JPH01281445A - ポジ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はポジ型感放射線性樹脂組成物に関する。
さらに詳しくはアルカリ可溶性樹脂と特定の1゜2−キ
ノンジアジド化合物を含有してなる、紫外線、遠紫外線
、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線
、プロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回路
作製のためのレジストとして好適に使用できるポジ型感
放射線性樹脂組成物に関する。
ノンジアジド化合物を含有してなる、紫外線、遠紫外線
、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線
、プロトンビーム等の放射線に感応する、特に集積回路
作製のためのレジストとして好適に使用できるポジ型感
放射線性樹脂組成物に関する。
[従来の技術]
アルカリ可溶性樹脂と1.2−キノン・ジアジド化合物
とからなるポジ型レジストでは、放射線照射部分の1.
2−キノンジアジド化合物はインデンカルボン酸に変化
してアルカリ性水溶液からなる現像液に溶解するが、レ
ジストパターンとなる放射線未照射部分の1.2−キノ
ンジアジド化合物は変化しないので該現像液に溶解しな
い。そして未照射部分は変形が非常に少なく、マスクに
忠実で、高い解像度のレジストパターンを与える。
とからなるポジ型レジストでは、放射線照射部分の1.
2−キノンジアジド化合物はインデンカルボン酸に変化
してアルカリ性水溶液からなる現像液に溶解するが、レ
ジストパターンとなる放射線未照射部分の1.2−キノ
ンジアジド化合物は変化しないので該現像液に溶解しな
い。そして未照射部分は変形が非常に少なく、マスクに
忠実で、高い解像度のレジストパターンを与える。
集積回路の高集積度化が要求される近年は、上記のよう
なポジ型レジストが多く用いられているが、集積回路の
高集積度化の向上に伴い、レジストの解像度、耐熱性、
現像性、感度等の向上がさらに要望されている。
なポジ型レジストが多く用いられているが、集積回路の
高集積度化の向上に伴い、レジストの解像度、耐熱性、
現像性、感度等の向上がさらに要望されている。
従来、上記のようなポジ型レジストとしてアルカリ可溶
性ノボラック樹脂と1.2−キノンジアジド化合物とか
らなるポジ型ホトレジストが知られている(例えば特開
昭58−149042号公報、特開昭58−18283
3号公報、特開昭58−150948号公報等)。
性ノボラック樹脂と1.2−キノンジアジド化合物とか
らなるポジ型ホトレジストが知られている(例えば特開
昭58−149042号公報、特開昭58−18283
3号公報、特開昭58−150948号公報等)。
特開昭58−149042号および特開昭58−182
633号公報には該レジストの感度を向上させる目的で
増感剤を6加する方法が開示されており、ま!二特開昭
58−150948号公報にはベンゾフェノン核のカル
ボニル基に隣接する2位及び2′位が水酸基で置換され
t;ポリヒドロキシベンゾフェノンの1.2−ナフトキ
ノン−2=ジアジド−スルホン酸エステル化合物を用い
る方法が開示されている。
633号公報には該レジストの感度を向上させる目的で
増感剤を6加する方法が開示されており、ま!二特開昭
58−150948号公報にはベンゾフェノン核のカル
ボニル基に隣接する2位及び2′位が水酸基で置換され
t;ポリヒドロキシベンゾフェノンの1.2−ナフトキ
ノン−2=ジアジド−スルホン酸エステル化合物を用い
る方法が開示されている。
また、特公昭62−28457号公報には、下記式
%式%
ここで、Dはす7トキノンー1.2−ジアジド−5−ス
ルホニルまたはナフトキノン−1,2−ジアジド−4−
スルホニルである、 で表わされる化合物を含む感光成分を、アルカリ可溶性
樹脂lご配合したポジ型ホトレジスト組成物が開示され
ている。
ルホニルまたはナフトキノン−1,2−ジアジド−4−
スルホニルである、 で表わされる化合物を含む感光成分を、アルカリ可溶性
樹脂lご配合したポジ型ホトレジスト組成物が開示され
ている。
さらに、本願出願人と同一出願人の出願にかかる特開昭
62−280737号公報には、テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルを10〜8011量%で含有する、アルカリ可溶性樹
脂と該キノンジアジドスルホン酸エステルのポジ型感放
射線性樹脂組成物が開示されている。
62−280737号公報には、テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルを10〜8011量%で含有する、アルカリ可溶性樹
脂と該キノンジアジドスルホン酸エステルのポジ型感放
射線性樹脂組成物が開示されている。
しかしながら、上記いずれの公開公報にも、2゜2′,
3,4−テt・ラヒドロキシベンゾフェノンの1.2−
キノンジアジドスルホン酸エステルから主としてなる1
、2−キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線
性樹脂組成物は具体的に記載されていない。
3,4−テt・ラヒドロキシベンゾフェノンの1.2−
キノンジアジドスルホン酸エステルから主としてなる1
、2−キノンジアジド化合物を含有するポジ型感放射線
性樹脂組成物は具体的に記載されていない。
〔発明が解決しようとする問題点]
本発明の目的は、新規な組成のポジ型感放射線性樹脂組
成物を提供することにある。
成物を提供することにある。
本発明の他の目的は、高感度、高解像度、高残膜率でか
つ現像性に優れたポジ型レジストに好適な感放射線性樹
脂組成物を提供することにある。
つ現像性に優れたポジ型レジストに好適な感放射線性樹
脂組成物を提供することにある。
本発明のさらに他の目的および利点は以下の説明から明
らかとなろう。
らかとなろう。
(問題点を解決するための手段)
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、
(A) アルカリ可溶性樹脂および
(B) 2.2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンの1.2−キノンジアシドスルホン酸エステル
から主としてなる1、2−キノンジアジド化合物 を含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成
物によって達成される。
フェノンの1.2−キノンジアシドスルホン酸エステル
から主としてなる1、2−キノンジアジド化合物 を含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成
物によって達成される。
本発明において用いられる1、2−キノンジアジド化合
物(B)は、2.2′,3,4−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルから主としてなる。
物(B)は、2.2′,3,4−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステ
ルから主としてなる。
かかる1、2−キノンジアジドスルホン酸エステルとし
2ては、例えば2.2′,3,4−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−す7トキノンジアジドー5−ス
ルホン酸エステル、2.2’。
2ては、例えば2.2′,3,4−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−す7トキノンジアジドー5−ス
ルホン酸エステル、2.2’。
3.4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1゜2−す
7トキノンジア’;V−4−スルホン酸エステル、2.
2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ペンゾキノンジアジトー4−スルホン酸エステル等
が挙げられる。
7トキノンジア’;V−4−スルホン酸エステル、2.
