JPH01257193A - 半導体気相成長装置 - Google Patents
半導体気相成長装置Info
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- JPH01257193A JPH01257193A JP8518488A JP8518488A JPH01257193A JP H01257193 A JPH01257193 A JP H01257193A JP 8518488 A JP8518488 A JP 8518488A JP 8518488 A JP8518488 A JP 8518488A JP H01257193 A JPH01257193 A JP H01257193A
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Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体薄膜結晶を基板の上に気相成長させる
装置に関し、特に、有機金属金属成長法などを実施する
のに適した装置に関する。
装置に関し、特に、有機金属金属成長法などを実施する
のに適した装置に関する。
(従来の技術)
従来、AlGaAs系の半導体薄膜結晶は、有機金属気
相成長法により成長させる。この種の結晶成長では、空
気中の水分や酸素が成長室に混入すると、結晶の特性を
低下させるという問題があるところから、真空排気手段
を備えた予備室を用いることにより、水分や酸素を除去
してがら基板を成長室に移して気相結晶成長を行ってい
る。
相成長法により成長させる。この種の結晶成長では、空
気中の水分や酸素が成長室に混入すると、結晶の特性を
低下させるという問題があるところから、真空排気手段
を備えた予備室を用いることにより、水分や酸素を除去
してがら基板を成長室に移して気相結晶成長を行ってい
る。
第2図は、従来の気相成長装置の概念図であり、予備室
を中心に拡大したものである。この装置は、予備室4を
成長室9の上部にゲートバルブ8を介して接続したもの
で、予備室4には真空排気系との接続部5が設けられて
いる。
を中心に拡大したものである。この装置は、予備室4を
成長室9の上部にゲートバルブ8を介して接続したもの
で、予備室4には真空排気系との接続部5が設けられて
いる。
まず、ゲートバルブ8を閉じた状態で、予備室4のサセ
プタ2に基板1を装填し、予備室4を閉じる。接続部5
から真空排気して、予備室4に残留する水分や酸素を除
去する。その後、ゲートバルブ8を開け、別途真空排気
済みの成長室9と接続し、トランスファーロッド3を下
降することにより、サセプタ2を成長領域にセットとす
る。そして、トランスファーロッド3を予備室4に引き
上げ、ゲートバルブ8を閉じてから、成長室9で基板1
の上に所定の結晶成長を行う。
プタ2に基板1を装填し、予備室4を閉じる。接続部5
から真空排気して、予備室4に残留する水分や酸素を除
去する。その後、ゲートバルブ8を開け、別途真空排気
済みの成長室9と接続し、トランスファーロッド3を下
降することにより、サセプタ2を成長領域にセットとす
る。そして、トランスファーロッド3を予備室4に引き
上げ、ゲートバルブ8を閉じてから、成長室9で基板1
の上に所定の結晶成長を行う。
結晶成長終了後、成長室9内の残留ガスを排気してから
、ゲートバルブ8を開けて、サセプタ2をトランスファ
ーロッド3により予備室4に引き上げ、ゲートバルブ8
を閉じる。その後、予備室4を開放し、サセプタ2から
薄膜結晶を有する基板1を取り出し、一方、新たな基板
lをサセプタ2に装填して、上記の結晶成長を繰り返す
ことにより、多数の基板上に結晶を成長させろものであ
る。
、ゲートバルブ8を開けて、サセプタ2をトランスファ
ーロッド3により予備室4に引き上げ、ゲートバルブ8
を閉じる。その後、予備室4を開放し、サセプタ2から
薄膜結晶を有する基板1を取り出し、一方、新たな基板
lをサセプタ2に装填して、上記の結晶成長を繰り返す
ことにより、多数の基板上に結晶を成長させろものであ
る。
(発明が解決しようとする課題)
従来の気相成長装置では、予備室の真空排気に長時間を
要した。特に、サセプタ表面に吸着した水分と酸素を除
去するのに時間がかかる。
要した。特に、サセプタ表面に吸着した水分と酸素を除
去するのに時間がかかる。
また、これらを完全に除去することも難しく、成長結晶
を汚染して純度を低下させるという問題があった。
を汚染して純度を低下させるという問題があった。
本発明は、このような問題を解消し、予備室を短詩1j
Uで真空排気することを可能とし、かつ、高純度の゛1
1導体をJ、(板上に構成することのできる気相成長装
置を提供しようとするものである。
Uで真空排気することを可能とし、かつ、高純度の゛1
1導体をJ、(板上に構成することのできる気相成長装
置を提供しようとするものである。
(課題を解決するための手段)
本発明は、基板交換用の予備室をゲートバルブを介して
成長室に接続し、それぞれに真空排気手段を付した半導
体気相成長装置において、予備室に加熱手段を付設した
ことを特徴とする半導体気相成長装置であり、必要に応
じて、予備室に不活性ガス導入口を接続することのでき
るものである。
成長室に接続し、それぞれに真空排気手段を付した半導
体気相成長装置において、予備室に加熱手段を付設した
ことを特徴とする半導体気相成長装置であり、必要に応
じて、予備室に不活性ガス導入口を接続することのでき
るものである。
(作用)
第1図は、本発明の1具体例である気相成長装置の概念
図であり、予備室を中心に拡大したものである。この装
置は、第2図の装置の予備室に、赤外線ランプ7からの
熱線を導入するための石英製窓部6及び不活性ガス導入
部IOを付設したもので、その他は第2図の装置と違い
はない。なお、サセプタの加熱手段は赤外線ランプに限
られるものではなく、抵抗加熱やその他の加熱手段を採
用することもできる。また、予備室に導入する不活性ガ
スとしては、高純度の水素や窒素を用いることができる
。
図であり、予備室を中心に拡大したものである。この装
置は、第2図の装置の予備室に、赤外線ランプ7からの
熱線を導入するための石英製窓部6及び不活性ガス導入
部IOを付設したもので、その他は第2図の装置と違い
