JPH01273154A - Storage device with ecc circuit - Google Patents

Storage device with ecc circuit

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Publication number
JPH01273154A
JPH01273154A JP63102007A JP10200788A JPH01273154A JP H01273154 A JPH01273154 A JP H01273154A JP 63102007 A JP63102007 A JP 63102007A JP 10200788 A JP10200788 A JP 10200788A JP H01273154 A JPH01273154 A JP H01273154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ecc
check
bit
data
data storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63102007A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Chiharu Sato
千春 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP63102007A priority Critical patent/JPH01273154A/en
Publication of JPH01273154A publication Critical patent/JPH01273154A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To execute at a high speed a read operation for an area which does not necessitate an ECC (Error Correct Code) check by providing an ECC check enable bit storage part and designating whether it is necessary to execute the ECC check or not at every prescribed area unit of a data storage part. CONSTITUTION:The title device is provided with an ECC check enable bit storage part 4 for storing a bit for designating whether an ECC check is to be executed or not at every prescribed area unit of a data storage part 2. In this state, by the bit for designating whether a check of an ECC error is necessary or unnecessary which has been given at a prescribed area unit of a data storage part 2, an area to which the ECC error check is not required is designated. In such a way, the time for the ECC check at the time of read of this area becomes unnecessary, and the read operation can be executed at a higher speed.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、 E CC(E rror Corrae
t Code)回路を備え、メモリアレイのエラー検出
を行うECC回路付記憶装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] This invention is based on E CC (Error Corrae
The present invention relates to a storage device with an ECC circuit that is equipped with an ECC circuit that detects errors in a memory array.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は[インターフェースJ NQ87.P245−
P250 (発行元、CQ出版社、発行日、1984年
8月)に示された従来のEccチェック回路を含む記憶
装置のブロック図であり、図において1はメモリアレイ
、2はこのメモリアレイ1内に設けられていると共に、
各種データが書込まれるデータ記憶部、3はメモリアレ
イ1内に設けられていると共に、データ記憶部2に記憶
されるデータ毎に付加されるチェックピットを記憶する
チェックピット記憶部、5はデータ記憶部2がらのデー
タにつき、チェックピット記憶部3がらのチェックピッ
トの情報を基にシングルビットエラー、ダブルビットエ
ラーを検出し、それぞれ信号SEP (シングルビット
エラーフラグ)、信号DEF(ダブルビットエラーフラ
グ)を出力するECCエラー検出部、6はメモリアレイ
1内のデータ記憶部2.チェックピット記憶部3のデー
タの読出し、書込み動作を制御し、アドレスデータ、信
号RAS (Low Address 5trobe)
 、信号CAS (Column Address 5
trobe) 、信号WE(Write E nabl
e)を該メモリアレイ1に出力するメモリ制御部である
FIG. 3 shows [Interface J NQ87. P245-
This is a block diagram of a storage device including a conventional Ecc check circuit shown in P250 (Publisher: CQ Publishing, Publication date: August 1984). In addition to the
A data storage section 3 is provided in the memory array 1 in which various data are written, and a check pit storage section 5 stores check pits added to each data stored in the data storage section 2. Single bit errors and double bit errors are detected based on the check pit information in the check pit storage unit 3 for the data in the storage unit 2, and a signal SEP (single bit error flag) and a signal DEF (double bit error flag) are detected, respectively. ); 6 is a data storage unit 2 in the memory array 1; Controls read and write operations of data in the check pit storage unit 3, and provides address data and signal RAS (Low Address 5trobe)
, signal CAS (Column Address 5
, signal WE (Write E nabl)
e) to the memory array 1.

次に、第4図のタイミング図を参照して、動作を説明す
る。データの書込み時には、先ず、メモリ制御部6は信
号WEを“L”とする、そしてECCエラー検出部5は
、確定したデータのチェックビットを生成する。さらに
、メモリ制御部6は、アドレス線に時分割で発生する行
アドレス(上位アドレス)と列アドレス(下位アドレス
)が確定する時点で信号RASと信号CASLとを“L
”とする、データ記憶部2とチェックビット記憶部3は
、信号RASLが“L 7+となるタイミングで行アド
レスを入力し、そして信号CASLが“L Hとなるタ
イミングで行アドレスの入力および、データまたは、チ
ェックピットの書込みを行なう。
Next, the operation will be explained with reference to the timing chart shown in FIG. When writing data, first, the memory control section 6 sets the signal WE to "L", and the ECC error detection section 5 generates a check bit for the confirmed data. Furthermore, the memory control unit 6 lowers the signal RAS and the signal CASL to "L" at the time when the row address (upper address) and column address (lower address) generated on the address lines in a time-division manner are determined.
”, the data storage unit 2 and check bit storage unit 3 input the row address at the timing when the signal RASL becomes “L7+”, and input the row address and input the data at the timing when the signal CASL becomes “LH”. Alternatively, write check pits.

