JPH01270336A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01270336A JPH01270336A JP63099388A JP9938888A JPH01270336A JP H01270336 A JPH01270336 A JP H01270336A JP 63099388 A JP63099388 A JP 63099388A JP 9938888 A JP9938888 A JP 9938888A JP H01270336 A JPH01270336 A JP H01270336A
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造技術、特に、ペレットの放
熱性能の向上技術に関するもので、例えば、多ピン、低
熱抵抗で、小型かつ低価格化が要求される半導体集積回
路装置（以下、ＩＣという。
熱性能の向上技術に関するもので、例えば、多ピン、低
熱抵抗で、小型かつ低価格化が要求される半導体集積回
路装置（以下、ＩＣという。
）に利用して有効なものに関する。
一般に、所謂パワーＩＣ等のような消費電力が大きいＩ
Ｃにおいては、樹脂封止パッケージにヒートシンクを内
蔵することが行われている。ヒートシンクがパッケージ
に内蔵される場合、通常、ヒートシンクはペレットがボ
ンディングされているタブの裏面に機械的かつ熱的に結
合されることになる。
Ｃにおいては、樹脂封止パッケージにヒートシンクを内
蔵することが行われている。ヒートシンクがパッケージ
に内蔵される場合、通常、ヒートシンクはペレットがボ
ンディングされているタブの裏面に機械的かつ熱的に結
合されることになる。
なお、ヒートシンクが内蔵されているパワーＩＣを述べ
である例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マイ
クロデバイセズ阻２」昭和５９年６月１１日発行 Ｐ１
３５、がある。
である例としては、日経マグロウヒル社発行「別冊マイ
クロデバイセズ阻２」昭和５９年６月１１日発行 Ｐ１
３５、がある。
また、低価格で、作業性良くして、薄形の実装を実現す
るためのパッケージを備えているＩＣとして、ペレット
とリード群とがテープ・オートメイテッド・ボンディン
グ（Ｔａｐｅ ＡｕＬｏｍａｇｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ：ＴＡＢ）により機械的かつ電気的に接続されるよう
に構成されているもの（以下、ＴＡＢ構造のＩＣという
ことがある。
るためのパッケージを備えているＩＣとして、ペレット
とリード群とがテープ・オートメイテッド・ボンディン
グ（Ｔａｐｅ ＡｕＬｏｍａｇｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ：ＴＡＢ）により機械的かつ電気的に接続されるよう
に構成されているもの（以下、ＴＡＢ構造のＩＣという
ことがある。
）がある、すなわち、リード群はポリイミド等のような
絶縁性樹脂からなるキャリアテープ上に銅等のような導
電材料により形成されている。ペレットはこのテープに
形成されているサポートリング内に各バンブが各リード
に整合するように配されて、バンブおよびリードをボン
ディング工具により熱圧着されることによって接続され
る。その後、封止樹脂がサポートリング、リードおよび
ペレットを封止するようにボッティングされることによ
り、樹脂封止パッケージが成形される。
絶縁性樹脂からなるキャリアテープ上に銅等のような導
電材料により形成されている。ペレットはこのテープに
形成されているサポートリング内に各バンブが各リード
に整合するように配されて、バンブおよびリードをボン
ディング工具により熱圧着されることによって接続され
る。その後、封止樹脂がサポートリング、リードおよび
ペレットを封止するようにボッティングされることによ
り、樹脂封止パッケージが成形される。
なお、ＴＡＢ技術を述べである例としては、株式会社工
業調査会発行「電子材料１９８７年１１月号別冊」昭和
６２年１１月２０日発行Ｐ１３０〜Ｐ１３６、がある。
業調査会発行「電子材料１９８７年１１月号別冊」昭和
６２年１１月２０日発行Ｐ１３０〜Ｐ１３６、がある。
しかし、前述したように、ＩＣのパッケージにヒートシ
ンクを内蔵する技術は、パッケージの外形的制限を受け
るため、パッケージの外形についての設計に自由度のあ
るピン（リード）数の少ないＩＣにのみ適用されている
のが現状である。
ンクを内蔵する技術は、パッケージの外形的制限を受け
るため、パッケージの外形についての設計に自由度のあ
るピン（リード）数の少ないＩＣにのみ適用されている
のが現状である。
そして、ペレットがボンディングされるタブはリードフ
レームに一体的に形成されており、このリードフレーム
はリードの機械的強度を確保する必要上、ばね材料（鉄
−ニッケル合金、４２７０イ、コバール、燐青ｗ４）等
を用いて製作されているため、その材質上熱伝導性が低
く、ペレットからヒートシンクへの熱伝達効率を低下さ
せてしまうという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。
レームに一体的に形成されており、このリードフレーム
はリードの機械的強度を確保する必要上、ばね材料（鉄
−ニッケル合金、４２７０イ、コバール、燐青ｗ４）等
を用いて製作されているため、その材質上熱伝導性が低
く、ペレットからヒートシンクへの熱伝達効率を低下さ
せてしまうという問題点があることが、本発明者によっ
て明らかにされた。
また、前述したようなＴＡＢ構造のＩＣにおいて、消費
電力が大きい場合、ヒートシンクを付設することが考え
られるが、前述したようなＴＡＢ構造のＩＣの構成上の
特徴から、ヒートシンクの付設については多くの制限が
あるため、極一部のコンピュータの中央処理ユニットに
使用されるＩＣにしか通用されていないのが現状である
。
電力が大きい場合、ヒートシンクを付設することが考え
られるが、前述したようなＴＡＢ構造のＩＣの構成上の
特徴から、ヒートシンクの付設については多くの制限が
あるため、極一部のコンピュータの中央処理ユニットに
使用されるＩＣにしか通用されていないのが現状である
。
そして、ＴＡＢ構造のＩＣにおいては、ペレットにリー
ド群が直接的にボンディングされているため、このヒー
トシンクが付設されたＩＣがプリント配線基板に実装さ
れた後において、移送中の振動等による外力がこのＩＣ
に加わると、リード曲がり事故が起き易く、短絡不良や
、断線不良等が発生するという問題点があることが、本
発明者によって明らかにされた。
ド群が直接的にボンディングされているため、このヒー
トシンクが付設されたＩＣがプリント配線基板に実装さ
れた後において、移送中の振動等による外力がこのＩＣ
に加わると、リード曲がり事故が起き易く、短絡不良や
、断線不良等が発生するという問題点があることが、本
発明者によって明らかにされた。
しかし、ＩＣの多機能化、高集積化、高速化が進む最近
、ピン数の多いＩＣについても、熱放散性の良好なヒー
トシンク内蔵形パッケージを備えているＩＣの開発が要
望されている。
、ピン数の多いＩＣについても、熱放散性の良好なヒー
トシンク内蔵形パッケージを備えているＩＣの開発が要
望されている。
本発明の第１の目的は、高い放熱性能を有する半導体装
置の製造方法を提供することにある。
置の製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、生産性および実装性が良好で、
かつ低価格にして、小型化および多ビン化を促進するこ
とができるとともに、高い放熱性能を有する半導体装置
の製造方法を提供することにある。
かつ低価格にして、小型化および多ビン化を促進するこ
とができるとともに、高い放熱性能を有する半導体装置
の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、次の通りである。
を説明すれば、次の通りである。
すなわち、ヒートシンク内蔵形の樹脂封止パッケージを
備えている半導体装置の製造方法において、前記ヒート
シンクが専用平面形状構造物に取り付けられる工程と、
電気的接続用のリード群が一体化されている構造物に前
記専用平面形状構造物が組み合わされる工程と、前記ヒ
ートシンクにペレットがボンディングされる工程と、ペ
レットが前記リード群に電気的に接続される工程と、前
記樹脂封止パッケージが前記ペレット、前記リード群の
一部、および前記ヒートシンクの少なくとも一部を樹脂
封止するように成形される工程とを具備するようにした
ものである。
備えている半導体装置の製造方法において、前記ヒート
シンクが専用平面形状構造物に取り付けられる工程と、
電気的接続用のリード群が一体化されている構造物に前
記専用平面形状構造物が組み合わされる工程と、前記ヒ
ートシンクにペレットがボンディングされる工程と、ペ
レットが前記リード群に電気的に接続される工程と、前
記樹脂封止パッケージが前記ペレット、前記リード群の
一部、および前記ヒートシンクの少なくとも一部を樹脂
封止するように成形される工程とを具備するようにした
ものである。
前記した手段によれば、ペレットにヒートシンクがタブ
を介さずに直接的に接触されているため、ペレットの発
熱はこのヒートシンクを経て外部に直接的に放出される
ことになり、充分な放熱性能が確保される。
を介さずに直接的に接触されているため、ペレットの発
熱はこのヒートシンクを経て外部に直接的に放出される
ことになり、充分な放熱性能が確保される。
しかも、ペレットがヒートシンクに電気的接続用のリー
ドとは別体の専用平面形状構造物によってボンディング
されるため、ヒートシンクは電気的接続用のリード群と
は別に熱伝導性の良好な材料を用いて構成することがで
きる。したがって、所望に応じて熱伝導性の良好な材料
を選定することにより、前記放熱性能をより一層高める
ことができる。他方、リード群は機械的強度の大きい材
料を用いて形成することができるため、リード群の曲が
りや破損等を防止することができる。
ドとは別体の専用平面形状構造物によってボンディング
されるため、ヒートシンクは電気的接続用のリード群と
は別に熱伝導性の良好な材料を用いて構成することがで
きる。したがって、所望に応じて熱伝導性の良好な材料
を選定することにより、前記放熱性能をより一層高める
ことができる。他方、リード群は機械的強度の大きい材
料を用いて形成することができるため、リード群の曲が
りや破損等を防止することができる。
また、ペレット、リード群およびヒートシンクは樹脂封
止パッケージにより樹脂封止されているため、この半導
体装置がプリント配線基板に実装される時や、実装され
た後において、移送中の振動等による外力がこの半導体
装置に加わつた場合においても、リード曲がり等のよう
な事故が起きるのを防止することができ、その結果、短
絡不良や、断線不良の発生のを未然に回避することがで
きる。
止パッケージにより樹脂封止されているため、この半導
体装置がプリント配線基板に実装される時や、実装され
た後において、移送中の振動等による外力がこの半導体
装置に加わつた場合においても、リード曲がり等のよう
な事故が起きるのを防止することができ、その結果、短
絡不良や、断線不良の発生のを未然に回避することがで
きる。
〔実施例１〕
第１図（ａ）、（ハ）は本発明の一実施例である半導体
装置の製造方法により製造された樹脂封止形ＳＯＰ・Ｉ
Ｃを示す正面断面図および側面断面図、第２図〜第８図
は本発明の一実施例であるその５ＯＰ−ＩＣの製造方法
を示す各説明図である。
装置の製造方法により製造された樹脂封止形ＳＯＰ・Ｉ
Ｃを示す正面断面図および側面断面図、第２図〜第８図
は本発明の一実施例であるその５ＯＰ−ＩＣの製造方法
を示す各説明図である。
本実施例において、本発明にかかる半導体装ｌは、高密
