JPS62224961A - 半導体記憶素子 - Google Patents
半導体記憶素子Info
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- JPS62224961A JPS62224961A JP61067102A JP6710286A JPS62224961A JP S62224961 A JPS62224961 A JP S62224961A JP 61067102 A JP61067102 A JP 61067102A JP 6710286 A JP6710286 A JP 6710286A JP S62224961 A JPS62224961 A JP S62224961A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- H10B99/10—Memory cells having a cross-point geometry
Landscapes
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は、半導体記憶素子に関する。
［発明の技術的背景とその問題点
金属原子の配位したフタロシアン（以下Ｐｃと略す）は
有機半導体として電子写真感光体、太陽電池等への応用
が検討されている。半導体としての利用範囲をより拡大
する為には、Ｓｉ等の無機半導体の如く、Ｐ−ｎ接合を
形成してトランジスタ構造を作成し、増幅、スイッチ機
能を持った素子を形成しなければならない。
有機半導体として電子写真感光体、太陽電池等への応用
が検討されている。半導体としての利用範囲をより拡大
する為には、Ｓｉ等の無機半導体の如く、Ｐ−ｎ接合を
形成してトランジスタ構造を作成し、増幅、スイッチ機
能を持った素子を形成しなければならない。
しかし、現在までのところ、有機半導体として知られて
いる多くの物質は殆どすべてＰ−型であり、従ってＰ−
ｎ接合を形成することは困難であった。その結果有機半
導体の応用範囲は限られていた。
いる多くの物質は殆どすべてＰ−型であり、従ってＰ−
ｎ接合を形成することは困難であった。その結果有機半
導体の応用範囲は限られていた。
［本発明の目的］
本発明は上記の問題を解決すべくなされたものであり、
有機半導体用いた記憶素子を実現することを目的とする
ものである。
有機半導体用いた記憶素子を実現することを目的とする
ものである。
［発明の概要］
本発明は、有機半導体である金属原子の配位したフタロ
シアニンの薄膜を仕事関数の異なる２種の金属電極で挟
持した、金属／フタロシアニン／金属構造の素子を構成
することにより、電気抵抗の２つの安定な状態を２値記
憶状態に対応させることのできる記憶素子を得ることを
特徴とするものである。
シアニンの薄膜を仕事関数の異なる２種の金属電極で挟
持した、金属／フタロシアニン／金属構造の素子を構成
することにより、電気抵抗の２つの安定な状態を２値記
憶状態に対応させることのできる記憶素子を得ることを
特徴とするものである。
有機半導体である金属フタロシアニンの中心金属として
は、ＣｕＳＡｌ、ＣＯ％ Ｚ ｎ ＳＬ ｓ ％Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｖ、、Ｍｎｓ Ｒｕなどの中から選択される。金
属フタロシアニン層は既に形成されている金属層の上に
、蒸着あるいはクラスターイオンビーム蒸着など公知の
薄膜形成技術によって形成することができる。その膜厚
はｌＯ〜５００ｎＩ１１の範囲が望ましい。この膜厚が
１０ｒ＋ｍｌこ満たないと均一な膜として得ることが困
難であり、また５００ｎｍを越えると、膜抵抗が大きく
なり素子を構成したとしても所要の機能を発現しない。
は、ＣｕＳＡｌ、ＣＯ％ Ｚ ｎ ＳＬ ｓ ％Ｆｅ、
Ｎｉ、Ｖ、、Ｍｎｓ Ｒｕなどの中から選択される。金
属フタロシアニン層は既に形成されている金属層の上に
、蒸着あるいはクラスターイオンビーム蒸着など公知の
薄膜形成技術によって形成することができる。その膜厚
はｌＯ〜５００ｎＩ１１の範囲が望ましい。この膜厚が
１０ｒ＋ｍｌこ満たないと均一な膜として得ることが困
難であり、また５００ｎｍを越えると、膜抵抗が大きく
なり素子を構成したとしても所要の機能を発現しない。
また、電極として用いる金属は、例えば、金、銀、アル
ミニウム、チタン、インジウム等の中から仕事関数の異
なる２つを選べばよい。金属層としては、スパッタ、蒸
着等の薄膜形成技術、あるいは金属薄板で構成すること
ができる。
ミニウム、チタン、インジウム等の中から仕事関数の異
なる２つを選べばよい。金属層としては、スパッタ、蒸
着等の薄膜形成技術、あるいは金属薄板で構成すること
ができる。
有機化合物の電子的機能の応用は、従来電子写真感光体
、センサ、液晶等に限定され、電子機器の中核を形成す
る記憶あるいは演算素子への有機化合物の適用は、これ
まで例が少ない。しかし、本発明により電気抵抗の２つ
の安定状態が印加電圧によって制御できる素子が実現さ
れたことにより、電子機器の中核的要素部品である記憶
素子へ有機化合物を用いることが可能となった。このこ
とは、本来物質の種類が豊富であり、又、人為的に物質
を設計、合成が可能であるという有機化合物の特徴を生
かした電子素子の可能性を示すものである。
、センサ、液晶等に限定され、電子機器の中核を形成す
る記憶あるいは演算素子への有機化合物の適用は、これ
まで例が少ない。しかし、本発明により電気抵抗の２つ
の安定状態が印加電圧によって制御できる素子が実現さ
れたことにより、電子機器の中核的要素部品である記憶
素子へ有機化合物を用いることが可能となった。このこ
とは、本来物質の種類が豊富であり、又、人為的に物質
を設計、合成が可能であるという有機化合物の特徴を生
かした電子素子の可能性を示すものである。
［発明の効果］
本発明の素子は簡単な構成で有機半導体を用いた記憶素
子を形成することができ、しがちその効果も安定してい
る。
子を形成することができ、しがちその効果も安定してい
る。
［発明の実施例］
実施例１
２０龍角、厚さ２ｍ［有］のスライドガラス」二に第１
図に示したサンドイッチ構造の素子を形成した。スライ
ドガラス１は所定の大きさに切断した後、トリクレン、
アセトン、順で脱脂洗浄を行った後、乾燥させた。
図に示したサンドイッチ構造の素子を形成した。スライ
ドガラス１は所定の大きさに切断した後、トリクレン、
アセトン、順で脱脂洗浄を行った後、乾燥させた。
金の薄膜２ををマスクを用いてスライドガラス１の一部
に厚さ２０Ｏｒ＋ｍになるように電子ビーム蒸着（加速
電圧４ｋｖ、フィラメント電流３０ｍ Ａ 、蒸着時間
５分）により形成した。次に同フタロシアニン薄膜３を
上記の金およびガラス基板上に厚さ２００ｎｍになるよ
うにマスクを用いて抵抗加熱蒸着（ボード温度４００℃
、蒸着時間６分）により形成した。更に表面電極として
のチタン薄膜４を電子ビーム蒸着（加速電圧 ４ ｋｖ
、フィラメント電流１５ｍ Ａ 、蒸着時間１０分によ
り形成した。上記の３段階の蒸着はすべて圧力１．ＯＸ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒの高真空下で行なった。
に厚さ２０Ｏｒ＋ｍになるように電子ビーム蒸着（加速
電圧４ｋｖ、フィラメント電流３０ｍ Ａ 、蒸着時間
５分）により形成した。次に同フタロシアニン薄膜３を
上記の金およびガラス基板上に厚さ２００ｎｍになるよ
うにマスクを用いて抵抗加熱蒸着（ボード温度４００℃
、蒸着時間６分）により形成した。更に表面電極として
のチタン薄膜４を電子ビーム蒸着（加速電圧 ４ ｋｖ
、フィラメント電流１５ｍ Ａ 、蒸着時間１０分によ
り形成した。上記の３段階の蒸着はすべて圧力１．ＯＸ
１Ｏ−６Ｔｏｒｒの高真空下で行なった。
第２図に上記の素子についてのＯＶを中心として±５ｖ
の三角波状の電圧を印加した際の電圧−電流特性の一例
を示す。電圧軸は、右側だ金電極の側を正になるように
符号を定めた。同図に示すように、正電圧領域に於て、
電流は２つの値をとり、この現象は可逆的に生じる。尚
、第２図の三角波電圧の周波数は０．１Ｈｚである。
の三角波状の電圧を印加した際の電圧−電流特性の一例
を示す。電圧軸は、右側だ金電極の側を正になるように
符号を定めた。同図に示すように、正電圧領域に於て、
電流は２つの値をとり、この現象は可逆的に生じる。尚
、第２図の三角波電圧の周波数は０．１Ｈｚである。
第２図の電圧−電流特性を利用することにより正電圧印
加時の抵抗値の違い、即ち高抵抗状態と低抵抗状態の２
つの状態を２値とした記憶素子を形成し得る。表１に正
および負の短形波パルス電圧を印加した後、１ｖの正電
圧に対する電流値を示す。表１に示すように、±５Ｖの
パルス電圧印加により書き込み及び消去を行い、＋ＩＶ
電圧印加時の電流値測定により読み出しを行うことがで
きる。
加時の抵抗値の違い、即ち高抵抗状態と低抵抗状態の２
つの状態を２値とした記憶素子を形成し得る。表１に正
および負の短形波パルス電圧を印加した後、１ｖの正電
圧に対する電流値を示す。表１に示すように、±５Ｖの
パルス電圧印加により書き込み及び消去を行い、＋ＩＶ
電圧印加時の電流値測定により読み出しを行うことがで
きる。
第１図は、本発明の素子の概略図、第２図は本発明の一
実施例の素子の特性図である。 １一基板、２．４−金属層、３−金属フタロシアニン層 理
実施例の素子の特性図である。 １一基板、２．４−金属層、３−金属フタロシアニン層 理
Claims (1)
- 金属原子が配位したフタロシアニン薄膜有機半導体を、
仕事関数の異なる金属により挟持した構造を有すること
を特徴とする半導体記憶素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61067102A JPH0732239B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 半導体記憶素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61067102A JPH0732239B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 半導体記憶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62224961A true JPS62224961A (ja) | 1987-10-02 |
| JPH0732239B2 JPH0732239B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=13335187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61067102A Expired - Lifetime JPH0732239B2 (ja) | 1986-03-27 | 1986-03-27 | 半導体記憶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732239B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256183A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Agency Of Ind Science & Technol | スイッチング素子 |
| JPH02189974A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 可塑性素子 |
| JPH03137894A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Matsushita Giken Kk | スイッチング・メモリ複合機能素子アレイ |
| JP2004304179A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 |
-
1986
- 1986-03-27 JP JP61067102A patent/JPH0732239B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01256183A (ja) * | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Agency Of Ind Science & Technol | スイッチング素子 |
| JPH02189974A (ja) * | 1989-01-19 | 1990-07-25 | Agency Of Ind Science & Technol | 可塑性素子 |
| JPH03137894A (ja) * | 1989-10-23 | 1991-06-12 | Matsushita Giken Kk | スイッチング・メモリ複合機能素子アレイ |
| JP2004304179A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732239B2 (ja) | 1995-04-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |