JPH01257383A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
- Publication number
- JPH01257383A JPH01257383A JP63048033A JP4803388A JPH01257383A JP H01257383 A JPH01257383 A JP H01257383A JP 63048033 A JP63048033 A JP 63048033A JP 4803388 A JP4803388 A JP 4803388A JP H01257383 A JPH01257383 A JP H01257383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- temperature
- photodetector
- luminous power
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06804—Stabilisation of laser output parameters by monitoring an external parameter, e.g. temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体レーザの駆動回路に関するものである。
従来の技術
半導体レーザは、小型・で集光性に優れているため、光
ディスクやレーザプリンター等多くの分野で広く使われ
ている。この半導体レーザを使う場合、温度に対しての
光量変化が大きいため、その駆動回路としては、光量変
化が安定となるような、補償回路を付加した回路が用い
られる。すなわち、第２図に駆動回路の一般例を示すが
、１が半導体レーザ、２が光量をモニターするための受
光素子、３が定電流回路である。この定電流回路３は、
半導体レーザ１に一定電流を流す。受光素子２は半導体
レーザ１の光量によシミ流が流れ、抵抗４の両端に電圧
を発生する。この電圧は先の定電流回路３に入力される
ため、光量の増減により、電流が制御され、半導体レー
ザ１の光量を一定とする。
ディスクやレーザプリンター等多くの分野で広く使われ
ている。この半導体レーザを使う場合、温度に対しての
光量変化が大きいため、その駆動回路としては、光量変
化が安定となるような、補償回路を付加した回路が用い
られる。すなわち、第２図に駆動回路の一般例を示すが
、１が半導体レーザ、２が光量をモニターするための受
光素子、３が定電流回路である。この定電流回路３は、
半導体レーザ１に一定電流を流す。受光素子２は半導体
レーザ１の光量によシミ流が流れ、抵抗４の両端に電圧
を発生する。この電圧は先の定電流回路３に入力される
ため、光量の増減により、電流が制御され、半導体レー
ザ１の光量を一定とする。
発明が解決しようとする課題
しかし上記構成においては、受光素子２がレーザ光の直
接光のみでなく反射光も同時に受けた場合、レーザ光の
光量は一定にもかかわらず、反射光のゆらぎにより、受
光素子２の出力が変わシ、その結果電流も異常制御され
、半導体レーザ１の光量が変化するという問題が生じる
。
接光のみでなく反射光も同時に受けた場合、レーザ光の
光量は一定にもかかわらず、反射光のゆらぎにより、受
光素子２の出力が変わシ、その結果電流も異常制御され
、半導体レーザ１の光量が変化するという問題が生じる
。
そこで、本発明では、光量検出をやめ、温度変化を検出
することにより、上記問題点を解決するものである。
することにより、上記問題点を解決するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、半導体レーザに近接して配置された受光素子
の順方向電圧を検知し、半導体レーザの駆動電流を制御
することによシ、上記問題点を解決するのである。
の順方向電圧を検知し、半導体レーザの駆動電流を制御
することによシ、上記問題点を解決するのである。
作用
以上の構成で、受光素子の順方向電圧は温度特性をもつ
ため、この電圧変化を半導体レーザの温度によシ行わせ
、レーザの駆動電流を制御することによシ、半導体レー
ザの光量をほぼ一定に保つことができるのである。
ため、この電圧変化を半導体レーザの温度によシ行わせ
、レーザの駆動電流を制御することによシ、半導体レー
ザの光量をほぼ一定に保つことができるのである。
゛実施例
本発明の詳細を図を用いて説明する。第１図に本発明に
よる駆動回路の実施例を示す。半導体レーザ１と定電流
回路３は第２図と同様であるが、受光素子２からの信号
の定電流回路３への入力の仕方が違っている。すなわち
、抵抗４によりそれ自身は温度が上らないように１００
７７Ａ程度の少電流を受光素子２の順方向に流し、その
ときの受光素子２の順方向電圧を定電流回路３に入力す
る。
よる駆動回路の実施例を示す。半導体レーザ１と定電流
回路３は第２図と同様であるが、受光素子２からの信号
の定電流回路３への入力の仕方が違っている。すなわち
、抵抗４によりそれ自身は温度が上らないように１００
７７Ａ程度の少電流を受光素子２の順方向に流し、その
ときの受光素子２の順方向電圧を定電流回路３に入力す
る。
半導体レーザ１のチップと受光素子２のチップが近接し
て配置されたパッケージを用いることにより、半導体レ
ーザ１の温度が上り光量が低下しても、同時に受光素子
２の順方向電圧も下がり定電流回路３の電流が増すため
、光量はほぼ、一定値が保たれるのである。従来例にお
いて、反射光による光量変化はレーザビームの不安定さ
のみでなく、光ディスクに用いた場合には信号のノイズ
となる。しかし、本発明の場合には光量は温度変化によ
シコントロールされるため、反射光、外部光の影響を受
けず安定性に優れ、ノイズの少ないレーザビームが得ら
れるのである。
て配置されたパッケージを用いることにより、半導体レ
