JPH01248513A - オーミック電極形成装置 - Google Patents
オーミック電極形成装置Info
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- JPH01248513A JPH01248513A JP63075740A JP7574088A JPH01248513A JP H01248513 A JPH01248513 A JP H01248513A JP 63075740 A JP63075740 A JP 63075740A JP 7574088 A JP7574088 A JP 7574088A JP H01248513 A JPH01248513 A JP H01248513A
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- semiconductor
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- metal deposition
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、オーミック電極形成装置、特に禁制帯幅が比
較的広い半導体に適応するオーミック電極形成装置に関
するものである。
較的広い半導体に適応するオーミック電極形成装置に関
するものである。
［従来の技術］
半導体より金属配線を取出す場合、半導体−金属の接触
面にいわゆるオーミック電極（オーミックコンタクト）
を作製する場合は、液相成長法、合金法、めっき法、蒸
着法およびボンディング法等が用いられる。
面にいわゆるオーミック電極（オーミックコンタクト）
を作製する場合は、液相成長法、合金法、めっき法、蒸
着法およびボンディング法等が用いられる。
一般に単純なショットキーモデルによると、ｎ型半導体
に金属をオーミックコンタクトさせるには金属の仕事関
数φｍを半導体の仕事関数φＳよりも小さくする必要が
あり、またｐ型半導体の場合には反対にφａをφＳより
も大きくする必要がある。しかし実際には半導体の表面
準位の存在により仕事関数を選定するだけではオーミッ
クコンタクトは得られない。そこで通常は半導体側にキ
ャリア密度を著しく高くした層を形成し、半導体と金属
の接合時に生ずるトンネル効果を利用してオーミックコ
ンタクトを形成する方式が用いられている。
に金属をオーミックコンタクトさせるには金属の仕事関
数φｍを半導体の仕事関数φＳよりも小さくする必要が
あり、またｐ型半導体の場合には反対にφａをφＳより
も大きくする必要がある。しかし実際には半導体の表面
準位の存在により仕事関数を選定するだけではオーミッ
クコンタクトは得られない。そこで通常は半導体側にキ
ャリア密度を著しく高くした層を形成し、半導体と金属
の接合時に生ずるトンネル効果を利用してオーミックコ
ンタクトを形成する方式が用いられている。
［発明が解決しようとする課題］
上述したようにオーミック電極を形成する場合に金属と
接する半導体部分に高キヤリア密度の層を形成してオー
ミックコンタクトを得ることが行われてい、る。
接する半導体部分に高キヤリア密度の層を形成してオー
ミックコンタクトを得ることが行われてい、る。
しかしこの場合、半導体の禁制帯幅が広ければ例えば通
常の液相成長法などを用いたのでは高濃度ドープ層を得
ることは困難であってオーミック電極が得られない嫌い
がある。
常の液相成長法などを用いたのでは高濃度ドープ層を得
ることは困難であってオーミック電極が得られない嫌い
がある。
本発明は、禁制帯幅の広い半導体に対しても適用可能な
オーミック電極形成装置を提供することを目的とする。
オーミック電極形成装置を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、半導体部分に金属を接合させて配線接続用の
電極部を形成するオーミック電極形成装置において、前
記半導体に蒸着処理を行なう真空蒸着装置を具え、この
真空蒸着装置内に、低温プラズマにより前記半導体表面
を処理して前記半導体と前記金属との界面に再結合中心
を導入して前記オーミック電極を形成する低温プラズマ
処理装置が設けてあることを特徴とし、禁制帯幅の広い
半導体の場合でもオーミック電極が容易に形成されるよ
うにして目的の達成を計ったものである。
電極部を形成するオーミック電極形成装置において、前
記半導体に蒸着処理を行なう真空蒸着装置を具え、この
真空蒸着装置内に、低温プラズマにより前記半導体表面
を処理して前記半導体と前記金属との界面に再結合中心
を導入して前記オーミック電極を形成する低温プラズマ
処理装置が設けてあることを特徴とし、禁制帯幅の広い
半導体の場合でもオーミック電極が容易に形成されるよ
うにして目的の達成を計ったものである。
［作用］
本発明のオーミック電極形成装置では、半導体に金属配
線を接続するらオーミック電極を形成する場合、この半
導体と蒸着金属原料とを真空蒸着槽にセットして排気し
、ついでアルゴン等の不活性ガスを導入した状態で低温
プラズマにより半導体表面を処理して表面に再結合準位
を形成させ、その後金属原料を半導体表面に蒸着させる
ようにしているので、オーミック電極を高安定、高精度
に形成することができる。
線を接続するらオーミック電極を形成する場合、この半
導体と蒸着金属原料とを真空蒸着槽にセットして排気し
、ついでアルゴン等の不活性ガスを導入した状態で低温
プラズマにより半導体表面を処理して表面に再結合準位
を形成させ、その後金属原料を半導体表面に蒸着させる
ようにしているので、オーミック電極を高安定、高精度
に形成することができる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例について図を用いて説明する。
第１図は本発明のオーミック電極形成装置の一実施例を
示す説明図である。
示す説明図である。
図において１は真空蒸着槽、２は半導体、３は低温プラ
ズマ発生用平行・平板電極、４は電極３を形成する金属
原料、５は金属原料４を蒸発させる発熱体で抵抗加熱方
式または電子ビーム加熱方式が用いられる。６はアルゴ
ン（Ａｒ）や窒素（Ｎ２）などの不・活性ガスを導入す
るバルブ、７は真空蒸着槽１の排気系を示す。
ズマ発生用平行・平板電極、４は電極３を形成する金属
原料、５は金属原料４を蒸発させる発熱体で抵抗加熱方
式または電子ビーム加熱方式が用いられる。６はアルゴ
ン（Ａｒ）や窒素（Ｎ２）などの不・活性ガスを導入す
るバルブ、７は真空蒸着槽１の排気系を示す。
この実施例に示す装置を駆動する場合は、まずオーミッ
ク電極を形成しようとする半導体２と蒸着金属原料４と
を真空蒸着槽１の中にセットして真空蒸着槽１の内部を
１°０−７トル（Ｔｏｒｒ）程度の気圧に排気する。そ
の後真空蒸着槽１と排気系７とを遮断してＡ「などの不
活性ガスをバルブ６より１０〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度導
入する。次に電極４に数Ｋｖの交流電圧または１３．５
６ＭＨｚ程度の高周波を印加して電極間に発生した低温
プラズマで半導体２を数秒〜数分間処理する。これによ
って半導体２の表面には歪が生じて再結合準位が形成さ
れる。その後は再度真空蒸着槽１の内部を高真空になる
まで排気し、発熱体５に通電して蒸着金属原料４を蒸発
させて、半導体２の表面を蒸着することによりオーミッ
ク電極が形成されることになる。
ク電極を形成しようとする半導体２と蒸着金属原料４と
を真空蒸着槽１の中にセットして真空蒸着槽１の内部を
１°０−７トル（Ｔｏｒｒ）程度の気圧に排気する。そ
の後真空蒸着槽１と排気系７とを遮断してＡ「などの不
活性ガスをバルブ６より１０〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒ程度導
入する。次に電極４に数Ｋｖの交流電圧または１３．５
６ＭＨｚ程度の高周波を印加して電極間に発生した低温
プラズマで半導体２を数秒〜数分間処理する。これによ
って半導体２の表面には歪が生じて再結合準位が形成さ
れる。その後は再度真空蒸着槽１の内部を高真空になる
まで排気し、発熱体５に通電して蒸着金属原料４を蒸発
させて、半導体２の表面を蒸着することによりオーミッ
ク電極が形成されることになる。
このように上記の方式を発光ダイオードや半導体レーザ
等の材料として用いられるガリウム・アルミニウム・ヒ
素（Ｇａｌ−ｘ ＡＮ ｘ Ａｓ）等、比較的禁制帯幅
が広い半導体に適用し、良好な結果を得ることができる
。
等の材料として用いられるガリウム・アルミニウム・ヒ
素（Ｇａｌ−ｘ ＡＮ ｘ Ａｓ）等、比較的禁制帯幅
が広い半導体に適用し、良好な結果を得ることができる
。
［発明の効果コ
上述したように本発明によれば、従来は適用困難とされ
ていた禁制帯幅の広い半導体に対してもオーミック電極
を容易に形成することができる。
ていた禁制帯幅の広い半導体に対してもオーミック電極
を容易に形成することができる。
第１図は本発明のオーミック電極形成装置の一実施例を
示す説明図である。 １：真空蒸着槽、 ２：半導体、 ３：低温プラズマ発生用電極、 ４：金属原料、 ５：発熱体、 ６：不活性ガス導入バルブ、 ７：排気系。
示す説明図である。 １：真空蒸着槽、 ２：半導体、 ３：低温プラズマ発生用電極、 ４：金属原料、 ５：発熱体、 ６：不活性ガス導入バルブ、 ７：排気系。
Claims (1)
- １、半導体部分に金属を接合させて配線接続用の電極部
を形成するオーミック電極形成装置において、前記半導
体に蒸着処理を行なう真空蒸着装置を具え、該真空蒸着
装置内に、低温プラズマにより前記半導体表面を処理し
て前記半導体と前記金属との界面に再結合中心を導入し
て前記オーミック電極を形成する低温プラズマ処理装置
が設けてあることを特徴とするオーミック電極形成装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075740A JPH01248513A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | オーミック電極形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63075740A JPH01248513A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | オーミック電極形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01248513A true JPH01248513A (ja) | 1989-10-04 |
Family
ID=13584978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63075740A Pending JPH01248513A (ja) | 1988-03-29 | 1988-03-29 | オーミック電極形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01248513A (ja) |
-
1988
- 1988-03-29 JP JP63075740A patent/JPH01248513A/ja active Pending
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