はない。なお、サセプタの加熱手段は赤外線ランプに限
られるものではなく、抵抗加熱やその他の加熱手段を採
用することもできる。また、予備室に導入する不活性ガ
スとしては、高純度の水素や窒素を用いることができる
。
この装置では、予備室4内で基板lを交換して予備室4
を閉じた後、赤外線ランプ7に通電して、サセプタ2を
加熱し、そこに吸着している水分や酸素などを脱着し、
必要に応じて、ガス導入部10からの不活性ガスにより
、予備室4内をパージし、最終的に真空排気して残留ガ
スを系外に排出する。
を閉じた後、赤外線ランプ7に通電して、サセプタ2を
加熱し、そこに吸着している水分や酸素などを脱着し、
必要に応じて、ガス導入部10からの不活性ガスにより
、予備室4内をパージし、最終的に真空排気して残留ガ
スを系外に排出する。
このように、予備室に加熱手段と、必要に応じて不活性
ガス導入手段を設けることにより、半導体の製造時間を
大幅に短縮することができ、従来より一層清浄な状態で
サセプタを成長室に移行することができるので、高純度
の半導体を容易に成長させることができるようになった
。
ガス導入手段を設けることにより、半導体の製造時間を
大幅に短縮することができ、従来より一層清浄な状態で
サセプタを成長室に移行することができるので、高純度
の半導体を容易に成長させることができるようになった
。
(実施例)
第1図の装置を用いて、直径2インチのGaAs基板の
上にアンドープ^fGaAs単結晶薄膜を気相成長させ
た。予備室でウエノ1を交換した後、200°Cで10
分間加熱しながらIX 1G−e′Torrまで真空排
気するのに40分間を要した。その後、基板を成長室に
移し、TMG(トリメチルガリウム)、TM^(トリメ
チルアルミニウム)及びアルシンを導入して、従来法に
より気相成長させた。得られたAlGaAs単結晶のキ
ャリア濃度は8. OXl[1’c+s −3であった
。
上にアンドープ^fGaAs単結晶薄膜を気相成長させ
た。予備室でウエノ1を交換した後、200°Cで10
分間加熱しながらIX 1G−e′Torrまで真空排
気するのに40分間を要した。その後、基板を成長室に
移し、TMG(トリメチルガリウム)、TM^(トリメ
チルアルミニウム)及びアルシンを導入して、従来法に
より気相成長させた。得られたAlGaAs単結晶のキ
ャリア濃度は8. OXl[1’c+s −3であった
。
比較のために、赤外線ランプを点けずに上記の圧力まで
真空排気したところ、60分間を必要とした。また、得
られたAlGaAs単結晶のキャリア濃度は3XIO’
cm−3であった。
真空排気したところ、60分間を必要とした。また、得
られたAlGaAs単結晶のキャリア濃度は3XIO’
cm−3であった。
(発明の効果)
本発明は、上記の構成を採用することにより、予備室に
おける真空排気処理時間を大幅に短縮することができ、
かつ、水分や酸素に汚染されない高純度の21導体結晶
の成長を可能にした。
おける真空排気処理時間を大幅に短縮することができ、
かつ、水分や酸素に汚染されない高純度の21導体結晶
の成長を可能にした。
第1図は本発明の1具体例である気相成長装置の概念図
であり、第2図は従来装置の概念図である。 第2図
であり、第2図は従来装置の概念図である。 第2図
Claims (2)
- (1)基板交換用の予備室をゲートバルブを介して成長
室に接続し、それぞれに真空排気手段を付した半導体気
相成長装置において、予備室に加熱手段を付設したこと
を特徴とする半導体気相成長装置。 - (2)予備室に不活性ガス導入口を接続したことを特徴
とする特許請求の範囲(1)記載の半導体気相成長装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8518488A JPH01257193A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8518488A JPH01257193A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体気相成長装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01257193A true JPH01257193A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13851575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8518488A Pending JPH01257193A (ja) | 1988-04-08 | 1988-04-08 | 半導体気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01257193A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7682481B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-03-23 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
-
1988
- 1988-04-08 JP JP8518488A patent/JPH01257193A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7682481B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-03-23 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus |
DE112005001539B4 (de) * | 2004-06-30 | 2013-04-25 | Ulvac, Inc. | Vakuumbearbeitungsvorrichtung und Verfahren zum Austausch einer Vakuumbearbeitungskammer einer solchen Vorrichtung |
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