JPH01256183A - スイッチング素子 - Google Patents
スイッチング素子Info
- Publication number
- JPH01256183A JPH01256183A JP63082891A JP8289188A JPH01256183A JP H01256183 A JPH01256183 A JP H01256183A JP 63082891 A JP63082891 A JP 63082891A JP 8289188 A JP8289188 A JP 8289188A JP H01256183 A JPH01256183 A JP H01256183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon phthalocyanine
- resistance state
- electric field
- thin film
- switching element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M sipc iv Chemical compound [OH-].[Si+4].CN(C)CCC[Si](C)(C)[O-].C=1C=CC=C(C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=N3)C=1C3=CC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 JACPFCQFVIAGDN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 16
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- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品の分野で利用されるスイッチング素
子に関するものである。
子に関するものである。
従来の技術
従来のスイッチング機能をもつ有機薄膜としては、Cu
、TCNQCN中鉛フタロシアニン等が知られている。
、TCNQCN中鉛フタロシアニン等が知られている。
鉛フタロシアニンのスイッチング現象については昇華法
による薄膜についての報告がちり〜電界に誘起されたo
rder−disordertransitionによ
るものと説明されており、鉛フタロシアニンの抵抗は三
つの状態;低抵抗状態(on状態)、中間状態、高抵抗
状態(off状態)が有り、電界により低抵抗状態から
高抵抗状態へスイッチングすることが報告されている。
による薄膜についての報告がちり〜電界に誘起されたo
rder−disordertransitionによ
るものと説明されており、鉛フタロシアニンの抵抗は三
つの状態;低抵抗状態(on状態)、中間状態、高抵抗
状態(off状態)が有り、電界により低抵抗状態から
高抵抗状態へスイッチングすることが報告されている。
発明が解決しようとする課題
しかし、これらをスイッチング素子として利用するため
には、周囲の雰囲気などの影響による不安定さを改善す
ることが必要である。
には、周囲の雰囲気などの影響による不安定さを改善す
ることが必要である。
これらの課題を解決するためには、周囲の温度、湿度、
ガスの有無等に影響されにくい素子を見出すことが必要
である。
ガスの有無等に影響されにくい素子を見出すことが必要
である。
そこで本発明の目的は、これらの周囲の環境に影響を受
けに<<、安定かつ確実なスイッチング動作をする素子
の提供を目的とするものである。
けに<<、安定かつ確実なスイッチング動作をする素子
の提供を目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、その技術的手段は
、−次元結晶構造を有するシリコンフタロシアニンを用
いて有機導電体を形成し、電界強度による高抵抗状態か
ら低抵抗状態へのスイッチング現象を利用したスイッチ
ング素子を実現するものである。
、−次元結晶構造を有するシリコンフタロシアニンを用
いて有機導電体を形成し、電界強度による高抵抗状態か
ら低抵抗状態へのスイッチング現象を利用したスイッチ
ング素子を実現するものである。
作用
本発明におけるスイッチング素子の特徴は、−次元結晶
構造を有するシリコンフタロシアニンを用いることにあ
シ、このスイッチング素子は、電界強度によって高抵抗
状態から低抵抗状態への可逆的なスイッチング動作を示
し、繰り返し動作に対しても安定である。
構造を有するシリコンフタロシアニンを用いることにあ
シ、このスイッチング素子は、電界強度によって高抵抗
状態から低抵抗状態への可逆的なスイッチング動作を示
し、繰り返し動作に対しても安定である。
実施例
以下に本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に述べる。
に述べる。
第1図は本発明のスイッチング素子の基本的な構造を模
式的に示した断面図である。図において1はガラス基板
、2は金電極、3はシリコンフタロシアニン薄膜でアシ
、シリコンフタロシアニン薄膜3が金電極2でサンドイ
ッチされた構成となっている。
式的に示した断面図である。図において1はガラス基板
、2は金電極、3はシリコンフタロシアニン薄膜でアシ
、シリコンフタロシアニン薄膜3が金電極2でサンドイ
ッチされた構成となっている。
第2図0)は、基板面内方向の電導度を測定するために
形成した、シリコンフタロシアニン薄膜を用いた素子の
平面図である。また第2図(b)は第2図(a)のI−
I’における断面図を示す。第2図のシリコンフタロシ
アニン薄膜13は次のようにして形成される。まず中性
洗剤による洗浄及び有機洗浄を施した石英基板11上に
金を真空蒸着して櫛型電極12を形成し、さらにその上
にシリコンフタロシアニン薄膜13を真空蒸着すること
