JPH01273402A

JPH01273402A - マイクロストリップ線路

Info

Publication number: JPH01273402A
Application number: JP63103083A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Ota; 雅彦太田; Junichi Habe; 羽部　順一
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 1988-04-26
Filing date: 1988-04-26
Publication date: 1989-11-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）この発明は、電気特性に優れたマイクロ波帯の伝送路に
関する。

（従来の技術）マイクロ波帯の伝送路を形成するいわゆるマイクロスト
リップ線路は、従来第４図に示すように構成されている
。

すなわち、接地導体１の上面に誘電体２が積層貼着され
、ざらにこの誘電体２上に帯状のストリップ導体３が貼
着されたプリント配線板構造として形成されており、ス
トリップ導体３がマイクロ波帯配線板のパターンを形成
している。

このため、この配線板上に実装される回路部品とパター
ンとの接続は、リード線の浮遊容量が無視できないため
、各回路部品はチップボンディング用アルミ線や金線を
介してストリップ導体３と接続されるワイヤボンディン
グが用いられている。

このため、ストリップ導体３が酸化することは、接続信
頼性の低下原因となることから、ストリップ導体３に酸
化防止金属膜５をメツキすることが多く行なわれている
。

ところで、ストリップ導体３に対する１（ヒー防止金属
膜５のメツキ材としては、Ａｕメツキが効果的であるが
、このＡｕメツキを直接ストリップ導体３に被覆した場
合には、加熱時にＡｕがストリップ導体３内に拡散する
ため、本来の酸化防止効果が発揮できなくなり、ストリ
ップ導体３が酸化してしまうという欠点があった。

このため、ストリップ導体３内へのＡｕの拡散防止とし
て、通常Ｎｉメツキをストリップ導体３に施した上で、
酸化防止金属１１ｍ５としてＡｕメツキが施されている
。

（発明が解決しようとする課題）ところで、上記のようにストリップ導体３にＮ１メツキ
を施した上でＡｕメツキを施した場合には、加熱時にお
けるＡＬＪのストリップ導体３への拡散を防止すること
ができ、ストリップ導体３の酸化を防ぐことができるが
、反面、伝送損失の増加が著しいという新たな問題が発
生する。

つまり、マイクロ波帯ではいわゆる表皮効果により電流
が導体表面に集中して流れるため、上記のように酸化防
止金属膜５を設けた場合には、ストリップ導体３の表面
側に形成された酸化防止金属膜５に大半の電流が流れる
こととなる。

そして、上記酸化防止金属膜５であるＡｕの導電率は、
ストリップ導体３（Ｃｕ）の導電率よりも劣るため伝送
損失が増加することとなる。

また、特にマイクロストリップ線路においては、接地導
体１と対向するストリップ導体３の下面および側面に多
く電流が流れるが、ストリップ導体３側面はエツジに電
界が集中することから、側面の電流密度は、接地導体１
と対向するストリップ導体３下面の電流密度の約１０倍
程度に達し、ストリップ導体３よりも導電率が低いこの
部分の酸化防止金属膜５へ多くの電流が流れるため、伝
送損失の増加が著しい。

この発明は、・電流密度の大きいストリップ導体の側面
における伝送損失を低く抑えることにより、電気特性に
優れたマイクロストリップ線路を提供することを目的と
するものである。

（課題を解決するための手段）この発明は、上記のような目的を達成するために、接地
導体上に誘電体が積層貼着されるとともに、上記誘電体
の上面に帯状のストリップ導体が貼着されたマイクロス
トリップ線路において、上記ストリップ導体の上面に金
属拡散防止膜を介して積層貼着される酸化防止金属膜と
、少なくとも上記ストリップ導体の側面に貼着されてこ
の側面をカバーする酸化防止絶縁膜と、を具備すること
を特徴とする。

（作用）本発明のマイクロストリップ線路の作用は次の通りでお
る。

ストリップ導体３の上面に形成した酸化防止金属膜５に
より、ボンディング時の接続部であるストリップ導体上
面の酸化が防止できるとともに、酸化防止金属膜とスト
リップ導体の間に形成した金属拡散防止膜により、ポン
ディング等の加熱時において酸化防止金属膜よりストリ
ップ導体内への金属拡散を防止することができる。

また、酸化防止絶縁膜６によりストリップ導体３の側面
の酸化を防止できるとともに、この電気特性に悪影響を
及ぼすことなく、伝送損失の低いマイクロストリップ線
路を提供することができる。

（実施例）以下、この発明の実施例を図面に基づき詳細に説明する
。

第１図はこの発明に係るマイクロストリップ線路の積層
構造を示す斜視図であり、このマイクロストリップ線路
の基本構造は公知のものと同様に形成されている。

したがって、従来と同一部材には同一符号を付して説明
しその詳細説明は省略をする。

すなわち、幅広の接地導体１上に誘電体２が積層貼着さ
れている。

この誘電体２は、信号伝播の高速化のために低誘電率を
有する材料が好ましく、そのため誘電正接の小ざいセラ
ミック材やテフロン材等が望ましい。

そして、この誘電体２の上面には帯状のストリップ導体
３（Ｃｕ）が積層貼着され、マイクロ波帯用のプリント
配線板構造となっている。

したがって、このマイクロストリップ線路は、通常のプ
リント配線板製造技術を用いて製造することができるの
で、配線板のパターンを形成するストリップ導体３はセ
ミアデイティブ法により形成する。

