JPH01273219A - 磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
磁気デイスクの製造方法Info
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- JPH01273219A JPH01273219A JP63101669A JP10166988A JPH01273219A JP H01273219 A JPH01273219 A JP H01273219A JP 63101669 A JP63101669 A JP 63101669A JP 10166988 A JP10166988 A JP 10166988A JP H01273219 A JPH01273219 A JP H01273219A
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Links
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は研気記録装置の磁気ディスクの製造方法に関
するものである。
するものである。
コンピュータの外部記憶装置の一つである。固定磁気デ
ィスク装置の主構成部は磁気ディスクと磁気ヘッドスラ
イダで構成されている第3図の断面構成図にその概念を
示す。(5)は磁気ディスク。
ィスク装置の主構成部は磁気ディスクと磁気ヘッドスラ
イダで構成されている第3図の断面構成図にその概念を
示す。(5)は磁気ディスク。
(611’t 磁気ヘッドスライダ、(7)けサスペン
ション。
ション。
(8)はスピンドルである。
磁気ディスク(5)は記録情報が書かれて、それを保持
する媒体である。磁気ヘントスライダ(6)は磁気ディ
スクに記録情報を書き込んだり、読み出したシする装置
、サスペンション(7)は磁気へラドスライダを磁気デ
ィスクに押付けるバネ、スピンドル(8)は磁気ディス
クを矢印方向建回転させる装置である。
する媒体である。磁気ヘントスライダ(6)は磁気ディ
スクに記録情報を書き込んだり、読み出したシする装置
、サスペンション(7)は磁気へラドスライダを磁気デ
ィスクに押付けるバネ、スピンドル(8)は磁気ディス
クを矢印方向建回転させる装置である。
固定磁気ディスク装置において、磁気ディスク(5)に
記録情報を書き込んだり、読み出した〕する場合は、矢
印方向に磁気ディスク(5)を高速回転(例えば36
G Orpm)させる。この回転により生じる空気流で
、磁気ヘントスライダ(6)は空気軸受の原理で、磁気
ディスク(5)表面よシサプミクロンのすきまを保って
浮上する。すなわち、サスペンション(7)の押付力と
空気流の押上刃が釣り合って磁気へラドスライダ(6)
は安定浮上する。
記録情報を書き込んだり、読み出した〕する場合は、矢
印方向に磁気ディスク(5)を高速回転(例えば36
G Orpm)させる。この回転により生じる空気流で
、磁気ヘントスライダ(6)は空気軸受の原理で、磁気
ディスク(5)表面よシサプミクロンのすきまを保って
浮上する。すなわち、サスペンション(7)の押付力と
空気流の押上刃が釣り合って磁気へラドスライダ(6)
は安定浮上する。
一方、磁気ディスク装置を使用しない時は、スピンドル
(8)の回転は停止し、磁気ヘントスライダ(6)けサ
スペンション(7)によシ押し付けられ磁気ディスク(
5)上に接触した状態となる。
(8)の回転は停止し、磁気ヘントスライダ(6)けサ
スペンション(7)によシ押し付けられ磁気ディスク(
5)上に接触した状態となる。
@4図と第5図は、第3図における磁気ヘントスライダ
(6)付近の拡大断面構成図である。第4図は磁気ディ
スク装置の稼動時(磁気ディスクは回転している)、第
5図は磁気ディスク装置の停止時(磁気ディスクは停止
している〕をそれぞれ示す。
(6)付近の拡大断面構成図である。第4図は磁気ディ
スク装置の稼動時(磁気ディスクは回転している)、第
5図は磁気ディスク装置の停止時(磁気ディスクは停止
している〕をそれぞれ示す。
さて、近年、磁気ディスク装置の高密度化の要求が高ま
るにつれて、磁気ヘントスライダの浮上すきまの微小化
が進められてきている。これに伴い、必然的に磁気ディ
スクと磁気ヘントスライダの表面精度の向上がなされて