一方、読出し時には、メモリ制御部6は、信号WEを“
H”としたままで、前記書込み時と同様のタイミングで
信号RASと信号CASを“L”とする、この動作によ
り、データ記憶部2とチェックピット記憶部3よりデー
タまたは、チェックピットが出力される。ECCエラー
検出部5は、データ記憶部2より読出されたデータとチ
ェックピットを入力し、1ビツトエラーと2ビツトエラ
ーの検出を行ない、1ビツトのエラーがある場合には、
信号SEPを“L”にし、2ビツトのエラーが発生した
場合には信号DEFを“L”にする。
On the other hand, during reading, the memory control unit 6 outputs the signal WE as “
With this operation, the signal RAS and the signal CAS are set to "L" at the same timing as the writing time while the data is kept at "H", and data or check pits are output from the data storage section 2 and the check pit storage section 3. The ECC error detection section 5 inputs the data read out from the data storage section 2 and the check pit, and detects 1-bit errors and 2-bit errors.If there is a 1-bit error,
The signal SEP is set to "L", and when a 2-bit error occurs, the signal DEF is set to "L".

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

従来のECC回路付記憶装置は以上のように構成されて
いるので、データ記憶部2の全領域について、読取リサ
イクルにおいて、1ビツトエラー、2ビツトエラーの検
出を行なっており、したがって、特にECCチェックを
必要としない領域の読取りの場合でも、1ビツトエラー
、2ビツトエラーの検出のための時間が必要になり、そ
のため、このような領域を使用した処理速度の低下をま
ねくという問題点があった。
Since the conventional storage device with an ECC circuit is configured as described above, 1-bit errors and 2-bit errors are detected during read recycling for the entire area of the data storage section 2, and therefore, an ECC check is especially necessary. Even in the case of reading an area that does not contain data, it takes time to detect a 1-bit error or a 2-bit error, which causes a problem in that the processing speed using such an area decreases.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ECCチェックを行わない領域に対する読取
り速度をあげて、ECCチェックの処理速度をアップで
きるECC回路付記憶装置を得ることを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a storage device with an ECC circuit that can increase the processing speed of ECC checks by increasing the reading speed of areas where ECC checks are not performed. shall be.

[課題を解決するための手段〕 この発明に係るECC回路付記憶装置は、データ記憶部
の所定領域単位ごとにECCチェックを行なうか否かを
指定するビットを記憶するECCチェックイネーブルビ
ット記憶部を設け、所定領域ごとに、ECCチェックを
行なう場合と、行なわない場合の記憶部制御方法をきり
かえることにより、ECCチェックを行なわない領域に
対する読取り速度を高速に行なえるようにしたものであ
る。
[Means for Solving the Problems] A storage device with an ECC circuit according to the present invention includes an ECC check enable bit storage section that stores a bit specifying whether or not to perform an ECC check for each predetermined area unit of a data storage section. By changing the storage unit control method for each predetermined area between the case where the ECC check is performed and the case where the ECC check is not performed, the reading speed for the area where the ECC check is not performed can be increased.

〔作用〕[Effect]

この発明におけるECC回路付記憶装置は、ECCチェ
ックイネーブルビット記憶部に記憶されている。データ
記憶部の所定領域単位に付与された、ECCエラーのチ
ェックの要、不要を指定するビットにより、ECCエラ
ーチェックの必要のない領域を指定し、この領域の読取
り時のECCチェックのための時間を不要として、より
高速な読取り動作を可能とする。
In the storage device with an ECC circuit according to the present invention, the ECC check enable bit is stored in the ECC check enable bit storage section. A bit that specifies whether ECC error checking is necessary or unnecessary is assigned to each predetermined area of the data storage unit to specify an area that does not require ECC error checking, and the time required for ECC checking when reading this area. This eliminates the need for faster read operations.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する0図中
、第3図と同一の部分は同一の符号をもって図示した第
1図において、4はデータ記憶部2の所定領域としての
、所謂メモリアレイその一定領域の単位毎に、ECCチ
ェックを行うか否かを指定するビットを記憶するECC
チェックイネーブルビット記憶部である。したがって、
ECCチェックイネーブルビット記憶部4には、メモリ
制御部6からECCチェックイネーブルビットが書込ま
れる。また、第2図は第1図の回路の読取り動作を示す
タイミング図である。
Hereinafter, one embodiment of the present invention will be explained with reference to the drawings. In FIG. 1, the same parts as in FIG. An ECC that stores a bit that specifies whether or not to perform an ECC check for each unit of a certain area of the array.
This is a check enable bit storage unit. therefore,
An ECC check enable bit is written into the ECC check enable bit storage section 4 from the memory control section 6. Further, FIG. 2 is a timing diagram showing a read operation of the circuit of FIG. 1.

次に、動作について説明する。ECCチェックイネーブ
ルビット記憶部4には、上記データ記憶部2のメモリア
レイの一定の領域単位毎に、1ビツトECCチ玉ツクイ
ネーブル情報(即ち、ECCチェックイネーブルビット
)を記憶するアドレスが割り付けられている。この割付
は方法は、例えば、データ記憶部2の容量がLM (2
”)バイトであり、20ビツトのアドレスA、〜A1.
で1つのデータをアドレスする記憶装置であって、1x
 (21@ )バイト単位に、上記ECCチェックイネ
ーブル情報を付与する場合を例とすると、この場合には
、全部で216個の領域に対して、上記ECCチェック
イネーブル情報を付与することになり、データ記憶部2
のアドレスの上位10ビツト(A1゜〜A1.)をEC
Cチェックイネーブルビット記憶部4に与えることによ
り、対応するメモリアレイの全領域に対するECCチェ
ックイネーブルビットを得ることができる。即ち、この
ようなECCチェックイネーブル情報を、ECCチェッ
クイネーブルビット記憶部4の全領域に対して、あらか
じめ、例えば“1” (“H”)でECCチェックを行
なう“0” (“L″)でECCチェックを行なわない
として書き込んでおく。
Next, the operation will be explained. The ECC check enable bit storage section 4 is assigned an address for storing 1-bit ECC check enable information (that is, an ECC check enable bit) for each fixed area unit of the memory array of the data storage section 2. There is. This allocation can be done, for example, if the capacity of the data storage unit 2 is LM (2
”) bytes, with 20-bit addresses A, ~A1 .
A storage device that addresses one piece of data in 1x
(21@) Taking as an example the case where the above ECC check enable information is attached in byte units, in this case, the above ECC check enable information will be attached to a total of 216 areas, and the data Storage part 2
EC the upper 10 bits (A1° to A1.) of the address of
By applying the ECC check enable bit to the C check enable bit storage unit 4, it is possible to obtain the ECC check enable bit for the entire area of the corresponding memory array. That is, such ECC check enable information is set in advance to the entire area of the ECC check enable bit storage unit 4, for example, by setting it to "0"("L") to perform the ECC check with "1"("H"). Write it as not performing ECC check.

第2図は、ECCチェックを行なう場合と行なわない場
合の読取り動作のタイミングを示したものである。デー
タ記憶部2とチェックビット記憶部3にはDRAMが用
いられており、またECCチェックイネーブルビット記
憶部4には、DRAMよりも高速にデータの読取りが可
能なスタティックRAM (SRAM)等を用いる。し
がして、ECCチェックを行なう場合は、読取り動作で
FIG. 2 shows the timing of a read operation with and without ECC checking. A DRAM is used for the data storage section 2 and the check bit storage section 3, and a static RAM (SRAM) or the like is used for the ECC check enable bit storage section 4, which can read data faster than DRAM. However, if you want to perform an ECC check, do so on a read operation.

ECCチェックイネーブルビット記憶部4にアドレスの
上位のA1゜〜A1.が与えられることにより、データ
とチェックビットが確定する前に対応する領域のECC
チェックイネーブルビットが81111(“H″)とし
て確定する。この情報はメモリ制御部6に入力され、E
CCチェックを終了するまで、すなわち、信号SEPと
信号DEFが確定するまで、待って、エラーのない場合
は、読取り動作を終了する。つまり、ECCチェックピ
ットが“1” (“H”)である場合は、従来のFCC
回路付記憶装置の動作と同様である。
The ECC check enable bit storage unit 4 stores the upper addresses A1° to A1. is given, the ECC of the corresponding area before the data and check bits are determined.
The check enable bit is determined as 81111 (“H”). This information is input to the memory control unit 6 and
It waits until the CC check is completed, that is, until the signals SEP and DEF are confirmed, and if there is no error, the read operation is ended. In other words, if the ECC check pit is “1” (“H”), the conventional FCC
The operation is similar to that of a memory device with circuit.

他方、ECCチェックを行なわない場合は、読取り動作
において、データとチェックピットが確定する以前に、
対応する領域のECCチェックイネーブルビットが“0
” (“L”)として確定する。この情報により、メモ
リ制御部6はデータが確定した後、ECCチェックの終
了を待たずに読取り動作を終了する。
On the other hand, if the ECC check is not performed, before the data and check pits are determined during the read operation,
The ECC check enable bit of the corresponding area is “0”
” (“L”). Based on this information, the memory control unit 6 finishes the read operation after the data is fixed without waiting for the end of the ECC check.

尚、上記実施例では、ECCチェックイネーブルビット
記憶部をメモリ素子により構成したが。
Incidentally, in the above embodiment, the ECC check enable bit storage section is constituted by a memory element.

スイッチ等のハードウェアにより指定してもよい。It may also be specified by hardware such as a switch.

また、ECCチェックイネーブルビットは1ビツトでな
く信頼性を向上するために複数ビットを用い、冗長性を
与えてもよい。
Furthermore, the ECC check enable bit is not just one bit, but a plurality of bits may be used to improve reliability and provide redundancy.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば、FCC回路付記憶装
置を、ECCチェックイネーブルビット記憶部を設ける
ことにより、データ記憶部の所定領域単位ごとにECC
チェック実行の有無を指定できるように構成したので、
データ記憶部の内部の各領域につき、ECCチェックを
行う領域と行わない領域とを指定でき、これにより、E
CCチェックを必要としない領域の読取り動作をより高
速に行うことができる効果がある。
As described above, according to the present invention, by providing the ECC check enable bit storage section in the storage device with an FCC circuit, the ECC check enable bit storage section is provided.
Since I configured it so that I can specify whether or not to execute the check,
For each area inside the data storage unit, you can specify areas where ECC checking is performed and areas where ECC checking is not performed.
This has the effect that reading operations in areas that do not require CC checking can be performed faster.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の一実施例にょるEcc回路付記憶
装置の回路ブロック図、第2図は第1図の回路の動作を
示すタイミング図、第3図は従来のFCC回路付記憶装
置の回路ブロック図、第4図は第3図の回路の動作を示
すタイミング図である。 2・・・データ記憶部、3・・・チェックピット記憶部
、4・・・ECCチェックイネーブルビット記憶部、5
・・・ECCエラー検出部。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 特許出願人  三菱電機株式会社 r −−−−−−−−−−−一一−−コ第2図 r−−−−= −−−−−一一−−−1第4図 盲毫tし動作 WEゝH′I EF
FIG. 1 is a circuit block diagram of a storage device with an ECC circuit according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a timing diagram showing the operation of the circuit in FIG. 1, and FIG. 3 is a conventional storage device with an FCC circuit. FIG. 4 is a timing diagram showing the operation of the circuit of FIG. 3. 2... Data storage section, 3... Check pit storage section, 4... ECC check enable bit storage section, 5
...ECC error detection section. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts. Patent Applicant: Mitsubishi Electric Corporation r ------------11--Co Figure 2 r-----= ------11--1 Figure 4 Blind Screen t Operation WEゝH'I EF

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] データ記憶部と、このデータ記憶部に記憶されるデータ
毎に付加されるチェックビットを記憶するチェックビッ
ト記憶部と、上記データ記憶部から読出したデータの単
数ビットまたは、複数ビットのエラーを検出するECC
エラー検出部とを備えたECC回路付記憶装置において
、上記データ記憶部の所定領域単位ごとにECCチェッ
クを行なうか否かを指定するビットを記憶するECCチ
ェックイネーブルビット記憶部を備え、上記所定領域ご
とにECCチェック実行の要、不要を指定して、ECC
チェックを行なわない領域での読出し動作の高速化を可
能としたことを特徴とするECC回路付記憶装置。
a data storage unit; a check bit storage unit that stores check bits added to each data stored in the data storage unit; and a check bit storage unit that detects an error in a single bit or multiple bits of data read from the data storage unit. E.C.C.
The storage device with an ECC circuit includes an ECC check enable bit storage section that stores a bit specifying whether or not to perform an ECC check for each predetermined area unit of the data storage section, Specify whether ECC check is necessary or not for each
A storage device with an ECC circuit, characterized in that it is possible to speed up read operations in areas where no checking is performed.
JP63102007A 1988-04-25 1988-04-25 Storage device with ecc circuit Pending JPH01273154A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04248198A (en) * 1991-01-24 1992-09-03 Mitsubishi Electric Corp Portable type semiconductor storage device
JP2007133986A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Nec Electronics Corp Semiconductor memory
JP2007305267A (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Toshiba Corp Semiconductor storage device
JP2010092574A (en) * 2008-10-12 2010-04-22 Kyoto Software Research Inc Error correction function of flash file system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04248198A (en) * 1991-01-24 1992-09-03 Mitsubishi Electric Corp Portable type semiconductor storage device
JP2007133986A (en) * 2005-11-11 2007-05-31 Nec Electronics Corp Semiconductor memory
US7810016B2 (en) 2005-11-11 2010-10-05 Nec Electronics Corporation Semiconductor storage device equipped with ECC function
JP2007305267A (en) * 2006-05-15 2007-11-22 Toshiba Corp Semiconductor storage device
JP2010092574A (en) * 2008-10-12 2010-04-22 Kyoto Software Research Inc Error correction function of flash file system

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