JPH01256183A - スイッチング素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、電子部品の分野で利用されるスイッチング素
子に関するものである。

従来の技術 従来のスイッチング機能をもつ有機薄膜としては、Ｃｕ
、ＴＣＮＱＣＮ中鉛フタロシアニン等が知られている。

鉛フタロシアニンのスイッチング現象については昇華法
による薄膜についての報告がちり〜電界に誘起されたｏ
ｒｄｅｒ−ｄｉｓｏｒｄｅｒｔｒａｎｓｉｔｉｏｎによ
るものと説明されており、鉛フタロシアニンの抵抗は三
つの状態；低抵抗状態（ｏｎ状態）、中間状態、高抵抗
状態（ｏｆｆ状態）が有り、電界により低抵抗状態から
高抵抗状態へスイッチングすることが報告されている。

発明が解決しようとする課題 しかし、これらをスイッチング素子として利用するため
には、周囲の雰囲気などの影響による不安定さを改善す
ることが必要である。

これらの課題を解決するためには、周囲の温度、湿度、
ガスの有無等に影響されにくい素子を見出すことが必要
である。

そこで本発明の目的は、これらの周囲の環境に影響を受
けに＜＜、安定かつ確実なスイッチング動作をする素子
の提供を目的とするものである。

課題を解決するための手段 本発明は上記目的を達成するもので、その技術的手段は
、−次元結晶構造を有するシリコンフタロシアニンを用
いて有機導電体を形成し、電界強度による高抵抗状態か
ら低抵抗状態へのスイッチング現象を利用したスイッチ
ング素子を実現するものである。

作用 本発明におけるスイッチング素子の特徴は、−次元結晶
構造を有するシリコンフタロシアニンを用いることにあ
シ、このスイッチング素子は、電界強度によって高抵抗
状態から低抵抗状態への可逆的なスイッチング動作を示
し、繰り返し動作に対しても安定である。

実施例 以下に本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に述べる。

第１図は本発明のスイッチング素子の基本的な構造を模
式的に示した断面図である。図において１はガラス基板
、２は金電極、３はシリコンフタロシアニン薄膜でアシ
、シリコンフタロシアニン薄膜３が金電極２でサンドイ
ッチされた構成となっている。

第２図０）は、基板面内方向の電導度を測定するために
形成した、シリコンフタロシアニン薄膜を用いた素子の
平面図である。また第２図（ｂ）は第２図（ａ）のＩ−
Ｉ’における断面図を示す。第２図のシリコンフタロシ
アニン薄膜１３は次のようにして形成される。まず中性
洗剤による洗浄及び有機洗浄を施した石英基板１１上に
金を真空蒸着して櫛型電極１２を形成し、さらにその上
にシリコンフタロシアニン薄膜１３を真空蒸着すること
によって形成した。本実施例の場合は、各櫛型電極１２
の間にシリコンフタロシアニン薄膜１３が形成された構
成となる。

電界強度を変化させたときの、抵抗の変化を第３図に示
す。電界強度が４×１０■／ｃｒｎから５×１０　・ｖ
／ｃｒｎの間で比抵抗が２×１０Ω−副から４　Ｘ　１
０６Ω−ｍへと減少し、高抵抗状態へとスイッチングが
起こり、また、電界強度を小さくしていくと、再び低抵
抗状態から高抵抗状態へと可逆的にスイッチングが起こ
る。

発明の効果 以上のように本発明は、シリコンフタロシアニンを二つ
の電極の間に介在させてスイッチング素子を形成するこ
とにより、電界強度によって高抵抗状態と低抵抗状態を
制御することができるため、そのエレクトロニクス分野
への効果は大なるものがある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のスイッチング素子の構造を模式的に示
す断面図、第２図（ａ）は本発明の一実施例における、
基板面内方向の電導度を測定するために形成したシリコ
ンフタロシアニン薄膜を用いたスイッチング素子の平面
図第２図（ｂ）は前記平面図のＩ−Ｉ’における断面図
、第３図は、同実施例におケルシリコンフタロシアニン
薄膜の電界強度と比抵抗との間の関係を示す図である。 １・・・石英基板、２・・・金電極、３・・・シリコン
フタロシアニン薄膜。 特許出願人　工業技術院長　　飯　塚　幸　三第１図 ３；リコシ７クロシアニシ ＼ ｎ１フス暑王シ、ｌ 第２図 １Ｚ柵型彎極 第３図 電界燥浅（ｘ／θ’　Ｖ／ｃＭ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）二つの電極の間にシリコンフタロシアニン層を介
   在させたことを特徴とするスイッチング素子。
2. （２）シリコンフタロシアニン層が真空蒸着法により形
   成された薄膜である請求項１記載のスイッチング素子。