JPH01246910A

JPH01246910A - 電圧制御減衰器

Info

Publication number: JPH01246910A
Application number: JP7549188A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Tagaya; 多賀谷　裕
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1988-03-29
Filing date: 1988-03-29
Publication date: 1989-10-02
Anticipated expiration: 2012-07-02
Also published as: JP2625845B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は電圧または電流で制御される交流信号の減衰器
に関し、特に信号減衰用ダイオードとその駆動回路を有
する電圧制御型の可変減衰器に関する。

〔従来の技術〕

第２図は従来用いられている電圧制御回路をブリッジＴ
型電圧制′ａ減衰器に応用した回路例である。整合用抵
抗Ｒ，，Ｒ，を介して接続されたダイオードＤ＋、Ｄｚ
に直流バイアス電圧Ｖ、、Ｖ。

を印加し、抵抗Ｒ４を通して電圧印加端子Ｔから印加さ
れる制御電圧としてのバイアス電圧■２を変化させるこ
とにより、高周波入力端子ＲＦｉｎから高周波出力端子
ＲＦＯｕｔへの交流信号の減衰量を制御することができ
る。この時、ダイオードＤ＋およびＤ！に印加される電
圧Ｖ、および■４の和を一定に保てば、いかなる減衰量
の変化に対しても入出力インピーダンスは一定に保たれ
ることが知られており、従来はその条件を満たすものと
して、バイアス電圧Ｖｌを一定に保つような回路構成を
とっている。

この場合、高周波回路１の模擬回路２として、ダイオー
ド０３　、Ｄ４．抵抗Ｒ５、Ｒｈ　、Ｒ１で回路を構成
し、差動増幅器Ａ１でこの模擬回路２のバイアス電圧■
１′と基準電圧Ｖｒとを一致させている。即ち、模擬回
路２の特性が高周波回路■と完全に一致していれば、ｖ
、’　＝ｖ、　となりバイアス電圧■１は基準電圧Ｖｒ
と一致し、一定に保たれる。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来の電圧制御減衰器は、バイアス電圧■１を
一定に保つ回路構成のため、抵抗Ｒ２に流れる電流によ
る電圧降下■、までも含めた電圧を一定に制御している
ことになる。このため、ダイオードＤ、に流れる電流を
変化させた場合、即ち減衰量を変化させた場合には、抵
抗Ｒ２による電圧降下■、が変化してしまい、その結果
、減衰量の変化に伴って入出力インピーダンスが変化さ
れるという問題がある。

また、差動増幅器Ａ、でバイアス電圧■１′の検出に使
用している模擬回路２の特性が高周波回路１の特性と異
なった場合、一定に保とうとするバイアス電圧■、の値
が変動してしまうという問題もある。

本発明は減衰量の変化に関わらず入出力インピーダンス
を一定に保持し、かつ電圧変動が生じない電圧制御減衰
器を提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の電圧制御減衰器は、減衰器を形成する複数個の
信号減衰用ダイオードと、前記ダイオードの各端子に接
続された電圧モニタ用の抵抗と、前記抵抗を通して前記
ダイオードの各端子電圧を直接比較し、この比較結果に
基づいて前記信号減衰用ダイオードを駆動する電圧を発
生する回路手段と、信号減衰量を可変に制御するために
前記信号減衰用ダイオードに電圧を印加する端子とを備
えている。

〔作用〕

上述した構成では、個々のダイオードの端子電圧を高周
波回路から直接抵抗で取り出して各端子に印加される電
圧の和が一定となるように、しかも模擬回路を用いるこ
となくダイオードのバイアス電圧を制御する。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の回路図である。ダイオード
Ｄ＋　、Ｄｚ　、抵抗Ｒ，，Ｒｔ及びコンデンサＣでブ
リッジＴ型減衰器３を構成し、交流信号は高周波入力端
子ＲＦｉｎに入力され、ブリッジＴ型減衰器３を通過し
た上で、高周波出力端子ＲＦｏｕｔに出力される。なお
、Ｃは直流カット用のコンデンサである。