2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ペンゾキノンジアジトー4−スルホン酸エステル等
が挙げられる。
これらの1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルと
しては、例えばモノエステル、ジエステル、トリエステ
ル、テトラエステルおよびこれらの2種以上のエステル
の混合物を挙げることがでさ、それぞれの割合としては
、通常、モノエステルが0〜20重量%、好ましくは0
−10重量%、ジエステルが0〜50重量%、好ましく
は0〜30重量%、トリエステルが10〜80重量%、
好ましくは20〜70重量%、テトラエステルが0〜8
0!l量%、好ましくは5〜70重量%である。
しては、例えばモノエステル、ジエステル、トリエステ
ル、テトラエステルおよびこれらの2種以上のエステル
の混合物を挙げることがでさ、それぞれの割合としては
、通常、モノエステルが0〜20重量%、好ましくは0
−10重量%、ジエステルが0〜50重量%、好ましく
は0〜30重量%、トリエステルが10〜80重量%、
好ましくは20〜70重量%、テトラエステルが0〜8
0!l量%、好ましくは5〜70重量%である。
1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルは、例えば
2.2′,3,4−テトラヒド口キシベンシフエノンと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン・酸クロ
リド、1,2−す7トキノンジアジドー4−スルホン酸
クロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸クロリドの如き1.2−キノンジアジドスルホン酸
ハライドの1種または数種とを、塩、基性触媒の存在下
に縮合反応させることにより得られる。
2.2′,3,4−テトラヒド口キシベンシフエノンと
1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン・酸クロ
リド、1,2−す7トキノンジアジドー4−スルホン酸
クロリド、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホ
ン酸クロリドの如き1.2−キノンジアジドスルホン酸
ハライドの1種または数種とを、塩、基性触媒の存在下
に縮合反応させることにより得られる。
塩基性触媒としては、例えばトリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリプロピルアミン、ピリジン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシドの如さアミン類および水
酸化すトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの如
き無機アルカリ類が用いられる。これらの塩基性触媒の
使用量は、使用する1、2−キノンジアジドスルホン酸
ハライドlモ1しに対して、通常、0.8〜2モル、好
ましくは1〜1.5モルである。縮合反応は、通常、溶
媒の存在下において行われる。この際用いられ5溶媒と
しては、例えば水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、γ
−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、N、N−ジ
メチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミド、
炭酸エチレン、炭酸プロピ1−ン等が挙けられる。これ
らの溶媒の使用量は、通常、反応原料100重量部に対
して100〜i 、o o o重量部である。
チルアミン、トリプロピルアミン、ピリジン、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシドの如さアミン類および水
酸化すトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウムの如
き無機アルカリ類が用いられる。これらの塩基性触媒の
使用量は、使用する1、2−キノンジアジドスルホン酸
ハライドlモ1しに対して、通常、0.8〜2モル、好
ましくは1〜1.5モルである。縮合反応は、通常、溶
媒の存在下において行われる。この際用いられ5溶媒と
しては、例えば水、ジオキサン、ジエチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、アセトン、メチルエチルケトン、γ
−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、N、N−ジ
メチルアセトアミド、N、N−ジメチルホルムアミド、
炭酸エチレン、炭酸プロピ1−ン等が挙けられる。これ
らの溶媒の使用量は、通常、反応原料100重量部に対
して100〜i 、o o o重量部である。
縮合反応の温度は、使用する溶媒により異なるが、通常
、−20〜60°C1好ましくは0〜40℃である。
、−20〜60°C1好ましくは0〜40℃である。
縮合反応後の精製法としては、副成した塩酸塩を濾過す
るか、または水を冷加して塩酸塩を溶解させた後、大量
の希塩酸水溶液のような酸性水で再沈澱精製した後、乾
燥する方法を例示することができる。
るか、または水を冷加して塩酸塩を溶解させた後、大量
の希塩酸水溶液のような酸性水で再沈澱精製した後、乾
燥する方法を例示することができる。
これらの反応においては、通常、2.2’、3゜4−テ
トラヒドロキシベンゾフェノンのモノスルホン酸ニスエ
ルから、2.2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンに含まれる水酸基の全てが反応したデトラスルホ
ン酸ニスエルが生成する。
トラヒドロキシベンゾフェノンのモノスルホン酸ニスエ
ルから、2.2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンに含まれる水酸基の全てが反応したデトラスルホ
ン酸ニスエルが生成する。
本発明において、1,2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステルは、例えば、アルカリ可溶性樹脂100重量部に
対して、好ましくは5〜100重量部、より好ましくは
10〜5011!、1部で用いられる。
ステルは、例えば、アルカリ可溶性樹脂100重量部に
対して、好ましくは5〜100重量部、より好ましくは
10〜5011!、1部で用いられる。
この配合量が5重量部未満の場合には1,2−キノンジ
アジド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量
が少ないため、バターニングが困難となり易く、一方、
100m1J1部を越える場合には、短時間の放射線照
射では加えた1、2−キノンジアジド化合物の全てを分
解することが困難となり、アルカリ性水溶液からなる現
像液による現像が困難となる。
アジド化合物が放射線を吸収して生成するカルボン酸量
が少ないため、バターニングが困難となり易く、一方、
100m1J1部を越える場合には、短時間の放射線照
射では加えた1、2−キノンジアジド化合物の全てを分
解することが困難となり、アルカリ性水溶液からなる現
像液による現像が困難となる。
本発明lこ用いられる2、2’、3゜4−テトラヒドロ
キシベンゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン
酸ニスニルは必要に応じて、例えば特開昭62−178
562号公報に述べられている方法等により、性能を損
ねない程度にアシル化又はスルホニル化変性して用いる
こともできる、本発明の組成物は、上記の如く、1.2
−キノンジアジド化合物(B)として、2.2’、3゜
4−テトラヒドロキシベンゾフェノンの1.2−キノン
ジアジドスルホン酸エステルより主としてなる。すなわ
ち、該1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルを単
独で使用できるのはもちろんのこと、該1.2−ジアジ
ドスルホン酸エステルとその他の1.2−キノンジアジ
ド化合物とを併用することができる。
キシベンゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン
酸ニスニルは必要に応じて、例えば特開昭62−178
562号公報に述べられている方法等により、性能を損
ねない程度にアシル化又はスルホニル化変性して用いる
こともできる、本発明の組成物は、上記の如く、1.2
−キノンジアジド化合物(B)として、2.2’、3゜
4−テトラヒドロキシベンゾフェノンの1.2−キノン
ジアジドスルホン酸エステルより主としてなる。すなわ
ち、該1.2−キノンジアジドスルホン酸エステルを単
独で使用できるのはもちろんのこと、該1.2−ジアジ
ドスルホン酸エステルとその他の1.2−キノンジアジ
ド化合物とを併用することができる。
併用する際には、2.2′,3,4−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル100重量部に対して100重量部以下、好まし
くは40重量部以下で、他の1.2−キノンジアジド化
合物が用いられる。
ベンゾフェノンの1.2−キノンジアジドスルホン酸エ
ステル100重量部に対して100重量部以下、好まし
くは40重量部以下で、他の1.2−キノンジアジド化
合物が用いられる。
この際用いられる他の1.2−キノンジアジド化合物と
しては、例えばp−クレゾール、レゾルシノール、ピロ
ガロール、の如き(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1.2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1
,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
および1,2−ナ7トキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル;2.4−ジヒドロキシフェニル−プロピルケ
トン、2.4−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケ
トン、2.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.
4−1リヒドロキシフエニルー〇−へキシルケトン。2
.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2.4.6
−ドリヒドロキシベンゾフエノン、2.2’、4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3.4.4’
−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベンゾフェノン、
2.2’。
しては、例えばp−クレゾール、レゾルシノール、ピロ
ガロール、の如き(ポリ)ヒドロキシベンゼンの1.2
−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1
,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル
および1,2−ナ7トキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル;2.4−ジヒドロキシフェニル−プロピルケ
トン、2.4−ジヒドロキシフェニル−n−へキシルケ
トン、2.4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.
4−1リヒドロキシフエニルー〇−へキシルケトン。2
.3.4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2.4.6
−ドリヒドロキシベンゾフエノン、2.2’、4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,3.4.4’
−テトラヒドロキシ−3′−メトキシベンゾフェノン、
2.2’。
3.4−テトラヒドロキシ−4′−メチルベンゾフェノ
ン、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4.2’、5’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル、2゜3.4.2’、6’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3’、4’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4.3’、
5’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.
2’。
ン、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3,4.2’、5’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル、2゜3.4.2’、6’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.3’、4’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3,4.3’、
5’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2.3.4.
2’。
3’、4’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜3
.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4.2’、4’、6’−ヘキサ1ニトロ
キシベンゾフエノン、2.4,6.2’。
.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,3,4.2’、4’、6’−ヘキサ1ニトロ
キシベンゾフエノン、2.4,6.2’。
4′−ペンタヒトミキシベ〉′シフエノン、2,4゜6
.2’、5’−Cブタヒドロキシベンゾフェノン、2.
4,6.2’。5 / <ブタヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,4.6.3’、4’−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、2.4.6.3’、5’−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,4,6゜3’、4’、5’−へ
キサヒドロキシベンゾフェノン、2゜4,6.2’、4
’、6’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4.5.2’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3.4,5゜3′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2,3゜4.5.4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.3.4,5.2’、4’−へキサヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3.4,5.2’、5’−へキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、2.3,4.5゜2’、6’
−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.4.5.
3’、4’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2.3
.4,5.3’、5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.3.4.5.2’。
.2’、5’−Cブタヒドロキシベンゾフェノン、2.
4,6.2’。5 / <ブタヒドロキシベンゾフェ
ノン、2,4.6.3’、4’−ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、2.4.6.3’、5’−ペンタヒドロキ
シベンゾフェノン、2,4,6゜3’、4’、5’−へ
キサヒドロキシベンゾフェノン、2゜4,6.2’、4
’、6’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4.5.2’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、2,
3.4,5゜3′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2,3゜4.5.4’−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.3.4,5.2’、4’−へキサヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3.4,5.2’、5’−へキサヒ
ドロキシベンゾフェノン、2.3,4.5゜2’、6’
−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜3.4.5.
3’、4’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2.3
.4,5.3’、5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.3.4.5.2’。
3’、4’−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2゜3
.4,5.3’、4’、5’−へブタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3.4,5.2’、4’。
.4,5.3’、4’、5’−へブタヒドロキシベンゾ
フェノン、2,3.4,5.2’、4’。
6′−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2.3゜4.
2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフェ
ノン、2,3.4.2’、4’−ペンタヒトaキシ−5
−エチルベンゾフェノン、21314.2’、4’−ペ
ンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2
.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−n−ブ
チルベンゾフェノン、2.3.4.2′、s’−ペンタ
ヒトaキシ−5−メチルベンゾフェノン、2.3,4.
2’、5’−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベン
ゾフェノン、2,3,4.2’、6’−ペンタヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2.3,4.2’。
2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾフェ
ノン、2,3.4.2’、4’−ペンタヒトaキシ−5
−エチルベンゾフェノン、21314.2’、4’−ペ
ンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2
.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−n−ブ
チルベンゾフェノン、2.3.4.2′、s’−ペンタ
ヒトaキシ−5−メチルベンゾフェノン、2.3,4.
2’、5’−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベン
ゾフェノン、2,3,4.2’、6’−ペンタヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2.3,4.2’。
6′−ペンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェ
ノン、2,3.4.3’、4’−ペンタヒドロキシ−5
−メチルベンゾフェノン、2.3,4゜3’、4’−ペ
ンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2
,3.4.3’、5’−ペンタヒドロキシ−5−メチル
ベンゾフェノン、2,3゜4.3’、5’−ペンタヒド
ロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2.3.4
.2’、3’。
ノン、2,3.4.3’、4’−ペンタヒドロキシ−5
−メチルベンゾフェノン、2.3,4゜3’、4’−ペ
ンタヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2
,3.4.3’、5’−ペンタヒドロキシ−5−メチル
ベンゾフェノン、2,3゜4.3’、5’−ペンタヒド
ロキシ−5−n−プロピルベンゾフェノン、2.3.4
.2’、3’。
4′−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン、
2,3,4.2’、3’、4’−へキサヒドロキシ−5
−ロープロピルベンゾフェノン、213.4. 3′、
f、 5’−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフ
ェノン、2.3,4.3’、4’。
2,3,4.2’、3’、4’−へキサヒドロキシ−5
−ロープロピルベンゾフェノン、213.4. 3′、
f、 5’−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフ
ェノン、2.3,4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキシ−5−n−プロピルベンゾフェ
ノン、2,3,4.2’、4’、6’−へキサヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2゜3.4.2’、4
’、6’−へキサヒドロキシ−5−n−7’口ビルベン
ゾフエノン、2,3゜2′。
ノン、2,3,4.2’、4’、6’−へキサヒドロキ
シ−5−メチルベンゾフェノン、2゜3.4.2’、4
’、6’−へキサヒドロキシ−5−n−7’口ビルベン
ゾフエノン、2,3゜2′。
3’/ 、 4 /−ペンタヒドロキシ−4−メトキシ
ベンゾフェノン、2,3.2’、3’、4’−ペンタヒ
ドロキシ−4−エトキシベンゾフェノン、2,3゜2’
、3’、4’−ペンタヒドロキシ−4−ロープロポキシ
ベンゾフェノン、2.3.2’、3’。
ベンゾフェノン、2,3.2’、3’、4’−ペンタヒ
ドロキシ−4−エトキシベンゾフェノン、2,3゜2’
、3’、4’−ペンタヒドロキシ−4−ロープロポキシ
ベンゾフェノン、2.3.2’、3’。
4′−ペンタヒドロキン−4−n−ブトキシベンシフエ
ノン、2.3.3’、4’、5’−ペンタヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフェノン、2.3゜3’、4’、5
’−ぺ〉・タビドロキシ−4−〇−プロポキシベンゾフ
エノン、2,3.2’、4’。
ノン、2.3.3’、4’、5’−ペンタヒドロキシ−
4−メトキシベンゾフェノン、2.3゜3’、4’、5
’−ぺ〉・タビドロキシ−4−〇−プロポキシベンゾフ
エノン、2,3.2’、4’。
6′−ペンタヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン
、2.3.2’、4’、6’−ペンタヒドロキシ−4−
n−プロポキシベンゾフェノン、2゜3.4.2’、4
’−ペンタヒドロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2
,3,4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−ブロモ
ベンゾフェノン、2゜3.4.2’、6’−ペンタヒド
ロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2,3,4.2’
、6’−ペンタヒドロキシ−5−ブロモベンゾフェノン
、2゜3.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ−
5−クロロベンゾフェノン、2,3.4.3’、4’。
、2.3.2’、4’、6’−ペンタヒドロキシ−4−
n−プロポキシベンゾフェノン、2゜3.4.2’、4
’−ペンタヒドロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2
,3,4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−ブロモ
ベンゾフェノン、2゜3.4.2’、6’−ペンタヒド
ロキシ−5−クロロベンゾフェノン、2,3,4.2’
、6’−ペンタヒドロキシ−5−ブロモベンゾフェノン
、2゜3.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ−
5−クロロベンゾフェノン、2,3.4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキシ−5−ブロモベンゾフェノン、
2,3,4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−シア
ノベンゾフェノン、2,3.4.3’。
2,3,4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−シア
ノベンゾフェノン、2,3.4.3’。
4’、5’−へキサヒドロキシ−5−シアノベンゾフェ
ノン、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5
−ニトロベンゾフェノン、2,3.4゜3’、4’、5
’−へキサヒドロキシ−5−ニトロベンゾフェノン、2
.4.3’、4’、5’−ベンタヒドロギシー5−アセ
チルベンゾフェノン、2゜4.3’、4’、5’−ペン
タヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフェノン、2,3
,4.3’、4’。
ノン、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5
−ニトロベンゾフェノン、2,3.4゜3’、4’、5
’−へキサヒドロキシ−5−ニトロベンゾフェノン、2
.4.3’、4’、5’−ベンタヒドロギシー5−アセ
チルベンゾフェノン、2゜4.3’、4’、5’−ペン
タヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフェノン、2,3
,4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキン−5−アセチルベンゾフェノン
、2,3.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ−
5−ベンゾイルベンゾフェノン、2゜4.3’、4’、
5’−ペンタヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフェノン
、2.3.4.3’、4’。
、2,3.4.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ−
5−ベンゾイルベンゾフェノン、2゜4.3’、4’、
5’−ペンタヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフェノン
、2.3.4.3’、4’。
5′−ヘキサヒドロキシ−5−ベンジルベンゾフェノン
、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン、2.3.4.2’、6’−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3.4.3’。
、2.3.4.2’、4’−ペンタヒドロキシベンゾフ
ェノン、2.3.4.2’、6’−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン、2.3.4.3’。
4’、5’−へキサヒドロキシベンゾフェノン、2゜4
.6.2’、6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2.4.6.3’、4’、5’−へキサヒドロキシベン
ゾフェノン、2,3.4.5.4’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,3,4゜5.2’、6’−へキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.5.3’、4
’、5’−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾ
フェノン、2゜3.4.2’、6’−ペンタヒドロキシ
−5−メチルベンゾフェノン、2.3.4. 3′、f
、s’−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン
、2.3.3’、4’、5′−ペンタヒドロキシ−4−
メトキシベンゾフェノン、2,3.4.3’。
.6.2’、6’−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、
2.4.6.3’、4’、5’−へキサヒドロキシベン
ゾフェノン、2,3.4.5.4’−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン、2,3,4゜5.2’、6’−へキサ
ヒドロキシベンゾフェノン、2.3,4.5.3’、4
’、5’−へブタヒドロキシベンゾフェノン、2,3.