度実装を実現するための半導体集積回路装置（以下、Ｉ
Ｃという、）である樹脂封止形スモール・アウト・ライ
ン・パッケージを備えているＩＣ（以下、５ＯＰ−ＩＣ
，または、単に、ＩＣということがある。）として構成
されている。
度実装を実現するための半導体集積回路装置（以下、Ｉ
Ｃという、）である樹脂封止形スモール・アウト・ライ
ン・パッケージを備えているＩＣ（以下、５ＯＰ−ＩＣ
，または、単に、ＩＣということがある。）として構成
されている。
この樹脂封止形ＳＯＰ・ＩＣはシリコン半導体ベレット
（以下、ペレットという、）と、ペレットの周囲に配設
されている複数本のリードと、ペレットの各電極および
各リードにその両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡されているボンディングワイヤと、ペレットがボンデ
ィングされているヒートシンクと、これらを樹脂封止す
るパッケージとを備えており、このＳＯＰ・ＩＣは次の
ような製造方法により製造されている。
（以下、ペレットという、）と、ペレットの周囲に配設
されている複数本のリードと、ペレットの各電極および
各リードにその両端部をそれぞれボンディングされて橋
絡されているボンディングワイヤと、ペレットがボンデ
ィングされているヒートシンクと、これらを樹脂封止す
るパッケージとを備えており、このＳＯＰ・ＩＣは次の
ような製造方法により製造されている。
以下、本発明の一実施例であるこの樹脂封止形５ＯＰ−
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記５Ｏ
Ｐ−ＩＣについての構成の詳細が明らかにされる。
ＩＣの製造方法を説明する。この説明により、前記５Ｏ
Ｐ−ＩＣについての構成の詳細が明らかにされる。
本実施例において、樹脂封止形５ＯＰ−ＩＣの製造方法
には、第２図に示されている多連リードフレーム１が使
用されている。この多連リードフレームｌは、鉄−ニッ
ケル合金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を
有するばね材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス
加工またはエツチング加工等のような適当な手段により
一体成形されており、この多連リードフレームＩの表面
には銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイ
ヤボンディングが適正に実施されるように施されている
。この多連リードフレームｌには複数の単位リードフレ
ーム２が横方向に１列に並設されている。
には、第２図に示されている多連リードフレーム１が使
用されている。この多連リードフレームｌは、鉄−ニッ
ケル合金や燐青銅等のような比較的大きい機械的強度を
有するばね材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス
加工またはエツチング加工等のような適当な手段により
一体成形されており、この多連リードフレームＩの表面
には銀（Ａｇ）等を用いためっき処理が、後述するワイ
ヤボンディングが適正に実施されるように施されている
。この多連リードフレームｌには複数の単位リードフレ
ーム２が横方向に１列に並設されている。
単位リードフレーム２は位置決め孔３ａが開設されてい
る外枠３を一対備えており、両性枠３は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている
。隣り合う単位リードフレーム２．２間には一対のセク
ション枠４が両性枠３．３間に互いに平行に配されて一
体的に架設されており、これら外枠、セクション枠によ
り形成される略長方形の枠体内に単位リードフレーム２
が構成されている。
る外枠３を一対備えており、両性枠３は所定の間隔で平
行になるように配されて一連にそれぞれ延設されている
。隣り合う単位リードフレーム２．２間には一対のセク
ション枠４が両性枠３．３間に互いに平行に配されて一
体的に架設されており、これら外枠、セクション枠によ
り形成される略長方形の枠体内に単位リードフレーム２
が構成されている。
各単位リードフレーム２において、両セクション枠４．
４の内側には一対のダム部材６がセクション枠と平行に
なるように配されて、両性枠３．３間に一体的に架設さ
れている。ダム部材６には電気的接続用のリード７が複
数本、長手方向に等間隔に配されて、互いに平行で、ダ
ム部材６と直交するように一体的に突設されており、各
リード７の内側端部は先端が後記するベレットを収納す
るための空所５を取り囲むように配されることにより、
インナ部７ａをそれぞれ構成している。他方、各リード
７の外側延長部分は、その先端がセクション枠４にそれ
ぞれ接続され、アウタ部７ｂをそれぞれ構成している。
４の内側には一対のダム部材６がセクション枠と平行に
なるように配されて、両性枠３．３間に一体的に架設さ
れている。ダム部材６には電気的接続用のリード７が複
数本、長手方向に等間隔に配されて、互いに平行で、ダ
ム部材６と直交するように一体的に突設されており、各
リード７の内側端部は先端が後記するベレットを収納す
るための空所５を取り囲むように配されることにより、
インナ部７ａをそれぞれ構成している。他方、各リード
７の外側延長部分は、その先端がセクション枠４にそれ
ぞれ接続され、アウタ部７ｂをそれぞれ構成している。
そして、ダム部材６における隣り合うリード７．７間の
部分は後述するパッケージ成形時にレジンの流れをせき
止めるダム６ａを実質的に構成している。そして、この
単位リードフレーム２には通常のリードフレームにおい
て設けられるタブ、および、このタブを外枠等に吊持さ
せるためのタブ吊りリードが設けられて、いない、すな
わち、この単位リードフレーム２の中央部にはタブの代
わりに空所５が形成されている。
部分は後述するパッケージ成形時にレジンの流れをせき
止めるダム６ａを実質的に構成している。そして、この
単位リードフレーム２には通常のリードフレームにおい
て設けられるタブ、および、このタブを外枠等に吊持さ
せるためのタブ吊りリードが設けられて、いない、すな
わち、この単位リードフレーム２の中央部にはタブの代
わりに空所５が形成されている。
本実施例において、ＳｏＰ・ＩＣの製造方法には、第３
図に示されているヒートシンク専用平面形状構造物とし
ての多連リードフレーム（以下、専用多連リードフレー
ムという、）１１が使用されている。この専用多連リー
ドフレーム１１は、銅（Ｃｕ）等のような比較的熱伝導
性の良好な材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス
加工またはエツチング加工等のような適当な手段により
一体成形されており、この専用多連リードフレーム１１
にはヒートシンク専用の単位リードフレーム（以下、専
用単位リードフレームという、）１２が複数個、前記多
連リードフレームｌにおける単位リードフレーム２に対
応するように配されて、横方向に１列に並設されている
。
図に示されているヒートシンク専用平面形状構造物とし
ての多連リードフレーム（以下、専用多連リードフレー
ムという、）１１が使用されている。この専用多連リー
ドフレーム１１は、銅（Ｃｕ）等のような比較的熱伝導
性の良好な材料からなる薄板を用いて、打ち抜きプレス
加工またはエツチング加工等のような適当な手段により
一体成形されており、この専用多連リードフレーム１１
にはヒートシンク専用の単位リードフレーム（以下、専
用単位リードフレームという、）１２が複数個、前記多
連リードフレームｌにおける単位リードフレーム２に対
応するように配されて、横方向に１列に並設されている
。
専用単位リードフレーム１２は位置決め孔１３ａが開設
されている外枠１３を一対備えており、両性枠１３は前
記多連リードフレーム１における一対の外枠３に対向す
るように配されて一連にそれぞれ延設されている。隣り
合う専用単位リードフレーム１２．１２間には一対のセ
クション枠１４が両性枠１３．１３間に互いに平行に配
されて一体的に架設されており、これら外枠、セクショ
ン枠により形成される略長方形の枠体内に専用単位リー
ドフレーム１２が構成されている。
されている外枠１３を一対備えており、両性枠１３は前
記多連リードフレーム１における一対の外枠３に対向す
るように配されて一連にそれぞれ延設されている。隣り
合う専用単位リードフレーム１２．１２間には一対のセ
クション枠１４が両性枠１３．１３間に互いに平行に配
されて一体的に架設されており、これら外枠、セクショ
ン枠により形成される略長方形の枠体内に専用単位リー
ドフレーム１２が構成されている。
各専用単位リードフレーム１２において、両性枠１３．
１３には一対のヒートシンク吊り部材１５が両セクショ
ン枠１４．１４間の略中央部にそれぞれ配されて、略直
角方向内向きに一体的に突設されており、両ヒートシン
ク吊り部材１５．１５の先端部間にはヒートシンク１８
が架橋されているとともに、はんだ処理部や接着材層か
らなる接合部１７により固定的に吊持されている。ヒー
トシンク吊り部材１５の途中には段差部１６が形成され
ており、この段差部１６はこの専用多連リードフレーム
１１が多連リードフレーム１に組み合わされた状態にお
いて、吊持したヒートシンク１日が各リード７に干渉（
または接触）しないように構成されている。
１３には一対のヒートシンク吊り部材１５が両セクショ
ン枠１４．１４間の略中央部にそれぞれ配されて、略直
角方向内向きに一体的に突設されており、両ヒートシン
ク吊り部材１５．１５の先端部間にはヒートシンク１８
が架橋されているとともに、はんだ処理部や接着材層か
らなる接合部１７により固定的に吊持されている。ヒー
トシンク吊り部材１５の途中には段差部１６が形成され
ており、この段差部１６はこの専用多連リードフレーム
１１が多連リードフレーム１に組み合わされた状態にお
いて、吊持したヒートシンク１日が各リード７に干渉（
または接触）しないように構成されている。
ヒートシンク１８は銅等のような熱伝導性の良好な材料
を用いて、ベレットの平面形状に対して大きめに形成さ
れており、ヒートシンク１８のベレット取付面には環状
溝１９が複数条（本実施例においては、２条）がベレッ
トの外方に配されるとともに、ベレットを取り囲むよう
に形成されてそれぞれ没設されている。そして、これら
環状溝１９は後述する樹脂封止パッケージ成形後におい
て、リークバスを延長させるとともに、樹脂と形状結合
することにより、この樹脂封止パッケージを備えている
ＩＣの耐湿性を高めることになる。
を用いて、ベレットの平面形状に対して大きめに形成さ
れており、ヒートシンク１８のベレット取付面には環状
溝１９が複数条（本実施例においては、２条）がベレッ
トの外方に配されるとともに、ベレットを取り囲むよう
に形成されてそれぞれ没設されている。そして、これら
環状溝１９は後述する樹脂封止パッケージ成形後におい
て、リークバスを延長させるとともに、樹脂と形状結合
することにより、この樹脂封止パッケージを備えている
ＩＣの耐湿性を高めることになる。
前記構成にかかる電気的接続リード用の多連リードフレ
ームｌとヒートシンク専用の多連リードフレーム１１と
は、第４図に示されているように、外枠３および１３同
士の位置決め孔３ａおよび１３ａが整合された状態でそ
れぞれ上下に配されて重ね合わされる。この多連リード
フレーム重合体２０において、下側の専用多連リードフ
レーム１１におけるヒートシンク１８は上側の多連リー
ドフレーム１における空所５に対向されるとともに、リ
ード７群に接触しない状態になっている。
ームｌとヒートシンク専用の多連リードフレーム１１と
は、第４図に示されているように、外枠３および１３同
士の位置決め孔３ａおよび１３ａが整合された状態でそ
れぞれ上下に配されて重ね合わされる。この多連リード
フレーム重合体２０において、下側の専用多連リードフ