このブリッジＴ型減衰器３には、抵抗Ｒ３゜。

Ｒ１１＋　Ｒｌｇを夫々接続し、抵抗Ｒ１１１はダイオ
ードＤ、のアノード電圧■１を、抵抗はＲ，カソード電
圧ｖ２を、抵抗Ｒ１２はダイオードＤ２のアノード電圧
ｖ４を夫々モニタし、これらの抵抗を通して差動増幅器
Ａ２によりバイアス電圧の和が作られる。

作動増幅器Ａ２の抵抗Ｒ９は電圧増幅率を決定する抵抗
であり、Ｒｑ　−Ｒ＋。＝　Ｒ１１””　Ｒｌｚとすれ
ば、作動増幅器Ａ２の出力には（ｖ４−ｖ２）＋ｖ１、
即ち、ダイオードＩＬ　、Ｄｚに印加されているアノー
ド、カソード間の電位差の和が取り出せる。この出力を
差動増幅器Ａ３により基準電圧Ｖｒと比較して、その差
がＯｖとなるように抵抗Ｒ８を通してアノード電圧Ｖ、
を制御する。

以上の動作により、電位差の和（Ｖｌ　−Ｖ２　）＋ｖ
４が基準電圧Ｖｒに等しくされて一定に保たれるため、
ダイオードＤ＋を流れる電流とダイオードＤ２を流れる
電流の積が一定に保たれ、減衰量が変化しても入出力イ
ンピーダンスが変化しないという特性が実現できる。

なお、端子Ｔは減衰量を制御するための電圧を印加する
端子であり、抵抗Ｒ１１を通してダイオードＤ２のアノ
ードに接続される。

また、この構成では、模擬回路は用いてはおらず、電圧
検出用の抵抗Ｒ１゜、Ｒ１，、Ｒ，□は直接高周波部か
ら引き出されているため、模擬回路を使用したときのよ
うな特性バラツキによる電圧変動が生じることはない。

また、電圧加算動作および電圧比較動作に差動増幅器を
使用してダイオードバイアス電圧を制御しているため、
通常減衰器部に要求される線形性の他に、非線形的な動
作を行わせることも容易に可能である。

ここで、前記実施例では、ダイオードを２個使用した回
路例についての説明を行ったが、一般に複数個のダイオ
ードを使用する場合についても、同様に本発明を実施す
ることができる。更に、本発明の特徴、″ダイオードバ
イアス電圧の直接比較′”および“ダイオードバイアス
電圧■、をダイオードに印加される他のバイアス電圧に
よって制御する、の２点は、それぞれ独立に活用しても
同様の効果が得られることは明白である。

〔発明の効果］以上説明したように本発明は、個々のダイオードの端子
電圧を高周波回路から直接抵抗で取り出して各端子に印
加される電圧の和が一定となるようにダイオードのバイ
アス電圧を制御しているので、減衰量変化に対して、入
出力インピーダンスが変化しない特性を高い精度で実現
できる。また、本発明では模擬回路を使用しないため、
高周波回路との特性の相違による電圧の変動を改善する
こともできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のブリッジＴ型電圧制御減衰
器の回路図、第２図は従来のブリッジＴ型電圧制御減衰
器の回路図である。１・・・高周波回路、２・・・模擬回路、３・・・ブリ
ッジＴ型減衰器、Ａ１−Ａ３・・・作動増幅器、　ＲＦ
、ｆｉ。ＲＦ、、ｔ・・・高周波端子、Ｔ・・・減衰量制御端子
、Ｃ・・・コンデンサ、Ｄ、−Ｄ４・・・ダイオード、
Ｒ１”−ＲＩ３・・・抵抗、■１〜■、・・・バイアス
電圧、Ｖｌ’・・・比較電圧、Ｖｌ・・・基準電圧。

Claims

【特許請求の範囲】

１．減衰器を形成する複数個の信号減衰用ダイオードと
、これらダイオードの各端子に接続された電圧モニタ用
の抵抗と、これら抵抗を通して前記ダイオードの各端子
電圧を直接比較し、この比較結果に基づいて前記信号減
衰用ダイオードを駆動する電圧を発生する回路手段と、
信号減衰量を可変に制御するために前記信号減衰用ダイ
オードに電圧を印加する端子とを備えることを特徴とす
る電圧制御減衰器。