4.2’、4’−ペンタヒドロキシ−5−メチルベンゾ
フェノン、2゜3.4.2’、6’−ペンタヒドロキシ
−5−メチルベンゾフェノン、2.3.4. 3′、f
、s’−ヘキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノン
、2.3.3’、4’、5′−ペンタヒドロキシ−4−
メトキシベンゾフェノン、2,3.4.3’。
4Z 5’−へキサヒドロキシ−5−クロロベンゾフェ
ノン、2,3,4.3’、4’、5’−へキサヒドロキ
シ−5−アセチルベンゾフェノン、2゜3.4.3’、
4’、5’−へキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾ
フエノン、2.3.4.2’。
ノン、2,3,4.3’、4’、5’−へキサヒドロキ
シ−5−アセチルベンゾフェノン、2゜3.4.3’、
4’、5’−へキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾ
フエノン、2.3.4.2’。
6 / −Tンタヒドロキシベンゾフェノン、2,3゜
4.3′、4′、5′−へキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.4,6.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、2゜3.4.3’、4’。
4.3′、4′、5′−へキサヒドロキシベンゾフェノ
ン、2.4,6.3’、4’、5’−へキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、2゜3.4.3’、4’。
5′−へキサヒドロキシ−5−メチルベンゾフェノ〉、
2.3.3’、4’、5’−ペンタヒドロキシ−4−メ
トキシベンゾフェノン、2,3,4゜3’、4’、5’
−へキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフェノンの
如き(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは
(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケトンの1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.
2−17トキノンジアジドー4−スルホン酸エステルお
よび1,2−す7トキノンジアジドー5−スルホン酸エ
ステル;ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2.2−ビ
ス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−
ビス(2゜3.4−トリヒドロキシフェニル)プロパン
の如きビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル1アルカンの
1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;3.5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリ
ル、2.3.4−)リヒドロキシ安息香酸フェニル、3
.4.5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、3.4.
5−)リヒドロキシ安息香酸フェニルの如き(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒド
ロキシ安息香酸アリールエステルの1.2−ベンゾキノ
ンジアジドー4−スルホン酸エステル、1.2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸ニスデルおよび1.2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル:ビ
ス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス(
2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2゜4.6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、p
−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、
i〕−ビス(2,3,4−)ジヒドロキシベンゾイル)
ベンゼン・、p−ビス(2,4,6−1−ジヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼンの如きビス[(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾイルコアルカンまたはビス−[(ポリ)ヒドロキ
シベンゾイル]ベンゼ〉の1.2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−す7ト
キノンジア’;ビー5−スルホン酸エステル;エチレン
グリコールージ(3,5−ジヒドロキシベンゾエート)
、ポリエチレングリコールージ(3,4゜5−トリヒド
ロキシベンゾエート)の如き(ポリ)エチレングリコー
ルージ[(ポリ)ヒドロキシベンゾエート]の1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトギノンジアジドー4−スルホン酸エステルお
よび1.2−ナフドキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル等が挙げられる。これらの化合物の他に、J。
2.3.3’、4’、5’−ペンタヒドロキシ−4−メ
トキシベンゾフェノン、2,3,4゜3’、4’、5’
−へキサヒドロキシ−5−ベンゾイルベンゾフェノンの
如き(ポリ)ヒドロキシフェニルアルキルケトンまたは
(ポリ)ヒドロキシフェニルアリールケトンの1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1.
2−17トキノンジアジドー4−スルホン酸エステルお
よび1,2−す7トキノンジアジドー5−スルホン酸エ
ステル;ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン、ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタン、ビス(2,
3,4−トリヒドロキシフェニル)メタン、2.2−ビ
ス(p−ヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−ビス
(2,4−ジヒドロキシフェニル)プロパン、2.2−
ビス(2゜3.4−トリヒドロキシフェニル)プロパン
の如きビス[(ポリ)ヒドロキシフェニル1アルカンの
1.2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステ
ル、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステルおよび1.2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステル;3.5−ジヒドロキシ安息香酸ラウリ
ル、2.3.4−)リヒドロキシ安息香酸フェニル、3
.4.5−トリヒドロキシ安息香酸プロピル、3.4.
