further includes a mass-adding film provided on at least one of the first edge region and the second edge region and laminated with at least one of the electrode fingers.
- An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 18>, in which the intersection region has a first edge region including the first envelope, a second edge region including the second envelope, and a central region sandwiched between the first edge region and the second edge region, and at least one of the electrode fingers is located in at least one of the first edge region and the second edge region and has a wide portion that is wider than the central region.
- ⁇ 20> An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 19>, in which at least the first envelope of the first envelope and the second envelope has a plurality of the bends, and the shape of the first envelope is a wavy shape in which adjacent bends are connected by straight lines or curves.
- ⁇ 21> The elastic wave device according to ⁇ 20>, wherein the shape of the first envelope is a wavy shape in which adjacent bends are connected by straight lines, 20 or more pairs of electrode fingers are provided between adjacent bends in the first envelope, and the absolute value of the inclination angle with respect to the propagation axis in each portion of the first envelope that is inclined with respect to the propagation axis is 5.5° or more.
- ⁇ 24> The elastic wave device according to ⁇ 20>, wherein the shape of the first envelope is a wavy shape in which adjacent bends are connected by straight lines, the absolute value of the inclination angle with respect to the propagation axis in each portion of the first envelope that is inclined with respect to the propagation axis is 10° or more, and seven or more pairs of the electrode fingers are provided between adjacent bends in the first envelope.
- the first envelope has a wavy shape in which adjacent bends are connected by straight lines
- the first envelope includes at least one first line portion and at least one second line portion connected to the first line portion
- the positive direction of the angle at which the first envelope and the normal to the electrode finger are inclined with respect to the propagation axis is a counterclockwise direction in a plan view
- the inclination angle of the first line portion with respect to the propagation axis is a first inclination angle
- the angle at which the normal to the tip of the second electrode finger located on the first line portion is inclined with respect to the propagation axis has the same positive and negative signs as the first inclination angle
- the inclination angle of the second line portion with respect to the propagation axis is a second inclination angle
- the positive and negative signs of the first inclination angle and the second inclination angle are different from each other, and the absolute value of the first inclination angle is greater than the absolute value of the second
- the shape of the first envelope is a wavy shape in which adjacent bends are connected by straight lines
- the first envelope includes at least two line segments inclined with respect to the propagation axis and at least one third line segment having both ends connected to the two line segments
- the positive and negative signs of the inclination angles with respect to the propagation axis of the line segments connected to the same third line segment are the same when the positive direction of the angle of the first envelope with respect to the propagation axis is taken as the counterclockwise direction when viewed in a plane
- the tips of the second electrode fingers are not located on the third line segment, and at least a portion of the line segments connected to the same third line segment overlap with each other when viewed from the direction in which the propagation axis extends.
- intersection region has a first edge region including the first envelope, a second edge region including the second envelope, and a central region sandwiched between the first edge region and the second edge region, and further includes a mass-adding film provided on at least one of the first edge region and the second edge region and laminated with at least one of the electrode fingers.
- the shape of the second envelope is a wave shape in which adjacent bends are connected by straight lines or curves
- the bends in the first envelope where the first envelope is bent to be convex toward the first busbar side and the bends in the second envelope where the second envelope is bent to be convex toward the first busbar side are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis
- the bends in the first envelope where the first envelope is bent to be convex toward the second busbar side and the bends in the second envelope where the second envelope is bent to be convex toward the second busbar side are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis.
- the shape of the second envelope is a wave shape in which adjacent bends are connected by straight lines or curves
- the bends in the first envelope where the first envelope is bent to be convex toward the first bus bar side and the bends in the second envelope where the second envelope is bent to be convex toward the second bus bar side are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis
- the bends in the first envelope where the first envelope is bent to be convex toward the second bus bar side and the bends in the second envelope where the second envelope is bent to be convex toward the first bus bar side are aligned in a direction perpendicular to the propagation axis.
- ⁇ 32> The elastic wave device according to any one of ⁇ 20> to ⁇ 29>, in which at least one of the dimension corresponding to the period of the wavy shape and the dimension corresponding to the amplitude of the first envelope is not constant.
- the second envelope has a plurality of the bends
- the shape of the second envelope is a wave shape in which adjacent bends are connected by straight lines or curves, and at least one of a dimension corresponding to a period of the wave shape and a dimension corresponding to an amplitude of the first envelope and the second envelope is different from each other.
- ⁇ 34> The elastic wave device according to any one of ⁇ 20> to ⁇ 33>, in which the shape of the portion of the first bus bar on the side of the first envelope in a plan view is wavy, and the distance between the first bus bar and the first envelope in a direction perpendicular to the propagation axis is constant.
- the elastic wave device comprising a plurality of first offset electrodes and a plurality of second offset electrodes, each of the plurality of first offset electrodes being connected to the first bus bar, each of the plurality of second offset electrodes being connected to the second bus bar, the tip of the second electrode finger and the tip of the first offset electrode facing each other across a gap, the tip of the first electrode finger and the tip of the second offset electrode facing each other across a gap, and the length of the plurality of first offset electrodes being constant.
- ⁇ 36> The elastic wave device according to ⁇ 34> or ⁇ 35>, wherein the second envelope has a plurality of the bends, the shape of the second envelope is a wavy shape in which adjacent bends are connected by straight lines or curves, the shape of the portion of the second bus bar on the second envelope side in a plan view is a wavy shape, and the distance between the second bus bar and the second envelope in a direction perpendicular to the propagation axis is constant.
- ⁇ 37> The elastic wave device according to any one of ⁇ 20> to ⁇ 29>, in which, of the first envelope and the second envelope, only the first envelope has the wavy shape.
- a filter device comprising a plurality of elastic wave resonators, at least one of which is an elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 39>.
- a filter device comprising a plurality of elastic wave resonators, at least two of which are elastic wave devices according to any one of ⁇ 34> to ⁇ 36>, and the first bus bars of the two elastic wave devices are connected to each other.
- a filter device comprising a plurality of elastic wave resonators, at least two of which are elastic wave devices as described in ⁇ 39>, and the second bus bars of the two elastic wave devices are connected to each other.
- acoustic wave device 108 IDT electrodes 109A, 109B... reflector D... intersection region e1-e3... first to third line portions E1, E2... first and second envelopes E91, E93, E95... first envelopes E101, E102... first and second envelopes F... linear regions H1, H2... first and second edge regions J... central region N, N1, N2... reference lines P1, P2... parallel arm resonators S1-S3... series arm resonators V1, V2... bend portions W1, W2... first and second curved regions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
弾性波装置は、圧電体層上に、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバー及び複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指を有するIDT電極と、複数の反射器電極指を有する1対の反射器とを備え、前記複数の第2の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第1の包絡線、前記複数の第1の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第2の包絡線とし、前記IDT電極における、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線の間の領域が交叉領域であり、前記圧電体層が伝搬軸を有し、平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、平面視における前記複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含み、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち少なくとも一方が、前記伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ延びる方向が変化している少なくとも1つの折れ曲がり部を有することにより、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
Description
本発明は、弾性波装置及びフィルタ装置に関する。
従来、弾性波装置が、携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。下記の特許文献1には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電基板上にIDT(Interdigital Transducer)電極が設けられている。IDT電極の複数の電極指の形状は、曲線の形状を含む。より具体的には、各電極指が、IDT電極が交叉する領域の中央から、共通電極に至るまで、曲線に沿って延びている。
特許文献1に記載された弾性波装置のIDT電極においては、複数の電極指が延びる方向における中央の部分の電極指ピッチが、該方向における端部の電極指ピッチよりも狭い。そのため、不要波の応答を抑制する効果が得られる。しかしながら、弾性波のエネルギーの漏洩を十分に抑制することができず、Q値を十分に高めることができない。
本発明の目的は、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる、弾性波装置及びフィルタ装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層上に設けられており、1対のバスバー及び複数の電極指を有するIDT電極と、前記圧電体層上に、前記IDT電極を挟み互いに対向するように設けられており、複数の反射器電極指をそれぞれ有する、1対の反射器とを備え、前記1対のバスバーが、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバーであり、前記複数の電極指が、複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指であり、前記複数の第1の電極指の一方端がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2の電極指の一方端がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指が互いに間挿し合っており、前記複数の第2の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第1の包絡線、前記複数の第1の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第2の包絡線とし、前記IDT電極における、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線の間の領域が交叉領域であり、前記圧電体層が伝搬軸を有し、平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、平面視における前記複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含み、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち少なくとも一方が、前記伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ延びる方向が変化している少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。