レーム１１におけるヒートシンク１８は上側の多連リー
ドフレーム１における空所５に対向されるとともに、リ
ード７群に接触しない状態になっている。
この多連リードフレーム重合体２０には各単位リードフ
レーム２および１２毎にベレット・ボンディング作業、
続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これ
らボンディング作業は多連リードフレーム重合体２０が
横方向にピンチ送りされることにより、各単位リードフ
レーム２および１２毎に順次実施される。
レーム２および１２毎にベレット・ボンディング作業、
続いて、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これ
らボンディング作業は多連リードフレーム重合体２０が
横方向にピンチ送りされることにより、各単位リードフ
レーム２および１２毎に順次実施される。
そして、ペレット・ボンディング作業により、第４図お
よび第５図に示されているように、半導体装置の製造工
程における所謂前工程において集積回路を作り込まれた
半導体集積回路素子としてのペレット２１が、各単位リ
ードフレーム１２におけるヒートシンク１８上の略中央
部に配されて、ヒートシンク１８とベレット２１との間
に形成されたボンディング層２２によって機械的に固着
されることによりボンディングされる。ベレットボンデ
ィング層の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付は層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じて
、ベレットからヒートシンクへの熱伝達の障壁とならな
いように、ボンディング層を形成することが望ましい。
よび第５図に示されているように、半導体装置の製造工
程における所謂前工程において集積回路を作り込まれた
半導体集積回路素子としてのペレット２１が、各単位リ
ードフレーム１２におけるヒートシンク１８上の略中央
部に配されて、ヒートシンク１８とベレット２１との間
に形成されたボンディング層２２によって機械的に固着
されることによりボンディングされる。ベレットボンデ
ィング層の形成手段としては、金−シリコン共晶層、は
んだ付は層および銀ペースト接着層等々によるボンディ
ング法を用いることが可能である。但し、必要に応じて
、ベレットからヒートシンクへの熱伝達の障壁とならな
いように、ボンディング層を形成することが望ましい。
続いて、ワイヤボンディング作業により、第４図および
第６図に示されているように、ヒートシンク１８上にボ
ンディングされたペレット２１の電極バッド２１ａと、
各単位リードフレーム２におけるリード７のインナ部７
ａとの間に、ボンディングワイヤ２３が超音波熱圧着式
ワイヤボンディング装置等のような適当なワイヤボンデ
ィング装置（図示せず）が使用されることにより、その
両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。
第６図に示されているように、ヒートシンク１８上にボ
ンディングされたペレット２１の電極バッド２１ａと、
各単位リードフレーム２におけるリード７のインナ部７
ａとの間に、ボンディングワイヤ２３が超音波熱圧着式
ワイヤボンディング装置等のような適当なワイヤボンデ
ィング装置（図示せず）が使用されることにより、その
両端部をそれぞれボンディングされて橋絡される。
これにより、ペレット２１に作り込まれている集積回路
は、Ｎ橿パッド２１ａ、ボンディングワイヤ２３、リー
ド７のインナ部７ａおよびアウタ部９ｂを介して電気的
に外部に引き出されることになる。
は、Ｎ橿パッド２１ａ、ボンディングワイヤ２３、リー
ド７のインナ部７ａおよびアウタ部９ｂを介して電気的
に外部に引き出されることになる。
このようにしてベレットおよびワイヤ・ボンディングさ
れたり一ト′フレーム重合体２０には、各単位リードフ
レーム毎に樹脂封止するパッケージ群が、第７図に示さ
れてＣ）るようなトランスファ成形装置３０を使用され
て単位リードフレーム群について同時成形される。
れたり一ト′フレーム重合体２０には、各単位リードフ
レーム毎に樹脂封止するパッケージ群が、第７図に示さ
れてＣ）るようなトランスファ成形装置３０を使用され
て単位リードフレーム群について同時成形される。
第７図に示されているトランスファ成形装置はシリンダ
装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一対の
上型３１と下型３２とを備えており、上型３１と下型３
２との合わせ面には上型キャビティー凹部３３ａと下型
キャビティー凹部３３ｂとが互いに協働してキャビティ
ー３３を形成するようにそれぞれ複数組没設されている
。上型３１の合わせ面にはボット３４が開設されており
、ボット３４にはシリンダ装置（図示せず）により進退
されるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以下、
レジンという、）を送給し得るように挿入されている。
装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一対の
上型３１と下型３２とを備えており、上型３１と下型３
２との合わせ面には上型キャビティー凹部３３ａと下型
キャビティー凹部３３ｂとが互いに協働してキャビティ
ー３３を形成するようにそれぞれ複数組没設されている
。上型３１の合わせ面にはボット３４が開設されており
、ボット３４にはシリンダ装置（図示せず）により進退
されるプランジャ３５が成形材料としての樹脂（以下、
レジンという、）を送給し得るように挿入されている。
下型３２の合わせ面にはカル３６がボット３４との対向
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ３７がボット３４にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ３７の他端部は下側
キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート３８がレジンをキャビティー３３内
に注入し得るように形成されている。また、下型３２の
合わせ面には逃げ凹所３９がリードフレーム重合体２０
の厚みを逃げ得るように、その外形よりも若干大きめの
長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設さ
れている。
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ３７がボット３４にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ３７の他端部は下側
キャビティー凹部３３ｂにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート３８がレジンをキャビティー３３内
に注入し得るように形成されている。また、下型３２の
合わせ面には逃げ凹所３９がリードフレーム重合体２０
の厚みを逃げ得るように、その外形よりも若干大きめの
長方形で、その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設さ
れている。
前記構成にかかる多連リードフレーム重合体２０を用い
て樹脂封止形パッケージをトランスファ成形する場合、
上型３１および下型３２における各キャビティー３３は
各単位リードフレーム２における一対のダム部材６．６
間の空間にそれぞれ対応される。
て樹脂封止形パッケージをトランスファ成形する場合、
上型３１および下型３２における各キャビティー３３は
各単位リードフレーム２における一対のダム部材６．６
間の空間にそれぞれ対応される。
トランスファ成形時において、前記構成にかかる多連リ
ードフレーム重合体２０は下型３２に没設されている逃
げ凹所３９内に、各単位リードフレーム１２におけるペ
レット２１が各キャビティー３３内にそれぞれ収容され
るように配されてセットされる。このとき、ペレット２
１はヒートシンク１８にボンディングされた状態でキャ
ビティー３３内において保持されている。続いて、上型
３１と下型３２とが型締めされ、ボット３４からプラン
ジ中３５により成形材料としてのレジン４０がランナ３
７およびゲート３８を通じて各キャビティー３３に送給
されて圧入される。
ードフレーム重合体２０は下型３２に没設されている逃
げ凹所３９内に、各単位リードフレーム１２におけるペ
レット２１が各キャビティー３３内にそれぞれ収容され
るように配されてセットされる。このとき、ペレット２
１はヒートシンク１８にボンディングされた状態でキャ
ビティー３３内において保持されている。続いて、上型
３１と下型３２とが型締めされ、ボット３４からプラン
ジ中３５により成形材料としてのレジン４０がランナ３
７およびゲート３８を通じて各キャビティー３３に送給
されて圧入される。
注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ２
４が成形されると、上型３１および下型３２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ２４群が離型される。このようにして、第８図
に示されているように、パッケージ２４群を成形された
多連リードフレーム重合体２０はトランスファ成形装置
３０から脱装される。
４が成形されると、上型３１および下型３２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ２４群が離型される。このようにして、第８図
に示されているように、パッケージ２４群を成形された
多連リードフレーム重合体２０はトランスファ成形装置
３０から脱装される。
そして、このように樹脂成形されたパッケージ２４の内
部には、ペレット２１、リード７のインナ部７ａ、ボン
ディングワイヤ２３およびヒートシンク１８の一部が樹
脂封止されることになる。
部には、ペレット２１、リード７のインナ部７ａ、ボン
ディングワイヤ２３およびヒートシンク１８の一部が樹
脂封止されることになる。
この状態において、ヒートシンク１８の一端面は樹脂封
止パッケージ２４の一端面から露出された状態になって
いる。
止パッケージ２４の一端面から露出された状態になって
いる。
その後、多連リードフレーム重合体２０はリード切断成
形工程において各単位リードフレーム毎に順次、リード
切断装置（図示せず）により、外枠、セクション枠、ヒ
ートシンク吊り部材１５、およびダム６ａを切り落され
た後、リード成形装置（図示せず）により、リード７の
アウタ部７ｂをガル・ウィング形状に屈曲成形される。
形工程において各単位リードフレーム毎に順次、リード
切断装置（図示せず）により、外枠、セクション枠、ヒ
ートシンク吊り部材１５、およびダム６ａを切り落され
た後、リード成形装置（図示せず）により、リード７の
アウタ部７ｂをガル・ウィング形状に屈曲成形される。
以上のようにして製造された樹脂封止形ＳｏＰ・ＩＣ２
５は第９図および第１０図に示されているようにプリン
ト配線基板に実装される。
５は第９図および第１０図に示されているようにプリン
ト配線基板に実装される。
第９図および第１Ｏ図において、プリント配線基板２６
にはランド２７が複数個、実装対象物となる樹脂封止形
５ＯＰ−ｒｃ２５における各リード７に対応するように
配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄板形状に形
成されており、このランド２７にこのＩＣ２５のリード
７群が整合されて当接されているとともに、各リード７
とランド２７とがリフローはんだ処理により形成された
はんだ盛り層によって電気的かつ機械的に接続されてい
る。
にはランド２７が複数個、実装対象物となる樹脂封止形