また、ストリップ導体３の導体幅は、所望の特性インピ
ーダンスを得るため、誘電体２の非誘電率εｒおよび誘
電体２の厚さをふまえて最適な値に設定される。

４はストリップ導体３の上面に直接積層貼着された金属
拡散防止膜であり、Ｎｉメツキ層として形成されている
。

５は上記金属拡散防止膜４の上面に積層貼着された酸化
防止金属膜でおり、ＡＬＩメツキ層により形成され、ボ
ンディング時等におけるストリップ導体３の酸化を防止
する。

ストリップ導体３の上面の電流密度は、ストリップ導体
３の接地導体１と対向する面や側面の電流密度に比べて
小さいので、酸化防止金属膜５や金属拡散防止膜４の電
気特性にはほとんど影響しないが、金属拡散防止膜４の
厚さは、酸化防止金属膜５の拡散を防止できる範囲で可
能な限り薄く形成する。

６はストリップ導体３の側面の酸化を防止するだめの酸
化防止絶縁膜であり、ストリップ導体３の両側面に貼着
されこれをカバーする。

酸化防止絶縁膜６に用いる材料は、比誘電率が小ざく低
誘電正接のものを用い、かつ可能な限り薄く形成してマ
イクロストリップ線路の電気特性にはほとんど影響を及
ぼさないようにする。

本願発明は上記のように、ボンディングを行なうために
酸化防止が必要であり、かつ導電性が必要なストリップ
導体の上面にのみ、金属拡散防止膜を介して酸化防止金
属膜を形成し、導電性および酸化防止の両面を確保して
いる。

また、ストリップ導体の側面のように、酸化防止は必要
であるが導電性を必要としない箇所は、酸化防止絶縁膜
のみを形成し、酸化防止を図る構造としている。

つまり、ストリップ導体の側面は、上記のように他の箇
所に比べて著しく電流密度が高い部分であるため、この
部分には従来のように金属拡散防止膜および酸化防止金
属膜を形成せず、酸化防止絶縁膜のみを形成し、従来の
ように導電性の劣るＡＵメツキ層に大量の電流が流れる
のを防ぎ伝送損失を低く抑えるようにしている。

第２図に示すものは上記実施例における減衰定数の周波
数特性を示すグラフであり、このグラフからも明らかな
ように、酸化防止金属膜のないものに比し若干劣るもの
の、従来構造に比して本願構造のものが減衰定数におい
て優れていることが明らかである。

第４図に示したものは、本発明の他の実施例であり、ス
トリップ導体３の側面のみでなく誘電体２の上面および
ボンディング部分を除くストリップ導体３の上面を覆う
構造とする。

なお、上記実施例では接地導体１の下面には酸化防止膜
をに２けていないが、この部分を必要に応じて酸化防止
絶縁膜あるいは酸化防止金属膜で覆うように形成しても
よい。

また、上記実施例では、基本的なマイクロストリップ線
路構造を示したが、接地導体１と誘電体２の間に空気層
を設けたサスペンデッド構造についても本発明を適用す
ることができる。

（発明の効果）上記のように、この発明にあっては、ストリップ導体の
上面には金属拡散防止膜を介して酸化防止金属膜を形成
し、かつ少なくともストリップ導体の側面に酸化防止絶
縁膜を形成するように構成したので、本発明における減
衰定数はストリップ導体側面にあける著しい伝送損失の
増大がなく、かつストリップ導体上面の酸化を防止する
ことができる。

また、本発明は、公知の従来技術で容易に形成すること
ができるため、伝送損失が低く接続信頼性の高いマイク
ロストリップ線路を安価に供給することができる等の効
果を有する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るマイクロストリップ線路の積層構
造を示す斜視図、第２図は減衰定数の周波数特性を示す
グラフ、第３図は本発明に係るマイクロストリップ線路
の他の実施例を示す斜視図、第４図は従来のマイクロス
トリップ線路を示す斜視図である。１・・・接地導体２・・・誘電体訃・・ストリップ導体４・・・金属拡散防止膜５・・・酸化防止金属膜６・・・酸化防止絶縁膜＼４金属拡散防止膜第１図周波数ｆ（ＧＨ２）第２図

Claims

【特許請求の範囲】

１．接地導体上に誘電体が積層貼着されるとともに、上
記誘電体の上面に帯状のストリップ導体が貼着されたマ
イクロストリップ線路において、上記ストリップ導体の
上面に金属拡散防止膜を介して積層貼着される酸化防止
金属膜と、少なくとも上記ストリップ導体の側面に貼着されてこの
側面をカバーする酸化防止絶縁膜と、を具備することを
特徴とするマイクロストリップ線路。