JPH01268147A - チップ突上げ用コマ - Google Patents

チップ突上げ用コマ

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Publication number
JPH01268147A
JPH01268147A JP63097419A JP9741988A JPH01268147A JP H01268147 A JPH01268147 A JP H01268147A JP 63097419 A JP63097419 A JP 63097419A JP 9741988 A JP9741988 A JP 9741988A JP H01268147 A JPH01268147 A JP H01268147A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chip
flat surface
head
surface portion
chips
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63097419A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Uno
宇野 正雄
Masayoshi Kodama
児玉 正吉
Toshitaka Nishizuka
西塚 俊隆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP63097419A priority Critical patent/JPH01268147A/ja
Publication of JPH01268147A publication Critical patent/JPH01268147A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support

Landscapes

  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野コ 本発明はチップ突上げ用コマに関するー。更に詳細には
、本発明は平坦面部と傾斜面部とからなる上面部を有す
るチップ突上げ用コマに関する。
[従来の技術] チップ突上げ用コマはウェハの分割あるいはダイボンデ
ィングなどの工程で使用されている。
例えば、シリコンウェハに拡散、ホトエツチング等の工
程を経て半導体素子が作り込まれると、−枚のウェハ内
に同一の素子が多数個規則的に配列されたものが得られ
る。そして、良品と判断されたそれぞれの素子(ダイス
またはチップとも呼ばれる)をパッケージに組込むため
に個々に分割する。この分割の際に、ウェハ裏面に粘着
テープを貼付し、テープを伸張させながらテープ下面側
からチップ突上げ用コマで個々のチップを突上げて個別
に取り出す操作が行われる。
また、ダイボンディングの際、良品チップと判定されて
いるものの真上に吸着ヘッドがきて、このチップを吸着
し、ボンディング処理か行われる。
ICチップの表面は繊細で傷つきやすいので、チップ吸
着時にはチップを裏面より突上げ、−1−昇を開始して
いる吸着ヘッドとの相対速度を小さくし、衝撃荷重を最
小にすることでチップ表面の損傷を皆無としている。
[発明か解決しようとする課題] このような目的に従来から使用されてきたチップ突」二
げ用コマは−1−面部が湾曲しているため、裏面からチ
ップを突」−げると、隣接しているチップの上部外周縁
同士が衝突し、欠は破損を起こすことが度々あった。チ
ップそれ自体は良品であるにも拘わらず、後処理工程で
不良品化することとなり、スループットが著しく低下さ
れる。
従って、本発明の目的は良品チップに欠は破損なとの損
傷を与えることのないチップ突」−げ用コマを提供する
ことである。
[課題を解決するための手段] 前記目的を達成するために、本発明のチップ突りげ用コ
マにおいては、チップ突上げピンが出入り可能で、かつ
、チップを真空吸引するための、貫通孔が設けられた平
坦面部と、この平坦面部に隣接する、外周縁に向かって
降ドする傾斜面部吉からなる」−面部を設けている。
傾斜面部の傾斜角は特に限定されるわけではないか、一
般的には、0.1〜5°、好ましくは、0.5〜3°の
範囲内、特に好ましくは、約1゜〜1.5°程度である
また、チップの真空吸着性を高めるために、傾斜面部に
は平坦面部の貫通孔に連通ずる同心円状の溝を刻設する
ことが好ましい。
[作用] 前記のように、本発明のチップ突−にげピンは、その」
−面部が平坦面部と傾斜面部とからなるので、中央の平
坦面部に載置されたチップとその外周の傾斜面部に載置
されたチップとの−1一部外周縁同士は互いに離反し、
チップ間の間隔が拡大するようになる。
かくして、チップ突上げによりチップか破損するような
事故は殆ど発生しなくなり、スルーブツトか向」二され
る。
[実施例コ 以下、図面を参照しながら本発明のチップ突−1ユげ用
コマの一例について更に詳細に説明する。
第1図は本発明のチップ突上げ用コマの一例の概要断面
図であり、第2図はその平面図である。
第1図に示されるように、本発明のチップ突」―げ用コ
マlは頭部3と台座5とからなる。頭部3と台座5との
内部には空洞7が画成されている。
この空洞内には昇降可能な突上げピン9が設けられてい
る。突」−げピン9は頭部上面の略中央部に穿設された
貫通孔11を通じて進退する。ピンの直径は貫通孔の内
径よりも小さい。台座5には前記空洞7に通じる排気通
路13が設けられている。
排気通路13の出l」側は真空ポンプ等の適当な排気手
段(図示されていない)に接続する。頭部3七台座5と
の気密性を高めるために、これら両部材の係合部に0−
リング15を配設することが好ましい。頭部」二面の貫
通孔配設箇所周辺は平坦面部てあり、その周囲は傾斜面
部である。傾斜面部は角度θの下り傾斜面である。θは
特に限定されるわけではないが、一般的には、0.1〜
5°、好ましくは、0.5〜3°の範囲内−特に好まし
くは、約1°〜1.5°程度である。傾斜面部の外周縁
にO−リングを配設するための凹陥溝17が設けられて
いる。
第2図は頭部3の平面図である。図示されているような
円形に限らず、角形の頭部も使用できる。
しかし、特に方向性のない円形頭部が最も好ましい。頭
部の中心に略対称的に貫通孔11が4本穿設されている
。この各貫通孔から放射状に所定の深さの刻設溝20が
半径方向外方へ伸びている。
そして、この放射状の溝をつなぐ、同心円状の溝22が
刻設されている。頭部中心から貫通孔11に隣接する第
1の同心円溝までの部分が平坦面部を構成し、第1の同
心円溝から頭部外周縁までの部分が傾斜面部を構成する
。第1図に示された排気通路13から吸引が行われると
、同心円状の溝22および放射状の溝20を通じ、貫通
孔11から吸気される。そのため、貫通孔11の配設さ
れ6一 た平坦面部だけでなく、放射状1薄および同心円状溝の
配設された傾斜面部においてもチップを吸着することが
できる。
第3図は頭部上面にチップが吸着された状態の拡大模式
図である。
図示されているように、チップ25が貼付された粘着テ
ープ30の下面側に本発明のチップ突」二げ用コマlの
頭部−上面を当接させる。頭部上面の平坦面部にチップ
1個が乗るように位置決めすることが好ましい。平坦面
部の直径はチップの長さに等しいか、あるいは若干大き
い。このように位置決めすると、隣接するチップは何れ
も傾斜面部に乗るようになる。すると、平坦面部に乗っ
ているチップと傾斜面部に乗っているチップとはその切
れ目の」一端部分32が拡開される。かくして、突上げ
の際に、チップの」二端縁同十が衝突して欠けが発生す
るような事故は効果的に防止される。
頭部3の大きさ、すなわち直径はチップ25の大きさに
依存して変化する。頭部の直径はチップの長さの約3倍
程度であることが好ましい。
本発明のチップ突上げコマの材質、特に、頭部  ゛の
材質は特に限定されないが、ステンレス等の金属から構
成することができる。   −[発明の効果] 以」−説明したように、本発明のチップ突上げピンは、
その上面部が平坦面部と傾斜面部とからなるので、中央
の平坦面部に載置されたチップとその外周の傾斜面部に
載置されたチップとの」二部外周縁同士は互いに離反し
、チップ間の間隔が拡大するようになる。
かくして、チップ突上げによりチップが破損するような
事故は殆ど発生しなくなり、スループットが向−1ニさ
れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のチップ突上げ用コマの一例の概要断面
図であり、第2図はその平面図であり、第3図は頭部−
上面にチップが吸着された状態の拡大模式図である。 ■・・・本発明のチップ突、Lげ用コマ。 3・・・頭部。 5・・・台座。 9・・・突上げピン。 ll・・・貫通孔。 13・・・排気通路。 20・・・放射状溝。 22・・・同心円状溝