ーザ１の温度が上り光量が低下しても、同時に受光素子
２の順方向電圧も下がり定電流回路３の電流が増すため
、光量はほぼ、一定値が保たれるのである。従来例にお
いて、反射光による光量変化はレーザビームの不安定さ
のみでなく、光ディスクに用いた場合には信号のノイズ
となる。しかし、本発明の場合には光量は温度変化によ
シコントロールされるため、反射光、外部光の影響を受
けず安定性に優れ、ノイズの少ないレーザビームが得ら
れるのである。
発明の効果
以上のように本発明は簡単な構成で安定性、ノイズに対
して優れたレーザビームが得られ、光ディスクのピック
アップに用いた場合再生信号におけるノイズを低下させ
ることができ、その効果は大きい。また、本発明は光量
制御を直接発光量で制御するのでないため、光量の絶対
値としての安定性は必ずしも優れていない。しかし、実
際にはその誤差は１−２％程度にすることができ、実用
上問題とはならない。
して優れたレーザビームが得られ、光ディスクのピック
アップに用いた場合再生信号におけるノイズを低下させ
ることができ、その効果は大きい。また、本発明は光量
制御を直接発光量で制御するのでないため、光量の絶対
値としての安定性は必ずしも優れていない。しかし、実
際にはその誤差は１−２％程度にすることができ、実用
上問題とはならない。
以上のように、簡単な構成でその効果は大きく、本発明
が光ディスク、光磁気ディスク、光カードを始めとする
、レーザ光源を用いた装置に有効であることは明らかで
ある。
が光ディスク、光磁気ディスク、光カードを始めとする
、レーザ光源を用いた装置に有効であることは明らかで
ある。
第１図は本発明による半導体レーザ駆動回路の回路図、
第２図は従来例の回路図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・受光素子
、３・・・・・・定電流回路、４・・・・・・抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名高１
図 尾 ２ 図
第２図は従来例の回路図である。 １・・・・・・半導体レーザ、２・・・・・・受光素子
、３・・・・・・定電流回路、４・・・・・・抵抗。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名高１
図 尾 ２ 図
Claims (1)
- 半導体レーザと、この半導体レーザに近接配置した受光
素子と、上記半導体レーザを駆動するための電流源とを
備え、上記受光素子の順方向電圧を検知し、その変化に
対応して半導体レーザの駆動電流を制御する構成とした
半導体レーザ駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048033A JPH01257383A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体レーザ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63048033A JPH01257383A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257383A true JPH01257383A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=12792001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63048033A Pending JPH01257383A (ja) | 1988-03-01 | 1988-03-01 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257383A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1701589A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | Sony Ericsson Mobile Communications AB | Electric circuit and method for monitoring a temperature of a light emitting diode |
| WO2006094590A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Electric circuit and method for monitoring a temperature of a light emitting diode |
-
1988
- 1988-03-01 JP JP63048033A patent/JPH01257383A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1701589A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-13 | Sony Ericsson Mobile Communications AB | Electric circuit and method for monitoring a temperature of a light emitting diode |
| WO2006094590A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Electric circuit and method for monitoring a temperature of a light emitting diode |
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