５ＯＰ−ｒｃ２５における各リード７に対応するように
配されて、はんだ材料を用いて略長方形の薄板形状に形
成されており、このランド２７にこのＩＣ２５のリード
７群が整合されて当接されているとともに、各リード７
とランド２７とがリフローはんだ処理により形成された
はんだ盛り層によって電気的かつ機械的に接続されてい
る。
そして、必要に応じて、このＩＣ２５にはヒートシンク
１日に放熱フィン（図示せず）が取り付けられたり、ヒ
ートシンク１８が押さえ具（図示せず）によりプリント
配線基板２６に押さえられて固定されたりする。
１日に放熱フィン（図示せず）が取り付けられたり、ヒ
ートシンク１８が押さえ具（図示せず）によりプリント
配線基板２６に押さえられて固定されたりする。
この実装状態で、ＩＣ２５が稼働されてペレット２１が
発熱した場合、その熱はペレット２１からヒートシンク
１８に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク１
８の広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にペ
レット１１は充分に冷却される。また、ヒートシンク１
８に放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合に
は、ヒートシンク１８の熱が放熱フィンや、押さえ具等
を通じてさらに広い範囲に熱伝導されるため、放熱効果
はより一層高くなる。
発熱した場合、その熱はペレット２１からヒートシンク
１８に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク１
８の広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にペ
レット１１は充分に冷却される。また、ヒートシンク１
８に放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合に
は、ヒートシンク１８の熱が放熱フィンや、押さえ具等
を通じてさらに広い範囲に熱伝導されるため、放熱効果
はより一層高くなる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１） ペレットにヒートシンクをタブを介さずに直
接的にボンディングすることにより、ペレットの発熱を
ヒートシンクに直接的に伝えてパッケージの外部に効果
的に放出させることができるため、高い放熱性能を確保
することができる。
接的にボンディングすることにより、ペレットの発熱を
ヒートシンクに直接的に伝えてパッケージの外部に効果
的に放出させることができるため、高い放熱性能を確保
することができる。
（２） ！気的接続用のリードとは別に、熱伝導性の
良好な材料を用いて形成されたヒートシンクにペレット
をボンディングすることにより、前記（１）の放熱性能
をより一層高めることができる。
良好な材料を用いて形成されたヒートシンクにペレット
をボンディングすることにより、前記（１）の放熱性能
をより一層高めることができる。
（３）他方、電気的接続用のリードはヒートシンクとは
別に機械的強度の高い材料を用いて形成することにより
、リード群の曲がりや破損等を防止することができると
ともに、前記（１）および（２）により、高い放熱性能
を確保することができる。
別に機械的強度の高い材料を用いて形成することにより
、リード群の曲がりや破損等を防止することができると
ともに、前記（１）および（２）により、高い放熱性能
を確保することができる。
（４） ペレット、リード群およびヒートシンクの−
部を樹脂封止パッケージによって樹脂封止することによ
り、リード曲がり等のような事故が起きるのを防止する
ことができるため、短絡不良や、断線不良の発生を未然
に回避することができる。
部を樹脂封止パッケージによって樹脂封止することによ
り、リード曲がり等のような事故が起きるのを防止する
ことができるため、短絡不良や、断線不良の発生を未然
に回避することができる。
（５）ペレット周囲に配設される複数本のリードの面と
は異なる面でヒートシンクを支持することにより、ヒー
トシンク支持用リードフレームの形状とリード形状とは
各々独立に設定することができる。
は異なる面でヒートシンクを支持することにより、ヒー
トシンク支持用リードフレームの形状とリード形状とは
各々独立に設定することができる。
〔実施例２〕
第１１図は本発明の一実施例である半導体装置の製造方
法により製造された半導体装置を示す一部切断正面図、
第１２図はその外観斜視図、第１３図〜第１８図はその
製造方法を示す各説明図である。
法により製造された半導体装置を示す一部切断正面図、
第１２図はその外観斜視図、第１３図〜第１８図はその
製造方法を示す各説明図である。
本実施例において、本発明の製造方法に係る半導体装置
は表面実装形の樹脂封止パッケージを備えているＩＣと
して構成されている。このＩＣのパッケージは略正方形
の平盤形状に形成されており、このパッケージの４側面
の下端辺付近からり一部群のアウタ部が複数木兄突設さ
れているとともに、パッケージの４隅から補強用リード
が突設されている。このＩＣはリード群にペレットがテ
ープ・オートメイテッド・ボンディングされているとと
もに、このペレットの裏面にヒートシンクが付設されて
おり、これらペレットと、リードの一部と、ヒートシン
クの一部とが樹脂封止パッケージにより樹脂封止されて
おり、さらに、この樹脂封止パッケージから補強用リー
ドが前記のように突設されている。そして、このＩＣは
以下に述べるような製造方法によって製造される。
は表面実装形の樹脂封止パッケージを備えているＩＣと
して構成されている。このＩＣのパッケージは略正方形
の平盤形状に形成されており、このパッケージの４側面
の下端辺付近からり一部群のアウタ部が複数木兄突設さ
れているとともに、パッケージの４隅から補強用リード
が突設されている。このＩＣはリード群にペレットがテ
ープ・オートメイテッド・ボンディングされているとと
もに、このペレットの裏面にヒートシンクが付設されて
おり、これらペレットと、リードの一部と、ヒートシン
クの一部とが樹脂封止パッケージにより樹脂封止されて
おり、さらに、この樹脂封止パッケージから補強用リー
ドが前記のように突設されている。そして、このＩＣは
以下に述べるような製造方法によって製造される。
以下、本発明の一実施例である表面実装形樹脂封止パッ
ケージを備えているＩＣの製造方法を説明する。この説
明により、前記（Ｃについての構成の詳細が明らかにさ
れる。
ケージを備えているＩＣの製造方法を説明する。この説
明により、前記（Ｃについての構成の詳細が明らかにさ
れる。
本実施例において、ＩＣ４１はそのペレットとリード群
とがテープ・オートメイテッド・ボンディングにより機
械的かつ電気的に接続されている。
とがテープ・オートメイテッド・ボンディングにより機
械的かつ電気的に接続されている。
すなわち、キャリア用のテープ４２はポリイミド等のよ
うな絶縁性樹脂を用いて、第１３図に示されている如く
、同一パターンが長手方向に連続するように一体成形さ
れている。但し、説明および図示は一単位だけについて
行われている。キャリアテープ４２における幅方向の両
側端辺部にはピッチ送りに使用される送り孔４３が等ピ
ッチに配されて開設されており、両側の送り孔群間には
窓孔４４が等ピッチをもって１列縦隊に配されて形成さ
れている。窓孔４４は略正方形形状に開設されており、
その大きさは後記するペレットおよびヒートシンクの外
形よりも充分大きく、互いに対向するリードの先端間の
長さよりも若干大きくなるように設定されている。
うな絶縁性樹脂を用いて、第１３図に示されている如く
、同一パターンが長手方向に連続するように一体成形さ
れている。但し、説明および図示は一単位だけについて
行われている。キャリアテープ４２における幅方向の両
側端辺部にはピッチ送りに使用される送り孔４３が等ピ
ッチに配されて開設されており、両側の送り孔群間には
窓孔４４が等ピッチをもって１列縦隊に配されて形成さ
れている。窓孔４４は略正方形形状に開設されており、
その大きさは後記するペレットおよびヒートシンクの外
形よりも充分大きく、互いに対向するリードの先端間の
長さよりも若干大きくなるように設定されている。
集禎回路を電気的に外部に引き出すためのり一部４５は
複数本が、キャリアテープ４２の片側平面（以下、第１
主面とする。）上に配されて、銅箔等のような導電性材
料を用いて溶着や接着等のような適当な手段により固定
的に付設されている。
複数本が、キャリアテープ４２の片側平面（以下、第１
主面とする。）上に配されて、銅箔等のような導電性材
料を用いて溶着や接着等のような適当な手段により固定
的に付設されている。
リード４５群は窓孔４４における４辺に分けられて、窓
孔４４を径方向に貫通するように配設されており、各リ
ード４５同士が互いに電気的に非接続になるように形成
されている。リード４５群の内側先端部は窓孔４４内に
突き出されて正方形の端辺上に並ぶように揃えられてお
り、この内側先端部によってインチ部としてのインナリ
ード４６が構成されている。リード４５群の外側先端部
は窓孔４４の外側まで延長されて正方形の端辺上に並ぶ
ように揃えられており、各リードにおける窓孔４４の縁
辺内側付近の部分によってアウタ部としてのアウタリー
ド４７が構成されている。各リード４５のキャリアテー
プ４２上に固着された端末部にはテスト用端子部４８が
形成されており、リード４５群の表面にはソルダビリテ
ィ−を高めるために錫めっき膜（図示せず）が被着され
ている。
孔４４を径方向に貫通するように配設されており、各リ
ード４５同士が互いに電気的に非接続になるように形成
されている。リード４５群の内側先端部は窓孔４４内に
突き出されて正方形の端辺上に並ぶように揃えられてお
り、この内側先端部によってインチ部としてのインナリ
ード４６が構成されている。リード４５群の外側先端部
は窓孔４４の外側まで延長されて正方形の端辺上に並ぶ
ように揃えられており、各リードにおける窓孔４４の縁
辺内側付近の部分によってアウタ部としてのアウタリー
ド４７が構成されている。各リード４５のキャリアテー
プ４２上に固着された端末部にはテスト用端子部４８が
形成されており、リード４５群の表面にはソルダビリテ
ィ−を高めるために錫めっき膜（図示せず）が被着され
ている。
本実施例において、この半導体装置の製造方法には第１
４図に示されているように、ヒートシンク専用の平面形
状物としての多連リードフレーム（以下、専用多連リー
ドフレームという、）５１が使用されている。この専用
多連リードフレーム５１は、燐青銅等のような比較的機
械的強度を存する材料からなる薄板を用いて、打ち抜き
プレス加工またはエツチング加工等のような手段により
一体成形されており、この専用多連リードフレーム５１
にはヒートシンク専用の単位リードフレーム（以下、専
用単位リードフレーム）５２が複数個、前記キャリアテ
ープ４２における各窓孔４４に対応するように仮想的に
配されて、横方向に１列に並設されている。
４図に示されているように、ヒートシンク専用の平面形
状物としての多連リードフレーム（以下、専用多連リー
ドフレームという、）５１が使用されている。この専用
多連リードフレーム５１は、燐青銅等のような比較的機
械的強度を存する材料からなる薄板を用いて、打ち抜き
プレス加工またはエツチング加工等のような手段により
一体成形されており、この専用多連リードフレーム５１
にはヒートシンク専用の単位リードフレーム（以下、専
用単位リードフレーム）５２が複数個、前記キャリアテ
ープ４２における各窓孔４４に対応するように仮想的に
配されて、横方向に１列に並設されている。
専用単位リードフレーム５２は位置決め孔５４が開設さ
れている外枠５３を一対備えており、両外枠５３は前記
キャリアテープ４２における送り孔４３が並んだ部分に
対応するように配されて一連にそれぞれ延設されている
。各専用単位リードフレーム５２において、外枠５３に
は４本のヒートシンク吊り部材５５が対角線上に配され
て内向きに一体的に突設されており、これらヒートシン
ク吊り部材５５の先端部間にはヒートシンク５８が架橋
されているとともに、はんだ処理部や接着材層からなる
接合部５７により固定的に吊持されている。ヒートシン
ク吊り部材５５の途中には段差部５Ｇが形成されており
、この段差部５６はこの専用多連リードフレーム５１が
キャリアテープ４２に組み合わされた状態において、吊
持したヒートシンク５８が各リード４５に干渉（または
接触）しないように構成されている。
れている外枠５３を一対備えており、両外枠５３は前記
キャリアテープ４２における送り孔４３が並んだ部分に
対応するように配されて一連にそれぞれ延設されている
。各専用単位リードフレーム５２において、外枠５３に
は４本のヒートシンク吊り部材５５が対角線上に配され
て内向きに一体的に突設されており、これらヒートシン
ク吊り部材５５の先端部間にはヒートシンク５８が架橋
されているとともに、はんだ処理部や接着材層からなる
接合部５７により固定的に吊持されている。ヒートシン
ク吊り部材５５の途中には段差部５Ｇが形成されており
、この段差部５６はこの専用多連リードフレーム５１が
キャリアテープ４２に組み合わされた状態において、吊
持したヒートシンク５８が各リード４５に干渉（または
接触）しないように構成されている。
このヒートシンク５８は銅等のような熱伝導性の良好な
材料を用いて、ペレッ）６１の平面形状に対して大きめ
に形成されており、ヒートシンク５８のベレット取付面
には環状溝５９が複数条（本実施例においては、２条）
がペレット６１の外方に配されるとともに、ベレット６
１を取り囲むように形成されてそれぞれ没設されている
。そして、これら環状溝５９は後述する樹脂封止パッケ
ージ成形後において、リークバスを延長させるとともに
、樹脂と形状結合することにより、この樹脂封止パッケ
ージを備えているＩＣ４］の耐湿性を高めることになる
。
材料を用いて、ペレッ）６１の平面形状に対して大きめ
に形成されており、ヒートシンク５８のベレット取付面
には環状溝５９が複数条（本実施例においては、２条）
がペレット６１の外方に配されるとともに、ベレット６
１を取り囲むように形成されてそれぞれ没設されている
。そして、これら環状溝５９は後述する樹脂封止パッケ
ージ成形後において、リークバスを延長させるとともに
、樹脂と形状結合することにより、この樹脂封止パッケ
ージを備えているＩＣ４］の耐湿性を高めることになる
。
また、ヒートシンク吊り部材５５は後述する樹脂封止パ
ッケージ成形後パッケージの外部に突出するこきにより
、補強用部材６０を構成し得るように形成されている。
ッケージ成形後パッケージの外部に突出するこきにより
、補強用部材６０を構成し得るように形成されている。
すなわち、補強用部材６０は４本のものが窓孔４４にお
ける４隅にそれぞれ対応するように１木兄配されている
。各隅の補強用部材６０は対角線上に突設されており、
それらの内側端が窓孔４４のインナリード４６両脇付近
に、外側端が窓孔４４の外部にそれぞれ位置するように
構成されている。
ける４隅にそれぞれ対応するように１木兄配されている
。各隅の補強用部材６０は対角線上に突設されており、
それらの内側端が窓孔４４のインナリード４６両脇付近
に、外側端が窓孔４４の外部にそれぞれ位置するように
構成されている。
一方、詳細な説明は省略するが、このＩＣＩに使用され
るベレット６１は半導体装置の製造工程における所謂前
工程において、ウェハ状態にて所望の集積回路を適宜作
り込まれる。そして、集積回路（図示せず）が作り込ま
れたベレット６１は相対向するインナリード４６と４６
との内側端間距離よりも若干大きい略正方形の小片にグ
イシングされており、その−平面（以下、第１主面とす
る。）における周辺部には金糸材料を用いて形成された
バンプ６２が複数個、キャリアテープ４２における各イ
ンナリード４６に整合し得るように配されて突設されて
いる。
るベレット６１は半導体装置の製造工程における所謂前
工程において、ウェハ状態にて所望の集積回路を適宜作
り込まれる。そして、集積回路（図示せず）が作り込ま
れたベレット６１は相対向するインナリード４６と４６
との内側端間距離よりも若干大きい略正方形の小片にグ
イシングされており、その−平面（以下、第１主面とす
る。）における周辺部には金糸材料を用いて形成された
バンプ６２が複数個、キャリアテープ４２における各イ
ンナリード４６に整合し得るように配されて突設されて
いる。
リード４５＃にペレット６１がインナリードボンディン
グされる際、キャリアテープ４２は複数のスプロケット
（図示せず）間に張設されて一方向に間欠送りされる。
グされる際、キャリアテープ４２は複数のスプロケット
（図示せず）間に張設されて一方向に間欠送りされる。
そして、張設されたキャリアテープ４２の途中に配設さ
れているインナリードボンディングステージにおいて、
第１５図に示されているようにペレット６１は窓孔４４
内に下方から収容されるとともに、各バンブ６２を各イ
ンナリード４６にそれぞれ整合されてボンディング工具
６３により熱圧着されることにより、キャリアテープ４
２に紐み付けられる。すなわち、リード４５の表面に被
着されている錫めっき膜と金糸材料から成るバンブ６２
と間において、金−錫の共晶が形成されるため、リード
４５のインナリード４６とバンプ６２とは一体的に結合
されることになる。
れているインナリードボンディングステージにおいて、
第１５図に示されているようにペレット６１は窓孔４４
内に下方から収容されるとともに、各バンブ６２を各イ
ンナリード４６にそれぞれ整合されてボンディング工具
６３により熱圧着されることにより、キャリアテープ４
２に紐み付けられる。すなわち、リード４５の表面に被
着されている錫めっき膜と金糸材料から成るバンブ６２
と間において、金−錫の共晶が形成されるため、リード
４５のインナリード４６とバンプ６２とは一体的に結合
されることになる。
本実施例において、第１６図および１７図に示されてい
るように、ベレット６Ｉの第２主面（Ｍ面に相当する。
るように、ベレット６Ｉの第２主面（Ｍ面に相当する。
）にはヒートシンク５日が接着材層６４により機械的に
固着される。すなわち、前記構成にかかるヒートシンク
専用多連リードフレ−ム５１はキャリアテープ４２の第
１主面側において、その位置決め孔５４がテープの送り
孔４３に整合するように配されて重ね合わされる。この
キャリアテープ４２と専用多連リードフレーム５１との
重合体６５において、キャリアテープ４２にタブされた
ベレット６１と、専用多連リードフレーム５■に吊持さ
れたヒートシンク５８とが整合した状態になるため、ヒ
ートシンク５日が接着材１６４によりボンディングされ
ることになる。
固着される。すなわち、前記構成にかかるヒートシンク
専用多連リードフレ−ム５１はキャリアテープ４２の第
１主面側において、その位置決め孔５４がテープの送り
孔４３に整合するように配されて重ね合わされる。この
キャリアテープ４２と専用多連リードフレーム５１との
重合体６５において、キャリアテープ４２にタブされた
ベレット６１と、専用多連リードフレーム５■に吊持さ
れたヒートシンク５８とが整合した状態になるため、ヒ
ートシンク５日が接着材１６４によりボンディングされ
ることになる。
このようにして、ベレット６Ｉとリード４５群とがテー
プ・オートメイテッド・ボンディングされるとともに、
ヒートシンク５８がペレット６１に結合された重合体６
５には、エポキシ樹脂等のような絶縁性樹脂からなる樹
脂封止パッケージ６６群が、第１８図に示されているよ
うなトランスファ成形装置７０を使用されて各ペレット
６１について同時成形される。
プ・オートメイテッド・ボンディングされるとともに、
ヒートシンク５８がペレット６１に結合された重合体６
５には、エポキシ樹脂等のような絶縁性樹脂からなる樹
脂封止パッケージ６６群が、第１８図に示されているよ
うなトランスファ成形装置７０を使用されて各ペレット
６１について同時成形される。
第１８図に示されているトランスファ成形装置はシリン
ダ装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一対
の上型７１と下型７２とを備えており、上型７１と下型
７２との合わせ面には上型キャビティー凹部７３ａと、
下型キャビティー凹部７３ｂとが互いに協働してキャビ
ティー７３を形成するように複数組（１組のみが図示さ
れている。）没設されている。上型７１の合わせ面には
ボット７４が開設されており、ボット７４にはシリンダ
装置（図示せず）により進退されるプランジャ７５が成
形材料としての樹脂（以下、レジンという。）を送給し
得るように挿入されている。
ダ装置等（図示せず）によって互いに型締めされる一対
の上型７１と下型７２とを備えており、上型７１と下型
７２との合わせ面には上型キャビティー凹部７３ａと、
下型キャビティー凹部７３ｂとが互いに協働してキャビ
ティー７３を形成するように複数組（１組のみが図示さ
れている。）没設されている。上型７１の合わせ面には
ボット７４が開設されており、ボット７４にはシリンダ
装置（図示せず）により進退されるプランジャ７５が成
形材料としての樹脂（以下、レジンという。）を送給し
得るように挿入されている。
下型７２の合わせ面にはカル７６がボット７４との対向
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ７７がボット７４にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ７７の他端部は下側
キャビティー凹部７３ｂにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート７８がレジンをキャビティー７３内
に注入し得るように形成されている。また、下型７２の
合わせ面には逃げ凹所７９が重合体６５の厚みを逃げ得
るように、重合体６５の外形よりも若干大きめの長方形
ぞ、その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設されて゛
いる。
位置に配されて没設されているとともに、複数条のラン
ナ７７がボット７４にそれぞれ接続するように放射状に
配されて没設されている。各ランナ７７の他端部は下側
キャビティー凹部７３ｂにそれぞれ接続されており、そ
の接続部にはゲート７８がレジンをキャビティー７３内
に注入し得るように形成されている。また、下型７２の
合わせ面には逃げ凹所７９が重合体６５の厚みを逃げ得
るように、重合体６５の外形よりも若干大きめの長方形
ぞ、その厚さと略等しい寸法の一定深さに没設されて゛
いる。
前記構成にかかるキャリアテープと専用リードフレーム
との重合体を用いて樹脂封止形パッケージをトランスフ
ァ成形する場合、上型７１および下型７２における各キ
ャビティー７３はキャリアテープ４２における窓孔４４
の空間にそれぞれ対応される。
との重合体を用いて樹脂封止形パッケージをトランスフ
ァ成形する場合、上型７１および下型７２における各キ
ャビティー７３はキャリアテープ４２における窓孔４４
の空間にそれぞれ対応される。
トランスファ成形時において、前記構成にかかる重合体
６５は下型７２に没設されている逃げ凹所７９内に、各
ペレット６１が各キャビティー７３内にそれぞれ収容さ
れるように配されてセットされる。Ｖｔいて、上型７１
と下型７２とが型締めされ、ボット７４からプランジャ
７５によりレジン８０がランナ７７およびゲート７８を
通して各キャビティー７３に送給されて圧入される。
６５は下型７２に没設されている逃げ凹所７９内に、各
ペレット６１が各キャビティー７３内にそれぞれ収容さ
れるように配されてセットされる。Ｖｔいて、上型７１
と下型７２とが型締めされ、ボット７４からプランジャ
７５によりレジン８０がランナ７７およびゲート７８を
通して各キャビティー７３に送給されて圧入される。
注入後、レジンが熱硬化されて樹脂封止形パッケージ６
６が成形されると、上型７１および下型７２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ６６群が離型される。このようにして、第１９
図に示されているように、パッケージ６６群を成形され
た重合体６５はトランスファ成形装置７０から脱装され
る。
６が成形されると、上型７１および下型７２は型開きさ
れるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）によりパ
ッケージ６６群が離型される。このようにして、第１９
図に示されているように、パッケージ６６群を成形され
た重合体６５はトランスファ成形装置７０から脱装され
る。
そして、このように樹脂成形されたパッケージ６６の内
部には、ベレット６１、リード４５群のインチ部４６お
よびベレット６１の第２主面に結合されたヒートシンク
５８の一部、および補強用部材６０の一部も樹脂封止さ
れることになる。この状態において、ヒートシンク５８
はそのベレット取付面とは反対側の端面がパッケージ６
６の表面から露出するようになっており、リード４５群
のアウタ部４７および補強用部材６０の一部はパッケー
ジ６６の側面から略対角線方向に突出するようになって
いる。
部には、ベレット６１、リード４５群のインチ部４６お
よびベレット６１の第２主面に結合されたヒートシンク
５８の一部、および補強用部材６０の一部も樹脂封止さ
れることになる。この状態において、ヒートシンク５８
はそのベレット取付面とは反対側の端面がパッケージ６
６の表面から露出するようになっており、リード４５群
のアウタ部４７および補強用部材６０の一部はパッケー
ジ６６の側面から略対角線方向に突出するようになって
いる。
このようにして樹脂封止パッケージ６６を成形されたＩ
Ｃ４１はキャリアテープ４２に付設された状態のまま、
電気的特性試験等のような検査を受けた後、出荷される
。
Ｃ４１はキャリアテープ４２に付設された状態のまま、
電気的特性試験等のような検査を受けた後、出荷される
。
そして、出荷されたＩＣ４１はキャリアテープ４２に付
設された状態のまま、または、樹脂封止パッケージ６６
の外方位置で切断されてキャリアテープ４２から個別に
分離された状態において、第２０図に示されているよう
に、プリント配線基板８１上にヒートシンク５８を上向
きにして配され、アウタリード４７とランドバッド８２
との間がリフローはんだ処理される。このとき、リード
４５の表面には錫めっき膜が被着されているため、ソル
ダビリティ−は良好に行われる。
設された状態のまま、または、樹脂封止パッケージ６６
の外方位置で切断されてキャリアテープ４２から個別に
分離された状態において、第２０図に示されているよう
に、プリント配線基板８１上にヒートシンク５８を上向
きにして配され、アウタリード４７とランドバッド８２
との間がリフローはんだ処理される。このとき、リード
４５の表面には錫めっき膜が被着されているため、ソル
ダビリティ−は良好に行われる。
本実施例においては、電気的な接続を実行するリード４
５群とランドバッド８２とのりフローはんだ処理ともに
、補強用部材６０についてのプリント配線基板８１に対
する機械的接続処理が実行される。すなわち、プリント
配線基板８１上には補強用パッド８３が補強用部材６０
に対応するように配されて形成されており、ＩＣ４１の
電気的接続用リード４５群がプリント配線基板８１のラ
ンドパッド８２群に整合されると、ＩＣ４１の補強用部
材６０が補強用バッド８３にそれぞれ整合することにな
る。そして、リード４８群とランドバッド８２とのりフ
ローはんだ処理と同様に、補強用部材６０とＩ＃強用バ
ッド８３とがリフローはんだ処理されると、ＩＣ４１は
補強用部材６０によってプリント配線基板８Ｉにｉ械的
に強固に固定された状態になる。
５群とランドバッド８２とのりフローはんだ処理ともに
、補強用部材６０についてのプリント配線基板８１に対
する機械的接続処理が実行される。すなわち、プリント
配線基板８１上には補強用パッド８３が補強用部材６０
に対応するように配されて形成されており、ＩＣ４１の
電気的接続用リード４５群がプリント配線基板８１のラ
ンドパッド８２群に整合されると、ＩＣ４１の補強用部
材６０が補強用バッド８３にそれぞれ整合することにな
る。そして、リード４８群とランドバッド８２とのりフ
ローはんだ処理と同様に、補強用部材６０とＩ＃強用バ
ッド８３とがリフローはんだ処理されると、ＩＣ４１は
補強用部材６０によってプリント配線基板８Ｉにｉ械的
に強固に固定された状態になる。
ところで、補強用部材６０を有しない場合、テープ・オ
ートメイテッド・ボンディングを適正かつ精密に実行す
る必要上、テープ・オートメイテッド・ボンディングに
使用される電気的接続用のリードはきわめて薄く、かつ
、細く形成されているため、ｒＣに外力が加わると、き
わめて容易に変形されてしまう、このようなリード群の
変形は、断線不良や、短絡不良の原因になるため、未然
に回避する必要がある。
ートメイテッド・ボンディングを適正かつ精密に実行す
る必要上、テープ・オートメイテッド・ボンディングに
使用される電気的接続用のリードはきわめて薄く、かつ
、細く形成されているため、ｒＣに外力が加わると、き
わめて容易に変形されてしまう、このようなリード群の
変形は、断線不良や、短絡不良の原因になるため、未然
に回避する必要がある。
本実施例において、［Ｃ４１は補強用部材６゜によって
プリント配線基板８１に機械的に固定されているため、
電気的接続用リード４８群の変形は防止されることにな
る。すなわち、補強用部材６０はテープ・オートメイテ
ッド・ボンディングの実行には直接使用されないため、
必要に応じて幅広に設定することができる。つまり、厚
さが薄くても、補強用部材６０の機械的強度は大きく設
定することができるため、ＩＣ４１に加わる外力に抗し
得るように構成することができる。したがって、ＩＣ４
１に加わった外力がリード４５群に作用するのをこの補
強用部材６０によって阻止することができるため、リー
ド４５群が当該外力によって変形されるのを防止するこ
とができる。これにより、断線不良や、短絡不良の原因
になる電気的接読用リード４５群の変形が、未然に回避
されることになる。
プリント配線基板８１に機械的に固定されているため、
電気的接続用リード４８群の変形は防止されることにな
る。すなわち、補強用部材６０はテープ・オートメイテ
ッド・ボンディングの実行には直接使用されないため、
必要に応じて幅広に設定することができる。つまり、厚
さが薄くても、補強用部材６０の機械的強度は大きく設
定することができるため、ＩＣ４１に加わる外力に抗し
得るように構成することができる。したがって、ＩＣ４
１に加わった外力がリード４５群に作用するのをこの補
強用部材６０によって阻止することができるため、リー
ド４５群が当該外力によって変形されるのを防止するこ
とができる。これにより、断線不良や、短絡不良の原因
になる電気的接読用リード４５群の変形が、未然に回避
されることになる。
ここで、補強用部材６０のプリント配線基板８１への固
定面がレジンモールドされた本パッケージをプリント配
線基板面から浮かさせるような形状にすることにより、
プリント配線基板８１へのはんだ付は時の２ラツクス等
の洗浄・除去を容易にするようにすることもできる。
定面がレジンモールドされた本パッケージをプリント配
線基板面から浮かさせるような形状にすることにより、
プリント配線基板８１へのはんだ付は時の２ラツクス等
の洗浄・除去を容易にするようにすることもできる。
そして、必要に応じて、このＩＣ４１にはヒートシンク
５８に放熱フィン、（図示せず）が取り付けられたり、
ヒートシンク５８が押さえ具（図示せず）によりプリン
ト配線基板８１に押さえられて固定されたりする。
５８に放熱フィン、（図示せず）が取り付けられたり、
ヒートシンク５８が押さえ具（図示せず）によりプリン
ト配線基板８１に押さえられて固定されたりする。
この実装状態で、ＩＣ４１が稼働されてペレット６１が
発熱した場合、その熱はペレッ）６１からヒートシンク
５８に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク５
８の広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にベ
レン）６１は充分に冷却される。また、ヒートシンク５
８に放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合に
は、ヒートシンク５８の熱が放熱フィンや、押さえ具等
を通じてさらに広い範囲に熱伝達されるため、放熱効果
はより一層高くなる。
発熱した場合、その熱はペレッ）６１からヒートシンク
５８に直接的に熱伝導されるとともに、ヒートシンク５
８の広い表面積から外気に放熱されるため、相対的にベ
レン）６１は充分に冷却される。また、ヒートシンク５
８に放熱フィンや、押さえ具等が連設されている場合に
は、ヒートシンク５８の熱が放熱フィンや、押さえ具等
を通じてさらに広い範囲に熱伝達されるため、放熱効果
はより一層高くなる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１） リード群にペレットをテープ・オートメイテ
ッド・ボンディングすることにより、小型軽量化および
多ビン化を促進することができるとともに、実装性およ
び生産性を高めることができるため、多ビンの半導体装
置においても、低価格化を実現することができる。
ッド・ボンディングすることにより、小型軽量化および
多ビン化を促進することができるとともに、実装性およ
び生産性を高めることができるため、多ビンの半導体装
置においても、低価格化を実現することができる。
（２） ペレットの裏面にヒートシンクを付設するこ
とにより、ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝
導させることができるため、放熱性能を高めることがで
き、ＴＡＢ構造のＩＣ等においても低熱抵抗化を実現さ
せることができる。
とにより、ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝
導させることができるため、放熱性能を高めることがで
き、ＴＡＢ構造のＩＣ等においても低熱抵抗化を実現さ
せることができる。
（３） ペレット、リード群およびヒートシンクを樹
脂封止パッケージにより封止することにより、ＴＡＢ構
造の半導体装置であっても、充分満足し得る封止性能を
確保することができるとともに、アウタリードを樹脂封
止パッケージにより保定することができるため、その強
度を高めることができる。
脂封止パッケージにより封止することにより、ＴＡＢ構
造の半導体装置であっても、充分満足し得る封止性能を
確保することができるとともに、アウタリードを樹脂封
止パッケージにより保定することができるため、その強
度を高めることができる。
（４）樹脂封止パッケージから補強用部材を突設すると
ともに、この半導体装置がプリント配線基板に実装され
る際に補強用部材をプリント配線基板に機械的に接続す
ることにより、実装された後、移送中の振動等による外
力がこの半導体装置に加わった場合において、当該外力
を補強用部材によって受けることができるため、当該外
力によって電気的接続用のリード曲がり等のような事故
が起きるのを防止することができ、その結果、短絡不良
や、断線不良が発生するのを未然に回避することができ
る。
ともに、この半導体装置がプリント配線基板に実装され
る際に補強用部材をプリント配線基板に機械的に接続す
ることにより、実装された後、移送中の振動等による外
力がこの半導体装置に加わった場合において、当該外力
を補強用部材によって受けることができるため、当該外
力によって電気的接続用のリード曲がり等のような事故
が起きるのを防止することができ、その結果、短絡不良
や、断線不良が発生するのを未然に回避することができ
る。
（５）補強用部材を電気的接続用のリードよりも短くな
るように形成することにより、半導体装置に加わった外
力が短い方の補強用部材に優先的に作用することになり
、当該外力が電気的接続用のリードに加わるのを確実に
防止することができるため、前記（４）のリード曲がり
防止効果を一層高めることができる。
るように形成することにより、半導体装置に加わった外
力が短い方の補強用部材に優先的に作用することになり
、当該外力が電気的接続用のリードに加わるのを確実に
防止することができるため、前記（４）のリード曲がり
防止効果を一層高めることができる。
（６） ヒートシンクのベレット搭載面に環状溝をペ
レットを取り囲むように配して没設することにより、樹
脂封止パッケージ成形後において、当該環状溝をして樹
脂封止パッケージへの外部からの湿気の侵入に対するリ
ークパスを延長させることができるとともに、環状溝と
樹脂との形状結合により、パッケージの強度、および耐
湿性を高めることができる。
レットを取り囲むように配して没設することにより、樹
脂封止パッケージ成形後において、当該環状溝をして樹
脂封止パッケージへの外部からの湿気の侵入に対するリ
ークパスを延長させることができるとともに、環状溝と
樹脂との形状結合により、パッケージの強度、および耐
湿性を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
例えば、ヒートシンクが取り付けられる平面形状構造物
は、リードフレーム形態に構成するに限らず、キャリア
テープ上にヒートシンク吊り部材を付設し、このヒート
シンク吊り部材にヒートシンクを取り付けるように構成
してもよい。
は、リードフレーム形態に構成するに限らず、キャリア
テープ上にヒートシンク吊り部材を付設し、このヒート
シンク吊り部材にヒートシンクを取り付けるように構成
してもよい。
補強用部材はヒートシンク吊り部材を転用して構成する
に限らず、専用のものを電気接続用リード群が一体化さ
れている構造物としてのリードフレームまたはキャリア
テープに付設してもよい。
に限らず、専用のものを電気接続用リード群が一体化さ
れている構造物としてのリードフレームまたはキャリア
テープに付設してもよい。
この場合、パッケージ成形後、補強用部材はリード群か
ら電気的に非接続状態になるように構成する必要がある
のはいうまでもない。
ら電気的に非接続状態になるように構成する必要がある
のはいうまでもない。
ペレットがリード群にインナボンディングされた後に、
ヒートシンクをペレットに付設させるように構成するに
限らず、インナボンディングと同時ないしは前に、ヒー
トシンクをペレットに付設させるように構成してもよい
。
ヒートシンクをペレットに付設させるように構成するに
限らず、インナボンディングと同時ないしは前に、ヒー
トシンクをペレットに付設させるように構成してもよい
。
また、ヒートシンクのベレット裏面への付設方法として
は、銀ペースト、はんだ等のような接着材による接着方
法を使用するに限らず、金−シリコン共晶層による固着
方法等を使用してもよい。
は、銀ペースト、はんだ等のような接着材による接着方
法を使用するに限らず、金−シリコン共晶層による固着
方法等を使用してもよい。
ヒートシンクの形状、大きさ、構造等は、要求される放
熱性能、実装形ａ（例えば、押さえ具や締結ボルトの使
用のを無等）、ペレットの性能、大きさ、形状、構造等
々の諸条件に対応して選定することが望ましく、必要に
応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設け
ることができる。
熱性能、実装形ａ（例えば、押さえ具や締結ボルトの使
用のを無等）、ペレットの性能、大きさ、形状、構造等
々の諸条件に対応して選定することが望ましく、必要に
応じて、放熱フィンやボルト挿通孔、雌ねじ等々を設け
ることができる。
また、ヒートシンクを形成する材料としては銅系材料を
使用するに限らず、アルミニューム系等のような熱伝導
性の良好な他の金属材料を使用することができる。特に
、炭化シリコン（Ｓｉｃ）等のように熱伝導性に優れ、
かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそれ
と略等しい材料を使用することが望ましい。
使用するに限らず、アルミニューム系等のような熱伝導
性の良好な他の金属材料を使用することができる。特に
、炭化シリコン（Ｓｉｃ）等のように熱伝導性に優れ、
かつ、熱膨張率がペレットの材料であるシリコンのそれ
と略等しい材料を使用することが望ましい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である表面実装形樹脂封止
パッケージを備えたＩＣに通用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、樹脂封止型パワ
ートランジスタや、その他の電子装置全般に適用するこ
とができる。
をその背景となった利用分野である表面実装形樹脂封止
パッケージを備えたＩＣに通用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、樹脂封止型パワ
ートランジスタや、その他の電子装置全般に適用するこ
とができる。
特に、小型軽量、多ピンで、しかも、低価格であり、高
い放熱性能が要求される半導体装置に利用して優れた効
果が得られる。
い放熱性能が要求される半導体装置に利用して優れた効
果が得られる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
て得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りである。
ペレットの裏面にヒートシンクを付設することにより、
ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝導させるこ
とができるため、放熱性能を高めることができ、ＴＡＢ
構造のＩＣ等においでも低熱抵抗化を実現させることが
できる。
ペレットの熱をヒートシンクに直接的に熱伝導させるこ
とができるため、放熱性能を高めることができ、ＴＡＢ
構造のＩＣ等においでも低熱抵抗化を実現させることが
できる。
また、樹脂封止パッケージから補強用部材を突設すると
ともに、この半導体装置がプリント配線基板に実装され
る際に補強用部材をプリント配線基板に機械的に接続す
ることにより、実装された後、振動等による外力がこの
半導体装置に加わった場合において、当該外力を補強用
部材によって受けることができるため、当該外力によっ
て電気的接続用のリード曲がり等のような事故が起きる
のを防止することができ、その結果、短絡不良や、断線
不良の発生のを未然に回避することができる。
ともに、この半導体装置がプリント配線基板に実装され
る際に補強用部材をプリント配線基板に機械的に接続す
ることにより、実装された後、振動等による外力がこの
半導体装置に加わった場合において、当該外力を補強用
部材によって受けることができるため、当該外力によっ
て電気的接続用のリード曲がり等のような事故が起きる
のを防止することができ、その結果、短絡不良や、断線
不良の発生のを未然に回避することができる。
第１図（ａｌ、（ｂ）は本発明の一実施例である半導体
装置の製造方法により製造された樹脂封止形５ＯＰ−Ｉ
Ｃを示す正面断面図および側面断面図、第２図は多連リ
ードフレームを示す一部省略平面図、 第３図はヒートシンク専用多連リードフレームを示す一
部省略斜視図、 第４図はその製造途中を示す一部省略平面図、第５図は
第４図のＶ−Ｖ線に沿う側面断面図、第６図は第４図の
ＶＩ−ＶＩ線に沿う正面断面図、第７図は樹脂封止パッ
ケージ成形作業を示す縦断面図、 第８図はパッケージ成形後を示す底面図、第９図はその
５ｏｐ−ｒｃの実装状態を示す斜視図、 第１０ｒｇＪは同じく縦断面図である。 第１Ｉ図は本発明の一実施例である半導体装置を示す一
部切断正面図、 第１２図はその外観斜視図、 第１３図はキャリアテープを示す一部省略平面図、第１
４図はヒートシンク専用多連リードフレームを示す一部
省略平面図、 第１５図はインナリードボンディング作業を示す縦断面
図、 第１６図はヒートシンク取り付は作業を示す縦断面図、 第１７図はその取り付は後の状態を示す一部省略平面図
、 第１８図は樹脂封止パッケージ成形作業を示す一部省略
縦断面図、 第１９図はパッケージ成形後を示す一部省略底面図、 第２０図はその半導体装置の実装状態を示す縦断面図、 第２１図はその斜視図である。 １・・・多連リードフレーム、２・・・単位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクション枠、５・・・
空所、６・・・ダム部材、６ａ・・・ダム、７・・・電
気的接続用リード、１１・・・ヒートシンク専用多連リ
ードフレーム、１２・・・専用単位リードフレーム、１
３・・・外４Ｑ、１４・・・セクション枠、１５・・・
ヒートシンク吊り部材、１６・・・段差部、１７・・・
ボンディング層、１８・・・ヒートシンク、１９・・・
環状溝、２０・・・多連り一部フレーム重合体、２１・
・・ペレット、２２・・・ボンディング層、２３・・・
ボンディングワイヤ、２４・・・樹脂封止パッケージ、
２５・・・５ＯＰ−ＩＣ（半導体装置）、２６・・・プ
リント配線基板、２７・・・ランドパッド、３０．７０
・・・トランスファ成形装置、３１７１・・・上型、３
２．７２・・・下型、３３．７３・・・キャビティー、
３４．７４・・・ポット、３５．７５・・・フ゛ランジ
十、３６．７６・・・カル、３７．７７・・・ランナ、
３８．７８・・・ゲート、３９．７９・・・凹所、４０
．８０・・・レジン、４１・・・ＴＡＢ構造のＩＣ（半
導体装置）、４２・・・キャリアテープ、４３・・・送
り孔、４４・・・窓孔、４５・・・リード、４６・・・
インナリード、４７・・・アウタリード、４日・・・テ
スト用端子、５１・・・ヒートシンク専用多連リードフ
レーム、５２・・・専用単位リードフレーム、５３・・
・外枠、５５・・・ヒートシンク吊り部材、５６・・・
段差部、５７・・・接着材層、５日・・・ヒートシンク
、５９・・・環状溝、６０・・・補強用部材、６１・・
・ベレット、６２・・・バンプ、６３・・・ボンディン
グ工具、６４・・・接着材層、６５・・・重合体、６６
・・・パッケージ、８１・・・プリント配線基板、８２
・・・ランドバッド、８３・・・補強用パッド。 代理人 弁理士 梶 原 辰 也第１図 （ｂ） １９・・ 覆べ°弄 第５図 第８図 第１０図 第１３図
装置の製造方法により製造された樹脂封止形５ＯＰ−Ｉ
Ｃを示す正面断面図および側面断面図、第２図は多連リ
ードフレームを示す一部省略平面図、 第３図はヒートシンク専用多連リードフレームを示す一
部省略斜視図、 第４図はその製造途中を示す一部省略平面図、第５図は
第４図のＶ−Ｖ線に沿う側面断面図、第６図は第４図の
ＶＩ−ＶＩ線に沿う正面断面図、第７図は樹脂封止パッ
ケージ成形作業を示す縦断面図、 第８図はパッケージ成形後を示す底面図、第９図はその
５ｏｐ−ｒｃの実装状態を示す斜視図、 第１０ｒｇＪは同じく縦断面図である。 第１Ｉ図は本発明の一実施例である半導体装置を示す一
部切断正面図、 第１２図はその外観斜視図、 第１３図はキャリアテープを示す一部省略平面図、第１
４図はヒートシンク専用多連リードフレームを示す一部
省略平面図、 第１５図はインナリードボンディング作業を示す縦断面
図、 第１６図はヒートシンク取り付は作業を示す縦断面図、 第１７図はその取り付は後の状態を示す一部省略平面図
、 第１８図は樹脂封止パッケージ成形作業を示す一部省略