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)チップ突上げピンが出入り可能で、かつ、チップ
    を真空吸引するための、貫通孔が設けられた平坦面部と
    、この平坦面部に隣接する、外周縁に向かって降下する
    傾斜面部とからなる上面部を有することを特徴とするチ
    ップ突上げ用コマ。
  2. (2)傾斜角が0.1〜5゜の範囲内であることを特徴
    とする請求項(1)記載のチップ突上げ用コマ。
  3. (3)傾斜角が0.5〜3゜の範囲内であることを特徴
    とする請求項(2)記載のチップ突上げ用コマ。
  4. (4)傾斜角が1゜〜1.5゜の範囲内であることを特
    徴とする請求項(3)記載のチップ突上げ用コマ。
  5. (5)傾斜面部には平坦面部の貫通孔に連通する放射状
    および同心円状の溝が刻設されていることを特徴とする
    請求項(1)〜(4)の何れかに記載のチップ突上げ用
    コマ。
JP63097419A 1988-04-20 1988-04-20 チップ突上げ用コマ Pending JPH01268147A (ja)

Priority Applications (1)

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JP63097419A JPH01268147A (ja) 1988-04-20 1988-04-20 チップ突上げ用コマ

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JPH01268147A true JPH01268147A (ja) 1989-10-25

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ID=14191930

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JP63097419A Pending JPH01268147A (ja) 1988-04-20 1988-04-20 チップ突上げ用コマ

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JP (1) JPH01268147A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992294A (en) * 1988-02-08 1991-02-12 Kenmei Noguchi Methods of producing soybean milk and bean curd
US5509464A (en) * 1993-07-30 1996-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling rectangular substrates
JP2008071969A (ja) * 2006-09-14 2008-03-27 Shibaura Mechatronics Corp 半導体チップの突き上げ装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992294A (en) * 1988-02-08 1991-02-12 Kenmei Noguchi Methods of producing soybean milk and bean curd
US5509464A (en) * 1993-07-30 1996-04-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cooling rectangular substrates
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