5−)リヒドロキシ安息香酸フェニルの如き(ポリ)ヒ
ドロキシ安息香酸アルキルエステルまたは(ポリ)ヒド
ロキシ安息香酸アリールエステルの1.2−ベンゾキノ
ンジアジドー4−スルホン酸エステル、1.2−ナフト
キノンジアジド−4−スルホン酸ニスデルおよび1.2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル:ビ
ス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス(
2,3,4−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、ビス
(2゜4.6−トリヒドロキシベンゾイル)メタン、p
−ビス(2,5−ジヒドロキシベンゾイル)ベンゼン、
i〕−ビス(2,3,4−)ジヒドロキシベンゾイル)
ベンゼン・、p−ビス(2,4,6−1−ジヒドロキシ
ベンゾイル)ベンゼンの如きビス[(ポリ)ヒドロキシ
ベンゾイルコアルカンまたはビス−[(ポリ)ヒドロキ
シベンゾイル]ベンゼ〉の1.2−ベンゾキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、1,2−ナフトキノンジ
アジド−4−スルホン酸エステルおよび1,2−す7ト
キノンジア’;ビー5−スルホン酸エステル;エチレン
グリコールージ(3,5−ジヒドロキシベンゾエート)
、ポリエチレングリコールージ(3,4゜5−トリヒド
ロキシベンゾエート)の如き(ポリ)エチレングリコー
ルージ[(ポリ)ヒドロキシベンゾエート]の1.2−
ベンゾキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、1,
2−ナフトギノンジアジドー4−スルホン酸エステルお
よび1.2−ナフドキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステル等が挙げられる。これらの化合物の他に、J。
K osar著” L ight−3ensitive
S yste+ms” 339〜352 (1965
)、J ohn Wife & 5ons社(N e
v Y ork)やW、S 、DeF orest著“
P hotoresist” 50. (1975)
、MeGrav−1rilll nc、、 (New
York)に掲載されている1、2−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
S yste+ms” 339〜352 (1965
)、J ohn Wife & 5ons社(N e
v Y ork)やW、S 、DeF orest著“
P hotoresist” 50. (1975)
、MeGrav−1rilll nc、、 (New
York)に掲載されている1、2−キノンジアジ
ド化合物を用いることもできる。
これらの他の1.2−キノンジアジド化合物も、例えば
特開昭62−178562号公報に記載された方法等に
よってアシル化またはスルホニル化変性して使用するこ
ともできる。
特開昭62−178562号公報に記載された方法等に
よってアシル化またはスルホニル化変性して使用するこ
ともできる。
本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂(A)としては
、代表的なものとしてアルカリ可溶性ノボラック樹脂(
以下、単に「ノボラック樹脂」という)が挙げられる。
、代表的なものとしてアルカリ可溶性ノボラック樹脂(
以下、単に「ノボラック樹脂」という)が挙げられる。
ノボラック樹脂は、フェノール類とアルデヒド類とを酸
触媒の存在下に重縮合して得られる。
触媒の存在下に重縮合して得られる。
フェノール類としては、例えばフェノール、O−クレゾ
ール、m−クレゾール、p−クレゾール、0−エチルフ
ェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノー
ル、0−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p
−ブチルフェノール、2.3−キシレノール、2.4−
キシレノール、2.5−キシし・ノール、3.4−キシ
レノール、3.5−キジレ/−ル、2.3.5−トリメ
チルフェノール、p−フェニルフェノール、ヒドロキノ
ン、カテコール、レゾルシノール、2−メチルレゾルシ
ノール、ピロガロール、σ−す7トール、ビスフェノー
ルA、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステ
ル等が用いられる。これらの7エノール類のうちフェノ
ール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、2,5−キシレノール、3.5−キシレノール、2
.3.5−トリメチルフェノール、レゾルシノール、2
−メチルレゾルシノールおよびビスフェノールAが好ま
しい。これらのフェノール類は、単独でまたは2種以上
混合して用いられる。
ール、m−クレゾール、p−クレゾール、0−エチルフ
ェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノー
ル、0−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p
−ブチルフェノール、2.3−キシレノール、2.4−
キシレノール、2.5−キシし・ノール、3.4−キシ
レノール、3.5−キジレ/−ル、2.3.5−トリメ
チルフェノール、p−フェニルフェノール、ヒドロキノ
ン、カテコール、レゾルシノール、2−メチルレゾルシ
ノール、ピロガロール、σ−す7トール、ビスフェノー
ルA、ジヒドロキシ安息香酸エステル、没食子酸エステ
ル等が用いられる。これらの7エノール類のうちフェノ
ール、0−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾー
ル、2,5−キシレノール、3.5−キシレノール、2
.3.5−トリメチルフェノール、レゾルシノール、2
−メチルレゾルシノールおよびビスフェノールAが好ま
しい。これらのフェノール類は、単独でまたは2種以上
混合して用いられる。
アルデヒド類としては、例えばホルムアルデヒド、パラ
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、0−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−
ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベ
ンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、0−ニ
トロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、
p−ニトロベンズアルデヒド、0−メチルベンズアルデ
ヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベ〕ズ
アルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド% p ”
−ブチルベンズアルrヒト等が用いられる。これらの化
合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよび
ベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類は
、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピルアルデ
ヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、
α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フェニルプロピ
ルアルデヒド、0−ヒドロキシベンズアルデヒド、m−
ヒドロキシベンズアルデヒド、p−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、o−クロロベンズアルデヒド、m−クロロベ
ンズアルデヒド、p−クロロベンズアルデヒド、0−ニ
トロベンズアルデヒド、m−ニトロベンズアルデヒド、
p−ニトロベンズアルデヒド、0−メチルベンズアルデ
ヒド、m−メチルベンズアルデヒド、p−メチルベ〕ズ
アルデヒド、p−エチルベンズアルデヒド% p ”
−ブチルベンズアルrヒト等が用いられる。これらの化
合物のうちホルムアルデヒド、アセトアルデヒドおよび
ベンズアルデヒドが好ましい。これらのアルデヒド類は
、単独でまたは2種以上混合して用いられる。
アルデヒド類はフェノール類1モル当たり、好ましくは
0.7〜3モル、特に好ましくは0.7〜2モルの割合
で使用される。
0.7〜3モル、特に好ましくは0.7〜2モルの割合
で使用される。
酸触媒としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸の如き無機酸
、または蟻酸、蓚酸、酢酸の如き有機酸が用いられる。
、または蟻酸、蓚酸、酢酸の如き有機酸が用いられる。
これらの酸触媒の使用量は、フェノール類1モル当たり
、lXl0−’〜5XlO−’モルが好ましい。
、lXl0−’〜5XlO−’モルが好ましい。
縮合反応においては、通常、反応媒質として水が用いら
れるが、縮合反応jこ用いられるフェノール類がアルデ
ヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系にな
る場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用すること
もできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、プロパツール、ブタノールの如きア
ルコール類、またはテトラヒドロ7ラン、ジオキサンの
如き環状ニーエル類が挙けられる。これらの反応媒質の
使用量は、通常、反応g料100!i部当たり、20〜
1000重量部である。
れるが、縮合反応jこ用いられるフェノール類がアルデ
ヒド類の水溶液に溶解せず、反応初期から不均一系にな
る場合には、反応媒質として親水性溶媒を使用すること
もできる。これらの親水性溶媒としては、例えばメタノ
ール、エタノール、プロパツール、ブタノールの如きア
ルコール類、またはテトラヒドロ7ラン、ジオキサンの
如き環状ニーエル類が挙けられる。これらの反応媒質の
使用量は、通常、反応g料100!i部当たり、20〜
1000重量部である。
縮合反応の反応温度は、反応原料の反応性に応じて適宜
調整することができるが、通常、10〜200°C1好
ましくは70〜150℃である。
調整することができるが、通常、10〜200°C1好
ましくは70〜150℃である。
縮合反応終了後、系内に存在する未反応原料、酸触媒お
よび反応媒質を除去するため、−収約には内温を130
〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去して回収
する。
よび反応媒質を除去するため、−収約には内温を130
〜230℃に上昇させ、減圧下に揮発分を留去して回収
する。
また縮合反応終了後に、前記親水性溶媒に反応混合物を
溶解し、水、n−ヘキサン、n−へブタンの如き沈殿剤
1こ添加することにより、ノボラック樹脂を析出させ、
析出物を分離して回収することもできる。
溶解し、水、n−ヘキサン、n−へブタンの如き沈殿剤
1こ添加することにより、ノボラック樹脂を析出させ、
析出物を分離して回収することもできる。
本発明に用いられるノボラック樹脂以外のアルカリ可溶
性樹脂(A)としては、例えばポリヒドロキシスチレン
またはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体
、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基
含有メタアクリル系樹脂等が挙げられる。
性樹脂(A)としては、例えばポリヒドロキシスチレン
またはその誘導体、スチレン−無水マレイン酸共重合体
、ポリビニルヒドロキシベンゾエート、カルボキシル基
含有メタアクリル系樹脂等が挙げられる。
これらのアルカリ可溶性樹脂(A)は単独でまたは2種
以上混合して用いられる。
以上混合して用いられる。
本発明の組成物には、レジストとしての感度を向上させ
るため、増感剤を配合することができる。
るため、増感剤を配合することができる。
増悪剤としては、例えば2H−ピリド[3,2−N−1
,4−才キサジン−3[4H]オン類、10H−ピリド
[3,2−b] E1,4] −ベンゾチアジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビッール酸類、グ
リシン無水物類、l−ヒドロキシベンゾ1−リアゾール
類、アロキサン類、マレイミド類等を挙げることができ
る。増感剤の配合量は、1.2−キノンジアジド化合物
100重量部l二対し、通常、l−100重量部、好ま
しくは4〜60重量部である。
,4−才キサジン−3[4H]オン類、10H−ピリド
[3,2−b] E1,4] −ベンゾチアジン類、
ウラゾール類、ヒダントイン類、バルビッール酸類、グ
リシン無水物類、l−ヒドロキシベンゾ1−リアゾール
類、アロキサン類、マレイミド類等を挙げることができ
る。増感剤の配合量は、1.2−キノンジアジド化合物
100重量部l二対し、通常、l−100重量部、好ま
しくは4〜60重量部である。
さらに本発明の組成物には、塗布性、例えばストリエー
ションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良