本発明に係るフィルタ装置のある広い局面では、複数の弾性波共振子が備えられており、少なくとも1つの前記弾性波共振子が、本発明に従い構成されている弾性波装置である。
本発明に係るフィルタ装置の他の広い局面では、複数の弾性波共振子が備えられており、少なくとも2つの前記弾性波共振子が、本発明に従い構成されている弾性波装置であり、2つの前記弾性波装置の前記第1のバスバー同士が接続されている。
本発明に係るフィルタ装置のさらに他の広い局面では、複数の弾性波共振子が備えられており、少なくとも2つの前記弾性波共振子が、本発明に従い構成されている弾性波装置であり、2つの前記弾性波装置の前記第2のバスバー同士が接続されている、フィルタ装置。
本発明に係る弾性波装置及びフィルタ装置によれば、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。図2は、図1中の二点鎖線により示される基準線に沿う模式的断面図である。
図1及び図2に示すように、弾性波装置1は圧電性基板2を有する。圧電性基板2は圧電性を有する基板である。具体的には、図2に示すように、圧電性基板2は、支持部材3と、圧電体層6とを有する。より具体的には、支持部材3は、支持基板4と、中間層5とを有する。中間層5は第1の層5a及び第2の層5bを含む。支持基板4上に第1の層5aが設けられている。第1の層5a上に第2の層5bが設けられている。第2の層5b上に圧電体層6が設けられている。なお、圧電性基板2の層構成は上記に限定されない。例えば、中間層5は単層の誘電体膜であってもよい。あるいは、圧電性基板2は、圧電体層6のみからなる基板であってもよい。
弾性波装置1の圧電体層6の材料としては、圧電単結晶が用いられている。圧電体層6において、伝搬軸はX伝搬の方向である。伝搬軸は、図1に示す基準線Nと平行に延びている。基準線Nについては後述する。
圧電体層6は、第1の主面6a及び第2の主面6bを有する。第1の主面6a及び第2の主面6bは互いに対向している。第1の主面6a及び第2の主面6bのうち第2の主面6bが、支持基板4側に位置している。圧電体層6の第1の主面6aにはIDT電極8が設けられている。
図1に示すように、IDT電極8は、1対のバスバーと、複数の電極指とを有する。1対のバスバーは、具体的には、第1のバスバー14及び第2のバスバー15である。第1のバスバー14及び第2のバスバー15は互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17である。複数の第1の電極指16の一方端がそれぞれ、第1のバスバー14に接続されている。複数の第2の電極指17の一方端がそれぞれ、第2のバスバー15に接続されている。なお、複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17はそれぞれ、基端部及び先端部を含む。第1の電極指16の基端部は、第1のバスバー14に接続されている部分である。第2の電極指17の基端部は、第2のバスバー15に接続されている部分である。複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17は、互いに間挿し合っている。
IDT電極8は、さらに、複数のオフセット電極を有する。複数のオフセット電極は、具体的には、複数の第1のオフセット電極18及び複数の第2のオフセット電極19である。複数の第1のオフセット電極18の一方端がそれぞれ、第1のバスバー14に接続されている。第1の電極指16及び第1のオフセット電極18は、交互に並んでいる。複数の第2のオフセット電極19の一方端がそれぞれ、第2のバスバー15に接続されている。第2の電極指17及び第2のオフセット電極19は交互に並んでいる。
複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17と同様に、複数の第1のオフセット電極18及び複数の第2のオフセット電極19はそれぞれ、基端部及び先端部を含む。第1の電極指16及び第1のオフセット電極18の基端部は、第1のバスバー14に接続されている部分である。第2の電極指17及び第2のオフセット電極19の基端部は、第2のバスバー15に接続されている部分である。第1の電極指16の先端部と、第2のオフセット電極19の先端部とが、ギャップを隔てて対向している。一方で、第2の電極指17の先端部と、第1のオフセット電極18の先端部とが、ギャップを隔てて対向している。なお、複数の第1のオフセット電極18及び複数の第2のオフセット電極19は、必ずしも設けられていなくともよい。
以下においては、第1の電極指16及び第2の電極指17を、単に電極指と記載することがある。第1のオフセット電極18及び第2のオフセット電極19を、単にオフセット電極と記載することがある。第1のバスバー14及び第2のバスバー15を、単にバスバーと記載することがある。オフセット電極のピッチあるいはデューティ比は、例えば、後述する交叉領域におけるIDT電極8の電極指ピッチあるいはデューティ比と異なっていてもよい。
弾性波装置1のIDT電極8においては、電極指ピッチは一定である。電極指ピッチとは、隣り合う第1の電極指16及び第2の電極指17の中心間距離である。電極指ピッチをpとしたときに、電極指ピッチpにより規定される波長λは、λ=2pである。
図1に示すように、複数の第2の電極指17の先端を結ぶことにより形成される仮想線を第1の包絡線E1、複数の第1の電極指16の先端を結ぶことにより形成される仮想線を第2の包絡線E2とする。第1の包絡線E1は、伝搬軸に対して傾斜している複数の部分を有する。そして、第1の包絡線E1は複数の折れ曲がり部V1を有する。より具体的には、折れ曲がり部とは、包絡線が延びる方向が変化している部分である。本実施形態では、第1の包絡線E1の形状は、隣り合う折れ曲がり部V1同士が直線により結ばれた、波状の形状である。なお、第1の包絡線E1の形状は、隣り合う折れ曲がり部V1同士が曲線により結ばれた、波状の形状であってもよい。
同様に、第2の包絡線E2も、伝搬軸に対して傾斜している複数の部分を有する。第2の包絡線E2は複数の折れ曲がり部V2を有する。第2の包絡線E2の形状は、隣り合う折れ曲がり部V2同士が直線により結ばれた、波状の形状である。なお、第2の包絡線E2の形状は、隣り合う折れ曲がり部V2同士が曲線により結ばれた、波状の形状であってもよい。
これらのように、本実施形態では、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2の双方が、複数の折れ曲がり部を有する。もっとも、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2のうち少なくとも一方が、少なくとも1つの折れ曲がり部を有していればよい。
第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2の間の領域が交叉領域Dである。より具体的には、複数の電極指のうち、複数の電極指が並ぶ方向における一方端の電極指と、他方端の電極指と、第1の包絡線E1と、第2の包絡線E2とに囲まれた領域が、交叉領域Dである。よって、第1の包絡線E1は、交叉領域Dの第1のバスバー14側の端縁部に相当する。第2の包絡線E2は、交叉領域Dの第2のバスバー15側の端縁部に相当する。交叉領域Dにおいては、電極指が並ぶ方向、つまり第1の包絡線E1または第2の包絡線E2が延びる方向から見たときに、隣り合う電極指同士が重なり合っている。
圧電体層6上には1対の反射器9A及び反射器9Bが設けられている。反射器9A及び反射器9Bは、IDT電極8の複数の電極指が並んでいる方向において、IDT電極8を挟み互いに対向している。反射器9Aは1対の反射器バスバー9a及び反射器バスバー9bと、複数の反射器電極指9cとを有する。反射器バスバー9a及び反射器バスバー9bは互いに対向している。複数の反射器電極指9cの一方端は、反射器バスバー9aに接続されている。複数の反射器電極指9cの他方端は、反射器バスバー9bに接続されている。同様に、反射器9Bは1対の反射器バスバー9d及び反射器バスバー9eと、複数の反射器電極指9fとを有する。
本実施形態においては、平面視における複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17の形状は、曲線状の形状を含む。同様に、平面視における反射器9Aの複数の反射器電極指9cの形状、及び反射器9Bの複数の反射器電極指9fの形状はそれぞれ、曲線状の形状を含む。より具体的には、平面視における各電極指及び各反射器電極指の形状は、円弧の形状である。本明細書において平面視とは、図2における上方に相当する方向から見ることをいう。図2においては、例えば、支持基板4側及び圧電体層6側のうち、圧電体層6側が上方である。もっとも、複数の電極指及び複数の反射器電極指の形状は上記に限定されない。平面視における複数の電極指の形状が、交叉領域Dにおいて、曲線状の形状を含んでいればよい。平面視における複数の反射器電極指の形状が、曲線状の形状を含んでいればよい。
本実施形態の特徴は、以下の1)~3)の構成を有することにある。1)平面視における複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17の形状がそれぞれ、交叉領域Dにおいて、曲線状の部分を含むこと。2)平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含むこと。3)第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有すること。なお、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2のうち少なくとも一方が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有していればよい。弾性波装置1が上記の構成を有することにより、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。これを以下において説明する。
第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2がそれぞれ、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有することにより、主モードを導波路内に閉じ込めることができる。よって、主モードの漏洩を抑制することができる。これにより、Q値を高めることができる。さらに、横モードを抑制することもできる。
そして、IDT電極8の複数の電極指の平面視における形状が、交叉領域Dにおいて曲線状の部分を含む。これにより、横モード及び通過帯域外の不要波を効果的に抑制することができる。本明細書において、弾性波装置における通過帯域外とは、共振周波数よりも低域側、及び反共振周波数よりも高域側をいう。
IDT電極8の複数の電極指と共に、複数の反射器電極指の平面視における形状も、曲線状の形状の部分を含む。それによって、主モードの漏洩を効果的に抑制することができ、Q値を効果的に高めることができる。
加えて、第1の包絡線E1または第2の包絡線E2が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有するため、各電極指の先端と、各オフセット電極との間のギャップは、伝搬軸に対して傾斜して並んでいる。これにより、横モードを効果的に抑制することができる。さらに、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2がそれぞれ、折れ曲がり部を有する。それによって、Q値をより一層高めることができる。
以下において、本実施形態のさらなる詳細を説明すると共に、本実施形態の効果をより詳細に説明する。
IDT電極8は第1の包絡線E1の折れ曲がり部V1を通る電極指を境界として、複数のセグメントを有する。複数のセグメントは、伝搬軸が延びる方向に並んでいる。図1においては、模式的に4つのセグメントを示している。図3において、1つのセグメントを例として、IDT電極8の構成の詳細を説明する。
図3は、第1の実施形態におけるIDT電極の構成を説明するための、IDT電極における1つのセグメントの模式的平面図である。
IDT電極8の複数の電極指の平面視における形状はそれぞれ、複数の同心円におけるそれぞれの円弧に相当する形状である。そのため、複数の電極指の形状における円弧を含む円の中心は一致している。
複数の電極指の形状における弧を含む円または楕円の楕円係数をα2/α1としたときに、本実施形態における楕円係数α2/α1は1である。なお、複数の電極指の形状における弧を含む形状が楕円である場合、楕円係数α2/α1は1以外となる。α1は、該楕円の長軸及び短軸のうち、交叉領域Dを通る軸の方向に沿う寸法に相当する。α2は、該楕円の長軸及び短軸のうち、交叉領域Dを通らない軸の方向に沿う寸法に相当する。なお、rを任意の定数としたときに、XY平面における楕円係数の式として、(x/α1)2+(y/α2)2=r2として表わすことができる。
複数の電極指の形状における円弧を含む円の中心を定点Cとしたときに、本実施形態においては、第1の包絡線E1の延長線及び第2の包絡線E2の延長線はいずれも、定点Cを通らない。そのため、定点C及び第1の包絡線E1を通る直線は、第1の包絡線E1と平行ではない。同様に、定点C及び第2の包絡線E2を通る直線は、第2の包絡線E2と平行ではない。
上述したように、伝搬軸は、基準線Nと平行に延びている。ここで、伝搬軸は弾性波の伝搬軸である。本実施形態では、基準線Nは、交叉領域D及び定点Cを通る直線のうち、伝搬軸と平行に延びる直線である。定点Cを通る直線と基準線Nとがなす角の角度をθCとする。定点Cを通る直線は無数に存在するが、図3では、該直線の例を示している。本明細書においては、角度θCの正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とする。より具体的には、第2のバスバー15側から第1のバスバー14側に向かう方向が上記正の方向である。
IDT電極8に交流電圧を印加することにより、交叉領域Dにおいて弾性波が励振される。なお、交叉領域Dは、定点Cを通る無数の直線上に位置するそれぞれの部分を有する。図3には、定点C及び交叉領域Dを通る無数の直線のうちの一例として、直線Mが示されている。例えば、交叉領域Dにおける直線M上に位置する部分において、弾性波が励振される。定点C及び交叉領域Dを通る、図示しない無数の直線上に位置する部分においてもそれぞれ、弾性波が励振される。すなわち、弾性波装置1は、直線M上に位置する励振部、及び他の図示しない無数の直線上に位置する励振部を有する。
定点C及び励振部を通る直線と、基準線Nとがなす角の角度が、上記角度θCである。また、定点C及び交叉領域Dにおける励振部を通る直線、並びに電極指の交点における弾性波の励振方向と、基準線Nとがなす角の角度を励振角度θC_propとする。基準線Nが通る励振部においては、角度θC及び励振角度θC_propは0°である。それぞれの励振部間においては、励振角度θC_propが互いに異なるため、弾性波の伝搬特性が互いに異なる。これに対して、本実施形態では、全ての励振部の共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致するように、複数の励振部間において、デューティ比が互いに異ならされている。なお、励振角度の絶対値|θC_prop|が同じ励振部間においては、デューティ比は同じである。IDT電極8が上記のように構成されているため、共振特性が劣化し難い。もっとも、デューティ比は一定であっても構わない。
ここで、励振部における角度θCと励振角度θC_propとは略一致している。以下においては、角度θC及び励振角度θC_propのうち、いずれか一方の角度を取り上げて、本発明の構成の詳細などを記載することがある。もっとも、角度θC及び励振角度θC_propの間には、作用及び効果を覆すような影響を及ぼす程の差はないことを指摘しておく。なお、楕円係数α2/α1が1のとき、すなわち電極指の形状が円弧となる場合には、角度θC及び励振角度θC_propは等しくなる。
本明細書において、一方の周波数及び他方の周波数が略一致しているとは、双方の周波数の差の絶対値が、基準周波数に対して10%以下であることをいう。なお、基準周波数とは、励振角度θC_propが0°のときの周波数のことである。交叉領域Dにおいて、主モードの最も高い共振周波数、及び最も低い共振周波数の差の絶対値が、基準周波数に対して2%以下であることが好ましく、1%以下であることがより好ましい。あるいは、交叉領域Dにおいて、主モードの最も高い反共振周波数、及び最も低い反共振周波数の差の絶対値が、基準周波数に対して2%以下であることが好ましく、1%以下であることがより好ましい。それによって、共振特性をより一層確実に良好にすることができる。
弾性波装置1のIDT電極8においては、電極指ピッチは一定である。そのため、電極指ピッチにより規定される波長をλとしたとき、IDT電極8における波長λは、励振角度θC_propによらず一定である。
第1の包絡線E1における折れ曲がり部V1、及び定点Cを通る直線と、基準線Nとがなす角の角度θCを、第1の交叉角度θC_AP1_kとする。kは自然数である。第1の交叉角度θC_AP1_kは、それぞれの折れ曲がり部V1について定義することができる。具体的には、定点Cに近い方の折れ曲がり部V1から順番に、第1の交叉角度θC_AP1_kにおけるkを1、2、3…とする。このように、定点Cに近い折れ曲がり部V1に係る第1の交叉角度θC_AP1_kほど、kの数値が小さいものとする。なお、図3に示すIDT電極8のセグメントにおいては、例として、第1の交叉角度を、θC_AP1_m及びθC_AP1_m+1としている。mは自然数である。
同様に、第2の包絡線E2における折れ曲がり部V2、及び定点Cを通る直線と、基準線Nとがなす角の角度θCを、第2の交叉角度θC_AP2_kとする。定点Cに近い折れ曲がり部V2に係る第2の交叉角度θC_AP2_kほど、kの数値が小さいものとする。なお、図3に示すIDT電極8のセグメントにおいては、例として、第2の交叉角度をθC_AP2_n及びθC_AP2_n+1としている。nは自然数である。
上記のように、本実施形態では、定点C及び第2の電極指17の先端を結ぶ直線は、第1の包絡線E1と平行ではない。そのため、θC_AP1_m≠θC_AP1_m+1である。同様に、定点C及び第1の電極指16の先端を結ぶ直線は、第2の包絡線E2と平行ではない。そのため、θC_AP2_n≠θC_AP2_n+1である。
図1に戻り、平面視における、反射器9Aの複数の反射器電極指9cの形状、及び反射器9Bの複数の反射器電極指9fの形状はそれぞれ、複数の同心円におけるそれぞれの円弧に相当する形状である。複数の反射器電極指9c及び複数の反射器電極指9fの形状における円弧を含む円の中心は、定点Cと一致している。なお、各反射器電極指の形状は、励振部におけるIDT電極8の電極指の形状と異なる曲線あるいは直線の形状であってもよい。各反射器の反射器電極指ピッチあるいはデューティ比などのパラメータは、励振部におけるIDT電極8の電極指のパラメータと異なっていてもよい。なお、反射器電極指ピッチとは、隣り合う反射器電極指同士の中心間距離である。各反射器の反射器電極指は、励振部におけるIDT電極8の電極指の形状と異なるパターンにより構成されていてもよい。
ところで、弾性波が励振される方向は、以下の3種の方向のうちいずれかである。第1種目の方向としては、電極指が延びる方向と垂直な方向である。第2種目の方向としては、隣接する電極指間の最短距離を結ぶ方向である。第3種目の方向としては、電極指間に生じる電界ベクトルと平行な方向である。
なお、各電極指は、平面視において、基端部及び先端部を接続している1対の端縁部を含む。そして、両端縁部は曲線状の形状を有する。本明細書においては、特に断りのない限り、電極指が延びる方向は以下の通りである。まず、電極指の任意の部分において、両端縁部を結ぶように、本発明における基準線と平行な仮想線を引いた場合、該仮想線上に位置する部分の重心を、該仮想線における代表点とする。電極指には、無数の仮想線を引くことができ、無数の代表点が存在する。これらの代表点同士を結んだ曲線の接線が延びる方向を、電極指が延びる方向とする。電極指における位置毎に、電極指が延びる方向は異なることとなる。例えば、交叉領域が複数の曲線領域を含み、かつ曲線領域毎に異なる基準線を有する場合には、仮想線を引く曲線領域の基準線が延びる方向を、該仮想線が延びる方向とすればよい。
図4に示す、従来の弾性波装置101では、弾性波の励振方向は、上記における3種の方向のいずれにおいても同一の方向となる。一方で、図3に示す本実施形態では、曲線領域において、平面視における電極指の形状は、定点Cを中心とする円弧である。この場合には、弾性波が励振される方向は、上記における第1種目の方向である。すなわち、弾性波が励振される方向は、電極指が延びる方向と垂直の方向により表される。
上述したように、圧電体層6において、伝搬軸はX伝搬の方向である。なお、伝搬軸は、X伝搬の方向だけでなく、90°X伝搬の方向、あるいは、IDT電極8の電極指が延びる方向のうちいずれかに対して垂直となる方向であってもよい。基準線Nは、必ずしも伝搬軸と平行に延びていなくともよい。
以下において、第1の実施形態、第1の参考例及び比較例を比較することにより、第1の実施形態の効果を具体的に示す。
第1の参考例は、図5に示すように、第1の包絡線E101及び第2の包絡線E102がいずれも伝搬軸に対して傾斜していない点において第1の実施形態と異なる。第1の実施形態、第1の参考例及び比較例において、インピーダンス周波数特性、周波数及びQ値の関係、並びに位相特性を比較した。
比較例の弾性波装置は、図6に示すように、従来の傾斜型の弾性波装置である。比較例の弾性波装置103においては、IDT電極108、反射器109A及び反射器109Bの各電極指は直線状である。第1のバスバー及び第2のバスバーは、複数の電極指が延びる方向と直交する方向に対して、傾斜して延びている。IDT電極108においては、交叉領域は平行四辺形状である。
なお、第1の実施形態の弾性波装置1の設計パラメータは、以下の通りである。ここで、オフセット電極の基端部及び先端部を結ぶ方向に沿う寸法をオフセット電極の長さとする。電極指の先端部及びオフセット電極の先端部の間のギャップの、該電極指及び該オフセット電極が対向する方向に沿う寸法を、ギャップ長とする。第1の実施形態では、第2の電極指の先端部及び第1のオフセット電極の先端部の間におけるギャップ、並びに第1の電極指の先端部及び第2のオフセット電極の先端部の間におけるギャップのギャップ長は同じである。
支持基板4;材料…Si、面方位…(100)、オイラー角(φ,θ,ψ)におけるψ…45°
第1の層5a;材料…SiN、厚み…0.45λ
第2の層5b;材料…SiO2、厚み…0.3365λ
圧電体層6;材料…回転Yカット50°X伝搬のLiTaO3、厚み…0.3λ
IDT電極8;材料…Al、厚み…0.07λ、
IDT電極8の電極指の対数;100対
電極指の形状における楕円係数α2/α1;1
第1の交叉角度θC_AP1_1;7.5°
第1の交叉角度θC_AP1_2;3°
第2の交叉角度θC_AP2_1;3°
第2の交叉角度θC_AP2_2;4°
第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2の伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値;10°
波長λ;2μm
デューティ比;励振角度θC_propが0°である励振部において0.5
第1のオフセット電極18及び第2のオフセット電極19の長さ;3.5λ
ギャップ長;0.135λ
反射器9A及び反射器9B;反射器電極指の対数…20対
第1の層5a;材料…SiN、厚み…0.45λ
第2の層5b;材料…SiO2、厚み…0.3365λ
圧電体層6;材料…回転Yカット50°X伝搬のLiTaO3、厚み…0.3λ
IDT電極8;材料…Al、厚み…0.07λ、
IDT電極8の電極指の対数;100対
電極指の形状における楕円係数α2/α1;1
第1の交叉角度θC_AP1_1;7.5°
第1の交叉角度θC_AP1_2;3°
第2の交叉角度θC_AP2_1;3°
第2の交叉角度θC_AP2_2;4°
第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2の伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値;10°
波長λ;2μm
デューティ比;励振角度θC_propが0°である励振部において0.5
第1のオフセット電極18及び第2のオフセット電極19の長さ;3.5λ
ギャップ長;0.135λ
反射器9A及び反射器9B;反射器電極指の対数…20対
第1の参考例においては、第1の包絡線E101及び第2の包絡線E102の伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が0°である点以外においては、設計パラメータは第1の実施形態と同様である。