きた。特に磁気ディスクの表面粗さの向上は著しく、従
来の粗さRm8X20GOAが現在でけRIIlaX1
00A近くになってきている。
るにつれて、磁気ヘントスライダの浮上すきまの微小化
が進められてきている。これに伴い、必然的に磁気ディ
スクと磁気ヘントスライダの表面精度の向上がなされて
きた。特に磁気ディスクの表面粗さの向上は著しく、従
来の粗さRm8X20GOAが現在でけRIIlaX1
00A近くになってきている。
ところが表面精度の向上に伴って、別の問題が新たに生
じてきた。それ/fi磁気ディスク装置が停止している
時に、磁気ヘントスライダと磁気ディスクが吸着すると
いう問題である。吸着が生じると磁気ディスクを回転を
始めても磁気ヘッドスライダが浮上できず、磁気ヘッド
スライダが破損する。そのため、吸着を軽減する方法と
して、従来よシ磁気ディスクの表面にテクスチャーによ
シ凹凸を付けある程度表面粗さを太き(することが−股
に行われている。その−例が特開昭59−82626
号公報に示されている。
じてきた。それ/fi磁気ディスク装置が停止している
時に、磁気ヘントスライダと磁気ディスクが吸着すると
いう問題である。吸着が生じると磁気ディスクを回転を
始めても磁気ヘッドスライダが浮上できず、磁気ヘッド
スライダが破損する。そのため、吸着を軽減する方法と
して、従来よシ磁気ディスクの表面にテクスチャーによ
シ凹凸を付けある程度表面粗さを太き(することが−股
に行われている。その−例が特開昭59−82626
号公報に示されている。
第6図(al〜(d)け従来の表面に凹凸をつけた磁気
ディスクを製造する方法を工程順に示す断面構成図であ
る1図において、(1)けAj−Mg合金等の基材(l
a) 、硬質膜(1b)で構成されている基板。
ディスクを製造する方法を工程順に示す断面構成図であ
る1図において、(1)けAj−Mg合金等の基材(l
a) 、硬質膜(1b)で構成されている基板。
(2)は基板fll上に形成された磁性膜、(3)は磁
性膜(2)上に形成された硬質炭素保護膜である。まず
基材(18〕 に硬質膜(1b)を形成して基板fl
)を得(第6図8)基板(1)表面に凹凸を付は表面粗
さを大きくする(第6図b)。今まで所望の表面粗さの
山気ディスク(5)を得るには、基板(1)にテクスチ
ャー法によシ同心円状に溝を付けるのが普通であった。
性膜(2)上に形成された硬質炭素保護膜である。まず
基材(18〕 に硬質膜(1b)を形成して基板fl
)を得(第6図8)基板(1)表面に凹凸を付は表面粗
さを大きくする(第6図b)。今まで所望の表面粗さの
山気ディスク(5)を得るには、基板(1)にテクスチ
ャー法によシ同心円状に溝を付けるのが普通であった。
このテクスチャー法は一般に基板(11を回転させその
上に研磨テープ等を押し付けることによ−り形成する。
上に研磨テープ等を押し付けることによ−り形成する。
次に、テクスチャーにより凹凸を形成された基板(1)
上に磁気記録用の磁性膜(2)をメツキ、スパンタ法等
で形成しく第6図C)、さらに硬質炭素保護膜(3)を
磁性膜(2)上に層状成長させ磁気ディスク(5)を製
造する(第6図d)。
上に磁気記録用の磁性膜(2)をメツキ、スパンタ法等
で形成しく第6図C)、さらに硬質炭素保護膜(3)を
磁性膜(2)上に層状成長させ磁気ディスク(5)を製
造する(第6図d)。
以上のように、従来は磁気ディスクに凹凸を付ける方法
として基板にテクスチャー加工によシ凹凸を付けていた
。
として基板にテクスチャー加工によシ凹凸を付けていた
。
ところが、テクスチャー法では基板に所望の凹凸を任意
に形成するのが難しく1面内及びディスク間のバラツキ
が大きい、良い再現性が得にくい等の作成上の問題点が
あった。また記録再生が高密度になってくると基板(1
)の凹凸と同じに磁性膜(2)にも凹凸があるために信
号出力の変動が大きくなシ無ネ即できないという問題点
があった。
に形成するのが難しく1面内及びディスク間のバラツキ
が大きい、良い再現性が得にくい等の作成上の問題点が
あった。また記録再生が高密度になってくると基板(1
)の凹凸と同じに磁性膜(2)にも凹凸があるために信
号出力の変動が大きくなシ無ネ即できないという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、所望の凹凸を再現性良く形成し、磁気ヘッド