する!こめ界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル レイルエーテルの如きポリオキシエチレンアルキルエー
テル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキンエチレンノニルフェノールエーテルの如
きポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル類;
Bよびポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチ
レングリコールジステアレートの如きポリエチレングリ
フールジアルキルエーテル類(ノニオン系界面活性剤)
;エフトップEF301,EF303、EF352(新
秋用化成(株)製)、メガファツクF171、F−17
2、F173 (大日本インキ(株)製)、70ラード
FC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、
アサヒガードA.G710,サーフロンS−382、S
CIOI,SC102、SC103、SC104、SC
105、SC106(旭硝子(株)製)の如きフッ素系
界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(
信越化学工業(株)製)やアクリル酸系またはメタクリ
ル酸系(共)重合体ボリア0−No、75、No、95
(共栄社油脂化学工業(株)製)等が用いられる。界面
活性剤の配合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性
樹脂(A)および1.2−キノンジアジド化合物(B)
100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましくは
1重量部以下である。
ションや乾燥塗膜形成後の放射線照射部の現像性を改良
する!こめ界面活性剤を配合することができる。界面活
性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエー
テル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル レイルエーテルの如きポリオキシエチレンアルキルエー
テル類;ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテ
ル、ポリオキンエチレンノニルフェノールエーテルの如
きポリオキシエチレンアルキルフェノールエーテル類;
Bよびポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチ
レングリコールジステアレートの如きポリエチレングリ
フールジアルキルエーテル類(ノニオン系界面活性剤)
;エフトップEF301,EF303、EF352(新
秋用化成(株)製)、メガファツクF171、F−17
2、F173 (大日本インキ(株)製)、70ラード
FC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、
アサヒガードA.G710,サーフロンS−382、S
CIOI,SC102、SC103、SC104、SC
105、SC106(旭硝子(株)製)の如きフッ素系
界面活性剤;オルガノシロキサンポリマーKP341(
信越化学工業(株)製)やアクリル酸系またはメタクリ
ル酸系(共)重合体ボリア0−No、75、No、95
(共栄社油脂化学工業(株)製)等が用いられる。界面
活性剤の配合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性
樹脂(A)および1.2−キノンジアジド化合物(B)
100重量部当たり、通常、2重量部以下、好ましくは
1重量部以下である。
さらに本発明の組成物には、必要に応じて着色剤、接着
助剤、保存安定剤、消泡剤等も配合することができる。
助剤、保存安定剤、消泡剤等も配合することができる。
本発明の組成物は、溶剤に前記アルカリ可溶性樹脂(A
)、前記1,2−キノンジアジド化合物(B)および前
記の各種配合剤を所定量ずつ溶解させ、例えば孔径0.
2μm程度のフィルタで濾過jるこ々1こより、調製さ
れる。
)、前記1,2−キノンジアジド化合物(B)および前
記の各種配合剤を所定量ずつ溶解させ、例えば孔径0.
2μm程度のフィルタで濾過jるこ々1こより、調製さ
れる。
この際に用いられる溶剤として、例えばエチレングリコ
ールモノ、メチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル モ,ノフロビ,・レエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルの如きエチレングリコールアルキルエー
テル類:ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチル
エーテルの如きジエチレングリコールジアルキルエーテ
ル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテートの如ぎエチレングリコールアルキルアセテー
ト類;プロピレングリフールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールプロビルエーテルアセテー
トの如きズロビレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート類:トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素M:
メチルエチルケj・ン、シクロヘキサノンの如きケトン
類;2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプ
ロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エ
チル、2−ヒrロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3
−メトキシブブルア七チーiー,3ーメチル−3−メト
ギシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチ
ルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブ
チレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル
、アセト酢酸エチルの如きエステル類ニジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミドの如きアミド類を用いる
ことができる。これらの溶剤は1種単独でまたは2種以
上混合して使用することもできる。さらにベンジルエチ
ルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコー
ル七ツメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロ
ン酸、カプリル酸、l−オクタノール、l−ノナノール
、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル
、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γーブチロ
ラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ブエニルセ
1フソルブアセテートの如き高沸点溶剤を添加すること
ができる。
ールモノ、メチルエーテル、エチレングリコールモノエ
チルエーテル モ,ノフロビ,・レエーテル、エチレングリコールモノ
エチルエーテルの如きエチレングリコールアルキルエー
テル類:ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチル
エーテルの如きジエチレングリコールジアルキルエーテ
ル類;メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブ
アセテートの如ぎエチレングリコールアルキルアセテー
ト類;プロピレングリフールモノメチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテ
ート、プロピレングリコールプロビルエーテルアセテー
トの如きズロビレングリコールアルキルエーテルアセテ
ート類:トルエン、キシレンの如き芳香族炭化水素M:
メチルエチルケj・ン、シクロヘキサノンの如きケトン
類;2−ヒドロキシプロピオン酸メチル、2−ヒドロキ
シプロピオン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプ
ロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、オキシ酢酸エ
チル、2−ヒrロキシー3ーメチルブタン酸メチル、3
−メトキシブブルア七チーiー,3ーメチル−3−メト
ギシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチ
ルプロピオネート、3−メチル−3−メトキシブチルブ
チレート、酢酸エチル、酢酸ブチル、アセト酢酸メチル
、アセト酢酸エチルの如きエステル類ニジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミドの如きアミド類を用いる
ことができる。これらの溶剤は1種単独でまたは2種以
上混合して使用することもできる。さらにベンジルエチ
ルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコー
ル七ツメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロ
ン酸、カプリル酸、l−オクタノール、l−ノナノール
、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル
、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γーブチロ
ラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、ブエニルセ
1フソルブアセテートの如き高沸点溶剤を添加すること
ができる。
また、本発明の組成物には、放射線照射部の潜像を可視
化させたり、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために着色剤を、また接着性を改良するためIこ
接着助剤を、さらJこ必要Jこ応じて消泡剤等を配合す
ることもできる。
化させたり、放射線照射時のハレーションの影響を少な
くするために着色剤を、また接着性を改良するためIこ
接着助剤を、さらJこ必要Jこ応じて消泡剤等を配合す
ることもできる。
本発明の組成物の現像液としては、例えば水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウ
ム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカ
リ類、エチルアミン、n−プロピルアミンの如き第1級
アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンの
如き第2級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミンの如き第3級アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミンの如きアルコールアミン類
、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチ
ルアンモニウムヒドロキシド、!・リメチルーヒドロキ
シエチルアンモニウムヒドロキシドの如き第4級アンモ
ニウム塩、または、ビロール、ピペリジン、1.8−ジ
アザビシクロ(5。
ウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウ
ム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカ
リ類、エチルアミン、n−プロピルアミンの如き第1級
アミン類、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミンの
如き第2級アミン類、トリエチルアミン、メチルジエチ
ルアミンの如き第3級アミン類、ジメチルエタノールア
ミン、トリエタノールアミンの如きアルコールアミン類
、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチ
ルアンモニウムヒドロキシド、!・リメチルーヒドロキ
シエチルアンモニウムヒドロキシドの如き第4級アンモ
ニウム塩、または、ビロール、ピペリジン、1.8−ジ
アザビシクロ(5。
4、0)−7−ウンデセン、1.5−ジアザビシクロ(
4,3,O)−5−ノナンの如き環状アミン類を溶解し
てなるアルカリ性水溶液が使用される。
4,3,O)−5−ノナンの如き環状アミン類を溶解し
てなるアルカリ性水溶液が使用される。
また前記現像液に水溶性有機溶媒、例えばメタノール、
エタノールの如きアルコール類や界面活性剤を適量添加
した水溶液を現像液として使用することもできる。
エタノールの如きアルコール類や界面活性剤を適量添加
した水溶液を現像液として使用することもできる。
以下実施例により本発明を詳述ず5゜
[実施例]
実施例1
(1) 遮光下で、撹拌機、滴下ロー トおよび温度
計を備えたフラスコに、2.2′,3,4−テトラヒド
ロフンベ〕・シフエノン12.3gj5よび1.2−ナ
フトギノン・ジアジド−5−スルホン酸クロリド47.