他方、比較例においては、複数の電極指が延びる方向を電極指延伸方向とし、交叉領域の電極指延伸方向に沿う寸法を交叉幅とする。比較例の弾性波装置のIDT電極108における交叉幅は25λである。IDT電極108の電極指の対数は100対であり、反射器109A及び反射器109Bの反射器電極指の対数はそれぞれ20対である。IDT電極108においては、デューティ比は0.5である。各バスバーが、電極指延伸方向と直交する方向に対して傾斜している角度は、7.5°である。
図7は、第1の実施形態、第1の参考例及び比較例における、インピーダンス周波数特性を示す図である。図8は、第1の実施形態、第1の参考例及び比較例における、周波数及びQ値の関係を示す図である。図9は、第1の実施形態、第1の参考例及び比較例における、位相特性を示す図である。
図7に示すように、第1の実施形態、第1の参考例及び比較例においては、共振特性に大差はない。もっとも、図7には示されていないが、第1の参考例においては、共振周波数及び反共振周波数の間に横モードが生じている。これに対して、第1の実施形態では、横モードが抑制されている。これは、第1の実施形態において、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜している部分を有することによる。さらに、図8に示すように、第1の実施形態では、第1の参考例よりもQ値が高いことがわかる。
図9に示すように、比較例においては、大きな不要波が生じている。なお、図9に示す不要波はレイリー波である。第1の実施形態においては、比較例よりも、不要波が抑制されていることがわかる。なお、第1の参考例においても、比較例よりも不要波が抑制されている。これらは、第1の実施形態及び第1の参考例においては、平面視における複数の電極指の形状が、交叉領域において曲線状の形状を有することによる。
以上のように、第1の実施形態においては、不要波を抑制することと、Q値を高めることとを両立することができる。これは、第1の実施形態においては、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が折れ曲がり部を有することによる。この詳細を、第2の参考例を参照して、以下において説明する。
図10において模式的に示す第2の参考例の弾性波装置は、第1の包絡線及び第2の包絡線が、折れ曲がり部を有しない点において、第1の実施形態と異なる。なお、図10中の一点鎖線Ex101は、第1の包絡線の延長線及び第1の包絡線を含む仮想線である。一点鎖線Ex102は、第2の包絡線の延長線及び第2の包絡線を含む仮想線である。第2の参考例では、第1の包絡線及び第2の包絡線が伝搬軸に対して傾斜している。
一般に、弾性波装置の共振特性を良好にするためには、IDT電極の電極指の対数が多くされる。そして、弾性波装置においては、通常、主モードにおけるそれぞれの成分の特性のうち、伝搬軸が延びる方向に伝搬する成分の特性が最も良好である。図10中に示す二点鎖線N101は、伝搬軸が延びる方向において、主モードが伝搬する部分を示す。具体的には、二点鎖線N101は、曲線状の電極指が延びる方向の法線方向が、伝搬軸が延びる方向と平行となる部分を示す仮想線である。
第2の参考例においてQ値を高め、共振特性を良好にするために、例えば、図10中の破線に示す部分まで電極指を多くすることが考えられる。しかしながら、この場合には、IDT電極は、二点鎖線N101上に位置しない電極指を多く含むことになる。すなわち、IDT電極における、伝搬軸が延びる方向において主モードが伝搬しない部分の割合が大きくなることとなる。この場合、Q値を十分に高くすることは困難となる。
一方で、第1の実施形態においては、図1中の基準線N上の部分が、伝搬軸が延びる方向において、主モードが伝搬する部分である。弾性波装置1においては、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が折れ曲がり部を有する。それによって、伝搬軸が延びる方向において、主モードが伝搬する部分の割合を多くすることができる。従って、Q値を効果的に高くすることができる。
なお、全ての電極指のうち50%以上の電極指が、該電極指が延びる方向の法線方向と、伝搬軸が延びる方向とが同じである部分を含むことが好ましい。全ての電極指のうち80%以上の電極指が、該電極指が延びる方向の法線方向と、伝搬軸が延びる方向とが同じである部分を含むことがより好ましい。それによって、Q値をより確実に高くすることができる。なお、第1の実施形態においては、全ての電極指が、該電極指が延びる方向の法線方向と、伝搬軸が延びる方向とが同じである部分を含む。よって、Q値をより一層確実に、効果的に高めることができる。
第1の実施形態のように、第1の包絡線E1が複数の折れ曲がり部V1を有することが好ましい。それによって、より一層多い本数の電極指において、該電極指が延びる方向の法線方向と、伝搬軸が延びる方向とが同じである部分を含む構成とすることができる。従って、Q値をより確実に高くすることができる。
図1に示すように、第2の包絡線E2が複数の折れ曲がり部V2を有する波状の形状であり、かつ第1の包絡線E1と同じ方向に折れ曲がっていることが好ましい。具体的には、第1の包絡線E1は、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように第1の包絡線E1が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1を有する。同様に、第2の包絡線E2は、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように第2の包絡線E2が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V2を有する。これらの、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1及び折れ曲がり部V2が、伝搬軸と直交する方向に並んでいることが好ましい。
さらに、第1の包絡線E1は、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように第1の包絡線E1が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1を有する。同様に、第2の包絡線E2は、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように第2の包絡線E2が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V2を有する。これらの、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1及び折れ曲がり部V2が、伝搬軸と直交する方向に並んでいることが好ましい。
上記のように、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が同じ方向に折れ曲がっている場合には、交叉領域Dの伝搬軸と直交する方向に沿う寸法の変化が小さい。それによって、弾性波を安定して伝搬させることができる。従って、主モードの特性を良好にすることができる。
ここで、図1に示す第1の実施形態において、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2の条件を異ならせて、横モードによる周波数特性に対する影響を比較した。具体的には、第1の包絡線E1の折れ曲がり部V1間の電極指の対数、及び第1の包絡線E1の伝搬軸に対する傾斜角度を異ならせる毎に、横モードによる影響を評価した。なお、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2においては、折れ曲がり部間の電極指の対数、及び伝搬軸に対する傾斜角度は同じとした。以下においては、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2の伝搬軸に対する傾斜角度を、単に包絡線の傾斜角度と記載することがある。
横モードによる影響の評価は、具体的には、共振周波数及び反共振周波数の間の帯域内において、2MHzの積分波形(2MHzのAnyRipple)における最大値により評価した。該最大値が小さいほど、横モードが抑制され、Q値が高くなる。
図11は、折れ曲がり部間の電極指の対数が10対または20対である場合の、包絡線の傾斜角度と、横モードの2MHzの積分波形における最大値との関係を示す図である。図12は、包絡線の傾斜角度が5°、10°または15°である場合の、折れ曲がり部間の電極指の対数と、横モードの2MHzの積分波形における最大値との関係を示す図である。なお、図11中及び図12中の二点鎖線は、上記最大値が最小となる条件の、該最大値を示している。
図11に示すように、包絡線の傾斜角度の絶対値が大きくなるほど、横モードの影響が小さくなることがわかる。一方で、図12に示すように、折れ曲がり部間の電極指の対数が多くなるほど、横モードの影響が小さくなることがわかる。
図1に示す第1の包絡線E1における、隣り合う折れ曲がり部V1同士の間に、複数の電極指が20対以上設けられており、かつ第1の包絡線E1が伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における傾斜角度の絶対値が5.5°以上であることが好ましい。それによって、図11に示すように、横モードの2MHzの積分波形における最大値を0.1dB以下とすることができる。折れ曲がり部V1間の電極指の対数が20対以上であり、かつ第1の包絡線E1が伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における傾斜角度の絶対値が7°以上であることがより好ましい。それによって、上記最大値を0.05dB以下とすることができる。折れ曲がり部V1間の電極指の対数が20対以上であり、かつ第1の包絡線E1が伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における傾斜角度の絶対値が10°以上であることがさらに好ましい。それによって、上記最大値を最小の値とすることができる。これらの場合、横モードを効果的に抑制することができ、かつQ値を効果的に高くすることができる。
第1の包絡線E1が伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における傾斜角度の絶対値が10°以上であり、かつ第1の包絡線E1における、隣り合う折れ曲がり部V1の間に、複数の電極指が7対以上設けられていることが好ましい。それによって、図12に示すように、横モードの2MHzの積分波形における最大値を0.1dB以下とすることができる。第1の包絡線E1が伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における傾斜角度の絶対値が10°以上であり、かつ第1の包絡線E1における、折れ曲がり部V1間の電極指の対数が10対以上であることがより好ましい。それによって、上記最大値を0.05dB以下とすることができる。第1の包絡線E1が伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における傾斜角度の絶対値が10°以上であり、かつ第1の包絡線E1における、折れ曲がり部V1間の電極指の対数が20対以上であることがさらに好ましい。それによって、上記最大値を最小の値とすることができる。これらの場合、横モードを効果的に抑制することができ、かつQ値を効果的に高くすることができる。
ところで、図1に示すように、IDT電極8が、複数の第1のオフセット電極18及び複数の第2のオフセット電極19を有することが好ましい。それによって、交叉領域Dから各バスバー側に向かい伝搬した主モードを、交叉領域D側に反射させることができる。これにより、主モードのロスを低減することができ、主モードの特性を良好にすることができる。
平面視における複数の第1のオフセット電極18の形状が、曲線状の形状を有することが好ましい。この場合には、第1のオフセット電極18の形状を、第1のオフセット電極18において反射される主モードの周波数と一致した条件の形状にすることができる。よって、主モードを反射する反射効率を高めることができる。従って、主モードの特性を効果的に良好にすることができる。同様に、平面視における第2のオフセット電極19の形状が、曲線状の形状を有することが好ましい。
なお、平面視における複数のオフセット電極の形状は、曲線状の形状を有していなくともよい。例えば、図13に示す第1の実施形態の第1の変形例においては、平面視における複数の第1のオフセット電極18Aの形状は直線状の形状を有する。図示しないが、平面視における複数の第2のオフセット電極の形状も直線状の形状を有する。この場合には、第1のオフセット電極18Aの先端部から第1のバスバー14までの距離を短くすることができる。同様に、第2のオフセット電極の先端部から第2のバスバーまでの距離を短くすることができる。それによって、IDT電極の電気抵抗を低下させることができる。従って、弾性波装置をフィルタ装置に用いた場合において、直列抵抗成分によって挿入損失が大きくなることを抑制できる。加えて、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
図1に戻り、第1の実施形態においては、平面視における第1のバスバー14の、第1の包絡線E1側の部分の形状は、波状の形状である。第1のバスバー14と、第1の包絡線E1との間の、伝搬軸と直交する方向における距離が一定である。さらに、複数の第1のオフセット電極18の長さが一定である。第2の電極指17の先端部及び第1のオフセット電極18の先端部の間におけるギャップのギャップ長も一定である。このように、第1の包絡線E1の形状に合わせて、第1のオフセット電極18を長くせずして、上記ギャップ長を一定にすることができている。それによって、IDT電極8の電気抵抗を高くせずして、主モードの漏洩をより確実に抑制することができる。
同様に、第2のバスバー15と、第2の包絡線E2との間の、伝搬軸と直交する方向における距離は一定である。複数の第2のオフセット電極19の長さは一定である。第1の電極指16の先端部及び第2のオフセット電極19の先端部の間におけるギャップのギャップ長も一定である。それによって、IDT電極8の電気抵抗を高くせずして、主モードの漏洩をより確実に抑制することができる。
第1の実施形態では、弾性波の伝搬特性が、各励振部において互いに異なることを利用することによって、不要波の抑制などの効果を得る。以下において、この詳細を説明する。もっとも、第1の実施形態のIDT電極8の構成は一例であって、本発明におけるIDT電極の構成は、以下の構成に限定されるものではない。
弾性波の位相速度は励振角度θC_propに対する依存性を有し、基板の構成に応じて固有の特性を示す。なお、位相速度の逆数は、逆速度面に相当する。よって、励振角度θC_propと位相速度との関係は、圧電性基板の逆速度面と概ね等しい。そこで、図14において、層構成が互いに異なる圧電性基板の逆速度面の例を示す。一方の圧電性基板は、回転Yカット42°X伝搬のLiTaO3(LT)のみからなる基板である。この基板を第1の圧電性基板とする。他方の圧電性基板は、圧電体層/支持基板の貼り合せ基板である。この基板を第2の圧電性基板とする。第2の圧電性基板は、より具体的には、面方位が(100)であるシリコン基板、酸化ケイ素膜及びタンタル酸リチウム層がこの順序において積層された基板である。シリコン基板の面方位が(110)あるいは(111)などのその他の面方位であっても、逆速度面の凹凸の形状は変わらない。
図14は、第1の圧電性基板及び第2の圧電性基板を伝搬する弾性波の逆速度面を示す図である。
図14に示すx軸は、伝搬軸に平行であるときの結果に相当する。すなわち、励振角度θC_propが0°であるときの結果に相当する。第1の圧電性基板及び第2の圧電性基板における逆速度面は、いずれもx軸を対称軸とする線対称である。第1の圧電性基板における逆速度面は凹状の形状である。一方で、第2の圧電性基板における逆速度面は凸状の形状である。このように、基板を伝搬する弾性波の励振角度θC_propに対する依存性は、基板の構成によって異なることがわかる。さらに、弾性波のモードが異なる場合には、同じ基板における励振角度θC_propに対する依存性は異なる。これを図15により示す。
図15は、第1の圧電性基板における、縦波、速い横波、遅い横波の逆速度面を示す図である。
図15に示すように、3種の弾性波のモードである、縦波、速い横波及び遅い横波の逆速度面は、互いに異なる。図15中の矢印L1及びL2を通る部分はそれぞれ、励振角度θC_propが0°以外である場合の結果の例に相当する。矢印L1を通る部分における遅い横波及び速い横波の逆速度面の間隔と、矢印L2を通る部分における遅い横波及び速い横波の逆速度面の間隔とは互いに異なる。同様に、矢印L1を通る部分における速い横波及び縦波の逆速度面の間隔と、矢印L2を通る部分における速い横波及び縦波の逆速度面の間隔とは互いに異なる。すなわち、励振角度θC_propが互いに異なる励振部同士においては、異なるモード同士の逆速度面の間隔が異なる。これは、弾性波装置において利用する主モードと、不要波との関係でも同様である。
この場合において、第1の実施形態の弾性波装置1では、主モードの共振周波数同士または反共振周波数同士を、全ての励振部において略一致させている。そのため、異なる励振部同士においては、不要波の周波数同士が互いに異なることとなる。それによって、通過帯域外の不要波及び横モードがそれぞれ分散される。従って、通過帯域外の不要波及び横モードを抑制することができる。
なお、第1の実施形態においては、各励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致しているため、主モードが好適に励振される。よって、共振特性の劣化をより確実に抑制することができる。
加えて、第1の実施形態においては、第1の包絡線E1の隣り合う折れ曲がり部V1同士において、第1の交叉角度θC_AP1_kが互いに異なる。同様に、第2の包絡線E2の隣り合う折れ曲がり部V2同士において、第2の交叉角度θC_AP2_kが互いに異なる。そのため、それぞれの電極指同士においては、電極指が含まれる励振部の励振角度θC_propの範囲は互いに異なる。
上記のように、励振角度θC_propが互いに異なる励振部同士においては、主モード及び不要波の逆速度面の間隔が異なる。もっとも、第1の実施形態では、全ての励振部において、主モードの共振周波数または反共振周波数は略一致している。そして、第1の実施形態では、各電極指が含まれる励振部の励振角度θC_propの範囲は互いに異なる。そのため、各電極指が位置する部分毎に、励振される不要波の周波数のばらつきの範囲が異なることとなる。よって、不要波を効果的に分散させることができる。従って、通過帯域外の不要波及び横モードを効果的に抑制することができる。
上述したように、位相速度は、逆速度面の逆数に相当する。よって、励振角度θC_propと位相速度との関係は、図15に示すような、圧電性基板のXY面内の逆速度面と概ね等しい。すなわち、電極指の曲線状の形状を表す関数は、圧電性基板のXY面内の逆速度面の形状によって決められるといえる。弾性波の位相速度は励振角度θC_propに対する依存性を有する。
第1の実施形態では、周波数に影響するデューティ比を、励振角度θC_propに応じて変化させることにより、それぞれの励振角度θC_propにおいて励振される弾性波の周波数を略一致させている。第1の実施形態における、励振角度θC_prop及びデューティ比の関係を、図16により示す。なお、デューティ比の最大値が第1の実施形態と異なる例も、第1の実施形態の第2の変形例として併せて示す。
図16は、第1の実施形態及び第2の変形例におけるIDT電極の、励振角度の絶対値|θC_prop|と、デューティ比との関係を示す図である。
第1の実施形態においては、励振角度θC_propが0°である場合に、デューティ比が最大値とされている。すなわち、第1の実施形態では、全ての励振部のうち、デューティ比が最も大きい励振部と、定点Cとを通る直線が、上記基準線Nである。なお、第1の実施形態においては、励振角度θC_propが0°のとき、デューティ比は0.5である。そして、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、デューティ比が小さい。これにより、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。
第2の変形例においても、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、デューティ比が小さい。なお、第2の変形例においては、励振角度θC_propが0°のとき、デューティ比は0.634である。第2の変形例においても、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。加えて、第2の変形例においては、デューティ比以外の点においては、第1の実施形態と同様に構成されている。よって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、圧電性基板の逆速度面によって、デューティ比と各モードの周波数との関係は異なる。よって、圧電性基板の構成や、圧電性基板上の構成によっては、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほどデューティ比が大きいときに、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致する場合もある。この場合、全ての励振部のうち、デューティ比が最も小さい励振部と、定点Cとを通る直線が基準線Nである。この例としては、回転Yカット-4°X伝搬のLiNbO3のみからなる基板上に設けられたIDT電極を、厚みが厚いSiO2膜に埋め込んだ弾性波装置などを挙げることができる。あるいは、基準線Nが通る、励振角度θC_propが0°である励振部において、デューティ比が最大または最小とは、必ずしもならない。
図1に戻り、第1の実施形態の、平面視における複数の第1のオフセット電極18の形状、及び複数の第2のオフセット電極19の形状はそれぞれ、複数の同心円におけるそれぞれの円弧に相当する形状である。複数の第1のオフセット電極18及び複数の第2のオフセット電極19の形状における円弧を含む円の中心は、定点Cと一致している。平面視における、反射器9Aの複数の反射器電極指9cの形状、及び反射器9Bの複数の反射器電極指9fの形状もそれぞれ、複数の同心円におけるそれぞれの円弧に相当する形状である。複数の反射器電極指9c及び複数の反射器電極指9fの形状における円弧を含む円の中心は、定点Cと一致している。もっとも、これに限定されるものではない。
図17は、第1の実施形態の第3の変形例におけるIDT電極の構成を説明するための、IDT電極における1つのセグメントの模式的平面図である。
本変形例のIDT電極8Aにおいては、複数の電極指の平面視における形状は、楕円弧の形状を含む。具体的には、複数の電極指の平面視における形状はそれぞれ、重心が同じ位置である複数の楕円におけるそれぞれの楕円弧に相当する形状である。そして、焦点A及び焦点Bの中点が定点Cである。言い換えれば、定点Cは、焦点A及び焦点Bの重心である。なお、焦点A及び焦点Bの重心は、焦点A及び焦点Bを有する楕円の重心であるともいえる。複数の電極指の平面視における形状の楕円係数α1/α2は、1以外である。
同様に、平面視における複数のオフセット電極の形状はそれぞれ、重心が同じ位置である複数の楕円におけるそれぞれの楕円弧に相当する形状である。複数のオフセット電極の形状における楕円弧を含む楕円の焦点の中点は、定点Cと一致している。言い換えれば、これらの楕円の焦点の重心は、定点Cと一致している。平面視における、各反射器の複数の反射器電極指の形状もそれぞれ、重心が同じ位置である複数の楕円におけるそれぞれの楕円弧に相当する形状である。各反射器の複数の反射器電極指の形状における楕円弧を含む楕円の焦点の中点は、定点Cと一致している。言い換えれば、これらの楕円の焦点の重心は、定点Cと一致している。
本変形例においても、第1の実施形態と同様に、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。よって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
図1に戻り、第1の実施形態においては、第1の包絡線E1における、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法は一定である。具体的には、上記周期に相当する寸法とは、連続する3つの折れ曲がり部V1のうち両端部の折れ曲がり部V1の間の距離における、伝搬軸が延びる方向の成分である。上記振幅に相当する寸法とは、隣り合う折れ曲がり部V1の間の距離における、伝搬軸と直交する方向の成分である。なお、第1の包絡線E1においては、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではなくともよい。この場合には、横モードを効果的に抑制することができる。