スライダと磁気ディスクの吸着を防止するとともに、良
好な再生出力が得られる磁気ディスクを製造する方法を
得ることを目的とする。
たもので、所望の凹凸を再現性良く形成し、磁気ヘッド
スライダと磁気ディスクの吸着を防止するとともに、良
好な再生出力が得られる磁気ディスクを製造する方法を
得ることを目的とする。
この発明の磁気ディスクの製造方法は、気相成長法で硬
質炭素保護膜を島状に形成するものであ為。
質炭素保護膜を島状に形成するものであ為。
この発明においては硬質炭素保護膜を島状に形成してデ
ィスク表面に凸部を設はディスク表面を粗くしているの
で、磁気へラドスライダと磁気ディスクの吸着を防止で
きる。また所望の表面粗さを硬質炭素保護膜の成膜条件
を調整して得られるので粗さの再現性が向上する。さら
に基板にテクスチャー加工を施さないので作業性が良(
なるとともに磁性膜が平滑でスペーシングロスの変動が
生じないので安定した再生用力が得られる。
ィスク表面に凸部を設はディスク表面を粗くしているの
で、磁気へラドスライダと磁気ディスクの吸着を防止で
きる。また所望の表面粗さを硬質炭素保護膜の成膜条件
を調整して得られるので粗さの再現性が向上する。さら
に基板にテクスチャー加工を施さないので作業性が良(
なるとともに磁性膜が平滑でスペーシングロスの変動が
生じないので安定した再生用力が得られる。
第1図(a)〜(clけこの発明の一実施例の磁気ディ
スクの製造方法を工程順に示す断面構成図である。
スクの製造方法を工程順に示す断面構成図である。
図において、(1)はAt−Mg合金等の基材(1a)
と硬質膜(1b)、この場合けNl −Cu−P下地膜
で構成された基板、(2)は記録再生をするための磁性
1回でこの場合けγ−F。2031寞、(3)は磁性膜
+21上に気相成長法で島状に形成した硬質炭素膜であ
る。
と硬質膜(1b)、この場合けNl −Cu−P下地膜
で構成された基板、(2)は記録再生をするための磁性
1回でこの場合けγ−F。2031寞、(3)は磁性膜
+21上に気相成長法で島状に形成した硬質炭素膜であ
る。
CvD装置で硬質炭素膜を成膜する場合、一般にエタン
やメタンガスを用いる。この材料ガスの濃度を低くして
やると2次結晶核発生が少な(なる。2次結晶核が発生
すると核同志が結合して連続膜となってしまう。そこで
2次結晶核発生で連続膜になる前に成膜をやめると硬質
炭素膜が島状に形成でき、膜厚がそのオまディスクの表
面粗さとなる。
やメタンガスを用いる。この材料ガスの濃度を低くして
やると2次結晶核発生が少な(なる。2次結晶核が発生
すると核同志が結合して連続膜となってしまう。そこで
2次結晶核発生で連続膜になる前に成膜をやめると硬質
炭素膜が島状に形成でき、膜厚がそのオまディスクの表
面粗さとなる。
第2図は下地表面への硬質炭素膜の島状成長と@厚の関
係を示すもので粒子数(材料ガスの濃度)と膜厚の関係
及び2次結晶核発生を説明する説明図である。
係を示すもので粒子数(材料ガスの濃度)と膜厚の関係
及び2次結晶核発生を説明する説明図である。
この実施例の磁気ディスク//′i基材(1a)に硬質
膜(1b)を形成して基板(1)を作製しく@1図’L
磁性膜(2)を形成した(第1図b)。次いで炭素水素
濃度1%以下で、この場合は0.5%以下で硬質炭素保
護膜を200人成膜したところ、硬質炭素保護rf!X
(3)が島状に形成され、良好な表面粗さR2=200
大の磁気ディスクが得られた(第1図C)。
膜(1b)を形成して基板(1)を作製しく@1図’L
磁性膜(2)を形成した(第1図b)。次いで炭素水素
濃度1%以下で、この場合は0.5%以下で硬質炭素保
護膜を200人成膜したところ、硬質炭素保護rf!X
(3)が島状に形成され、良好な表面粗さR2=200
大の磁気ディスクが得られた(第1図C)。
どのように、この実施例では硬質炭素保護膜の成膜条件
を調整することにより、簡便に所望の表面粗さの磁気デ
ィスクを再現性良く形成でき、磁気ヘッドスライダの吸
着を防止できるとともに。
を調整することにより、簡便に所望の表面粗さの磁気デ
ィスクを再現性良く形成でき、磁気ヘッドスライダの吸
着を防止できるとともに。
基板にテクスチャー加工を施しておらず、磁性膜に凹凸