0g [1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸クロリド/2.2’、3゜4−テトラヒドロキンベン
ゾフェノン=3(モル比)に相当1に仕込み、さらにジ
オキサン277gを加え、撹拌しながら溶解さゼた。別
に滴下ロートにトリエチルアミン19.5gを仕込み、
前記セパラブルフラスコを30℃に保持した水浴に浸し
、内温か30℃一定となった時点で、ゆっくりとトリエ
チルアミンを滴下した。内温が35°Cを越えないよう
にトリエチルアミンを6加した後、析出したトリエチル
アミン塩酸塩lこ水を添加して溶解し、濾液を大量の希
塩酸中に注入して1,i2−キノンジアジド化合物を析
出させた。これを濾過し、回収後40°Cで一昼夜真空
乾燥した。乾燥重量を測定して得た収率は98%であっ
た。
計を備えたフラスコに、2.2′,3,4−テトラヒド
ロフンベ〕・シフエノン12.3gj5よび1.2−ナ
フトギノン・ジアジド−5−スルホン酸クロリド47.
0g [1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸クロリド/2.2’、3゜4−テトラヒドロキンベン
ゾフェノン=3(モル比)に相当1に仕込み、さらにジ
オキサン277gを加え、撹拌しながら溶解さゼた。別
に滴下ロートにトリエチルアミン19.5gを仕込み、
前記セパラブルフラスコを30℃に保持した水浴に浸し
、内温か30℃一定となった時点で、ゆっくりとトリエ
チルアミンを滴下した。内温が35°Cを越えないよう
にトリエチルアミンを6加した後、析出したトリエチル
アミン塩酸塩lこ水を添加して溶解し、濾液を大量の希
塩酸中に注入して1,i2−キノンジアジド化合物を析
出させた。これを濾過し、回収後40°Cで一昼夜真空
乾燥した。乾燥重量を測定して得た収率は98%であっ
た。
このようにして得られた1、2−キノンジアジド化合物
の組成分析の結果、トリエステルの割合は66重量%、
テトラエステルの割合は29重量%、ジエステルの割合
は4重量%、モノエステルの割合は1重1%であった。
の組成分析の結果、トリエステルの割合は66重量%、
テトラエステルの割合は29重量%、ジエステルの割合
は4重量%、モノエステルの割合は1重1%であった。
なお、1.2−キノンジアジド化合物の組成分布は、ゲ
ルバーミエイションクロマトグラフイー(以下、rGP
c」という)により測定した。GPCの測定条件は次の
とおりである。
ルバーミエイションクロマトグラフイー(以下、rGP
c」という)により測定した。GPCの測定条件は次の
とおりである。
分離カラム:平均孔径が7人のポリスチレンゲルを充填
した内径20 m m、長さ60cmのカラム 溶離液:テトラヒドロフラン 流速:2mQ1分 検出器:昭和電工社製示差屈折計S hodexRIs
E −31型 分離カラム温度=25°C 試料注入量:約101L量%のテトラヒドロフラン溶液
を100μQ (2) 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコ
にm−クレゾール54g(0,5モル)、3.5−キシ
レノール244g(2,0モル)、37重量%ホルムア
ルデヒド水溶液385gおよヒシコウM0.22gを仕
込んだ後、このフラスコを油浴に浸し、内温を100°
Cに保ちながら1時間反応させた。その後さらにm−ク
レゾール2i6g(2,0モル)、3.5−キシレノー
ル61g(0,5gモル)を反応の進行とともに連続的
にフラスコに仕込み、2時間反応させた。次いで該ノボ
ラック樹脂をメタノールに溶解させ、これJこ水を徐々
I:添加し、ノボラック樹脂と沈澱させ、該沈澱物を乾
燥させてノボラック樹脂を得た。
した内径20 m m、長さ60cmのカラム 溶離液:テトラヒドロフラン 流速:2mQ1分 検出器:昭和電工社製示差屈折計S hodexRIs
E −31型 分離カラム温度=25°C 試料注入量:約101L量%のテトラヒドロフラン溶液
を100μQ (2) 撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコ
にm−クレゾール54g(0,5モル)、3.5−キシ
レノール244g(2,0モル)、37重量%ホルムア
ルデヒド水溶液385gおよヒシコウM0.22gを仕
込んだ後、このフラスコを油浴に浸し、内温を100°
Cに保ちながら1時間反応させた。その後さらにm−ク
レゾール2i6g(2,0モル)、3.5−キシレノー
ル61g(0,5gモル)を反応の進行とともに連続的
にフラスコに仕込み、2時間反応させた。次いで該ノボ
ラック樹脂をメタノールに溶解させ、これJこ水を徐々
I:添加し、ノボラック樹脂と沈澱させ、該沈澱物を乾
燥させてノボラック樹脂を得た。
(3) (2)で得られた2ノボラック樹脂20g
、(1)で得られた1、2−キノンジアジド化、 物6
g 8よびユチルセロソルブアセテート60gを室温
でよく撹拌して溶解後、孔径0.2μmのメンブランフ
ィルタで濾過し、本発明の組成物の溶液を調製した。こ
の溶液をシリコンウェーハ上にスピンナーで塗布後、9
0℃、2分間プレベークして、1.2μm厚のレジスト
層を形成させt;。次いで、ステッパー(日本光学工業
(株)製N5R1505G4D)にて露光し、25℃の
2゜38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で60秒間現像し、水でリンスしてレジストパタ
ーンを形成した。ここでレジストパターンが、1.2μ
m以上のラインアンドスペースパターンを正確に形成す
る露光時間(以下、これを「感度」という)を求めたと
ころ0.29秒と良好で、放射線照射部分には、スカム
(レジスト残渣)は全く認められず、線幅0.55μm
のレジストパターンが解像でさた。また、残膜率(現像
後のレジスト膜厚/現像前のレジスト膜厚X100%)
も98%と優れたものであった。
、(1)で得られた1、2−キノンジアジド化、 物6
g 8よびユチルセロソルブアセテート60gを室温
でよく撹拌して溶解後、孔径0.2μmのメンブランフ
ィルタで濾過し、本発明の組成物の溶液を調製した。こ
の溶液をシリコンウェーハ上にスピンナーで塗布後、9
0℃、2分間プレベークして、1.2μm厚のレジスト
層を形成させt;。次いで、ステッパー(日本光学工業
(株)製N5R1505G4D)にて露光し、25℃の
2゜38重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド
水溶液で60秒間現像し、水でリンスしてレジストパタ
ーンを形成した。ここでレジストパターンが、1.2μ
m以上のラインアンドスペースパターンを正確に形成す
る露光時間(以下、これを「感度」という)を求めたと
ころ0.29秒と良好で、放射線照射部分には、スカム
(レジスト残渣)は全く認められず、線幅0.55μm
のレジストパターンが解像でさた。また、残膜率(現像
後のレジスト膜厚/現像前のレジスト膜厚X100%)
も98%と優れたものであった。
実施例2〜3
遮光下で、撹拌機、滴下ロートおよび温度計を備えたフ
ラスコに、第1表に示す化合物を第1表に示す割合で使
用し、実施例1 (1)と同様にして1.2−キノンジ
アジド化合物を得た。
ラスコに、第1表に示す化合物を第1表に示す割合で使
用し、実施例1 (1)と同様にして1.2−キノンジ
アジド化合物を得た。
このようにして得られた1、2−キノンジアジド化合物
のGPClこよる組成分析結果を第1表に示す。
のGPClこよる組成分析結果を第1表に示す。
次に実施例1 (2)で得られたノボラック樹脂と、前
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実
施例1(3)と同様にして本発明の組成物の溶液を調製
しj;。
記1,2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実
施例1(3)と同様にして本発明の組成物の溶液を調製
しj;。
次いで実施例1 (3)と同様に露光し現像しリンスし
て、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示t
0 比較例1 実施例1 (1)において、2.2′,3,4−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの代りに2,3゜4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノンを11.5g用い、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドの使用量
を34.9gとし、トリエチルアミンの使用量を14.