によって形成した。本実施例の場合は、各櫛型電極12
の間にシリコンフタロシアニン薄膜13が形成された構
成となる。
形成した、シリコンフタロシアニン薄膜を用いた素子の
平面図である。また第2図(b)は第2図(a)のI−
I’における断面図を示す。第2図のシリコンフタロシ
アニン薄膜13は次のようにして形成される。まず中性
洗剤による洗浄及び有機洗浄を施した石英基板11上に
金を真空蒸着して櫛型電極12を形成し、さらにその上
にシリコンフタロシアニン薄膜13を真空蒸着すること
によって形成した。本実施例の場合は、各櫛型電極12
の間にシリコンフタロシアニン薄膜13が形成された構
成となる。
電界強度を変化させたときの、抵抗の変化を第3図に示
す。電界強度が4×10■/crnから5×10 ・v
/crnの間で比抵抗が2×10Ω−副から4 X 1
06Ω−mへと減少し、高抵抗状態へとスイッチングが
起こり、また、電界強度を小さくしていくと、再び低抵
抗状態から高抵抗状態へと可逆的にスイッチングが起こ
る。
す。電界強度が4×10■/crnから5×10 ・v
/crnの間で比抵抗が2×10Ω−副から4 X 1
06Ω−mへと減少し、高抵抗状態へとスイッチングが
起こり、また、電界強度を小さくしていくと、再び低抵
抗状態から高抵抗状態へと可逆的にスイッチングが起こ
る。
発明の効果
以上のように本発明は、シリコンフタロシアニンを二つ
の電極の間に介在させてスイッチング素子を形成するこ
とにより、電界強度によって高抵抗状態と低抵抗状態を
制御することができるため、そのエレクトロニクス分野
への効果は大なるものがある。
の電極の間に介在させてスイッチング素子を形成するこ
とにより、電界強度によって高抵抗状態と低抵抗状態を
制御することができるため、そのエレクトロニクス分野
への効果は大なるものがある。
第1図は本発明のスイッチング素子の構造を模式的に示
す断面図、第2図(a)は本発明の一実施例における、
基板面内方向の電導度を測定するために形成したシリコ
ンフタロシアニン薄膜を用いたスイッチング素子の平面
図第2図(b)は前記平面図のI−I’における断面図
、第3図は、同実施例におケルシリコンフタロシアニン
薄膜の電界強度と比抵抗との間の関係を示す図である。 1・・・石英基板、2・・・金電極、3・・・シリコン
フタロシアニン薄膜。 特許出願人 工業技術院長 飯 塚 幸 三第1図 3;リコシ7クロシアニシ \ n1フス暑王シ、l 第2図 1Z柵型彎極 第3図 電界燥浅(x/θ’ V/cM)
す断面図、第2図(a)は本発明の一実施例における、
基板面内方向の電導度を測定するために形成したシリコ
ンフタロシアニン薄膜を用いたスイッチング素子の平面
図第2図(b)は前記平面図のI−I’における断面図
、第3図は、同実施例におケルシリコンフタロシアニン
薄膜の電界強度と比抵抗との間の関係を示す図である。 1・・・石英基板、2・・・金電極、3・・・シリコン
フタロシアニン薄膜。 特許出願人 工業技術院長 飯 塚 幸 三第1図 3;リコシ7クロシアニシ \ n1フス暑王シ、l 第2図 1Z柵型彎極 第3図 電界燥浅(x/θ’ V/cM)
Claims (2)
- (1)二つの電極の間にシリコンフタロシアニン層を介
在させたことを特徴とするスイッチング素子。 - (2)シリコンフタロシアニン層が真空蒸着法により形
成された薄膜である請求項1記載のスイッチング素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63082891A JPH01256183A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | スイッチング素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63082891A JPH01256183A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | スイッチング素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01256183A true JPH01256183A (ja) | 1989-10-12 |
Family
ID=13786898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63082891A Pending JPH01256183A (ja) | 1988-04-06 | 1988-04-06 | スイッチング素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01256183A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62224961A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶素子 |
JPS636872A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Canon Inc | 負性抵抗素子 |
-
1988
- 1988-04-06 JP JP63082891A patent/JPH01256183A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62224961A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-02 | Toshiba Corp | 半導体記憶素子 |
JPS636872A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-12 | Canon Inc | 負性抵抗素子 |
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