第2の包絡線E2の波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法も、第1の包絡線E1と同様に、定義することができる。第2の包絡線E2においても、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではなくともよい。
第1の実施形態においては、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2における、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法は、いずれも同じである。もっとも、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2における、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が互いに異なっていてもよい。この場合には、横モードを効果的に抑制することができる。
第1の実施形態においては、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2のそれぞれにおいて、傾斜角度の絶対値は一定である。なお、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2のそれぞれにおいては、傾斜角度の絶対値は一定ではなくともよい。
本発明においては、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2のうち少なくとも一方が折れ曲がり部を有していればよい。例えば、図18に示す第1の実施形態の第4の変形例においては、IDT電極8Bの第1の包絡線E1及び第2の包絡線E102のうち、第1の包絡線E1のみが波状の形状を有する。第2の包絡線E102は直線状の形状を有する。第2のバスバー25の、第2の包絡線E102側の部分の平面視における形状は、直線状の形状を有する。この場合においても、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
ところで、図2に示すように、第1の実施形態においては、圧電性基板2は、支持基板4、中間層5の第1の層5a及び第2の層5b、並びに圧電体層6の積層基板である。より詳細には、第1の実施形態における第1の層5aは高音速膜である。高音速膜は相対的に高音速な膜である。より具体的には、高音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層6を伝搬する弾性波の音速よりも高い。他方、第2の層5bは低音速膜である。低音速膜は相対的に低音速な膜である。より具体的には、低音速膜を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層6を伝搬するバルク波の音速よりも低い。
第1の実施形態では、圧電性基板2において、高音速膜、低音速膜及び圧電体層6がこの順序で積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層6側に効果的に閉じ込めることができる。
高音速膜の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Mg、Fe、Zn、Mnなどから選ばれる1以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、MgAl2O4、FeAl2O4、ZnAl2O4、MnAl2O4を挙げることができる。本明細書において主成分とは、占める割合が50重量%を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
低音速膜の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。
圧電体層6の材料としては、例えば、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などを用いることができる。圧電体層6の材料として、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムが用いられることが好ましい。
支持基板4の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウム、ガリウムヒ素などの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。支持基板4には、高抵抗シリコンが用いられることが好ましい。支持基板4の材料の体積抵抗率は、1000Ω・cm以上であることが望ましい。
IDT電極8の材料としては、例えばTi、Mo、Ru、W、Al、Pt、Ir、Cu、Cr及びScからなる群から選択された1種以上の金属が用いられてもよい。各反射器にも、IDT電極8と同様の材料を用いることができる。IDT電極8及び各反射器は、単層の金属膜からなっていてもよく、積層金属膜からなっていてもよい。
第1の実施形態においては、デューティ比を、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させることにより、全ての励振部の共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。なお、本発明においては、デューティ比などのパラメータの設定は特に限定されない。もっとも、周波数に影響するデューティ比、電極指ピッチ、電極指の厚み、圧電体層の厚み、圧電性基板内の中間層の厚みなどのパラメータを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させることが好ましい。圧電性基板上に、IDT電極を覆うように誘電体膜が設けられている場合には、誘電体膜の厚みを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させてもよい。上記のパラメータのうち複数のパラメータを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させてもよい。これらのパラメータのうち少なくともいずれかが、全ての励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化していることが好ましい。それによって、共振特性をより確実に高めることができる。
同様に、反射器9A及び反射器9Bにおいても、デューティ比、反射器電極指ピッチ、反射器電極指の厚み、圧電体層の厚み、圧電性基板内の中間層の厚みなどのパラメータを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させることが好ましい。圧電性基板上に、反射器9A及び反射器9Bを覆うように誘電体膜が設けられている場合には、誘電体膜の厚みを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させてもよい。上記のパラメータのうち複数のパラメータを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させてもよい。例えば、反射器9A及び反射器9Bが、IDT電極8の一部である場合を仮定してもよい。この場合において、上記のパラメータのうち少なくともいずれかが、全ての励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致する構成に相当するように、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化していることが好ましい。それによって、共振特性をより確実に高めることができる。
なお、第1の実施形態及びその各変形例におけるIDT電極の形態はそれぞれ、本発明における一例である。本発明においては、平面視におけるIDT電極の複数の電極指の形状や、平面視における各反射器の複数の反射器電極指の形状は、どのような曲線の形状であってもよい。例えば、複数の電極指は、複数の定点が定義される形状であってもよい。この場合、交叉領域において、複数の電極指の平面視における形状は、異なる曲線同士が接続された形状であってもよい。あるいは、交叉領域において、複数の電極の平面視における形状は、曲線状の形状と共に、直線状の形状を含んでいてもよい。互いに異なる曲線同士が接続されている点、または曲線と直線とが接続されている点を変曲点としたときに、複数の電極指は、複数の変曲点を有していてもよい。複数の反射器電極指においても同様である。
平面視における複数の電極指及び複数の反射器電極指の形状においての曲線は、微小なサイズの直線を接続して形成された形状であってもよい。あるいは、平面視における複数の電極指及び複数の反射器電極指の形状においての曲線は、必ずしも滑らかな曲線でなくともよい。
第1の実施形態においては、各電極指の幅が連続的に変化している。もっとも、各電極指の幅は不連続的に変化していてもよい。この場合、例えば、各電極指が、複数の部分が接続された構成に相当する構成を有し、かつ異なる部分同士が接続された接続部において、接続された部分同士の幅が互いに異なっていればよい。各反射器電極指においても同様である。
本発明においては、基準線は、上記定点を必ずしも通らなくともよい。基準線は、各電極指の平面視における形状の、曲線の局所的な領域において、それぞれ個別に定義することができる。この場合、基準線は、上記定点以外の原点を有する。もっとも、本発明に係る弾性波装置において、原点が互いに異なる複数の基準線が定義される場合においても、複数の基準線が延びる方向は平行であることが好ましい。
弾性波装置1における反射器9Aの反射器バスバー9a及び反射器バスバー9bは、伝搬軸と平行に延びている。同様に、反射器9Bの反射器バスバー9d及び反射器バスバー9eは、伝搬軸と平行に延びている。もっとも、各反射器の各反射器バスバーは、伝搬軸に対して傾斜して延びていてもよい。
以下において、第2の実施形態及び第3の実施形態を示す。第2の実施形態及び第3の実施形態の弾性波装置も、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、交叉領域において、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
図19は、第2の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
本実施形態は、第1のバスバー24の第1の包絡線E1側の平面視における形状が直線状の形状を有する点、及び第2のバスバー25の第2の包絡線E2側の平面視における形状が直線状の形状を有する点において、第1の実施形態と異なる。本実施形態は、複数の第1のオフセット電極18の長さが一定ではない点、及び複数の第2のオフセット電極19の長さが一定ではない点においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
本実施形態においては、第1のバスバー24における、複数の第1のオフセット電極18の基端部が接続されている部分は、直線状の形状を有する。一方で、第1の包絡線E1は波状の形状とされている。そのため、上記のように、第1のオフセット電極18の長さは一定ではない。それによって、主モードを反射させるための領域が広くなっている。これにより、主モードの漏洩を効果的に抑制することができる。同様に、複数の第2のオフセット電極19側においても、主モードの漏洩を効果的に抑制することができる。従って、共振特性を良好にすることができる。
図20は、第3の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
本実施形態は、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が互いに反対の方向に折れ曲がっている点において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
具体的には、第1の包絡線E1は、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように第1の包絡線E1が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1を有する。第2の包絡線E2は、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように第2の包絡線E2が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V2を有する。これらの、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1と、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V2とが、伝搬軸と直交する方向に並んでいる。
さらに、第1の包絡線E1は、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように第1の包絡線E1が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1を有する。第2の包絡線E2は、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように第2の包絡線E2が折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V2を有する。これらの、第2のバスバー15側に向かい凸状となるように折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V1と、第1のバスバー14側に向かい凸状となるように折れ曲がっている部分である折れ曲がり部V2とが、伝搬軸と直交する方向に並んでいる。
ここで、横モードが生じる周波数や、横モードの強度は、交叉領域の伝搬軸と直交する方向に沿う寸法に依存する。そして、本実施形態においては、交叉領域の伝搬軸と直交する方向に沿う寸法が変化している。これにより、横モードが生じる周波数を分散させることができる。なお、本実施形態の交叉領域は、伝搬軸と直交する方向に沿う寸法が互いに異なるそれぞれの部分として分割することができる。これらの分割されたそれぞれの部分において、横モードが生じる。そのため、個別の部分において生じる横モードは小さい。よって、全体として、横モードの応答の大きさも小さくなる。従って、横モードを効果的に抑制することができる。
本実施形態の第1の交叉角度θC_AP1_k及び第2の交叉角度θC_AP2_kの例を以下において示す。
第1の交叉角度θC_AP1_1;7.5°
第1の交叉角度θC_AP1_2;3°
第2の交叉角度θC_AP2_1;7.5°
第2の交叉角度θC_AP2_2;3°
第1の交叉角度θC_AP1_2;3°
第2の交叉角度θC_AP2_1;7.5°
第2の交叉角度θC_AP2_2;3°
第1~第3の実施形態においては、デューティ比を調整することにより、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。もっとも、電極指ピッチを調整することにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させてもよい。この例を、第4の実施形態により示す。
第4の実施形態は、IDT電極において、デューティ比が一定であり、かつ電極指ピッチが一定でない点で第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
上記のように、IDT電極において、デューティ比は一定である。具体的には、デューティ比は0.5である。基準線Nは、本実施形態では、全ての励振部のうち、電極指ピッチが最も広い励振部を通る直線である。そして、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、電極指ピッチが狭い。それによって、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。以下において、励振角度の絶対値|θC_prop|と、電極指ピッチとの関係を具体的に示す。ここで、励振角度θC_propが0°である励振部における電極指ピッチをp0、任意の部分の電極指ピッチをp1、{(p1-p0)/p0}×100[%]を電極指ピッチの変化率Δpitch[%]とする。
図21は、第4の実施形態におけるIDT電極の、励振角度の絶対値|θC_prop|と、電極指ピッチの変化率Δpitchとの関係を示す図である。
図21に示すように、本実施形態では、IDT電極における、励振角度θC_propが0°である励振部においては、Δpitchは0%である。そして、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、Δpitchは負の方向に大きくなっている。すなわち、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、電極指ピッチが狭い。
本実施形態の弾性波装置では、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、交叉領域において、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、圧電性基板の逆速度面によって、電極指ピッチと各モードの周波数との関係は異なる。よって、圧電性基板の構成や、圧電性基板上の構成によっては、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど電極指ピッチが広いときに、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致する場合もある。この場合、全ての励振部のうち、電極指ピッチが最も狭い励振部と、定点Cとを通る直線が基準線Nである。この例としては、回転Yカット-4°X伝搬のLiNbO3のみからなる基板上に設けられたIDT電極を、厚みが厚いSiO2膜に埋め込んだ弾性波装置などを挙げることができる。あるいは、基準線Nが通る、励振角度θC_propが0°である励振部において、電極指ピッチの値が最大または最小とは、必ずしもならない。
図22は、第5の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
本実施形態は、IDT電極38の複数の電極指の形状が第1の実施形態と異なる。本実施形態は、反射器39A及び反射器39Bにおける複数の反射器電極指の形状も第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
複数の第1の電極指36及び複数の第2の電極指37の平面視における形状はそれぞれ、変曲点を有する。上記のように、変曲点は、互いに異なる曲線同士が接続されている点、または曲線と直線とが接続されている点である。変曲点において、互いに異なる曲線同士が接続されている場合、曲線状の形状の方向が、変曲点を境界として、異なっている。曲線状の形状の方向が互いに異なるとは、例えば、曲線状の形状において、曲がる方向が互いに異なることをいう。より具体的には、例えば、図22における左方向に凸となるように曲がっている場合と、右方向に凸となるように曲がっている場合とは、曲線状の形状の方向が互いに異なる。本実施形態においては、変曲点を境界として、2つの曲線状の形状が、互いに反転している。
具体的には、複数の電極指の平面視における形状はそれぞれ、2つの円弧が接続された形状である。平面視において、複数の電極指の形状におけるそれぞれの一方の円弧は、複数の同心円におけるそれぞれの円弧である。そのため、複数の電極指の形状における円弧を含む円の中心は一致している。これらの円の中心を1つ目の定点として定義することができる。平面視において、複数の電極指の形状におけるそれぞれの他方の円弧も、複数の同心円におけるそれぞれの円弧である。これらの円の中心を2つ目の定点と定義することができる。このように、本実施形態では、2つの定点が定義される。2つの定点は、IDT電極38を挟み互いに対向している。
このように、平面視における複数の第1の電極指36及び複数の第2の電極指37の形状がそれぞれ、交叉領域Dにおいて、第1の電極指36及び第2の電極指37の曲がる方向が異なる少なくとも2つの曲線状の部分を含んでいてもよい。そして、平面視における複数の電極指の形状がそれぞれ、交叉領域Dにおいて、少なくとも1つの変曲点を有していてもよい。
IDT電極38の複数の電極指と同様に、各反射器の複数の反射器電極指の平面視における形状はそれぞれ、2つの円弧が接続された形状である。各反射器電極指においても、IDT電極38の複数の電極指において定義された各定点と同じ定点を定義することができる。
交叉領域Dは、複数の曲線領域を有する。具体的には、複数の曲線領域は、第1の曲線領域W1及び第2の曲線領域W2である。第1の曲線領域W1は第1の包絡線E1を含む。第2の曲線領域W2は第2の包絡線E2を含む。各曲線領域においては、平面視における複数の第1の電極指36及び複数の第2の電極指37の形状がそれぞれ、単一の円弧の形状または楕円弧の形状である。もっとも、本実施形態では、各曲線領域において、平面視における複数の電極指の形状は単一の円弧である。なお、交叉領域Dにおける複数の曲線領域は2つに限定されない。例えば、交叉領域Dが3つ以上の曲線領域を含んでいてもよい。
上記2つの定点のうち一方の定点は、第1の曲線領域W1において定義される定点である。他方の定点は、第2の曲線領域W2において定義される定点である。
本実施形態では、それぞれの曲線領域における、定点を通る任意の直線上の部分を励振部とする。伝搬軸と平行に延び、かつ定点を通る直線を基準線Nとする。なお、本実施形態においては、1本の基準線N上に2つの定点が位置している。そして、第1の曲線領域W1及び第2の曲線領域W2の境界は基準線Nである。
各曲線領域における定点、及び各曲線領域における励振部を通る直線と、基準線Nとがなす角の角度θCを定義する。一方で、定点及び各曲線領域における励振部を通る直線、並びに電極指の交点における弾性波の励振方向と、基準線Nとがなす角の角度を励振角度θC_propと定義する。この場合において、各曲線領域の全ての励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、電極指ピッチが、それぞれの角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化している。
なお、各曲線領域において、デューティ比、電極指ピッチ、並びに複数の第1の電極指36及び複数の第2の電極指37の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化していてもよい。あるいは、圧電性基板2上に、IDT電極38を覆うように誘電体膜が設けられている場合には、誘電体膜の厚みを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させてもよい。上記のパラメータのうち複数のパラメータを、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化させてもよい。これらのパラメータのうち少なくともいずれかが、全ての励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、角度θCまたは励振角度θC_propに応じて変化していることが好ましい。それによって、共振特性をより確実に高めることができる。
本実施形態の弾性波装置も、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指36及び複数の第2の電極指37の形状がそれぞれ、交叉領域Dにおいて、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線E1及び第2の包絡線E2が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
本実施形態においては、複数のオフセット電極及び複数の電極指を合わせた部分の形状は、交叉領域Dの第1の曲線領域W1及び第2の曲線領域W2において、略点対称とされている。この場合、各電極指は、反射器39A側に凸状になるように曲がっている部分、及び反射器39B側に凸状になるように曲がっている部分を含む。そして、圧電体層6が材料異方性を有する単結晶膜であるとき、反射器39A側に向かい伝搬する不要波と、反射器39B側に向かい伝搬する不要波とにおいて、位相の符号が互いに逆方向となることがある。この場合には、不要波を効果的に抑制することができる。
本実施形態の第1の交叉角度θC_AP1_k及び第2の交叉角度θC_AP2_kの例を以下において示す。
第1の交叉角度θC_AP1_1;10.5°
第1の交叉角度θC_AP1_2;9°
第2の交叉角度θC_AP2_1;9°
第2の交叉角度θC_AP2_2;10.5°
第1の交叉角度θC_AP1_2;9°
第2の交叉角度θC_AP2_1;9°
第2の交叉角度θC_AP2_2;10.5°
第1~第5の実施形態においては、デューティ比または電極指ピッチを調整することにより、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。もっとも、複数の電極指の厚みを調整することにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させてもよい。この例を、第6の実施形態により示す。
第6の実施形態は、IDT電極において、デューティ比が一定であり、かつ複数の電極指の厚みが一定でない点で第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
図23は、第6の実施形態におけるIDT電極の、励振角度の絶対値|θC_prop|と、電極指の厚みとの関係を示す図である。
第6の実施形態では、全ての励振部のうち、第1の電極指及び第2の電極指の厚みが最も厚い励振部と、定点Cとを通る直線が基準線Nである。図23に示すように、IDT電極における励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、第1の電極指及び第2の電極指の厚みが薄い。それによって、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。
加えて、第6の実施形態の弾性波装置も、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、交叉領域において、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、圧電性基板の逆速度面によって、第1の電極指及び第2の電極指の厚みと各モードの周波数との関係は異なる。よって、圧電性基板の構成や、圧電性基板上の構成によっては、励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、第1の電極指及び第2の電極指の厚みが厚いときに、全ての励振部において、共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致する場合もある。この場合、全ての励振部のうち、第1の電極指及び第2の電極指の厚みが最も薄い励振部と、定点Cとを通る直線が基準線Nである。この例としては、回転Yカット-4°X伝搬のLiNbO3のみからなる基板上に設けられたIDT電極を、厚みが厚いSiO2膜に埋め込んだ弾性波装置などを挙げることができる。あるいは、基準線Nが通る、励振角度θC_propが0°である励振部において、第1の電極指及び第2の電極指の厚みの値が最大または最小とは、必ずしもならない。
第1~第6の実施形態においては、IDT電極の構成により、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させている。もっとも、IDT電極を覆う誘電体膜の厚みを調整することにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士を略一致させてもよい。この例を、第7の実施形態及びその変形例により示す。
図24は、第7の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。なお、図24は、基準線Nに沿う模式的断面図である。図24以外の模式的正面断面図も同様である。
本実施形態は、IDT電極48において、デューティ比が一定である点で第1の実施形態と異なる。本実施形態は、圧電体層6上に、IDT電極48を覆うように誘電体膜45が設けられている点においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
本実施形態の誘電体膜45を伝搬する横波の音速は、誘電体膜45を伝搬する主モードの音速よりも低い。誘電体膜45の厚みは、誘電体膜45が覆っているIDT電極48の励振部の励振角度θC_propに応じて異なっている。
図25は、第7の実施形態においての、誘電体膜が覆っているIDT電極の励振部における励振角度の絶対値|θC_prop|と、誘電体膜の厚みとの関係を示す図である。
本実施形態では、全ての励振部のうち、誘電体膜45における最も厚みが厚い部分が位置している励振部と、定点Cとを通る直線が基準線Nである。図25に示すように、本実施形態では、誘電体膜45が覆っているIDT電極48の励振部における励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、誘電体膜45の厚みが薄い。これにより、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。
加えて、本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、交叉領域において、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
第7の実施形態では、誘電体膜45を伝搬する横波の音速は、誘電体膜45を伝搬する主モードの音速よりも低い。もっとも、誘電体膜を伝搬する波の音速の関係は上記に限定されない。誘電体膜を伝搬する横波の音速、及び誘電体膜の厚みの変化の態様のみが第7の実施形態と異なる、第7の実施形態の変形例を以下において示す。
第7の実施形態の変形例においては、誘電体膜を伝搬する横波の音速は、該誘電体膜を伝搬する主モードの音速よりも高い。そして、本変形例においては、誘電体膜が覆っているIDT電極の励振部における励振角度の絶対値|θC_prop|と、誘電体膜の厚みとの関係は、図26に示す通りである。より具体的には、本変形例では、全ての励振部のうち、誘電体膜における最も厚みが薄い部分が位置している励振部と、定点Cとを通る直線が基準線Nである。誘電体膜が覆っているIDT電極の励振部における励振角度の絶対値|θC_prop|が大きいほど、誘電体膜の厚みが厚い。それによって、全ての励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致している。加えて、本変形例においても、第7の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、圧電性基板の構成などによっては、誘電体膜における励振部を覆っている部分の厚みのうち、基準線Nが通る部分の厚みの値が最大または最小とは、必ずしもならない。
ところで、圧電性基板の積層構造は、図2に示す構成には限定されない。第8の実施形態により、弾性波装置が、第1の実施形態とは異なる圧電性基板を有する例を示す。
図27は、第8の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、圧電性基板52の積層構造において第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
圧電性基板52は、支持基板4と、中間層55と、圧電体層6とを有する。支持基板4上に中間層55が設けられている。中間層55上に圧電体層6が設けられている。本実施形態においては、中間層55は枠状の形状を有する。すなわち、中間層55は貫通孔を有する。支持基板4は、中間層55の貫通孔の一方を塞いでいる。圧電体層6は中間層55の貫通孔の他方を塞いでいる。これにより、圧電性基板52において中空部52cが構成されている。圧電体層6の一部及び支持基板4の一部は、中空部52cを挟み互いに対向している。
本実施形態においては、主モードを圧電体層6側に反射させることができる。よって、弾性波のエネルギーを圧電体層6側に効果的に閉じ込めることができる。加えて、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
以下において、圧電性基板の積層構造のみが第8の実施形態と異なる、第8の実施形態の第1の変形例及び第2の変形例を示す。第1の変形例及び第2の変形例においても、第8の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。さらに、弾性波のエネルギーを圧電体層6側に効果的に閉じ込めることができる。
図28に示す第1の変形例においては、圧電性基板52Aは、支持基板4と、音響反射膜57と、中間層55Aと、圧電体層6とを有する。支持基板4上に音響反射膜57が設けられている。音響反射膜57上に中間層55Aが設けられている。中間層55A上に圧電体層6が設けられている。中間層55Aは低音速膜である。
音響反射膜57は複数の音響インピーダンス層の積層体である。具体的には、音響反射膜57は、複数の低音響インピーダンス層と、複数の高音響インピーダンス層とを有する。高音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが高い層である。音響反射膜57の複数の高音響インピーダンス層は、より具体的には、高音響インピーダンス層57a、高音響インピーダンス層57c及び高音響インピーダンス層57eである。一方で、低音響インピーダンス層は、相対的に音響インピーダンスが低い層である。音響反射膜57の複数の低音響インピーダンス層は、より具体的には、低音響インピーダンス層57b及び低音響インピーダンス層57dである。低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層は交互に積層されている。なお、高音響インピーダンス層57aが、音響反射膜57において最も圧電体層6側に位置する層である。
音響反射膜57は、低音響インピーダンス層を2層有し、高音響インピーダンス層を3層有する。もっとも、音響反射膜57は、低音響インピーダンス層及び高音響インピーダンス層をそれぞれ少なくとも1層ずつ有していればよい。
低音響インピーダンス層の材料としては、例えば、酸化ケイ素またはアルミニウムなどを用いることができる。高音響インピーダンス層の材料としては、例えば、白金またはタングステンなどの金属や、窒化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの誘電体を用いることができる。なお、中間層55Aの材料は、低音響インピーダンス層の材料と同じであってもよい。
図29に示す第2の変形例においては、圧電性基板52Bは、支持基板54と、圧電体層6とを有する。支持基板54上に直接的に圧電体層6が設けられている。より具体的には、支持基板54は凹部を有する。支持基板54上に、凹部を塞ぐように、圧電体層6が設けられている。これにより、圧電性基板52Bに中空部が設けられている。中空部は、平面視において、IDT電極8の少なくとも一部と重なっている。
図30は、第9の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、IDT電極8が、保護膜に埋め込まれている点において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
具体的には、圧電体層6上に、IDT電極8を覆うように、保護膜69が設けられている。保護膜69の厚みは、IDT電極8の厚みよりも厚い。IDT電極8は保護膜69に埋め込まれている。これにより、IDT電極8が破損し難い。
保護膜69は、第1の層69a及び第2の層69bを有する。第1の層69aにIDT電極8が埋め込まれている。第1の層69a上に第2の層69bが設けられている。それによって、保護膜69によって複数の効果を得ることができる。具体的には、本実施形態においては、第1の層69aの材料として、酸化ケイ素が用いられている。これにより、弾性波装置における周波数温度係数(TCF)の絶対値を小さくすることができる。よって、弾性波装置の温度特性を改善することができる。第2の層69bには、窒化ケイ素が用いられている。これにより、耐湿性を高めることができる。
加えて、本実施形態の弾性波装置も、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17の形状がそれぞれ、交叉領域において、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、第1の層69a及び第2の層69bの材料は上記に限定されない。保護膜69は単層であってもよく、3層以上の積層体であってもよい。
図31は、第10の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
本実施形態は、圧電体層6の第1の主面6a及び第2の主面6bの双方にIDT電極8が設けられている点において第1の実施形態と異なる。なお、第2の主面6bに設けられたIDT電極8は、中間層5における第2の層5bに埋め込まれている。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置71は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
圧電体層6の第1の主面6aに設けられたIDT電極8及び第2の主面6bに設けられたIDT電極8は、圧電体層6を挟み互いに対向している。本実施形態の弾性波装置も、第1の実施形態と同様に、平面視における複数の第1の電極指16及び複数の第2の電極指17の形状がそれぞれ、交叉領域において、曲線状の部分を含む。平面視における複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含む。そして、第1の包絡線及び第2の包絡線が、伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ少なくとも1つの折れ曲がり部を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、圧電体層6の第1の主面6a及び第2の主面6bに設けられたIDT電極8は、例えば、設計パラメータが互いに異なっていてもよい。
以下において、圧電体層の第2の主面に設けられた電極の構成、及び圧電性基板の積層構造のうち少なくとも一方のみが第10の実施形態と異なる、第10の実施形態の第1~第3の変形例を示す。第1~第3の変形例においても、第10の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
図32に示す第1の変形例においては、圧電性基板52が、第8の実施形態と同様に構成されている。具体的には、圧電性基板52が、支持基板4、中間層55及び圧電体層6を有する。圧電体層6の第2の主面6bに設けられたIDT電極8は、中空部52c内に位置している。
図33に示す第2の変形例においては、圧電体層6の第2の主面6bに、板状の電極78が設けられている。電極78は第2の層5bに埋め込まれている。IDT電極8及び電極78は、圧電体層6を挟み互いに対向している。
図34に示す第3の変形例においては、圧電性基板52が第1の変形例と同様に構成されており、かつ圧電体層6の第2の主面6bに、第2の変形例と同様の電極78が設けられている。電極78は、中空部52c内に位置している。IDT電極8及び電極78は、圧電体層6を挟み互いに対向している。
本発明に係る弾性波装置は、例えば、フィルタ装置に用いることができる。この例を以下において示す。
図35は、第11の実施形態に係るフィルタ装置の回路図である。
本実施形態のフィルタ装置80はラダー型フィルタである。フィルタ装置80は、第1の信号端子82及び第2の信号端子83と、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。フィルタ装置80においては、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は弾性波共振子である。さらに、全ての直列腕共振子及び全ての並列腕共振子は本発明に係る弾性波装置である。もっとも、フィルタ装置80の複数の弾性波共振子のうち少なくとも1つの弾性波共振子が、本発明に係る弾性波装置であればよい。
第1の信号端子82はアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。もっとも、第1の信号端子82は、必ずしもアンテナ端子ではなくともよい。第1の信号端子82及び第2の信号端子83は、例えば、電極パッドとして構成されていてもよく、配線として構成されていてもよい。
本実施形態の複数の直列腕共振子は、具体的には、直列腕共振子S1、直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3である。複数の直列腕共振子は、第1の信号端子82及び第2の信号端子83の間に、互いに直列に接続されている。複数の並列腕共振子は、具体的には、並列腕共振子P1及び並列腕共振子P2である。直列腕共振子S1及び直列腕共振子S2の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子P1が接続されている。直列腕共振子S2及び直列腕共振子S3の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子P2が接続されている。なお、フィルタ装置80の回路構成は上記に限定されない。フィルタ装置80は、例えば、縦結合共振子型弾性波フィルタを含んでいてもよい。
フィルタ装置80における弾性波共振子は、本発明に係る弾性波装置である。よって、フィルタ装置80の弾性波共振子において、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
ところで、本実施形態では、直列腕共振子S1及び直列腕共振子S2は、いずれも第1の実施形態の弾性波装置1である。図36に示すように、直列腕共振子S1における第1のバスバー14と、直列腕共振子S2における第2のバスバー15とが接続されている。もっとも、第1のバスバー14同士が接続されていてもよく、第2のバスバー15同士が接続されていてもよい。
直列腕共振子S1及び直列腕共振子S2において、互いに接続されたバスバーの形状の組み合わせは、双方のバスバーの包絡線側の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。直列腕共振子S1及び直列腕共振子S2において、互いに接続されていないバスバーの形状の組み合わせも、双方のバスバーの包絡線側の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されたバスバー側の包絡線の形状の組み合わせは、双方の包絡線の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバー側の包絡線の形状の組み合わせも、双方の包絡線の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。もっとも、これに限定されるものではない。
以下において、接続された直列腕共振子同士の組み合わせのみが第11の実施形態と異なる、第11の実施形態の第1~第3の変形例を示す。第1~第3の変形例においても、第11の実施形態と同様に、フィルタ装置の弾性波共振子において、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
図37に示す第1の変形例では、第2の実施形態の弾性波装置同士が接続されている。一方の弾性波装置の第1のバスバー24と、他方の弾性波装置の第2のバスバー25とが接続されている。
互いに接続されたバスバーの形状の組み合わせは、双方のバスバーの包絡線側の形状が、直線状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバーの形状の組み合わせも、双方のバスバーの包絡線側の形状が、直線状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されたバスバー側の包絡線の形状の組み合わせは、双方の包絡線の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバー側の包絡線の形状の組み合わせも、双方の包絡線の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。
図38に示す第2の変形例では、第1の実施形態の第4の変形例の弾性波装置同士が接続されている。一方の弾性波装置の第2のバスバー25と、他方の弾性波装置の第2のバスバー25とが接続されている。なお、一方の弾性波装置においては、複数の電極指及び複数の反射器電極指が曲がっている方向が、図18に示す例とは反対方向とされている。
互いに接続されたバスバーの形状の組み合わせは、双方のバスバーの包絡線側の形状が、直線状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバーの形状の組み合わせは、双方のバスバーの包絡線側の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されたバスバー側の包絡線の形状の組み合わせは、双方の包絡線の形状が、直線状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバー側の包絡線の形状の組み合わせは、双方の包絡線の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。
図39に示す第3の変形例では、第1の実施形態の第4の変形例の弾性波装置同士が接続されている。一方の弾性波装置の第1のバスバー14と、他方の弾性波装置の第1のバスバー14とが接続されている。なお、一方の弾性波装置においては、複数の電極指及び複数の反射器電極指が曲がっている方向が、図18に示す例とは反対方向とされている。
互いに接続されたバスバーの形状の組み合わせは、双方のバスバーの包絡線側の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバーの形状の組み合わせは、双方のバスバーの包絡線側の形状が、直線状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されたバスバー側の包絡線の形状の組み合わせは、双方の包絡線の形状が、波状の形状を有する組み合わせである。互いに接続されていないバスバー側の包絡線の形状の組み合わせは、双方の包絡線の形状が、直線状の形状を有する組み合わせである。
第2の変形例及び第3の変形例においては、交叉領域の伝搬軸と直交する方向に沿う寸法が変化している。これにより、横モードが生じる周波数を分散させることができる。従って、横モードを効果的に抑制することができる。
図36~図39に示すように、フィルタ装置において、弾性波装置の設計の自由度を高めることができる。加えて、弾性波共振子において、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、上記においては、直列腕共振子同士が接続されている例を示したが、図36~図39に示す態様と同様に、直列腕共振子及び並列腕共振子が接続されていてもよい。
上記の例に示した、接続された2つの弾性波共振子の間においては、容量が同一であり、交叉領域の伝搬軸と直交する方向に沿う寸法が同一であり、電極指の対数が同一である。もっとも、これに限られるものではない。接続される2つの弾性波共振子の間においては、容量は同一ではなくともよく、交叉領域の伝搬軸と直交する方向に沿う寸法は同一ではなくともよく、電極指の対数は同一ではなくともよい。あるいは、上記弾性波共振子間において、電極指の平面視における曲線の形状や、電極指の設計が異なっていてもよい。3つ以上の弾性波共振子を接続する場合においても、上記に示した例と同様のバスバー及び包絡線の形状の組み合わせとしてもよい。弾性波共振子同士において接続されているバスバーは、1つのバスバーとしてもよい。接続される2つの弾性波共振子の間において、第1の包絡線及び第2の包絡線の形状の組み合わせは、同じであってもよく、互いに異なっていてもよい。第1の包絡線及び第2の包絡線の形状の組み合わせが異なる場合、例えば、包絡線において、折れ曲がり部同士が曲線により結ばれている形状であることと、直線により結ばれている形状であることとによって異なっていてもよい。
ところで、上記の各実施形態の弾性波装置における、平面視したときの複数の電極指の形状においての曲線は、滑らかな曲線である。なお、平面視における複数の電極指の形状においての曲線は、微小なサイズの直線を接続して形成された形状であってもよい。平面視における複数の電極指の形状においての曲線は、複数の頂点同士を、曲線により接続して形成された形状であってもよい。あるいは、平面視における複数の電極指の形状においての曲線は、必ずしも滑らかな曲線でなくともよい。この例を、第1の実施形態の第5の変形例として示す。
図40により拡大して示す第5の変形例におけるIDT電極8Cでは、平面視したときの各第1の電極指16Cの形状においての曲線は、滑らかな曲線ではない。具体的には、平面視における各第1の電極指16Cの形状は、直線を接続して形成された形状である。なお、該形状における直線は、微小なサイズの直線ではない。より具体的には、該形状における直線の長さは、例えば、第1の電極指16Cの全長の数%程度である。もっとも、該形状においては、接続された直線同士がなす角の角度は、例えば、160°以上、180°未満程度と大きい。そのため、各第1の電極指16Cの平面視における形状は、曲線に近似可能な形状である。
各第2の電極指17Cの平面視における形状も、各第1の電極指16Cの平面視における形状と同様である。本変形例においても、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
あるいは、上述したように、交叉領域において、平面視における第1の電極指及び第2の電極指の形状が、直線の形状を含んでいてもよい。図41に示す第1の実施形態の第6の変形例においては、交叉領域が直線領域Fと、第1の曲線領域W1及び第2の曲線領域W2とを含む。
直線領域Fにおいては、第1の電極指16D及び第2の電極指17Dの平面視における形状が、直線状の形状である。第1の曲線領域W1及び第2の曲線領域W2は、直線領域Fを挟み互いに対向している。第1の曲線領域W1は第1の包絡線E1を含む。第2の曲線領域W2は第2の包絡線E2を含む。各電極指は2つの変曲点を含む。本変形例における変曲点は、曲線と直線とが接続されている点である。
直線領域F及び第1の曲線領域W1の境界線の延長線は、定点C1を通る。該境界線及び該境界線の延長線を含む直線が、第1の曲線領域W1における基準線N1である。第1の曲線領域W1における角度θCは、定点C1及び第1の曲線領域W1における励振部を通る直線と、基準線N1とがなす角の角度である。本変形例では、第1の曲線領域W1において、θC=θC_propである。
他方、直線領域F及び第2の曲線領域W2の境界線の延長線は、定点C2を通る。該境界線及び該境界線の延長線を含む直線が、第2の曲線領域W2における基準線N2である。第2の曲線領域W2における角度θCは、定点C2及び第2の曲線領域W2における励振部を通る直線と、基準線N2とがなす角の角度である。本変形例では、第2の曲線領域W2において、θC=θC_propである。
直線領域Fにおいては、励振角度は一定である。より具体的には、直線領域F及び第1の曲線領域W1の境界においては、励振角度θC_propは0°である。同様に、直線領域F及び第2の曲線領域W2の境界においては、励振角度θC_propは0°である。よって、直線領域Fにおける励振部の励振角度は0°に相当する。なお、直線領域Fにおける励振部の励振角度は、必ずしも0°ではなくともよい。
本変形例では、直線領域Fの全てにおいて、圧電体層6の伝搬軸が延びる方向であるX伝搬の方向と、複数の電極指が延びる方向とが直交している。そのため、直線領域Fは、伝搬軸に対して安定した領域である。交叉領域が直線領域Fを有することによって、IDT電極8D全体として、伝搬方向の変化を小さくすることができ、弾性波の伝搬を安定化させることができる。
加えて、本変形例においても、第1の実施形態と同様に、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
本発明における交叉領域は、1対のエッジ領域及び中央領域を有する。1対のエッジ領域は、中央領域を挟み互いに対向している。一方のエッジ領域は第1の包絡線を含む。他方のエッジ領域は第2の包絡線を含む。1対のエッジ領域のうち少なくとも一方において、低音速領域が構成されていてもよい。低音速領域とは、音速が中央領域における音速よりも低い領域である。
低音速領域は、例えば、エッジ領域におけるデューティ比が、中央領域におけるデューティ比よりも大きくされていることによって構成されていてもよい。この場合、電極指のエッジ領域における幅が、該電極指の中央領域における幅よりも広い。電極指の幅は、電極指の法線方向に沿う寸法である。そのため、曲線領域においては、電極指の幅の基準となる法線方向は、部分毎に異なる。
あるいは、低音速領域は、エッジ領域において、電極指及び質量付加膜が積層されていることによって構成されていてもよい。電極指及び質量付加膜が積層されている部分において、圧電体層、電極指及び質量付加膜がこの順序で積層されていてもよい。該部分において、圧電体層、質量付加膜及び電極指がこの順序で積層されていてもよい。なお、低音速領域は、電極指の幅が広くされた構成、及び質量付加膜が設けられた構成の双方により構成されていてもよい。
質量付加膜は、適宜の誘電体からなっていてもよく、適宜の金属からなっていてもよい。もっとも、質量付加膜が金属からなる場合には、1つの質量付加膜は、接続される電位が互いに異なる複数の電極指には接触していない。
1対のバスバーが互いに対向する方向における中央側から外側に向かい、中央領域及び低音速領域がこの順序で配置されていることによって、ピストンモードが成立する。これにより、不要波である横モードを抑制することができる。低音速領域は、1対のエッジ領域の双方において構成されていることが好ましい。それによって、横モードをより確実に抑制することができる。
図42は、第12の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
本実施形態は、第1の包絡線E91において、圧電体層6の伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が一定でない点で第1の実施形態と異なる。本実施形態は、第1の包絡線E91において、隣り合う折れ曲がり部V1の間に位置している電極指の対数が一定でない点においても、第1の実施形態と異なる。さらに、本実施形態は、第2の包絡線E102の形状が直線状の形状である点、及び第2のバスバー95の構成においても、第1の実施形態と異なる。本実施形態は、交叉領域が、1つの曲線領域と、1つの直線領域とを有する点においても、第1の実施形態と異なる。これらに対応して、本実施形態は、各反射器の形状においても、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
交叉領域における直線領域は、本実施形態では、一方のエッジ領域である。なお、交叉領域の1対のエッジ領域は、具体的には、第1のエッジ領域H1及び第2のエッジ領域H2である。第1のエッジ領域H1は第1の包絡線E91を含む。第2のエッジ領域H2は第2の包絡線E102を含む。より具体的には、第1のエッジ領域H1は、複数の第2の電極指97の先端部と、複数の第1の電極指96のそれぞれにおける、第2の電極指97の先端部に隣接している部分とが位置している領域である。第2のエッジ領域H2は、複数の第1の電極指96の先端部と、複数の第2の電極指97のそれぞれにおける、第1の電極指96の先端部に隣接している部分とが位置している領域である。
交叉領域における直線領域は、第2のエッジ領域H2である。一方で、曲線領域は、第1のエッジ領域H1及び中央領域Jを含む。
第1の包絡線E91の形状は、隣り合う折れ曲がり部V1同士が直線により接続された形状である。よって、第1の包絡線E91は複数の直線の部分としての、複数の線部分を有する。第1の包絡線E91の複数の線部分は、複数の第1の線部分e1と、複数の第2の線部分e2とを含む。第1の線部分e1及び第2の線部分e2は、交互に接続されている。第1の線部分e1及び第2の線部分e2が接続されている部分が、折れ曲がり部V1である。
以下においては、圧電体層6の伝搬軸に対して包絡線が傾斜している角度の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とする。本実施形態では、第1の線部分e1の伝搬軸に対する傾斜角度を第1の傾斜角度θ1としたときに、第1の傾斜角度θ1の符号は正である。なお、第1の実施形態と同様に、圧電体層6において、伝搬軸はX伝搬の方向である。
第2の線部分e2の伝搬軸に対する傾斜角度を第2の傾斜角度θ2としたときに、第1の傾斜角度θ1の正負の符号と、第2の傾斜角度θ2の正負の符号とは互いに異なる。本実施形態では、第2の傾斜角度θ2の符号は負である。
第1の線部分e1に位置している電極指の対数は、第2の線部分e2に位置している電極指の対数よりも少ない。もっとも、各第1の線部分e1に位置している電極指の対数は同じである。同様に、各第2の線部分e2に位置している電極指の対数は同じである。
本実施形態では、第1の傾斜角度θ1は20°であり、第2の傾斜角度θ2は-10°である。そのため、第1の傾斜角度θ1の絶対値は、第2の傾斜角度θ2の絶対値よりも大きい。なお、第1の傾斜角度θ1及び第2の傾斜角度θ2の値は上記に限定されない。|θ1|>|θ2|であることにより、弾性波装置を大型化せずして、横モードを効果的に抑制することができる。この詳細を以下において説明する。
図43(a)~図43(d)は、第1の包絡線における第1の線部分及び第2の線部分において規定される角度を説明するための模式図である。図43(a)、図43(c)及び図43(d)中の二点鎖線は、圧電体層の伝搬軸と平行に延びている仮想線である。図43(a)、図43(c)及び図43(d)では、各角度の正負の符号を、矢印の方向により示している。矢印の方向が反時計回りであれば、該矢印により表される角度の符号は正である。
図43(a)に示すように、上記第1の傾斜角度θ1及び上記第2の傾斜角度θ2は、圧電体層の伝搬軸が延びる方向を基準とした角度である。
他方、第1の線部分e1及び第2の線部分e2の角度の基準は、電極指の形状に基づいて規定することもできる。より具体的には、例えば、図43(b)に示す電極指の法線K1及び法線K2を、第1の線部分e1及び第2の線部分e2の角度の基準としてもよい。図43(c)に示すように、電極指の法線K1と、第1の線部分e1とがなす角の角度を、θ1bとする。電極指の法線K2と、第2の線部分e2とがなす角の角度を、θ2bとする。
より詳細には、電極指が延びる方向は、該電極指の部分毎に異なる。角度θ1bは、第1の線部分e1に位置している第2の電極指97の先端部の法線K1に対して、第1の線部分e1が傾斜している角度である。図43(d)に示すように、法線K1と、圧電体層の伝搬軸とがなす角の角度をθ1hとしたときに、θ1-θ1h=θ1bである。
なお、圧電体層の伝搬軸と、電極指の法線とがなす角の角度における正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とする。本実施形態では、第1の傾斜角度θ1及び角度θ1hの符号はいずれも正である。そのため、角度θ1bの絶対値は、第1の傾斜角度θ1の絶対値と、角度θ1hの絶対値との差である。よって、θ1>θ1hである場合には、第1の傾斜角度θ1の絶対値が大きいほど、角度θ1bの絶対値は大きい。
角度θ2bは、第2の線部分e2に位置している第2の電極指97の先端部の法線K2に対して、第2の線部分e2が傾斜している角度である。法線K2と、圧電体層の伝搬軸とがなす角の角度をθ2hとしたときに、θ2-θ2h=θ2bである。本実施形態では、第2の傾斜角度θ2の符号は負であり、角度θ2hの符号は正である。そのため、角度θ2bの絶対値は、第2の傾斜角度θ2の絶対値と、角度θ2hの絶対値との和である。よって、第2の傾斜角度θ2の絶対値が大きいほど、角度θ2bの絶対値は大きい。
電極指の法線方向は、上記において弾性波の励振方向として例示した方向のうち、第1種目の方向である。弾性波の励振方向は、第1種目の方向としての、該法線方向ではない場合もある。もっとも、弾性波の励振方向は、少なくとも該法線方向に近い方向である。そして、角度θ1bは、電極指の法線K1と、第1の線部分e1とがなす角の角度である。よって、角度θ1bの絶対値が大きいほど、弾性波の励振方向に対して第1の線部分e1が大きく傾斜している。同様に、角度θ2bの絶対値が大きいほど、弾性波の励振方向に対して第2の線部分e2が大きく傾斜している。
図42に戻り、第1の包絡線E91における第1の線部分e1または第2の線部分e2が、弾性波の励振方向に対して大きく傾斜しているほど、横モードを効果的に抑制することができる。すなわち、角度θ1bの絶対値、または角度θ2bの絶対値が大きいほど、横モードを効果的に抑制することができる。
例えば、第1の包絡線E91においての、波状の形状における振幅に相当する寸法を大きくする場合には、第1の傾斜角度θ1の絶対値及び第2の傾斜角度θ2の絶対値の双方を大きくすることができる。もっとも、この場合において、交叉領域の面積を小さくしない場合には、弾性波装置の大型化につながる。
あるいは、第1の包絡線E91においての、波状の形状における周期に相当する寸法を小さくする場合には、角度θ1bの絶対値、及び角度θ2bの絶対値の双方を大きくすることができる。もっとも、この場合には、隣り合う折れ曲がり部V1同士の間に位置する、複数の電極指の対数が少なくなる。この場合、横モードの抑制の効果が小さくなる場合がある。
ここで、上記のように、角度θ2bの絶対値は、第2の傾斜角度θ2の絶対値と、角度θ2hの絶対値との和である。そのため、角度θ2bの絶対値は、第2の傾斜角度θ2が小さくとも、十分に大きい。他方、角度θ1bの絶対値は、第1の傾斜角度θ1の絶対値と、角度θ1hの絶対値との差である。そのため、第1の傾斜角度θ1の絶対値を大きくすることにより、角度θ1bの絶対値を効果的に大きくすることができる。
そして、本実施形態においては、第1の傾斜角度θ1の絶対値は、第2の傾斜角度θ2の絶対値よりも大きい。それによって、第1の包絡線E91においての、波状の形状における振幅に相当する寸法を大きくせず、周期に相当する寸法を小さくせずして、角度θ1bの絶対値、及び角度θ2bの絶対値を大きくすることができる。従って、弾性波装置を大型化せずして、横モードを効果的に抑制することができる。
上記の第1の実施形態などにおける第1の包絡線も、第1の線部分及び第2の線部分を有することを指摘しておく。もっとも、例えば第1の実施形態では、第1の傾斜角度θ1の絶対値及び第2の傾斜角度θ2の絶対値は同じである。
本実施形態では、第1の実施形態と同様に、第1の包絡線E91が、伝搬軸に対して傾斜して延びている、複数の第1の線部分e1及び複数の第2の線部分e2を含み、かつ複数の折れ曲がり部V1を有する。それによって、不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、第1の傾斜角度θ1の符号は、必ずしも正ではなくともよい。第1の傾斜角度θ1の正負の符号と、角度θ1hの正負の符号とが同じであればよい。例えば、IDT電極及び各反射器の形状が、第12の実施形態における形状に対して、図42における左右方向において反転した形状である場合には、第1の傾斜角度θ1及び角度θ1hの符号は負である。
第12の実施形態では、第1の包絡線E91の全体において、第1の線部分e1及び第2の線部分e2が交互に接続されている。なお、第1の包絡線E91は、少なくとも1本の第1の線部分e1と、少なくとも1本の第2の線部分e2とを含んでいればよい。第1の包絡線E91の少なくとも一部において、第1の線部分e1及び第2の線部分e2が接続されていればよい。そして、第1の傾斜角度θ1の絶対値が、第2の傾斜角度θ2の絶対値よりも大きければよい。この場合においても、通過帯域外の不要波を抑制することができ、Q値を高めることができる。加えて、横モードを効果的に抑制することができる。
第1の包絡線E91においては、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法は一定である。なお、第1の包絡線E91における、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではなくても構わない。
図42に示すように、第2のバスバー95には複数の開口部95dが設けられている。より具体的には、第2のバスバー95は、内側バスバー部95a及び外側バスバー部95bと、複数の接続部95cとを有する。内側バスバー部95a及び外側バスバー部95bは互いに対向している。内側バスバー部95a及び外側バスバー部95bのうち、内側バスバー部95aが交叉領域側に位置している。複数の接続部95cは、内側バスバー部95a及び外側バスバー部95bを接続している。上記複数の開口部95dはそれぞれ、内側バスバー部95a、外側バスバー部95b及び複数の接続部95cにより囲まれた開口部である。
内側バスバー部95aは、第2の包絡線E102と平行に延びている。内側バスバー部95aは、複数の第1の電極指96とギャップを隔てて対向している。
第2のバスバー95の複数の接続部95cはそれぞれ、本実施形態では、第2の電極指97の延長線上に延びている。複数の接続部95cは、第1の電極指96の延長線上には設けられていない。一方で、交叉領域においては、第1の電極指96及び第2の電極指97が交互に並んでいる。そのため、第2のバスバー95の、複数の開口部95dが形成されている領域における音速は、交叉領域における音速よりも高い。これにより、第2のバスバー95における複数の開口部95dが形成されている領域において、高音速領域が構成されている。なお、高音速領域とは、音速が中央領域Jにおける音速よりも高い領域である。
ここで、主モードのモードの変換に伴い、弾性波のエネルギーの漏洩が生じることがある。例えば、弾性波の主モードとしてSH波が用いられている場合、SH波からレイリー波、またはSH波からバルク波に変換されることにより、弾性波のエネルギーが漏洩する。このような漏洩は、交叉領域側からバスバー側に向かって生じる。
第12の実施形態においては、第2のバスバー95の内側バスバー部95aは、複数の第1の電極指96とギャップを隔てて対向している。それによって、モードの変換に伴う弾性波のエネルギーの漏洩を抑制することができる。
内側バスバー部95aと、第1の電極指96との間の距離は、0.5λ以下であることが好ましい。それによって、モードの変換に伴う弾性波のエネルギーの漏洩を効果的に抑制することができる。
第1の包絡線E91が第12の実施形態のように構成されている場合にも、弾性波装置がピストンモードを利用可能に構成されていてもよい。この例を、第12の実施形態の第1の変形例及び第2の変形例により示す。第1の変形例及び第2の変形例においても、第12の実施形態と同様に、通過帯域外の不要波を抑制でき、かつQ値を高めることができる。加えて、弾性波装置を大型化せずして、横モードをより一層抑制することができる。
図44に示す第1の変形例においては、第1のエッジ領域H1及び第2のエッジ領域H2の双方において低音速領域が構成されている。より具体的には、第1のエッジ領域H1に1つの質量付加膜98Aが設けられている。第1のエッジ領域H1においては、1つの質量付加膜98Aが複数の電極指上にわたり設けられている。質量付加膜98Aは、圧電体層6における、電極指間の部分にも設けられている。
第1の包絡線E91は波状の形状である。よって、複数の第2の電極指97の先端部も波状に並んでいる。そして、第1のエッジ領域H1は、複数の第2の電極指97の先端部と、複数の第1の電極指96のそれぞれにおける、第2の電極指97の先端部に隣接している部分とが位置している領域である。そのため、第1のエッジ領域H1は波状の形状である。これに伴い、質量付加膜98Aの形状も波状の形状である。
第2のエッジ領域H2に1つの質量付加膜98Bが設けられている。質量付加膜98Bは帯状の形状を有する。より具体的には、第2のエッジ領域H2においては、1つの質量付加膜98Bが複数の電極指上にわたり設けられている。質量付加膜98Bは、圧電体層6における、電極指間の部分にも設けられている。
質量付加膜98A及び質量付加膜98Bが設けられていることにより、第1のエッジ領域H1及び第2のエッジ領域H2の双方において、低音速領域が構成されている。
なお、上述したように、本発明では、質量付加膜及び電極指が積層されている順序は特に限定されない。
質量付加膜は、少なくとも1本の電極指と積層されていればよい。もっとも、質量付加膜が、複数の電極指と積層されていることが好ましく、全ての電極指と積層されていることがより好ましい。それによって、ピストンモードをより確実に成立させることができる。
なお、各エッジ領域に複数の質量付加膜が設けられていてもよい。この場合、各質量付加膜は、少なくとも1本の電極指と積層されていればよい。
図45に示す第2の変形例においては、複数の電極指が幅広部を有する。幅広部における電極指の幅は、中央領域Jにおける該電極指の幅よりも広い。より具体的には、第1のエッジ領域H1において、複数の第1の電極指96Aに幅広部96aが設けられている。第2のエッジ領域H2において、複数の第1の電極指96Aに幅広部96bが設けられている。同様に、第1のエッジ領域H1において、複数の第2の電極指97Aに幅広部97aが設けられている。第2のエッジ領域H2において、複数の第2の電極指97Aに幅広部97bが設けられている。これらにより、第1のエッジ領域H1及び第2のエッジ領域H2の双方において、低音速領域が構成されている。
第1のエッジ領域H1において、少なくとも1本の電極指が幅広部を有していればよい。もっとも、第1のエッジ領域H1において、複数の電極指が幅広部を有していることが好ましく、全ての電極指が幅広部を有していることがより好ましい。第2のエッジ領域H2においても同様である。それによって、ピストンモードをより確実に成立させることができる。
第12の実施形態や第1の実施形態などにおいては、第1の包絡線の隣り合う折れ曲がり部同士の間には、複数対の電極指が位置している。なお、第1の包絡線においては、必ずしも全ての折れ曲がり部同士の間に1対以上の電極指が位置していなくともよい。この例を、第13の実施形態により示す。
図46は、第13の実施形態に係る弾性波装置の模式的平面図である。
本実施形態は、第1の包絡線E93が複数の第1の線部分e1と、複数の第3の線部分e3とを含み、第2の線部分e2を含まない点において、第12の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第12の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
第1の包絡線E93においては、第1の線部分e1及び第3の線部分e3が交互に接続されている。第1の線部分e1及び第3の線部分e3が接続されている部分が折れ曲がり部V1である。
第3の線部分e3には、複数の電極指のうち1本の第1の電極指96のみが位置している。すなわち、第3の線部分e3には0.5対の電極指が位置している。第3の線部分e3には、第2の電極指97の先端部は位置していない。第3の線部分e3の両端が接続された各折れ曲がり部V1には、第2の電極指97の先端部がそれぞれ位置している。第3の線部分e3は、隣り合う折れ曲がり部V1に位置している、隣り合う2本の第2の電極指97の先端部同士を結んでいる部分である。
本実施形態では、隣り合う第1の線部分e1の全体同士が、圧電体層6の伝搬軸が延びる方向から見たときに重なり合っている。そのため、交叉領域の、伝搬軸の法線方向に沿う寸法が、第1の包絡線E93の第3の線部分e3が位置する部分を境界として、急激に変化している。
横モードは、交叉領域側からバスバー側に向かう方向に生じる定在波である。交叉領域の、伝搬軸の法線方向に沿う寸法が、急激に変化していることによって、横モードは不安定となる。それによって、横モードを効果的に抑制することができる。
加えて、本実施形態では、電極指における交叉領域に位置する部分、及び各反射器は、第12の実施形態と同様に構成されている。第1の包絡線E93は、伝搬軸に対して傾斜して延びている、複数の第1の線部分e1を含み、かつ複数の折れ曲がり部V1を有する。それによって、通過帯域外の不要波及び横モードを抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、隣り合う第1の線部分e1の少なくとも一部同士が、圧電体層6の伝搬軸が延びる方向から見たときに重なり合っていればよい。この場合にも、交叉領域の、伝搬軸の法線方向に沿う寸法が、第1の包絡線E93の第3の線部分e3が位置する部分を境界として、急激に変化する。これにより、横モードを抑制することができる。
第13の実施形態では、第1の包絡線E93の全体において、第1の線部分e1及び第3の線部分e3が交互に接続されている。もっとも、第1の包絡線E93の少なくとも一部において、2本の第1の線部分e1が第3の線部分e3により接続されていればよい。
複数の第1の線部分e1同士においては、第1の傾斜角度θ1は同じであり、かつ長さは同じである。なお、同じ第3の線部分e3により接続された第1の線部分e1同士においては、第1の傾斜角度θ1は必ずしも同じではなくともよく、長さは必ずしも同じではなくともよい。例えば、第1の包絡線E93における、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではなくても構わない。
第1の包絡線E93は、圧電体層6の伝搬軸に対して傾斜している少なくとも2本の線部分と、少なくとも1本の第3の線部分e3とを含んでいればよい。2本の該線部分に、第3の線部分e3の両端が接続されていればよい。同じ第3の線部分e3に接続されている線部分の伝搬軸に対する傾斜角度の正負の符号が同じであればよい。第13の実施形態では、同じ第3の線部分e3に接続されている線部分は第1の線部分e1であり、第1の傾斜角度θ1の符号は正である。
同じ第3の線部分e3に接続されている線部分の伝搬軸に対する傾斜角度の符号は、負であってもよい。例えば、図47に示す第13の実施形態の第1の変形例においては、第1の包絡線E95は、複数の第2の線部分e2と、複数の第3の線部分e3とを含み、第1の線部分e1を含まない。
第1の包絡線E95においては、第2の線部分e2及び第3の線部分e3が交互に接続されている。第3の線部分e3には第2の電極指97の先端部は位置していない。第3の線部分e3の両端が接続された各折れ曲がり部V1には、第2の電極指97の先端部がそれぞれ位置している。
本変形例では、隣り合う第2の線部分e2の全体同士が、圧電体層6の伝搬軸が延びる方向から見たときに重なり合っている。そのため、交叉領域の、伝搬軸の法線方向に沿う寸法が、第1の包絡線E95の第3の線部分e3が位置する部分を境界として、急激に変化している。それによって、横モードを効果的に抑制することができる。加えて、本変形例においても、第13の実施形態と同様に、通過帯域外の不要波を抑制することができ、かつQ値を高めることができる。
なお、隣り合う第2の線部分e2の少なくとも一部同士が、圧電体層6の伝搬軸が延びる方向から見たときに重なり合っていればよい。この場合にも、交叉領域の、伝搬軸の法線方向に沿う寸法が、第1の包絡線E95の第3の線部分e3が位置する部分を境界として、急激に変化する。これにより、横モードを抑制することができる。
本変形例では、第1の包絡線E95の全体において、第2の線部分e2及び第3の線部分e3が交互に接続されている。もっとも、第1の包絡線E95の少なくとも一部において、2本の第2の線部分e2が第3の線部分e3により接続されていればよい。
複数の第2の線部分e2同士においては、第2の傾斜角度θ2は同じであり、かつ長さは同じである。なお、同じ第3の線部分e3により接続された第2の線部分e2同士においては、第2の傾斜角度θ2は必ずしも同じではなくともよく、長さは必ずしも同じではなくともよい。例えば、第1の包絡線E95における、波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではなくても構わない。
第1の包絡線が第13の実施形態またはその第1の変形例のように構成されている場合にも、弾性波装置がピストンモードを利用可能に構成されていてもよい。これらの例を、第13の実施形態の第2の変形例及び第3の変形例により示す。第2の変形例及び第3の変形例においても、第13の実施形態と同様に、通過帯域外の不要波を抑制でき、かつQ値を高めることができる。加えて、弾性波装置を大型化せずして、横モードをより一層抑制することができる。
図48に示す第2の変形例においては、第1の包絡線E93は、複数の第1の線部分e1と、複数の第3の線部分e3とを含む。第1のエッジ領域H1に、複数の質量付加膜98Cが設けられている。他方、第2のエッジ領域H2に、1つの質量付加膜98Bが設けられている。
第1のエッジ領域H1においては、複数の質量付加膜98Cが周期的に設けられている。より具体的には、第1の包絡線E93における各第1の線部分e1に沿って、各質量付加膜98Cが設けられている。各質量付加膜98Cは、複数の電極指上にわたり設けられている。各質量付加膜98Cは、圧電体層6における電極指間の部分にも設けられている。質量付加膜98Cは、第3の線部分e3に沿っては設けられていない。
図49に示す第3の変形例においては、第1の包絡線E95は、複数の第2の線部分e2と、複数の第3の線部分e3とを含む。第1のエッジ領域H1に、複数の質量付加膜98Cが設けられている。他方、第2のエッジ領域H2に、1つの質量付加膜98Bが設けられている。
第1のエッジ領域H1においては、複数の質量付加膜98Cが周期的に設けられている。より具体的には、第1の包絡線E95における各第2の線部分e2に沿って、各質量付加膜98Cが設けられている。各質量付加膜98Cは、複数の電極指上にわたり設けられている。各質量付加膜98Cは、圧電体層6における電極指間の部分にも設けられている。質量付加膜98Cは、第3の線部分e3に沿っては設けられていない。
第2の変形例及び第3の変形例では、圧電体層6の伝搬軸の法線方向から見たときにおいて、第1のエッジ領域H1の全ての部分に複数の質量付加膜98Cが設けられている。これにより、横モードを効果的に抑制することができる。
なお、第2の変形例及び第3の変形例において、質量付加膜が設けられた構成の代わりに、少なくとも1本の電極指が、1対のエッジ領域のうち少なくとも一方において幅広部を有する構成であってもよい。あるいは、電極指が幅広部を有する構成、及び質量付加膜が設けられた構成の双方により、低音速領域が構成されていてもよい。
第12の実施形態及び第13の実施形態並びにこれらの各変形例では、第2のバスバー及び第2の包絡線の一例を示した。もっとも、第12の実施形態及び第13の実施形態並びにこれらの各変形例において、本発明の他の実施形態における第2のバスバー及び第2の包絡線を採用することもできる。第12の実施形態及び第13の実施形態並びにこれらの各変形例において、複数の第2のオフセット電極が設けられている構成を採用することもできる。
以下において、本発明に係る弾性波装置及びフィルタ装置の形態の例をまとめて記載する。
<1>圧電体層を含む圧電性基板と、前記圧電体層上に設けられており、1対のバスバー及び複数の電極指を有するIDT電極と、前記圧電体層上に、前記IDT電極を挟み互いに対向するように設けられており、複数の反射器電極指をそれぞれ有する、1対の反射器と、を備え、前記1対のバスバーが、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバーであり、前記複数の電極指が、複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指であり、前記複数の第1の電極指の一方端がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2の電極指の一方端がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指が互いに間挿し合っており、前記複数の第2の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第1の包絡線、前記複数の第1の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第2の包絡線とし、前記IDT電極における、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線の間の領域が交叉領域であり、前記圧電体層が伝搬軸を有し、平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、平面視における前記複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含み、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち少なくとも一方が、前記伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ延びる方向が変化している少なくとも1つの折れ曲がり部を有する、弾性波装置。
<2>全ての前記電極指のうち50%以上の電極指が、該電極指が延びる方向の法線方向と、前記伝搬軸が延びる方向とが同じである部分を含む、<1>に記載の弾性波装置。
<3>平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状が、円弧または楕円弧の形状を含む、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<4>前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、前記交叉領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角度を定義し、前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、全ての前記励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、<3>に記載の弾性波装置。
<5>前記圧電体層上に、前記IDT電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、前記交叉領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角度を定義し、前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、全ての前記励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、<3>に記載の弾性波装置。
<6>平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の曲がる方向が異なる少なくとも2つの曲線状の部分を含み、かつ少なくとも1つの変曲点を有する、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<7>平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状における、前記少なくとも2つの曲線状の部分がそれぞれ、円弧または楕円弧の形状を含み、前記交叉領域が、平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、単一の円弧または楕円弧の形状である、少なくとも2つの曲線領域を含む、<6>に記載の弾性波装置。
<8>それぞれの前記曲線領域において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、<7>に記載の弾性波装置。
<9>前記圧電体層上に、前記IDT電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、それぞれの前記曲線領域において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、<7>に記載の弾性波装置。
<10>前記交叉領域において、平面視における前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状が、直線の形状を含む、<1>~<9>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<11>前記圧電性基板が支持基板を有し、前記支持基板上に前記圧電体層が設けられている、<1>~<10>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<12>前記圧電性基板が、前記支持基板及び前記圧電体層の間に設けられている中間層を有する、<11>に記載の弾性波装置。
<13>前記圧電性基板において中空部が構成されており、前記支持基板の一部と、前記圧電体層の一部とが、前記中空部を挟み互いに対向している、<11>または<12>に記載の弾性波装置。
<14>前記圧電性基板が前記圧電体層のみからなる、<1>~<10>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<15>複数の第1のオフセット電極及び複数の第2のオフセット電極と、を有し、前記複数の第1のオフセット電極がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2のオフセット電極がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、前記第2の電極指の先端部と、前記第1のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向しており、前記第1の電極指の先端部と、前記第2のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向している、<1>~<14>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<16>平面視における前記複数の第1のオフセット電極の形状が、曲線状の形状を有する、<15>に記載の弾性波装置。
<17>平面視における前記複数の第1のオフセット電極の形状が、直線状の形状を有する、<15>に記載の弾性波装置。
<18>前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に設けられており、少なくとも1本の前記電極指と積層されている、質量付加膜をさらに備える、<1>~<17>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<19>前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、少なくとも1本の前記電極指が、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に位置しており、前記中央領域よりも幅が広い幅広部を有する、<1>~<18>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<20>前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち、少なくとも前記第1の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状である、<1>~<19>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<21>前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線における、隣り合う前記折れ曲がり部同士の間に、前記複数の電極指が20対以上設けられており、前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が5.5°以上である、<20>に記載の弾性波装置。
<22>前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が7°以上である、<21>に記載の弾性波装置。
<23>前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が10°以上である、<22>に記載の弾性波装置。
<24>前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が10°以上であり、前記第1の包絡線における、隣り合う前記折れ曲がり部の間に、前記複数の電極指が7対以上設けられている、<20>に記載の弾性波装置。
<25>前記第1の包絡線における、隣り合う前記折れ曲がり部の間に、前記複数の電極指が10対以上設けられている、<24>に記載の弾性波装置。
<26>前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線が、少なくとも1本の第1の線部分と、前記第1の線部分に接続されている少なくとも1本の第2の線部分と、を含み、前記第1の包絡線及び前記電極指の法線が前記伝搬軸に対して傾斜している角度の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とし、前記第1の線部分の前記伝搬軸に対する傾斜角度を第1の傾斜角度としたときに、前記第1の線部分に位置している前記第2の電極指の先端部の法線が前記伝搬軸に対して傾斜している角度と、前記第1の傾斜角度との正負の符号が同じであり、前記第2の線部分の前記伝搬軸に対する傾斜角度を第2の傾斜角度としたときに、前記第1の傾斜角度と前記第2の傾斜角度との正負の符号が互いに異なり、前記第1の傾斜角度の絶対値が、前記第2の傾斜角度の絶対値よりも大きい、<20>に記載の弾性波装置。
<27>前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線が、前記伝搬軸に対して傾斜している少なくとも2本の線部分と、2本の前記線部分に両端が接続されている少なくとも1本の第3の線部分と、を含み、前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜している角度の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向としたときに、同じ前記第3の線部分に接続されている前記線部分の前記伝搬軸に対する傾斜角度の正負の符号が同じであり、前記第3の線部分に前記第2の電極指の先端部が位置しておらず、前記伝搬軸が延びる方向から見たときに、同じ前記第3の線部分に接続されている前記線部分の少なくとも一部同士が重なり合っている、<20>に記載の弾性波装置。
<28>前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に設けられており、少なくとも1本の前記電極指と積層されている、質量付加膜をさらに備える、<26>または<27>に記載の弾性波装置。
<29>前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、少なくとも1本の前記電極指が、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に位置しており、前記中央領域よりも幅が広い幅広部を有する、<26>~<28>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<30>前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでおり、前記第1の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでいる、<20>~<29>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<31>前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでおり、前記第1の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでいる、<20>~<29>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<32>前記第1の包絡線における、前記波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではない、<20>~<29>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<33>前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線における、前記波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が互いに異なる、<20>~<29>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<34>平面視における前記第1のバスバーの、前記第1の包絡線側の部分の形状が、波状の形状であり、前記第1のバスバーと、前記第1の包絡線との間の、前記伝搬軸と直交する方向における距離が一定である、<20>~<33>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<35>複数の第1のオフセット電極及び複数の第2のオフセット電極と、を有し、前記複数の第1のオフセット電極がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2のオフセット電極がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、前記第2の電極指の先端部と、前記第1のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向しており、前記第1の電極指の先端部と、前記第2のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向しており、前記複数の第1のオフセット電極の長さが一定である、<34>に記載の弾性波装置。
<36>前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、平面視における前記第2のバスバーの、前記第2の包絡線側の部分の形状が、波状の形状であり、前記第2のバスバーと、前記第2の包絡線との間の、前記伝搬軸と直交する方向における距離が一定である、<34>または<35>に記載の弾性波装置。
<37>前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち、前記第1の包絡線のみが前記波状の形状を有する、<20>~<29>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<38>前記第2の包絡線が直線状の形状を有する、<37>に記載の弾性波装置。
<39>前記第2のバスバーにおける前記第2の包絡線側の部分の形状が、直線状の形状を有する、<34>または<38>に記載の弾性波装置。
<40>複数の弾性波共振子を備え、少なくとも1つの前記弾性波共振子が、<1>~<39>のいずれか1つに記載の弾性波装置である、フィルタ装置。
<41>複数の弾性波共振子を備え、少なくとも2つの前記弾性波共振子が、<34>~<36>のいずれか1つに記載の弾性波装置であり、2つの前記弾性波装置の前記第1のバスバー同士が接続されている、フィルタ装置。
<42>複数の弾性波共振子を備え、少なくとも2つの前記弾性波共振子が、<39>に記載の弾性波装置であり、2つの前記弾性波装置の前記第2のバスバー同士が接続されている、フィルタ装置。
1…弾性波装置
2…圧電性基板
3…支持部材
4…支持基板
5…中間層
5a,5b…第1,第2の層
6…圧電体層
6a,6b…第1,第2の主面
8,8A,8B,8C,8D…IDT電極
9A,9B…反射器
9a,9b…反射器バスバー
9c…反射器電極指
9d,9e…反射器バスバー
9f…反射器電極指
14,15…第1,第2のバスバー
16,17…第1,第2の電極指
16C,17C…第1,第2の電極指
16D,17D…第1,第2の電極指
18,18A…第1のオフセット電極
19…第2のオフセット電極
24,25…第1,第2のバスバー
36,37…第1,第2の電極指
38…IDT電極
39A,39B…反射器
45…誘電体膜
48…IDT電極
52,52A,52B…圧電性基板
52c…中空部
54…支持基板
55,55A…中間層
57…音響反射膜
57a…高音響インピーダンス層
57b…低音響インピーダンス層
57c…高音響インピーダンス層
57d…低音響インピーダンス層
57e…高音響インピーダンス層
69…保護膜
69a,69b…第1,第2の層
71…弾性波装置
78…電極
80…フィルタ装置
82,83…第1,第2の信号端子
95…第2のバスバー
95a…内側バスバー部
95b…外側バスバー部
95c…接続部
95d…開口部
96,97…第1,第2の電極指
96A,97B…第1,第2の電極指
96a,96b,97a,97b…幅広部
98A~98C…質量付加膜
101,103…弾性波装置
108…IDT電極
109A,109B…反射器
D…交叉領域
e1~e3…第1~第3の線部分
E1,E2…第1,第2の包絡線
E91,E93,E95…第1の包絡線
E101,E102…第1,第2の包絡線
F…直線領域
H1,H2…第1,第2のエッジ領域
J…中央領域
N,N1,N2…基準線
P1,P2…並列腕共振子
S1~S3…直列腕共振子
V1,V2…折れ曲がり部
W1,W2…第1,第2の曲線領域
2…圧電性基板
3…支持部材
4…支持基板
5…中間層
5a,5b…第1,第2の層
6…圧電体層
6a,6b…第1,第2の主面
8,8A,8B,8C,8D…IDT電極
9A,9B…反射器
9a,9b…反射器バスバー
9c…反射器電極指
9d,9e…反射器バスバー
9f…反射器電極指
14,15…第1,第2のバスバー
16,17…第1,第2の電極指
16C,17C…第1,第2の電極指
16D,17D…第1,第2の電極指
18,18A…第1のオフセット電極
19…第2のオフセット電極
24,25…第1,第2のバスバー
36,37…第1,第2の電極指
38…IDT電極
39A,39B…反射器
45…誘電体膜
48…IDT電極
52,52A,52B…圧電性基板
52c…中空部
54…支持基板
55,55A…中間層
57…音響反射膜
57a…高音響インピーダンス層
57b…低音響インピーダンス層
57c…高音響インピーダンス層
57d…低音響インピーダンス層
57e…高音響インピーダンス層
69…保護膜
69a,69b…第1,第2の層
71…弾性波装置
78…電極
80…フィルタ装置
82,83…第1,第2の信号端子
95…第2のバスバー
95a…内側バスバー部
95b…外側バスバー部
95c…接続部
95d…開口部
96,97…第1,第2の電極指
96A,97B…第1,第2の電極指
96a,96b,97a,97b…幅広部
98A~98C…質量付加膜
101,103…弾性波装置
108…IDT電極
109A,109B…反射器
D…交叉領域
e1~e3…第1~第3の線部分
E1,E2…第1,第2の包絡線
E91,E93,E95…第1の包絡線
E101,E102…第1,第2の包絡線
F…直線領域
H1,H2…第1,第2のエッジ領域
J…中央領域
N,N1,N2…基準線
P1,P2…並列腕共振子
S1~S3…直列腕共振子
V1,V2…折れ曲がり部
W1,W2…第1,第2の曲線領域
Claims (42)
- 圧電体層を含む圧電性基板と、
前記圧電体層上に設けられており、1対のバスバー及び複数の電極指を有するIDT電極と、
前記圧電体層上に、前記IDT電極を挟み互いに対向するように設けられており、複数の反射器電極指をそれぞれ有する、1対の反射器と、
を備え、
前記1対のバスバーが、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバーであり、前記複数の電極指が、複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指であり、前記複数の第1の電極指の一方端がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2の電極指の一方端がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指が互いに間挿し合っており、
前記複数の第2の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第1の包絡線、前記複数の第1の電極指の先端部を結ぶことにより形成される仮想線を第2の包絡線とし、前記IDT電極における、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線の間の領域が交叉領域であり、
前記圧電体層が伝搬軸を有し、
平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、曲線状の部分を含み、平面視における前記複数の反射器電極指の形状がそれぞれ曲線状の部分を含み、前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち少なくとも一方が、前記伝搬軸に対して傾斜して延びている部分を有し、かつ延びる方向が変化している少なくとも1つの折れ曲がり部を有する、弾性波装置。 - 全ての前記電極指のうち50%以上の電極指が、該電極指が延びる方向の法線方向と、前記伝搬軸が延びる方向とが同じである部分を含む、請求項1に記載の弾性波装置。
- 平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状が、円弧または楕円弧の形状を含む、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、前記交叉領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角度を定義し、前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、全ての前記励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項3に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層上に、前記IDT電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、
前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、前記交叉領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角度を定義し、前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、全ての前記励振部における共振周波数同士または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項3に記載の弾性波装置。 - 平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、前記交叉領域において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の曲がる方向が異なる少なくとも2つの曲線状の部分を含み、かつ少なくとも1つの変曲点を有する、請求項1または2に記載の弾性波装置。
- 平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状における、前記少なくとも2つの曲線状の部分がそれぞれ、円弧または楕円弧の形状を含み、前記交叉領域が、平面視における前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の形状がそれぞれ、単一の円弧または楕円弧の形状である、少なくとも2つの曲線領域を含む、請求項6に記載の弾性波装置。
- それぞれの前記曲線領域において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、デューティ比、電極指ピッチ、並びに前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指の厚みのうち少なくともいずれかが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項7に記載の弾性波装置。
- 前記圧電体層上に、前記IDT電極を覆うように設けられている誘電体膜をさらに備え、
それぞれの前記曲線領域において、前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状における前記円弧を含む円の中心、または前記楕円弧を含む楕円の2つの焦点の重心を定点とし、それぞれの前記曲線領域における、前記定点を通る任意の直線上の部分を励振部とし、前記伝搬軸と平行に延び、かつ前記定点を通る直線を基準線とし、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線と、前記基準線とがなす角の角度を定義し、前記第1の包絡線を含む前記曲線領域における前記定点及び前記励振部を通る直線並びに前記電極指の交点における弾性波の励振方向と、前記基準線とがなす角の励振角度を定義した場合、該曲線領域の全ての前記励振部における共振周波数同士、または反共振周波数同士が略一致するように、前記誘電体膜の厚みが、それぞれの前記角度または前記励振角度に応じて変化している、請求項7に記載の弾性波装置。 - 前記交叉領域において、平面視における前記第1の電極指及び前記第2の電極指の形状が、直線の形状を含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板が支持基板を有し、
前記支持基板上に前記圧電体層が設けられている、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記圧電性基板が、前記支持基板及び前記圧電体層の間に設けられている中間層を有する、請求項11に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板において中空部が構成されており、前記支持基板の一部と、前記圧電体層の一部とが、前記中空部を挟み互いに対向している、請求項11または12に記載の弾性波装置。
- 前記圧電性基板が前記圧電体層のみからなる、請求項1~10のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 複数の第1のオフセット電極及び複数の第2のオフセット電極と、を有し、
前記複数の第1のオフセット電極がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2のオフセット電極がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、
前記第2の電極指の先端部と、前記第1のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向しており、前記第1の電極指の先端部と、前記第2のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向している、請求項1~14のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 平面視における前記複数の第1のオフセット電極の形状が、曲線状の形状を有する、請求項15に記載の弾性波装置。
- 平面視における前記複数の第1のオフセット電極の形状が、直線状の形状を有する、請求項15に記載の弾性波装置。
- 前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、
前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に設けられており、少なくとも1本の前記電極指と積層されている、質量付加膜をさらに備える、請求項1~17のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、
少なくとも1本の前記電極指が、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に位置しており、前記中央領域よりも幅が広い幅広部を有する、請求項1~18のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち、少なくとも前記第1の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、
前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状である、請求項1~19のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線における、隣り合う前記折れ曲がり部同士の間に、前記複数の電極指が20対以上設けられており、
前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が5.5°以上である、請求項20に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が7°以上である、請求項21に記載の弾性波装置。
- 前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が10°以上である、請求項22に記載の弾性波装置。
- 前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜しているそれぞれの部分における、前記伝搬軸に対する傾斜角度の絶対値が10°以上であり、
前記第1の包絡線における、隣り合う前記折れ曲がり部の間に、前記複数の電極指が7対以上設けられている、請求項20に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線における、隣り合う前記折れ曲がり部の間に、前記複数の電極指が10対以上設けられている、請求項24に記載の弾性波装置。
- 前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線が、少なくとも1本の第1の線部分と、前記第1の線部分に接続されている少なくとも1本の第2の線部分と、を含み、
前記第1の包絡線及び前記電極指の法線が前記伝搬軸に対して傾斜している角度の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向とし、前記第1の線部分の前記伝搬軸に対する傾斜角度を第1の傾斜角度としたときに、前記第1の線部分に位置している前記第2の電極指の先端部の法線が前記伝搬軸に対して傾斜している角度と、前記第1の傾斜角度との正負の符号が同じであり、
前記第2の線部分の前記伝搬軸に対する傾斜角度を第2の傾斜角度としたときに、前記第1の傾斜角度と前記第2の傾斜角度との正負の符号が互いに異なり、
前記第1の傾斜角度の絶対値が、前記第2の傾斜角度の絶対値よりも大きい、請求項20に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線が、前記伝搬軸に対して傾斜している少なくとも2本の線部分と、2本の前記線部分に両端が接続されている少なくとも1本の第3の線部分と、を含み、
前記第1の包絡線が前記伝搬軸に対して傾斜している角度の正の方向を、平面視したときの反時計回りの方向としたときに、同じ前記第3の線部分に接続されている前記線部分の前記伝搬軸に対する傾斜角度の正負の符号が同じであり、
前記第3の線部分に前記第2の電極指の先端部が位置しておらず、前記伝搬軸が延びる方向から見たときに、同じ前記第3の線部分に接続されている前記線部分の少なくとも一部同士が重なり合っている、請求項20に記載の弾性波装置。 - 前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、
前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に設けられており、少なくとも1本の前記電極指と積層されている、質量付加膜をさらに備える、請求項26または27に記載の弾性波装置。 - 前記交叉領域が、前記第1の包絡線を含む第1のエッジ領域と、前記第2の包絡線を含む第2のエッジ領域と、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域により挟まれた中央領域と、を有し、
少なくとも1本の前記電極指が、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域のうち少なくとも一方に位置しており、前記中央領域よりも幅が広い幅広部を有する、請求項26~28のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、
前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでおり、
前記第1の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでいる、請求項20~29のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、
前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでおり、
前記第1の包絡線における、前記第2のバスバー側に向かい凸状となるように前記第1の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部と、前記第2の包絡線における、前記第1のバスバー側に向かい凸状となるように前記第2の包絡線が折れ曲がっている部分である前記折れ曲がり部とが、前記伝搬軸と直交する方向に並んでいる、請求項20~29のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線における、前記波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が一定ではない、請求項20~29のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、
前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、
前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線における、前記波状の形状における周期に相当する寸法、及び振幅に相当する寸法のうち少なくとも一方が互いに異なる、請求項20~29のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 平面視における前記第1のバスバーの、前記第1の包絡線側の部分の形状が、波状の形状であり、
前記第1のバスバーと、前記第1の包絡線との間の、前記伝搬軸と直交する方向における距離が一定である、請求項20~33のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 複数の第1のオフセット電極及び複数の第2のオフセット電極と、を有し、
前記複数の第1のオフセット電極がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されており、前記複数の第2のオフセット電極がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されており、
前記第2の電極指の先端部と、前記第1のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向しており、前記第1の電極指の先端部と、前記第2のオフセット電極の先端部とが、ギャップを隔てて対向しており、
前記複数の第1のオフセット電極の長さが一定である、請求項34に記載の弾性波装置。 - 前記第2の包絡線が複数の前記折れ曲がり部を有し、
前記第2の包絡線の形状が、隣り合う前記折れ曲がり部同士が、直線または曲線により結ばれた波状の形状であり、
平面視における前記第2のバスバーの、前記第2の包絡線側の部分の形状が、波状の形状であり、
前記第2のバスバーと、前記第2の包絡線との間の、前記伝搬軸と直交する方向における距離が一定である、請求項34または35に記載の弾性波装置。 - 前記第1の包絡線及び前記第2の包絡線のうち、前記第1の包絡線のみが前記波状の形状を有する、請求項20~29のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記第2の包絡線が直線状の形状を有する、請求項37に記載の弾性波装置。
- 前記第2のバスバーにおける前記第2の包絡線側の部分の形状が、直線状の形状を有する、請求項34または38に記載の弾性波装置。
- 複数の弾性波共振子を備え、
少なくとも1つの前記弾性波共振子が、請求項1~39のいずれか1項に記載の弾性波装置である、フィルタ装置。 - 複数の弾性波共振子を備え、
少なくとも2つの前記弾性波共振子が、請求項34~36のいずれか1項に記載の弾性波装置であり、
2つの前記弾性波装置の前記第1のバスバー同士が接続されている、フィルタ装置。 - 複数の弾性波共振子を備え、
少なくとも2つの前記弾性波共振子が、請求項39に記載の弾性波装置であり、
2つの前記弾性波装置の前記第2のバスバー同士が接続されている、フィルタ装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022189464 | 2022-11-28 | ||
JP2022-189464 | 2022-11-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2024117050A1 true WO2024117050A1 (ja) | 2024-06-06 |
Family
ID=91324089
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2023/042232 WO2024117050A1 (ja) | 2022-11-28 | 2023-11-24 | 弾性波装置及びフィルタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2024117050A1 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009219045A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性波共振子及び弾性波デバイス |
JP2010239396A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
WO2011108229A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | パナソニック株式会社 | 弾性波装置 |
JP2020155968A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2022239630A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置 |
-
2023
- 2023-11-24 WO PCT/JP2023/042232 patent/WO2024117050A1/ja unknown
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009219045A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 弾性波共振子及び弾性波デバイス |
JP2010239396A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Taiyo Yuden Co Ltd | 弾性波デバイス |
WO2011108229A1 (ja) * | 2010-03-04 | 2011-09-09 | パナソニック株式会社 | 弾性波装置 |
JP2020155968A (ja) * | 2019-03-20 | 2020-09-24 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波共振器、フィルタおよびマルチプレクサ |
WO2022239630A1 (ja) * | 2021-05-13 | 2022-11-17 | 株式会社村田製作所 | 圧電バルク波装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2021060523A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
US7821179B2 (en) | Acoustic wave resonator | |
JP7231015B2 (ja) | 弾性波装置 | |
US20240154596A1 (en) | Acoustic wave device and filter device | |
JP7268747B2 (ja) | 弾性波装置 | |
US20220216843A1 (en) | Acoustic wave device | |
JP7188402B2 (ja) | 弾性波フィルタ | |
US20240154595A1 (en) | Acoustic wave device | |
US20240007081A1 (en) | Acoustic wave device | |
WO2018193933A1 (ja) | 弾性波装置、帯域通過型フィルタ及びマルチプレクサ | |
US20220368305A1 (en) | Acoustic wave device | |
WO2024117050A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024116813A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024135259A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024157586A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024009660A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024029361A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024029360A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
JP2024105045A (ja) | 弾性波装置 | |
WO2023248636A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024043342A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024029610A1 (ja) | 弾性波装置 | |
US20240297634A1 (en) | Acoustic wave device | |
WO2024043300A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2023140354A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 23897698 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |