JPH01257103A - オゾン濃縮装置 - Google Patents
オゾン濃縮装置Info
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- JPH01257103A JPH01257103A JP8369288A JP8369288A JPH01257103A JP H01257103 A JPH01257103 A JP H01257103A JP 8369288 A JP8369288 A JP 8369288A JP 8369288 A JP8369288 A JP 8369288A JP H01257103 A JPH01257103 A JP H01257103A
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- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 105
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims abstract description 22
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims abstract description 21
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract 3
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- OGIIWTRTOXDWEH-UHFFFAOYSA-N [O].[O-][O+]=O Chemical compound [O].[O-][O+]=O OGIIWTRTOXDWEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 4-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=NC=C1 NUKYPUAOHBNCPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25J—LIQUEFACTION, SOLIDIFICATION OR SEPARATION OF GASES OR GASEOUS OR LIQUEFIED GASEOUS MIXTURES BY PRESSURE AND COLD TREATMENT OR BY BRINGING THEM INTO THE SUPERCRITICAL STATE
- F25J3/00—Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification
- F25J3/06—Processes or apparatus for separating the constituents of gaseous or liquefied gaseous mixtures involving the use of liquefaction or solidification by partial condensation
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明は、半導体製造装置に使用するオゾンを製造す
るためのオゾン発生器から発生する酸素−オゾン混合気
体中のオゾンを濃縮するオゾン濃縮装置に関するもので
ある。
るためのオゾン発生器から発生する酸素−オゾン混合気
体中のオゾンを濃縮するオゾン濃縮装置に関するもので
ある。
〈従来技術〉
半導体製造作業において、オゾンｃｖｎやオゾンアッシ
ング等の工程でオゾンが使用されているが、このオゾン
を得るためには、オゾン発生器が多用されている。かか
るオゾン発生器としては、従来、無声放電を利用したも
のが多用されており、第１図にその概要が示されている
。即ち、オゾン発生器ｌのガラス製の本体２内に希硫酸
３が封入′され、そこには、白金線から成るｌ・対の電
極４．４が挿入されていて、その近傍には、ガラス製の
オゾン発生室５も該希硫酸３中に浸漬されて１対の電極
４．４間に介在している。そして、流入管６から供給さ
れた酸素は、オゾン発生室５中で無声放電作用を受けて
オゾンとなり、流出管７かも酸素−オゾン混合気体とし
て流出するものである。
ング等の工程でオゾンが使用されているが、このオゾン
を得るためには、オゾン発生器が多用されている。かか
るオゾン発生器としては、従来、無声放電を利用したも
のが多用されており、第１図にその概要が示されている
。即ち、オゾン発生器ｌのガラス製の本体２内に希硫酸
３が封入′され、そこには、白金線から成るｌ・対の電
極４．４が挿入されていて、その近傍には、ガラス製の
オゾン発生室５も該希硫酸３中に浸漬されて１対の電極
４．４間に介在している。そして、流入管６から供給さ
れた酸素は、オゾン発生室５中で無声放電作用を受けて
オゾンとなり、流出管７かも酸素−オゾン混合気体とし
て流出するものである。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、上記オゾン発生器においては、生成される混
合気体中のオゾン濃度の変動率が大きい（約１０〜２０
％の変動率）ばかりか、オゾン濃度自体が低値（約ｌＯ
＄程度）であるという問題点があり、その上、無声放電
に由来して金属原素やガラスの微粒子が混合気体中に不
純物として混入するという問題点もあるので、かかる酸
素−オゾン混合気体をそのまま半導体製造作業のオゾン
ＣｖＤ工程やオゾンアッシング工程に使用することは、
オゾン濃度に関して安定性と高濃度が要請され、更には
不純物の混入を嫌う同上作業にとっては、致命的ともい
える製品欠陥を生ずる慣れがあった。
合気体中のオゾン濃度の変動率が大きい（約１０〜２０
％の変動率）ばかりか、オゾン濃度自体が低値（約ｌＯ
＄程度）であるという問題点があり、その上、無声放電
に由来して金属原素やガラスの微粒子が混合気体中に不
純物として混入するという問題点もあるので、かかる酸
素−オゾン混合気体をそのまま半導体製造作業のオゾン
ＣｖＤ工程やオゾンアッシング工程に使用することは、
オゾン濃度に関して安定性と高濃度が要請され、更には
不純物の混入を嫌う同上作業にとっては、致命的ともい
える製品欠陥を生ずる慣れがあった。
そこで、オゾン濃度を高めるためにオゾン発生器を多段
に連結したものもあるが、装置全体が大型化してしまい
、しかも、高濃度とはいってもせいぜい２０％程度であ
って、場合によっては１００＄ｅ度も要求される半導体
製造作業のための高濃度オゾンを得ることはできない、
又、オゾン濃度の安定性を確保するのに、作動条件を自
動制御することも考えられるが、制御対象が、稀硫酸の
温度、放電電流及びガス流量等の多岐にわたるので、こ
れらの制御のための装置が複雑かつ大型化し、コスト面
での不利点を伴う。
に連結したものもあるが、装置全体が大型化してしまい
、しかも、高濃度とはいってもせいぜい２０％程度であ
って、場合によっては１００＄ｅ度も要求される半導体
製造作業のための高濃度オゾンを得ることはできない、
又、オゾン濃度の安定性を確保するのに、作動条件を自
動制御することも考えられるが、制御対象が、稀硫酸の
温度、放電電流及びガス流量等の多岐にわたるので、こ
れらの制御のための装置が複雑かつ大型化し、コスト面
での不利点を伴う。
く問題点を解決するための手段〉
この発明は、上記従来技術に基づくオゾン発生器による
オゾン濃度の不安定さや濃度自体の低さ、更には不純物
の混入等の問題点に鑑み、冷媒によってオゾンの沸点と
酸素の沸点との間の温度に冷却されたオゾン液化室を上
記オゾン発生器に連結し、該オゾン液化室には、酸素排
気管を設けるとともに、底部の連通管経由で該オゾン液
化室をオゾン気化室に連通して、該オゾン気化室をオゾ
ンの沸点以上の温度に維持する構成とすることによって
、前記問題点を解決せんとするものである。
オゾン濃度の不安定さや濃度自体の低さ、更には不純物
の混入等の問題点に鑑み、冷媒によってオゾンの沸点と
酸素の沸点との間の温度に冷却されたオゾン液化室を上
記オゾン発生器に連結し、該オゾン液化室には、酸素排
気管を設けるとともに、底部の連通管経由で該オゾン液
化室をオゾン気化室に連通して、該オゾン気化室をオゾ
ンの沸点以上の温度に維持する構成とすることによって
、前記問題点を解決せんとするものである。
く作 用〉
この発明の構成は、オゾン発生器からのオゾン−酸素混
合気体がオゾン液化室に供給されて、ここでオゾンの沸
点と酸素の沸点の間の温度にまで冷却され、該混合気体
中のオゾンのみが凝縮液化されて底部に貯えられ１次い
で、該液化オゾンは底部で該液化室に連通ずるオゾン気
化室に導かれて、ここでオゾンの沸点以上の温度に加熱
されて、再び気化するように作用するものである。
合気体がオゾン液化室に供給されて、ここでオゾンの沸
点と酸素の沸点の間の温度にまで冷却され、該混合気体
中のオゾンのみが凝縮液化されて底部に貯えられ１次い
で、該液化オゾンは底部で該液化室に連通ずるオゾン気
化室に導かれて、ここでオゾンの沸点以上の温度に加熱
されて、再び気化するように作用するものである。
〈実施例〉
次に、この発明の実施例を第２図以下の図面に基づいて
説明すれば以下の通りである。
説明すれば以下の通りである。
第２図において、従来公知のオゾン発生器１には、オゾ
ン濃縮装置ｔｏが接続されており、該オゾン濃縮装置ｌ
Ｏの本体１１は断熱材１２で被覆されていて、その内部
には、オゾン液化室１３が設けられ、その周囲には、液
化室用ヒータ１４が配設されている。該オゾン液化室１
３はその底部に設けられた連通管１５経由でオゾン気化
室１６に連通され、該オゾン気化室１６の周囲には、気
化室用ヒータ１７が配設されている。
ン濃縮装置ｔｏが接続されており、該オゾン濃縮装置ｌ
Ｏの本体１１は断熱材１２で被覆されていて、その内部
には、オゾン液化室１３が設けられ、その周囲には、液
化室用ヒータ１４が配設されている。該オゾン液化室１
３はその底部に設けられた連通管１５経由でオゾン気化
室１６に連通され、該オゾン気化室１６の周囲には、気
化室用ヒータ１７が配設されている。
そして、前記オゾン液化室１３は、酸素−オゾン混合気
体流入管１６によってオゾン発生器１と連通され、その
頂部には、チエツク弁１９を有する酸素排気管２０が設
けられていて、一方、前記オゾン気化室１６には、排気
弁２１を有するオゾン流出ｅｒ！２２が設けられている
。また１本体１１には、冷媒供給管２３が接続されてい
て、ここから冷媒が供給されて、オゾン液化室１３外周
囲の本体１１内に導入されるものであって、本実施例で
は冷媒として液体窒素が使用されている。
体流入管１６によってオゾン発生器１と連通され、その
頂部には、チエツク弁１９を有する酸素排気管２０が設
けられていて、一方、前記オゾン気化室１６には、排気
弁２１を有するオゾン流出ｅｒ！２２が設けられている
。また１本体１１には、冷媒供給管２３が接続されてい
て、ここから冷媒が供給されて、オゾン液化室１３外周
囲の本体１１内に導入されるものであって、本実施例で
は冷媒として液体窒素が使用されている。
しかるところ、オゾン液化室１３は、冷媒である液体窒
素（−１９５，８℃）とヒータ１４での加熱とによって
、オゾンの沸点（−１１１，９℃）から酸素の沸点（約
−１６３℃）までの間の温度、典型的には、約−１３０
℃に維持され、一方、オゾン気化室１６はヒータ１７で
の加熱によってオゾンの沸点以上の温度、典型的には、
−５０℃〜−１１５℃に維持されるものである。
素（−１９５，８℃）とヒータ１４での加熱とによって
、オゾンの沸点（−１１１，９℃）から酸素の沸点（約
−１６３℃）までの間の温度、典型的には、約−１３０
℃に維持され、一方、オゾン気化室１６はヒータ１７で
の加熱によってオゾンの沸点以上の温度、典型的には、
−５０℃〜−１１５℃に維持されるものである。
上記構成において、オゾン発生器１にて生成されるオゾ
ン−酸素混合気体が流入管１６経由でオゾン液化室１３
に流入し、ここでオゾンの沸点と酸素の沸点の間の温度
に冷却されて、混合気体中のオゾンのみが液化して底部
に凝縮分離され、気体状態のままの酸素だけが排気管１
６から排気される。
ン−酸素混合気体が流入管１６経由でオゾン液化室１３
に流入し、ここでオゾンの沸点と酸素の沸点の間の温度
に冷却されて、混合気体中のオゾンのみが液化して底部
に凝縮分離され、気体状態のままの酸素だけが排気管１
６から排気される。
一方、液化オゾンの方は底部の連通管１５経由でオゾン
気化室１６に至り、ここでオゾンの沸点以上の温度に加
温されて気化するものであり、気化したオゾンガスは流
出管２２経由で適宜の消費場所（半導体製造工程上の装
置等）に導かれる。この場合、流出管２２から流出する
オゾンガスの圧力、即ち、オゾン気化室１６内の蒸気圧
はオゾン液化室１３内の蒸気圧に対して均衡するもので
あるから、該液化室１３からの酸素排気管２０中のチエ
ツク弁１９にて該液化室１３内の蒸気圧を調節すること
で、オゾン流出管２２からのオゾンガスの圧力をも調整
可能である。
気化室１６に至り、ここでオゾンの沸点以上の温度に加
温されて気化するものであり、気化したオゾンガスは流
出管２２経由で適宜の消費場所（半導体製造工程上の装
置等）に導かれる。この場合、流出管２２から流出する
オゾンガスの圧力、即ち、オゾン気化室１６内の蒸気圧
はオゾン液化室１３内の蒸気圧に対して均衡するもので
あるから、該液化室１３からの酸素排気管２０中のチエ
ツク弁１９にて該液化室１３内の蒸気圧を調節すること
で、オゾン流出管２２からのオゾンガスの圧力をも調整
可能である。
なお、上記実施例では冷媒として液体窒素を使用した場
合について述べたが、これに限られるものではなく、他
の適宜の冷媒（例えば、−１４０℃〜−１５０℃の沸点
を有するポリコールド（商品名））であってもよい、第
３図にその場合の実施例が示されていて、冷媒供給管２
３には、冷媒を冷却するための冷却器２５が設けられて
いて、冷媒はここでオゾンの沸点と酸素の沸点の間の温
度に冷却されて、本体１１に供給される。従って、この
実施例の場合には、オゾン液化室１３にヒータを設ける
ことが必要的ではない、又、オゾン気化室１６は本体１
１内から外気中に露出して設けられているので、液化オ
ゾンは大気温度に晒されて気化される。
合について述べたが、これに限られるものではなく、他
の適宜の冷媒（例えば、−１４０℃〜−１５０℃の沸点
を有するポリコールド（商品名））であってもよい、第
３図にその場合の実施例が示されていて、冷媒供給管２
３には、冷媒を冷却するための冷却器２５が設けられて
いて、冷媒はここでオゾンの沸点と酸素の沸点の間の温
度に冷却されて、本体１１に供給される。従って、この
実施例の場合には、オゾン液化室１３にヒータを設ける
ことが必要的ではない、又、オゾン気化室１６は本体１
１内から外気中に露出して設けられているので、液化オ
ゾンは大気温度に晒されて気化される。
更には、第４図に示すように、オゾン液化室１３をコイ
ル吹の形状としてもよく、このようにすれば、冷媒によ
る冷却効果の促進を図ることができる。
ル吹の形状としてもよく、このようにすれば、冷媒によ
る冷却効果の促進を図ることができる。
く効 果〉
上記のように、この発明によれば、オゾン発生器にオゾ
ン液化室を接続し、該オゾン液化室をオゾンの沸点と酸
素の沸点の間の温度に冷却することにより、オゾン−酸
素混合気体中のオゾンのみを凝縮液化し、該液化オゾン
を、オゾン液化室と底部で連通ずるオゾン気化室に導入
して、ここでオゾンを再び気化することにより、１００
％にも達しうる高濃度のオゾンを得ることができ、しか
も、かかる高濃度のオゾンを所定濃度のものに安定に稀
釈する技術（ブレンディング）はすでに確立しているの
で、オゾン発生器からのオゾン−酸素混合気体でのオゾ
ン濃度の不安定さや低濃度という不具合がなくなり、更
には、オゾンの液化−気化という工程を経ることによっ
て混合気体中に含まれる金属原素やガラス微粒子等の不
純物も完全に除去できるという優れた効果を奏するもの
であって、半導体製造作業に益するところ大である。
ン液化室を接続し、該オゾン液化室をオゾンの沸点と酸
素の沸点の間の温度に冷却することにより、オゾン−酸
素混合気体中のオゾンのみを凝縮液化し、該液化オゾン
を、オゾン液化室と底部で連通ずるオゾン気化室に導入
して、ここでオゾンを再び気化することにより、１００
％にも達しうる高濃度のオゾンを得ることができ、しか
も、かかる高濃度のオゾンを所定濃度のものに安定に稀
釈する技術（ブレンディング）はすでに確立しているの
で、オゾン発生器からのオゾン−酸素混合気体でのオゾ
ン濃度の不安定さや低濃度という不具合がなくなり、更
には、オゾンの液化−気化という工程を経ることによっ
て混合気体中に含まれる金属原素やガラス微粒子等の不
純物も完全に除去できるという優れた効果を奏するもの
であって、半導体製造作業に益するところ大である。
第１図は従来のオゾン発生器、第２図以下はこの発明の
実施例を示し、第２図は第１の実施例の説明図、第３図
は第２図の実施例の説明図、第４図は第３図の実施例の
説明図である。 １・・・オゾン発生器 ｌＯ・・・オゾン濃縮装置
１１・・・本体 １３・・・オゾン液化室
１４・・・ヒータ １５・・・連通管１６・
・・オゾン気化室 １７・・・ヒータ１６・・・混
合気流人管 ２ｏ・・・酸素排気管２２・・・オゾ
ン流出管 ２３・・・冷媒供給管２５・・・冷却器 出 願 人 株式会社 天谷製作所
実施例を示し、第２図は第１の実施例の説明図、第３図
は第２図の実施例の説明図、第４図は第３図の実施例の
説明図である。 １・・・オゾン発生器 ｌＯ・・・オゾン濃縮装置
１１・・・本体 １３・・・オゾン液化室
１４・・・ヒータ １５・・・連通管１６・
・・オゾン気化室 １７・・・ヒータ１６・・・混
合気流人管 ２ｏ・・・酸素排気管２２・・・オゾ
ン流出管 ２３・・・冷媒供給管２５・・・冷却器 出 願 人 株式会社 天谷製作所
Claims (3)
- （１）オゾン発生器１に接続されて、冷媒によってオゾ
ンの沸点と酸素の沸点の間の温度に維持されたオゾン液
化室１３と、該オゾン液化室１３に設けられた酸素排気
管２０と、前記オゾン液化室１３と連通し、オゾンの沸
点以上の温度に維持されたオゾン気化室１６と、該オゾ
ン気化室１６に設けられたオゾン流出管２２とから成る
オゾン濃縮装置。 - （２）前記冷媒が液体窒素であり、オゾン液化室１３の
外周にはヒーター１４が付設されていることを特徴とす
る請求項１に記載されたオゾン濃縮装置。 - （３）前記オゾン気化室１６が外部に設けられているこ
とを特徴とする請求項１に記載されたオゾン濃縮装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8369288A JPH01257103A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | オゾン濃縮装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8369288A JPH01257103A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | オゾン濃縮装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01257103A true JPH01257103A (ja) | 1989-10-13 |
Family
ID=13809544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8369288A Pending JPH01257103A (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | オゾン濃縮装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01257103A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5971368A (en) * | 1997-10-29 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| US6235641B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-05-22 | Fsi International Inc. | Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid |
| US6274506B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-08-14 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6406551B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-06-18 | Fsi International, Inc. | Method for treating a substrate with heat sensitive agents |
| JP2007197299A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置 |
| WO2008004321A1 (fr) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Appareil et procédé de concentration et dilution de gaz spécifique |
| JP2008007336A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置及びオゾン濃縮装置の運転方法 |
| JP2010185654A (ja) * | 2005-12-27 | 2010-08-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置の運転方法 |
| JP2010223478A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Meidensha Corp | 液体オゾン廃棄方法及び液体オゾン製造装置 |
| JP2011068560A (ja) * | 2010-10-29 | 2011-04-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置及びオゾン濃縮装置の運転方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512695A (ja) * | 1974-06-26 | 1976-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | Sansorisaikuruhoshikino ozonhatsuseisochi |
| JPS5334693A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-31 | Osaka Gas Co Ltd | Ozone generating apparatus |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP8369288A patent/JPH01257103A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS512695A (ja) * | 1974-06-26 | 1976-01-10 | Mitsubishi Electric Corp | Sansorisaikuruhoshikino ozonhatsuseisochi |
| JPS5334693A (en) * | 1976-09-13 | 1978-03-31 | Osaka Gas Co Ltd | Ozone generating apparatus |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6488271B1 (en) | 1997-10-29 | 2002-12-03 | Fsi International, Inc. | Method to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| US6648307B2 (en) | 1997-10-29 | 2003-11-18 | Fsi International, Inc. | Method to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| US5971368A (en) * | 1997-10-29 | 1999-10-26 | Fsi International, Inc. | System to increase the quantity of dissolved gas in a liquid and to maintain the increased quantity of dissolved gas in the liquid until utilized |
| US6235641B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-05-22 | Fsi International Inc. | Method and system to control the concentration of dissolved gas in a liquid |
| US6274506B1 (en) | 1999-05-14 | 2001-08-14 | Fsi International, Inc. | Apparatus and method for dispensing processing fluid toward a substrate surface |
| US6406551B1 (en) | 1999-05-14 | 2002-06-18 | Fsi International, Inc. | Method for treating a substrate with heat sensitive agents |
| JP2010185654A (ja) * | 2005-12-27 | 2010-08-26 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置の運転方法 |
| JP2007197299A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置 |
| JP4653023B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2011-03-16 | 住友重機械工業株式会社 | オゾン濃縮装置 |
| JP4653024B2 (ja) * | 2006-06-27 | 2011-03-16 | 住友重機械工業株式会社 | オゾン濃縮装置及びオゾン濃縮装置の運転方法 |
| JP2008007336A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置及びオゾン濃縮装置の運転方法 |
| WO2008004278A1 (fr) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Procédé et dispositif de concentration / dilution de gaz spécifique |
| WO2008004321A1 (fr) * | 2006-07-04 | 2008-01-10 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Appareil et procédé de concentration et dilution de gaz spécifique |
| US8500874B2 (en) | 2006-07-04 | 2013-08-06 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Apparatus for concentrating and diluting specific gas and method for concentrating and diluting specific gas |
| US8608832B2 (en) | 2006-07-04 | 2013-12-17 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | Apparatus for concentrating and diluting specific gas and method for concentrating and diluting specific gas |
| JP2010223478A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Meidensha Corp | 液体オゾン廃棄方法及び液体オゾン製造装置 |
| JP2011068560A (ja) * | 2010-10-29 | 2011-04-07 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | オゾン濃縮装置及びオゾン濃縮装置の運転方法 |
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