縦断面図、 第１９図はパッケージ成形後を示す一部省略底面図、 第２０図はその半導体装置の実装状態を示す縦断面図、 第２１図はその斜視図である。 １・・・多連リードフレーム、２・・・単位リードフレ
ーム、３・・・外枠、４・・・セクション枠、５・・・
空所、６・・・ダム部材、６ａ・・・ダム、７・・・電
気的接続用リード、１１・・・ヒートシンク専用多連リ
ードフレーム、１２・・・専用単位リードフレーム、１
３・・・外４Ｑ、１４・・・セクション枠、１５・・・
ヒートシンク吊り部材、１６・・・段差部、１７・・・
ボンディング層、１８・・・ヒートシンク、１９・・・
環状溝、２０・・・多連り一部フレーム重合体、２１・
・・ペレット、２２・・・ボンディング層、２３・・・
ボンディングワイヤ、２４・・・樹脂封止パッケージ、
２５・・・５ＯＰ−ＩＣ（半導体装置）、２６・・・プ
リント配線基板、２７・・・ランドパッド、３０．７０
・・・トランスファ成形装置、３１７１・・・上型、３
２．７２・・・下型、３３．７３・・・キャビティー、
３４．７４・・・ポット、３５．７５・・・フ゛ランジ
十、３６．７６・・・カル、３７．７７・・・ランナ、
３８．７８・・・ゲート、３９．７９・・・凹所、４０
．８０・・・レジン、４１・・・ＴＡＢ構造のＩＣ（半
導体装置）、４２・・・キャリアテープ、４３・・・送
り孔、４４・・・窓孔、４５・・・リード、４６・・・
インナリード、４７・・・アウタリード、４日・・・テ
スト用端子、５１・・・ヒートシンク専用多連リードフ
レーム、５２・・・専用単位リードフレーム、５３・・
・外枠、５５・・・ヒートシンク吊り部材、５６・・・
段差部、５７・・・接着材層、５日・・・ヒートシンク
、５９・・・環状溝、６０・・・補強用部材、６１・・
・ベレット、６２・・・バンプ、６３・・・ボンディン
グ工具、６４・・・接着材層、６５・・・重合体、６６
・・・パッケージ、８１・・・プリント配線基板、８２
・・・ランドバッド、８３・・・補強用パッド。 代理人 弁理士 梶 原 辰 也第１図 （ｂ） １９・・ 覆べ°弄 第５図 第８図 第１０図 第１３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ヒートシンクが内蔵された樹脂封止パッケージを備
えている半導体装置の製造方法であって、前記ヒートシ
ンクが専用平面形状構造物に取り付けられる工程と、電
気的接続用のリード群が一体化されている構造物に前記
専用平面形状構造物が組み合わされる工程と、前記ヒー
トシンクにペレットがボンディングされる工程と、ペレ
ットが前記リード群に電気的に接続される工程と、前記
樹脂封止パッケージが前記ペレット、前記リード群の一
部、および前記ヒートシンクの少なくとも一部を樹脂封
止するように成形される工程とを備えていることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 ２、電気的接続用のリード群が機械的強度の高い材料を
用いて形成されており、ヒートシンクが熱伝導性の良好
な材料を用いて形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ３、電気的接続用のリード群を一体化している構造物が
リードフレームにより構成されており、各リードにペレ
ットがワイヤボンディングにより電気的にそれぞれ接続
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置の製造方法。 ４、電気的接続用のリード群を一体化している構造物が
キャリアテープにより構成されており、各リードにペレ
ットがテープ・オートメイテッド・ボンディングにより
電気的にそれぞれ接続されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。 ５、ヒートシンク専用平面形状構造物に補強用部材が設
けられており、この補強用部材は樹脂封止パッケージの
成形時、パッケージの外部に突出されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099388A JP2651427B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63099388A JP2651427B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01270336A true JPH01270336A (ja) | 1989-10-27 |
| JP2651427B2 JP2651427B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=14246124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63099388A Expired - Fee Related JP2651427B2 (ja) | 1988-04-22 | 1988-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2651427B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2666687A1 (fr) * | 1990-09-06 | 1992-03-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre a boitier moule comprenant un dissipateur thermique et procede de fabrication. |
| FR2668854A1 (fr) * | 1990-11-06 | 1992-05-07 | Mitsubishi Electric Corp | Dispositif semiconducteur conditionne dans la resine. |
| US5345106A (en) * | 1990-06-01 | 1994-09-06 | Robert Bosch Gmbh | Electronic circuit component with heat sink mounted on a lead frame |
| KR100370231B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2003-01-29 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 |
| JP2006049694A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Freescale Semiconductor Inc | 二重ゲージ・リードフレーム |
| JP2009543329A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | ヒートシンク支持部を有するリードフレーム、それを用いた発光ダイオードパッケージの製造方法、及びそれにより製造された発光ダイオードパッケージ |
| JP2014216459A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10314161B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Circuit board and on-board structure of semiconductor integrated circuit |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146263A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
-
1988
- 1988-04-22 JP JP63099388A patent/JP2651427B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56146263A (en) * | 1980-04-16 | 1981-11-13 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
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| US5345106A (en) * | 1990-06-01 | 1994-09-06 | Robert Bosch Gmbh | Electronic circuit component with heat sink mounted on a lead frame |
| FR2666687A1 (fr) * | 1990-09-06 | 1992-03-13 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit integre a boitier moule comprenant un dissipateur thermique et procede de fabrication. |
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| KR100370231B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2003-01-29 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 리드프레임의 배면에 직접 부착되는 절연방열판을구비하는 전력 모듈 패키지 |
| JP2006049694A (ja) * | 2004-08-06 | 2006-02-16 | Freescale Semiconductor Inc | 二重ゲージ・リードフレーム |
| JP2009543329A (ja) * | 2006-06-30 | 2009-12-03 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | ヒートシンク支持部を有するリードフレーム、それを用いた発光ダイオードパッケージの製造方法、及びそれにより製造された発光ダイオードパッケージ |
| US8482023B2 (en) | 2006-06-30 | 2013-07-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Leadframe having a heat sink supporting part, fabricating method of a light emitting diode package using the same, and light emitting diode package fabricated by the method |
| JP2014216459A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US10314161B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-06-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Circuit board and on-board structure of semiconductor integrated circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2651427B2 (ja) | 1997-09-10 |
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