JPH01281445A - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

ポジ型感放射線性樹脂組成物

Info

Publication number
JPH01281445A
JPH01281445A JP11037988A JP11037988A JPH01281445A JP H01281445 A JPH01281445 A JP H01281445A JP 11037988 A JP11037988 A JP 11037988A JP 11037988 A JP11037988 A JP 11037988A JP H01281445 A JPH01281445 A JP H01281445A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sulfonic acid
acid ester
pentahydroxy
resin composition
quinonediazide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11037988A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2629814B2 (ja
Inventor
Toshihiko Takahashi
俊彦 高橋
Ikuo Nozue
野末 幾男
Hitoshi Oka
岡 仁志
Takao Miura
孝夫 三浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP63110379A priority Critical patent/JP2629814B2/ja
Publication of JPH01281445A publication Critical patent/JPH01281445A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2629814B2 publication Critical patent/JP2629814B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
さらに詳しくはアルカリ可溶性樹脂と特定の1゜2−キ
ノンジアジド化合物を含有してなる、紫外線、遠紫外線
、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線
、プロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回路
作製のためのレジストとして好適に使用できるポジ型感
放射線性樹脂組成物に関する。
[従来の技術] アルカリ可溶性樹脂と1.2−キノン・ジアジド化合物
とからなるポジ型レジストでは、放射線照射部分の1.
2−キノンジアジド化合物はインデンカルボン酸に変化
してアルカリ性水溶液からなる現像液に溶解するが、レ
ジストパターンとなる放射線未照射部分の1.2−キノ
ンジアジド化合物は変化しないので該現像液に溶解しな
い。そして未照射部分は変形が非常に少なく、マスクに
忠実で、高い解像度のレジストパターンを与える。
集積回路の高集積度化が要求される近年は、上記のよう
なポジ型レジストが多く用いられているが、集積回路の
高集積度化の向上に伴い、レジストの解像度、耐熱性、
現像性、感度等の向上がさらに要望されている。
従来、上記のようなポジ型レジストとしてアルカリ可溶
性ノボラック樹脂と1.2−キノンジアジド化合物とか
らなるポジ型ホトレジストが知られている(例えば特開
昭58−149042号公報、特開昭58−18283
3号公報、特開昭58−150948号公報等)。
特開昭58−149042号および特開昭58−182
633号公報には該レジストの感度を向上させる目的で
増感剤を6加する方法が開示されており、ま!二特開昭
58−150948号公報にはベンゾフェノン核のカル
ボニル基に隣接する2位及び2′位が水酸基で置換され
t;ポリヒドロキシベンゾフェノンの1.2−ナフトキ
ノン−2=ジアジド−スルホン酸エステル化合物を用い
る方法が開示されている。
また、特公昭62−28457号公報には、下記式 %式% ここで、Dはす7トキノンー1.2−ジアジド−5−ス
ルホニルまたはナフトキノン−1,2−ジアジド−4−
スルホニルである、 で表わされる化合物を含む感光成分を、アルカリ可溶性
樹脂lご配合したポジ型ホトレジスト組成物が開示され
ている。
さらに、本願出願人と同一出願人の出願にかかる特開昭
62−280737号公報には、テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルを10〜8011量%で含有する、アルカリ可溶性樹
脂と該キノンジアジドスルホン酸エステルのポジ型感放
射線性樹脂組成物が開示されている。
しかしながら、上記いずれの公開公報にも、2゜2′,
3,4−テt・ラヒドロキシベンゾフェノンの1.2−
キノンジアジドスルホン酸エステルから主としてなる1
、2−キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線
性樹脂組成物は具体的に記載されていない。
〔発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は、新規な組成のポジ型感放射線性樹脂組
成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、高感度、高解像度、高残膜率でか
つ現像性に優れたポジ型レジストに好適な感放射線性樹
脂組成物を提供することにある。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明
らかとなろう。
(問題点を解決するための手段) 本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、 (A)  アルカリ可溶性樹脂および (B)  2.2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの1.2−キノンジアシドスルホン酸エステル
から主としてなる1、2−キノンジアジド化合物 を含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成
物によって達成される。
本発明において用いられる1、2−キノンジアジド化合
物(B)は、2.2′,3,4−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルから主としてなる。
かかる1、2−キノンジアジドスルホン酸エステルとし
2ては、例えば2.2′,3,4−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−す7トキノンジアジドー5−ス
ルホン酸エステル、2.2’。
3.4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1゜2−す
7トキノンジア’;V−4−スルホン酸エステル、2.