がな(平滑でスペーシングロスの変動が生じず、安定し
た再現出力が得られた。
がな(平滑でスペーシングロスの変動が生じず、安定し
た再現出力が得られた。
じず1.上記実施例では磁性膜上に直接硬質炭素保護膜
を炭素水素ガス濃度を低くして島状に成膜する場合につ
いて説明したが、磁性膜上に膜が介在していてもよいし
、基板に硬質膜がな(てもよく同様の効果を奏する。
を炭素水素ガス濃度を低くして島状に成膜する場合につ
いて説明したが、磁性膜上に膜が介在していてもよいし
、基板に硬質膜がな(てもよく同様の効果を奏する。
さらに上記実施例で得られた磁気ディスク上に潤滑油炭
素膜などの固体潤滑剤や液体潤滑剤などを付着するよう
にしてもよい。
素膜などの固体潤滑剤や液体潤滑剤などを付着するよう
にしてもよい。
〔発明の効果〕 ゛
以上のように、この発明によれば、気相成長法で硬質炭
素保護膜を島状に形成することにより。
素保護膜を島状に形成することにより。
所望の表面粗さの磁気ディスクを簡便に再現性良く得ら
れ、S気ヘントスライダとの吸着を防止できるだけでな
く、良好な再生出力を有する磁気ディスクが得られる効
果がある。
れ、S気ヘントスライダとの吸着を防止できるだけでな
く、良好な再生出力を有する磁気ディスクが得られる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(81〜(C)けこの発明の一実施例の磁気ディ
スクの製造方法を工程順に示す断面構成図、第2図はこ
の発明に係わる粒子数と膜厚の関係を示す説明1ス、第
3興は一般的な磁気ディスク装置を示す断面構成図、第
4図は第3図の装置稼動時の要部拡大断面構成図、第5
図は第3図の装置停止時の要部拡大断面構成図、第6図
(8)〜(d)け従来の磁気ディスクの製造方法を工程
順に示す断面構成図である。 図において、(1)は基板、(2)は磁性膜、(3)は
島状に形成した硬質炭素保護膜、(5)は磁気ディスク
である。 なお1図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
スクの製造方法を工程順に示す断面構成図、第2図はこ
の発明に係わる粒子数と膜厚の関係を示す説明1ス、第
3興は一般的な磁気ディスク装置を示す断面構成図、第
4図は第3図の装置稼動時の要部拡大断面構成図、第5
図は第3図の装置停止時の要部拡大断面構成図、第6図
(8)〜(d)け従来の磁気ディスクの製造方法を工程
順に示す断面構成図である。 図において、(1)は基板、(2)は磁性膜、(3)は
島状に形成した硬質炭素保護膜、(5)は磁気ディスク
である。 なお1図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 気相成長法で硬質炭素保護膜を島状に形成する磁気ディ
スクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63101669A JPH01273219A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63101669A JPH01273219A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01273219A true JPH01273219A (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=14306775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63101669A Pending JPH01273219A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | 磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01273219A (ja) |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP63101669A patent/JPH01273219A/ja active Pending
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