5gとし、その池は実施例1 (1)と同様I−シて1
.2−キノンジアジド化合物を得た。
て、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示t
0 比較例1 実施例1 (1)において、2.2′,3,4−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの代りに2,3゜4−トリヒ
ドロキシベンゾフェノンを11.5g用い、1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドの使用量
を34.9gとし、トリエチルアミンの使用量を14.
5gとし、その池は実施例1 (1)と同様I−シて1
.2−キノンジアジド化合物を得た。
次に実施例1 (2)で得られたノボランフ4M脂と、
前記1.2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は
実施例1 (3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を
調製した。
前記1.2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は
実施例1 (3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を
調製した。
次いで実施例1 (3)と同様に露光し、現像しリンス
して、レジストパター〉・を形成した。結果を第1表に
示す。
して、レジストパター〉・を形成した。結果を第1表に
示す。
比較例2
実施例1 (1)において、2.2′,3,4−テトラ
ヒドロキシベンゾフェノンの代りに、2゜3.4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンを12.3gとする
他は実施例1 (1)と同様にして1.2−キノンジア
ジド化合物を得た。
ヒドロキシベンゾフェノンの代りに、2゜3.4.4’
−テトラヒドロキシベンゾフェノンを12.3gとする
他は実施例1 (1)と同様にして1.2−キノンジア
ジド化合物を得た。
次に実施例1 (2)で得られたノボラック樹脂と、前
記1.2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実
施例1 (3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調
製した。
記1.2−キノンジアジド化合物とを用い、その他は実
施例1 (3)と同様にしてレジスト組成物の溶液を調
製した。
次いで実施例1 (3)と同様に露光し、現像しリンス
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
して、レジストパターンを形成した。結果を第1表に示
す。
実施例4〜5
撹拌機、冷却管および温度計を備えたフラスコに、第3
表に示す混合比のフェノール類、37重量%ホルムアル
デヒド水溶液385gおよびシュウaO,22gを仕込
んだ後、このフラスコを油浴に浸し、内はを100℃に
保ちながら1時間反応させた。その後さらに第3表に示
す追加のフェノール類を反応の進行とともに連続的にフ
ラスコに仕込み2時間反応させた。次いで該ノボラック
樹脂をメタノールに溶解させ、これに水を除々に添加し
、ノボラック樹脂を樹脂を沈殿させ、該沈Baを乾燥さ
せてノボラック樹脂を得た。次に前記ノボラック樹脂と
、実施例1(1)で得られた1、2−キノンジアジド化
合物とを用い、その池は実施例1 (3)と同様にして
本発明の組成物の溶液を調製した。
表に示す混合比のフェノール類、37重量%ホルムアル
デヒド水溶液385gおよびシュウaO,22gを仕込
んだ後、このフラスコを油浴に浸し、内はを100℃に
保ちながら1時間反応させた。その後さらに第3表に示
す追加のフェノール類を反応の進行とともに連続的にフ
ラスコに仕込み2時間反応させた。次いで該ノボラック
樹脂をメタノールに溶解させ、これに水を除々に添加し
、ノボラック樹脂を樹脂を沈殿させ、該沈Baを乾燥さ
せてノボラック樹脂を得た。次に前記ノボラック樹脂と
、実施例1(1)で得られた1、2−キノンジアジド化
合物とを用い、その池は実施例1 (3)と同様にして
本発明の組成物の溶液を調製した。
次いで実施例1(3)と同様に露光し現像しリンスして
、レジストパターンを形成した。結果を第2表に示す。
、レジストパターンを形成した。結果を第2表に示す。
\
\−5−
(発明の効果)
本発明のポジ型感放射線性樹脂組成物は高感度、高解像
度、高残膜率でかつ現像性に優れたものであり、紫外線
、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロト
ロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応し、集積
回路作製用レジスト、特に高集積度用ポジ型レジストと
して好適なものである。
度、高残膜率でかつ現像性に優れたものであり、紫外線
、遠紫外線、X線、電子線、分子線、γ線、シンクロト
ロン放射線、プロトンビーム等の放射線に感応し、集積
回路作製用レジスト、特に高集積度用ポジ型レジストと
して好適なものである。
ばか1名
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)アルカリ可溶性樹脂および (B)2,2′,3,4−テトラヒドロキシベンゾフェ
ノンの1,2−キノンジアジドスルホン酸エステルから
主としてなる1,2−キノンジアジド化合物 を含有することを特徴とするポジ型感放射線性樹脂組成
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110379A JP2629814B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63110379A JP2629814B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01281445A true JPH01281445A (ja) | 1989-11-13 |
JP2629814B2 JP2629814B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=14534316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63110379A Expired - Fee Related JP2629814B2 (ja) | 1988-05-09 | 1988-05-09 | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2629814B2 (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5463818A (en) * | 1977-09-22 | 1979-05-23 | Hoechst Ag | Photosensitive copying composition |
JPS57135947A (en) * | 1981-01-03 | 1982-08-21 | Hoechst Ag | Manufacture of photosensitive mixture and naphthoquinone deazidosulfonic ester |
JPS58150948A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-07 | Dainippon Ink & Chem Inc | 感光性組成物 |
JPS62150245A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-04 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 集積回路作製用ポジ型レジスト |
JPS62153950A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | ポジ型感放射線性樹脂組成物 |
-
1988
- 1988-05-09 JP JP63110379A patent/JP2629814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2629814B2 (ja) | 1997-07-16 |
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