2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ペンゾキノンジアジトー4−スルホン酸エステル等
が挙げられる。
これらの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルと
しては、例えばモノエステル、ジエステル、トリエステ
ル、テトラエステルおよびこれらの2種以上のエステル
の混合物を挙げることがでさ、それぞれの割合としては
、通常、モノエステルが0〜20重量%、好ましくは0
−10重量%、ジエステルが0〜50重量%、好ましく
は0〜30重量%、トリエステルが10〜80重量%、
好ましくは20〜70重量%、テトラエステルが0〜8
0!l量%、好ましくは5〜70重量%である。
1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルは、例えば
2.2′,3,4−テトラヒド口キシベンシフエノンと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン・酸クロ
リド、1,2−す7トキノンジアジドー4−スルホン酸
クロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸クロリドの如き1.2−キノンジアジドスルホン酸
ハライドの1種または数種とを、塩、基性触媒の存在下
に縮合反応させることにより得られる。
塩基性触媒としては、例えばトリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、ピリジン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシドの如さアミン類および水
酸化すトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの如
き無機アルカリ類が用いられる。これらの塩基性触媒の
使用量は、使用する1、2−キノンジアジドスルホン酸
ハライドlモ1しに対して、通常、0.8〜2モル、好
ましくは1〜1.5モルである。縮合反応は、通常、溶
媒の存在下において行われる。この際用いられ5溶媒と
しては、例えば水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、γ
−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、N、N−ジ
メチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミド、
炭酸エチレン、炭酸プロピ1−ン等が挙けられる。これ
らの溶媒の使用量は、通常、反応原料100重量部に対
して100〜i 、o o o重量部である。
縮合反応の温度は、使用する溶媒により異なるが、通常
、−20〜60°C1好ましくは0〜40℃である。
縮合反応後の精製法としては、副成した塩酸塩を濾過す
るか、または水を冷加して塩酸塩を溶解させた後、大量
の希塩酸水溶液のような酸性水で再沈澱精製した後、乾
燥する方法を例示することができる。
これらの反応においては、通常、2.2’、3゜4−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンのモノスルホン酸ニスエ
ルから、2.2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンに含まれる水酸基の全てが反応したデトラスルホ
ン酸ニスエルが生成する。
本発明において、1,2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステルは、例えば、アルカリ可溶性樹脂100重量部に
対して、好ましくは5〜100重量部、より好ましくは
10〜5011!、1部で用いられる。
この配合量が5重量部未満の場合には1,2−キノンジ
アジド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量
が少ないため、バターニングが困難となり易く、一方、
100m1J1部を越える場合には、短時間の放射線照
射では加えた1、2−キノンジアジド化合物の全てを分
解することが困難となり、アルカリ性水溶液からなる現
像液による現像が困難となる。
本発明lこ用いられる2、2’、3゜4−テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン
酸ニスニルは必要に応じて、例えば特開昭62−178
562号公報に述べられている方法等により、性能を損
ねない程度にアシル化又はスルホニル化変性して用いる
こともできる、本発明の組成物は、上記の如く、1.2
−キノンジアジド化合物(B)として、2.2’、3゜
4−テトラヒドロキシベンゾフェノンの1.2−キノン
ジアジドスルホン酸エステルより主としてなる。すなわ
ち、該1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルを単
独で使用できるのはもちろんのこと、該1.2−ジアジ
ドスルホン酸エステルとその他の1.2−キノンジアジ
ド化合物とを併用することができる。
併用する際には、2.2′,3,4−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル100重量部に対して100重量部以下、好まし
くは40重量部以下で、他の1.2−キノンジアジド化
合物が用いられる。
この際用いられる他の1.2−キノンジアジド化合物と
しては、例えばp−クレゾール、レゾルシノール、ピロ
ガロール、の如き(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1.2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1
,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
および1,2−ナ7トキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル;2.4−ジヒドロキシフェニル−プロピルケ
トン、2.4−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケ
トン、2.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.
4−1リヒドロキシフエニルー〇−へキシルケトン。2
.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2.4.6
−ドリヒドロキシベンゾフエノン、2.2’、4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3.4.4’
−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベンゾフェノン、
2.2’。
3.4−テトラヒドロキシ−4′−メチルベンゾフェノ
ン、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4.2’、5’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル、2゜3.4.2’、6’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3’、4’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4.3’、
5’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.
2’。
3’、4’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜3
.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4.2’、4’、6’−ヘキサ1ニトロ
キシベンゾフエノン、2.4,6.2’。
4′−ペンタヒトミキシベ〉′シフエノン、2,4゜6
.2’、5’−Cブタヒドロキシベンゾフェノン、2.
4,6.2’。5 /  <ブタヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,4.6.3’、4’−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、2.4.6.3’、5’−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,4,6゜3’、4’、5’−へ
キサヒドロキシベンゾフェノン、2゜4,6.2’、4
’、6’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4.5.2’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3.4,5゜3′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2,3゜4.5.4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.3.4,5.2’、4’−へキサヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3.4,5.2’、5’−へキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、2.3,4.5゜2’、6’
−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.4.5.
3’、4’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2.3
.4,5.3’、5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.3.4.5.2’。
3’、4’−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2゜3
.4,5.3’、4’、5’−へブタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3.4,5.2’、4’。
6′−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2.3゜4.
2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフェ
ノン、2,3.4.2’、4’−ペンタヒトaキシ−5
−エチルベンゾフェノン、21314.2’、4’−ペ
ンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2
.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−n−ブ
チルベンゾフェノン、2.3.4.2′、s’−ペンタ
ヒトaキシ−5−メチルベンゾフェノン、2.3,4.
2’、5’−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベン
ゾフェノン、2,3,4.2’、6’−ペンタヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2.3,4.2’。
6′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェ
ノン、2,3.4.3’、4’−ペンタヒドロキシ−5
−メチルベンゾフェノン、2.3,4゜3’、4’−ペ
ンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2
,3.4.3’、5’−ペンタヒドロキシ−5−メチル
ベンゾフェノン、2,3゜4.3’、5’−ペンタヒド
ロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2.3.4
.2’、3’。
4′−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン、
2,3,4.2’、3’、4’−へキサヒドロキシ−5
−ロープロピルベンゾフェノン、213.4. 3′、
f、  5’−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフ
ェノン、2.3,4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェ
ノン、2,3,4.2’、4’、6’−へキサヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2゜3.4.2’、4
’、6’−へキサヒドロキシ−5−n−7’口ビルベン
ゾフエノン、2,3゜2′。
3’/ 、 4 /−ペンタヒドロキシ−4−メトキシ
ベンゾフェノン、2,3.2’、3’、4’−ペンタヒ
ドロキシ−4−エトキシベンゾフェノン、2,3゜2’
、3’、4’−ペンタヒドロキシ−4−ロープロポキシ
ベンゾフェノン、2.3.2’、3’。
4′−ペンタヒドロキン−4−n−ブトキシベンシフエ
ノン、2.3.3’、4’、5’−ペンタヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフェノン、2.3゜3’、4’、5
’−ぺ〉・タビドロキシ−4−〇−プロポキシベンゾフ
エノン、2,3.2’、4’。
6′−ペンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン
、2.3.2’、4’、6’−ペンタヒドロキシ−4−
n−プロポキシベンゾフェノン、2゜3.4.2’、4
’−ペンタヒドロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2
,3,4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−ブロモ
ベンゾフェノン、2゜3.4.2’、6’−ペンタヒド
ロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2,3,4.2’
、6’−ペンタヒドロキシ−5−ブロモベンゾフェノン
、2゜3.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ−
5−クロロベンゾフェノン、2,3.4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキシ−5−ブロモベンゾフェノン、
2,3,4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−シア
ノベンゾフェノン、2,3.4.3’。
4’、5’−へキサヒドロキシ−5−シアノベンゾフェ
ノン、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5
−ニトロベンゾフェノン、2,3.4゜3’、4’、5
’−へキサヒドロキシ−5−ニトロベンゾフェノン、2
.4.3’、4’、5’−ベンタヒドロギシー5−アセ
チルベンゾフェノン、2゜4.3’、4’、5’−ペン
タヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフェノン、2,3
,4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキン−5−アセチルベンゾフェノン
、2,3.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ−
5−ベンゾイルベンゾフェノン、2゜4.3’、4’、
5’−ペンタヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフェノン
、2.3.4.3’、4’。
5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフェノン
、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン、2.3.4.2’、6’−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3.4.3’。
4’、5’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜4
.6.2’、6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2.4.6.3’、4’、5’−へキサヒドロキシベン
ゾフェノン、2,3.4.5.4’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,3,4゜5.2’、6’−へキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.5.3’、4
’、5’−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾ
フェノン、2゜3.4.2’、6’−ペンタヒドロキシ
−5−メチルベンゾフェノン、2.3.4. 3′、f
、s’−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン
、2.3.3’、4’、5′−ペンタヒドロキシ−4−
メトキシベンゾフェノン、2,3.4.3’。
4Z 5’−へキサヒドロキシ−5−クロロベンゾフェ
ノン、2,3,4.3’、4’、5’−へキサヒドロキ
シ−5−アセチルベンゾフェノン、2゜3.4.3’、
4’、5’−へキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾ
フエノン、2.3.4.2’。
6 / −Tンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3゜
4.3′、4′、5′−へキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.4,6.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、2゜3.4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノ〉、
2.3.3’、4’、5’−ペンタヒドロキシ−4−メ
トキシベンゾフェノン、2,3,4゜3’、4’、5’
−へキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフェノンの
如き(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは
(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケトンの1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.
2−17トキノンジアジドー4−スルホン酸エステルお
よび1,2−す7トキノンジアジドー5−スルホン酸エ
ステル;ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2.2−ビ
ス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−
ビス(2゜3.4−トリヒドロキシフェニル)プロパン
の如きビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル1アルカンの
1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;3.5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリ
ル、2.3.4−)リヒドロキシ安息香酸フェニル、3
.4.5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、3.4.
5−)リヒドロキシ安息香酸フェニルの如き(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒド
ロキシ安息香酸アリールエステルの1.2−ベンゾキノ
ンジアジドー4−スルホン酸エステル、1.2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸ニスデルおよび1.2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル:ビ
ス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス(
2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2゜4.6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、p
−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、
i〕−ビス(2,3,4−)ジヒドロキシベンゾイル)
ベンゼン・、p−ビス(2,4,6−1−ジヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼンの如きビス[(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾイルコアルカンまたはビス−[(ポリ)ヒドロキ
シベンゾイル]ベンゼ〉の1.2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−す7ト
キノンジア’;ビー5−スルホン酸エステル;エチレン
グリコールージ(3,5−ジヒドロキシベンゾエート)
、ポリエチレングリコールージ(3,4゜5−トリヒド
ロキシベンゾエート)の如き(ポリ)エチレングリコー
ルージ[(ポリ)ヒドロキシベンゾエート]の1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトギノンジアジドー4−スルホン酸エステルお
よび1.2−ナフドキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル等が挙げられる。これらの化合物の他に、J。
K osar著” L ight−3ensitive
 S yste+ms” 339〜352 (1965
)、J ohn Wife &  5ons社(N e
v Y ork)やW、S 、DeF orest著“
P hotoresist” 50.  (1975)
 、MeGrav−1rilll nc、、 (New
  York)に掲載されている1、2−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
これらの他の1.2−キノンジアジド化合物も、例えば
特開昭62−178562号公報に記載された方法等に
よってアシル化またはスルホニル化変性して使用するこ
ともできる。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂(A)としては
、代表的なものとしてアルカリ可溶性ノボラック樹脂(
以下、単に「ノボラック樹脂」という)が挙げられる。
ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを酸
触媒の存在下に重縮合して得られる。
フェノール類としては、例えばフェノール、O−クレゾ
ール、m−クレゾール、p−クレゾール、0−エチルフ
ェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノー
ル、0−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p
−ブチルフェノール、2.3−キシレノール、2.4−
キシレノール、2.5−キシし・ノール、3.4−キシ
レノール、3.5−キジレ/−ル、2.3.5−トリメ
チルフェノール、p−フェニルフェノール、ヒドロキノ
ン、カテコール、レゾルシノール、2−メチルレゾルシ
ノール、ピロガロール、σ−す7トール、ビスフェノー
ルA、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステ
ル等が用いられる。これらの7エノール類のうちフェノ
ール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、2,5−キシレノール、3.5−キシレノール、2
.3.5−トリメチルフェノール、レゾルシノール、2
−メチルレゾルシノールおよびビスフェノールAが好ま
しい。これらのフェノール類は、単独でまたは2種以上
混合して用いられる。
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、0−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−
ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベ
ンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、0−ニ
トロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、
p−ニトロベンズアルデヒド、0−メチルベンズアルデ
ヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベ〕ズ
アルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド%  p ”
−ブチルベンズアルrヒト等が用いられる。これらの化
合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよび
ベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類は
、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
アルデヒド類はフェノール類1モル当たり、好ましくは
0.7〜3モル、特に好ましくは0.7〜2モルの割合
で使用される。
酸触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸の如き無機酸
、または蟻酸、蓚酸、酢酸の如き有機酸が用いられる。
これらの酸触媒の使用量は、フェノール類1モル当たり
、lXl0−’〜5XlO−’モルが好ましい。
縮合反応においては、通常、反応媒質として水が用いら
れるが、縮合反応jこ用いられるフェノール類がアルデ
ヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系にな
る場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用すること
もできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、プロパツール、ブタノールの如きア
ルコール類、またはテトラヒドロ7ラン、ジオキサンの
如き環状ニーエル類が挙けられる。これらの反応媒質の
使用量は、通常、反応g料100!i部当たり、20〜
1000重量部である。
縮合反応の反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜
調整することができるが、通常、10〜200°C1好
ましくは70〜150℃である。
縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒お
よび反応媒質を除去するため、−収約には内温を130
〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去して回収
する。
また縮合反応終了後に、前記親水性溶媒に反応混合物を
溶解し、水、n−ヘキサン、n−へブタンの如き沈殿剤
1こ添加することにより、ノボラック樹脂を析出させ、
析出物を分離して回収することもできる。
本発明に用いられるノボラック樹脂以外のアルカリ可溶
性樹脂(A)としては、例えばポリヒドロキシスチレン
またはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体
、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基
含有メタアクリル系樹脂等が挙げられる。
これらのアルカリ可溶性樹脂(A)は単独でまたは2種
以上混合して用いられる。
本発明の組成物には、レジストとしての感度を向上させ
るため、増感剤を配合することができる。
増悪剤としては、例えば2H−ピリド[3,2−N−1
,4−才キサジン−3[4H]オン類、10H−ピリド
[3,2−b]  E1,4] −ベンゾチアジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビッール酸類、グ
リシン無水物類、l−ヒドロキシベンゾ1−リアゾール
類、アロキサン類、マレイミド類等を挙げることができ
る。増感剤の配合量は、1.2−キノンジアジド化合物
100重量部l二対し、通常、l−100重量部、好ま
しくは4〜60重量部である。
さらに本発明の組成物には、塗布性、例えばストリエー
ションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良
する!こめ界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル レイルエーテルの如きポリオキシエチレンアルキルエー
テル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキンエチレンノニルフェノールエーテルの如
きポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル類;
Bよびポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチ
レングリコールジステアレートの如きポリエチレングリ
フールジアルキルエーテル類(ノニオン系界面活性剤)
;エフトップEF301,EF303、EF352(新
秋用化成(株)製)、メガファツクF171、F−17
2、F173 (大日本インキ(株)製)、70ラード
FC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、
アサヒガードA.G710,サーフロンS−382、S
CIOI,SC102、SC103、SC104、SC
105、SC106(旭硝子(株)製)の如きフッ素系
界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(
信越化学工業(株)製)やアクリル酸系またはメタクリ
ル酸系(共)重合体ボリア0−No、75、No、95
(共栄社油脂化学工業(株)製)等が用いられる。界面
活性剤の配合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性
樹脂(A)および1.2−キノンジアジド化合物(B)
100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましくは
1重量部以下である。
さらに本発明の組成物には、必要に応じて着色剤、接着
助剤、保存安定剤、消泡剤等も配合することができる。
本発明の組成物は、溶剤に前記アルカリ可溶性樹脂(A
)、前記1,2−キノンジアジド化合物(B)および前
記の各種配合剤を所定量ずつ溶解させ、例えば孔径0.
2μm程度のフィルタで濾過jるこ々1こより、調製さ
れる。
この際に用いられる溶剤として、例えばエチレングリコ
ールモノ、メチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル モ,ノフロビ,・レエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルの如きエチレングリコールアルキルエー
テル類:ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチル
エーテルの如きジエチレングリコールジアルキルエーテ
ル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテートの如ぎエチレングリコールアルキルアセテー
ト類;プロピレングリフールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールプロビルエーテルアセテー
トの如きズロビレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート類:トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素M:
メチルエチルケj・ン、シクロヘキサノンの如きケトン
類;2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプ
ロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エ
チル、2−ヒrロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3
−メトキシブブルア七チーiー,3ーメチル−3−メト
ギシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチ
ルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブ
チレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル
、アセト酢酸エチルの如きエステル類ニジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミドの如きアミド類を用いる
ことができる。これらの溶剤は1種単独でまたは2種以
上混合して使用することもできる。さらにベンジルエチ
ルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコー
ル七ツメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロ
ン酸、カプリル酸、l−オクタノール、l−ノナノール
、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル
、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γーブチロ
ラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ブエニルセ
1フソルブアセテートの如き高沸点溶剤を添加すること
ができる。
また、本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を可視
化させたり、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために着色剤を、また接着性を改良するためIこ
接着助剤を、さらJこ必要Jこ応じて消泡剤等を配合す
ることもできる。
本発明の組成物の現像液としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウ
ム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカ
リ類、エチルアミン、n−プロピルアミンの如き第1級
アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンの
如き第2級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミンの如き第3級アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミンの如きアルコールアミン類
、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチ
ルアンモニウムヒドロキシド、!・リメチルーヒドロキ
シエチルアンモニウムヒドロキシドの如き第4級アンモ
ニウム塩、または、ビロール、ピペリジン、1.8−ジ
アザビシクロ(5。
4、0)−7−ウンデセン、1.5−ジアザビシクロ(
4,3,O)−5−ノナンの如き環状アミン類を溶解し
てなるアルカリ性水溶液が使用される。
また前記現像液に水溶性有機溶媒、例えばメタノール、
エタノールの如きアルコール類や界面活性剤を適量添加
した水溶液を現像液として使用することもできる。
以下実施例により本発明を詳述ず5゜ [実施例] 実施例1 (1)  遮光下で、撹拌機、滴下ロー トおよび温度
計を備えたフラスコに、2.2′,3,4−テトラヒド
ロフンベ〕・シフエノン12.3gj5よび1.2−ナ
フトギノン・ジアジド−5−スルホン酸クロリド47.
0g [1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸クロリド/2.2’、3゜4−テトラヒドロキンベン
ゾフェノン=3(モル比)に相当1に仕込み、さらにジ
オキサン277gを加え、撹拌しながら溶解さゼた。別
に滴下ロートにトリエチルアミン19.5gを仕込み、
前記セパラブルフラスコを30℃に保持した水浴に浸し
、内温か30℃一定となった時点で、ゆっくりとトリエ
チルアミンを滴下した。内温が35°Cを越えないよう
にトリエチルアミンを6加した後、析出したトリエチル
アミン塩酸塩lこ水を添加して溶解し、濾液を大量の希
塩酸中に注入して1,i2−キノンジアジド化合物を析
出させた。これを濾過し、回収後40°Cで一昼夜真空
乾燥した。乾燥重量を測定して得た収率は98%であっ
た。
このようにして得られた1、2−キノンジアジド化合物
の組成分析の結果、トリエステルの割合は66重量%、
テトラエステルの割合は29重量%、ジエステルの割合
は4重量%、モノエステルの割合は1重1%であった。
なお、1.2−キノンジアジド化合物の組成分布は、ゲ
ルバーミエイションクロマトグラフイー(以下、rGP
c」という)により測定した。GPCの測定条件は次の
とおりである。
分離カラム:平均孔径が7人のポリスチレンゲルを充填
した内径20 m m、長さ60cmのカラム 溶離液:テトラヒドロフラン 流速:2mQ1分 検出器:昭和電工社製示差屈折計S hodexRIs
E −31型 分離カラム温度=25°C 試料注入量:約101L量%のテトラヒドロフラン溶液
を100μQ (2) 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコ
にm−クレゾール54g(0,5モル)、3.5−キシ
レノール244g(2,0モル)、37重量%ホルムア
ルデヒド水溶液385gおよヒシコウM0.22gを仕
込んだ後、このフラスコを油浴に浸し、内温を100°
Cに保ちながら1時間反応させた。その後さらにm−ク
レゾール2i6g(2,0モル)、3.5−キシレノー
ル61g(0,5gモル)を反応の進行とともに連続的
にフラスコに仕込み、2時間反応させた。次いで該ノボ
ラック樹脂をメタノールに溶解させ、これJこ水を徐々
I:添加し、ノボラック樹脂と沈澱させ、該沈澱物を乾
燥させてノボラック樹脂を得た。
(3)   (2)で得られた2ノボラック樹脂20g
、(1)で得られた1、2−キノンジアジド化、 物6
 g 8よびユチルセロソルブアセテート60gを室温
でよく撹拌して溶解後、孔径0.2μmのメンブランフ
ィルタで濾過し、本発明の組成物の溶液を調製した。こ
の溶液をシリコンウェーハ上にスピンナーで塗布後、9
0℃、2分間プレベークして、1.2μm厚のレジスト
層を形成させt;。次いで、ステッパー(日本光学工業
(株)製N5R1505G4D)にて露光し、25℃の
2゜38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で60秒間現像し、水でリンスしてレジストパタ
ーンを形成した。ここでレジストパターンが、1.2μ
m以上のラインアンドスペースパターンを正確に形成す
る露光時間(以下、これを「感度」という)を求めたと
ころ0.29秒と良好で、放射線照射部分には、スカム
(レジスト残渣)は全く認められず、線幅0.55μm
のレジストパターンが解像でさた。また、残膜率(現像
後のレジスト膜厚/現像前のレジスト膜厚X100%)
も98%と優れたものであった。
実施例2〜3 遮光下で、撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフ
ラスコに、第1表に示す化合物を第1表に示す割合で使
用し、実施例1 (1)と同様にして1.2−キノンジ
アジド化合物を得た。
このようにして得られた1、2−キノンジアジド化合物
のGPClこよる組成分析結果を第1表に示す。
次に実施例1 (2)で得られたノボラック樹脂と、前
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実
施例1(3)と同様にして本発明の組成物の溶液を調製
しj;。
次いで実施例1 (3)と同様に露光し現像しリンスし
て、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示t
0 比較例1 実施例1 (1)において、2.2′,3,4−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの代りに2,3゜4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノンを11.5g用い、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドの使用量
を34.9gとし、トリエチルアミンの使用量を14.
5gとし、その池は実施例1 (1)と同様I−シて1
.2−キノンジアジド化合物を得た。
次に実施例1 (2)で得られたノボランフ4M脂と、
前記1.2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は
実施例1 (3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を
調製した。
次いで実施例1 (3)と同様に露光し、現像しリンス
して、レジストパター〉・を形成した。結果を第1表に
示す。
比較例2 実施例1 (1)において、2.2′,3,4−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの代りに、2゜3.4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンを12.3gとする
他は実施例1 (1)と同様にして1.2−キノンジア
ジド化合物を得た。
次に実施例1 (2)で得られたノボラック樹脂と、前
記1.2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実
施例1 (3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調
製した。
次いで実施例1 (3)と同様に露光し、現像しリンス
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
実施例4〜5 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコに、第3
表に示す混合比のフェノール類、37重量%ホルムアル
デヒド水溶液385gおよびシュウaO,22gを仕込
んだ後、このフラスコを油浴に浸し、内はを100℃に
保ちながら1時間反応させた。その後さらに第3表に示
す追加のフェノール類を反応の進行とともに連続的にフ
ラスコに仕込み2時間反応させた。次いで該ノボラック
樹脂をメタノールに溶解させ、これに水を除々に添加し
、ノボラック樹脂を樹脂を沈殿させ、該沈Baを乾燥さ
せてノボラック樹脂を得た。次に前記ノボラック樹脂と
、実施例1(1)で得られた1、2−キノンジアジド化
合物とを用い、その池は実施例1 (3)と同様にして
本発明の組成物の溶液を調製した。
次いで実施例1(3)と同様に露光し現像しリンスして
、レジストパターンを形成した。結果を第2表に示す。
\ \−5− (発明の効果) 本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は高感度、高解像
度、高残膜率でかつ現像性に優れたものであり、紫外線
、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロト
ロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応し、集積
回路作製用レジスト、特に高集積度用ポジ型レジストと
して好適なものである。
ばか1名

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(A)アルカリ可溶性樹脂および (B)2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェ
    ノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから
    主としてなる1,2−キノンジアジド化合物 を含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成
    物。
JP63110379A 1988-05-09 1988-05-09 ポジ型感放射線性樹脂組成物 Expired - Fee Related JP2629814B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63110379A JP2629814B2 (ja) 1988-05-09 1988-05-09 ポジ型感放射線性樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63110379A JP2629814B2 (ja) 1988-05-09 1988-05-09 ポジ型感放射線性樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01281445A true JPH01281445A (ja) 1989-11-13
JP2629814B2 JP2629814B2 (ja) 1997-07-16

Family

ID=14534316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63110379A Expired - Fee Related JP2629814B2 (ja) 1988-05-09 1988-05-09 ポジ型感放射線性樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2629814B2 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5463818A (en) * 1977-09-22 1979-05-23 Hoechst Ag Photosensitive copying composition
JPS57135947A (en) * 1981-01-03 1982-08-21 Hoechst Ag Manufacture of photosensitive mixture and naphthoquinone deazidosulfonic ester
JPS58150948A (ja) * 1982-03-03 1983-09-07 Dainippon Ink & Chem Inc 感光性組成物
JPS62150245A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 集積回路作製用ポジ型レジスト
JPS62153950A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5463818A (en) * 1977-09-22 1979-05-23 Hoechst Ag Photosensitive copying composition
JPS57135947A (en) * 1981-01-03 1982-08-21 Hoechst Ag Manufacture of photosensitive mixture and naphthoquinone deazidosulfonic ester
JPS58150948A (ja) * 1982-03-03 1983-09-07 Dainippon Ink & Chem Inc 感光性組成物
JPS62150245A (ja) * 1985-12-24 1987-07-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 集積回路作製用ポジ型レジスト
JPS62153950A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2629814B2 (ja) 1997-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5238775A (en) Radiation-sensitive resin composition
JPH0322619B2 (ja)
JPS62150245A (ja) 集積回路作製用ポジ型レジスト
US5478691A (en) Radiation-sensitive resin composition
JPS62153950A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2623778B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2569669B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
EP0424464A1 (en) THERMOSTABLE PHENOLIC RESIN COMPOSITIONS AND THEIR USE IN LIGHT SENSITIVE COMPOSITIONS.
JPS62280737A (ja) 半導体デバイス製造用ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH02222409A (ja) ノボラック樹脂の製造方法
JP2555620B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH03128959A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0654389B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH05297582A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03279958A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2629814B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH0583543B2 (ja)
JP2800217B2 (ja) 集積回路製造用感放射線性樹脂組成物
JP2775833B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP2626467B2 (ja) 1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法
JPH05341510A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2626468B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPH06202317A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JPS63113451A (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2560267B2 (ja) 感放射線性樹脂の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees