JPH01246190A - 結晶成長用容器 - Google Patents
結晶成長用容器Info
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- JPH01246190A JPH01246190A JP7252188A JP7252188A JPH01246190A JP H01246190 A JPH01246190 A JP H01246190A JP 7252188 A JP7252188 A JP 7252188A JP 7252188 A JP7252188 A JP 7252188A JP H01246190 A JPH01246190 A JP H01246190A
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- Japan
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- crystal growth
- cylindrical part
- container
- growth container
- bottomed cylindrical
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、ブリッジマン法、温度勾配法などによって結
晶を製造する（原料融液を、それを収容している容器内
で固化させることによって、成長した結晶を製造する）
場合において、原料融液を得、且つそれを固化させて成
長した結晶を製造するのに用いる容器、引上げ法によっ
て結晶を製造する（種子結晶を、原料融液中から引上げ
ることによって、成長した結晶を引上げによって製造す
る）場合において、成長した結晶を引上げ得るように原
料融液を得るのに用いる容器などの結晶成長用容器に関
する。
晶を製造する（原料融液を、それを収容している容器内
で固化させることによって、成長した結晶を製造する）
場合において、原料融液を得、且つそれを固化させて成
長した結晶を製造するのに用いる容器、引上げ法によっ
て結晶を製造する（種子結晶を、原料融液中から引上げ
ることによって、成長した結晶を引上げによって製造す
る）場合において、成長した結晶を引上げ得るように原
料融液を得るのに用いる容器などの結晶成長用容器に関
する。
従来、第６図で符号１で示すような、有底筒状部２ａと
、それから上方に延長している両端開放筒状部２ｂとを
有し、そして、それらが、それらに共通な例えば熱分解
窒化硼素でなる層の多層によって、継目なく一体に連続
して形成されている、という構成を有する結晶成長用容
器が提案されている。 この結晶成長用容器１は、第７図に示すように、結晶成
長用容器１の内面に沿う外面を有し且つカーボンでなる
容器製造用型３を用い、その表面に、ＣＶＤ法によって
、熱分解窒化硼素層を例えば１ｍｍの厚さに形成するこ
とを複数回繰返して、容器製造用型３の表面上に結晶成
長用容器１を形成し、次で、その結晶成長用容器１を、
容器製造用型３から取外すことによって製造されている
。 第６図に示す結晶成長用容器１によれば、それを、第８
図Ａに示すＪ：うに、不活性ガス雰囲気内において、回
転自在且つ昇降自在な載置台１１上に載置され且つ周り
に発熱体１２を配しているサセプタ１３内に装着して用
いることによって、次のようにして、成長した結晶を製
造することができる。 すなわち、１つの例においては、第８図Ａに示すように
、結晶成長用容器１内に、その底部２ａにおいて、種子
結晶〈図示せず）を配置し、次で、結晶成長用言２Ｓ１
内に原料２１を収容し、次で、その原料２１上に液体封
止剤２２を配置する。 次に、発熱体１２を発熱させることによって、第８図Ｂ
に示すように、結晶成長用容器１内に、液体封止剤２２
の融液３２によって取囲まれ且つ種子結晶と接触してい
る原料２１の融液３１を得る。 次に、発熱体１２を発熱量が予定の割合で減少するよう
に制御し、または結晶成長用容器１を、サセプタ１３と
ともに、加熱体１２に対して、予定の速度で、離れる方
向に移動さけ、よって、融液２１の温度を予定の温度勾
配で降下させる。しかるときは、融液３１が第８図Ｃに
示すように、液体封止剤２２の融液３２の固化層４２に
よって取囲まれ且つ、種子結晶から成長した結晶４１に
固化して得られる。 また、他の例においては、第８図△で上述したと同様に
、結晶成長用容器１内に原料を収容し、次で、その原料
上に液体封止剤を配置する。 ただし、この場合、種子結晶は用いない。 次に、第８図Ｂで上述したと同様に、発熱体１２を発熱
させて、結晶成長用容器１内に液体封止剤の融液によっ
て取囲まれた原料の融液を得る。 次に、種子結晶を、融液中に浸漬し、次で引上げる。 しかるときは、融液が、種子結晶下に成長した結晶に固
化して引上げられて得られる。この場合、結晶成長用容
器１内には、第８図りに示すように、液体封止剤の融液
の固化物４２によって取囲まれ且つ原料の固化物４１′
が残留している。
、それから上方に延長している両端開放筒状部２ｂとを
有し、そして、それらが、それらに共通な例えば熱分解
窒化硼素でなる層の多層によって、継目なく一体に連続
して形成されている、という構成を有する結晶成長用容
器が提案されている。 この結晶成長用容器１は、第７図に示すように、結晶成
長用容器１の内面に沿う外面を有し且つカーボンでなる
容器製造用型３を用い、その表面に、ＣＶＤ法によって
、熱分解窒化硼素層を例えば１ｍｍの厚さに形成するこ
とを複数回繰返して、容器製造用型３の表面上に結晶成
長用容器１を形成し、次で、その結晶成長用容器１を、
容器製造用型３から取外すことによって製造されている
。 第６図に示す結晶成長用容器１によれば、それを、第８
図Ａに示すＪ：うに、不活性ガス雰囲気内において、回
転自在且つ昇降自在な載置台１１上に載置され且つ周り
に発熱体１２を配しているサセプタ１３内に装着して用
いることによって、次のようにして、成長した結晶を製
造することができる。 すなわち、１つの例においては、第８図Ａに示すように
、結晶成長用容器１内に、その底部２ａにおいて、種子
結晶〈図示せず）を配置し、次で、結晶成長用言２Ｓ１
内に原料２１を収容し、次で、その原料２１上に液体封
止剤２２を配置する。 次に、発熱体１２を発熱させることによって、第８図Ｂ
に示すように、結晶成長用容器１内に、液体封止剤２２
の融液３２によって取囲まれ且つ種子結晶と接触してい
る原料２１の融液３１を得る。 次に、発熱体１２を発熱量が予定の割合で減少するよう
に制御し、または結晶成長用容器１を、サセプタ１３と
ともに、加熱体１２に対して、予定の速度で、離れる方
向に移動さけ、よって、融液２１の温度を予定の温度勾
配で降下させる。しかるときは、融液３１が第８図Ｃに
示すように、液体封止剤２２の融液３２の固化層４２に
よって取囲まれ且つ、種子結晶から成長した結晶４１に
固化して得られる。 また、他の例においては、第８図△で上述したと同様に
、結晶成長用容器１内に原料を収容し、次で、その原料
上に液体封止剤を配置する。 ただし、この場合、種子結晶は用いない。 次に、第８図Ｂで上述したと同様に、発熱体１２を発熱
させて、結晶成長用容器１内に液体封止剤の融液によっ
て取囲まれた原料の融液を得る。 次に、種子結晶を、融液中に浸漬し、次で引上げる。 しかるときは、融液が、種子結晶下に成長した結晶に固
化して引上げられて得られる。この場合、結晶成長用容
器１内には、第８図りに示すように、液体封止剤の融液
の固化物４２によって取囲まれ且つ原料の固化物４１′
が残留している。
上述したように、第６図に示す結晶成長用゛容器１によ
れば、それを用いて、成長した結晶を製造することがで
きる。 しかしながら、結晶成長用容器１の内表面は、その結晶
成長用容器１内で原料及び液体封止剤の融液が得られる
とき、及びそれら融液が固化するとぎ、とくに、液体封
止剤の同化層が接する領域において、圧縮応力や引張応
力を受けていることによって、剥離し易い状態になって
いる。このため、その内表面が、成長した結晶を（ｑで
後、結晶成長用容器１内から結晶４１または原料の残留
固化物を取出す毎に、剥離して、機械的強度が低下する
。よって、結晶成長用容器１が、成長した結晶を僅かな
回数製造するのに用いただけで、使用できなくなり、よ
って、結晶成長用容器を交換する必要が生ずる、という
欠点を有していた。 また、第６図に示す従来の結晶成長用容器１の場合、そ
の有底筒状部２ａと両端開放筒状部２ｂとが継目なく一
体に連続して形成されている構成を、−挙に形成する必
要があるため、それに多くの困難を伴う、という欠点を
有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な結晶成
長用容器を提案せんとするものである。
れば、それを用いて、成長した結晶を製造することがで
きる。 しかしながら、結晶成長用容器１の内表面は、その結晶
成長用容器１内で原料及び液体封止剤の融液が得られる
とき、及びそれら融液が固化するとぎ、とくに、液体封
止剤の同化層が接する領域において、圧縮応力や引張応
力を受けていることによって、剥離し易い状態になって
いる。このため、その内表面が、成長した結晶を（ｑで
後、結晶成長用容器１内から結晶４１または原料の残留
固化物を取出す毎に、剥離して、機械的強度が低下する
。よって、結晶成長用容器１が、成長した結晶を僅かな
回数製造するのに用いただけで、使用できなくなり、よ
って、結晶成長用容器を交換する必要が生ずる、という
欠点を有していた。 また、第６図に示す従来の結晶成長用容器１の場合、そ
の有底筒状部２ａと両端開放筒状部２ｂとが継目なく一
体に連続して形成されている構成を、−挙に形成する必
要があるため、それに多くの困難を伴う、という欠点を
有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な結晶成
長用容器を提案せんとするものである。
【課題を解決するための手段］
本発明による結晶成長用容器は、第６図で上述した従来
の結晶成長用容器の場合と同様に、有底筒状部と、それ
から上方に延長している少くとも１つの両端開放筒状部
とを有する。 しかしながら、本発明による結晶成長用容器は、このよ
うな構成を有する結晶成長用容器において、その有底筒
状部と、両端開放筒状部とが、各別に形成され且つ互の
嵌合によって、継目を介して一体化されている。 【作用・効果】 本発明による結晶成長用容器によれば、有底筒状部と、
両端開放筒状部とが、継目なく一体に連続して形成され
ているのに代え、各別に形成され且つ互の嵌合によって
継目を介して一体化されていることを除いて、第６図で
上述した従来の結晶成長用容器の場合と同様の構成を有
する。 このため、本発明による結晶成長用容器も、第６図で上
述した従来の結晶成長用容器の場合と同様に、同様に用
いることによって、同様に、成長した結晶を製造するこ
とができる。 しかしながら、本発明による結晶成長用容器の場合、有
底筒状部と、両端開放筒状部とが、各別に形成され且つ
互の嵌合によって継目を介して一体化されている構成を
有するので、両端開放筒状部が１つである場合、有底筒
状部の長さを予め選定してＪ３けば、また、両端開放筒
状部が複数である場合、有底筒状部や、複数の両端開放
筒状部中の有底筒状部側から順次とった１つまたは複数
の両端開放筒状部の長さを予め選定しておけば、両端開
放筒状部が１つである場合、有底筒状部の内表面が剥離
し易い状態になっても、両端開放筒状部の内表面が剥離
し易い状態にならないようにすることができるので、結
晶成長用容器内から成長した結晶または残留固化物を取
出すとき、有底筒状部だけの内表面だけしか剥離しない
ように１“ることができ、このため有底筒状部のみを交
換しさえすれば、結晶成長用容器として使用することが
でき、また、両端開放筒状部が複数である場合、上述し
た理由に準じた理由で、有底筒状部だけ、または有底筒
状部と複数の両端開放筒状部中の有底筒状部側から順次
とった１つまたは複数の両端開放筒状部とだけを交換す
れば、結晶成長用容器として使用することができ、従っ
て、結晶成長用容器全体を交換する必要が生じない。 また、本発明による結晶成長用容器の場合、有底筒状部
と、両端開放筒状部とを各別に容易に形成することがで
き、また、それらを嵌合するだけで、結晶成長用容器を
構成することができるので、結晶成長用容器を容易に製
造することができる。
の結晶成長用容器の場合と同様に、有底筒状部と、それ
から上方に延長している少くとも１つの両端開放筒状部
とを有する。 しかしながら、本発明による結晶成長用容器は、このよ
うな構成を有する結晶成長用容器において、その有底筒
状部と、両端開放筒状部とが、各別に形成され且つ互の
嵌合によって、継目を介して一体化されている。 【作用・効果】 本発明による結晶成長用容器によれば、有底筒状部と、
両端開放筒状部とが、継目なく一体に連続して形成され
ているのに代え、各別に形成され且つ互の嵌合によって
継目を介して一体化されていることを除いて、第６図で
上述した従来の結晶成長用容器の場合と同様の構成を有
する。 このため、本発明による結晶成長用容器も、第６図で上
述した従来の結晶成長用容器の場合と同様に、同様に用
いることによって、同様に、成長した結晶を製造するこ
とができる。 しかしながら、本発明による結晶成長用容器の場合、有
底筒状部と、両端開放筒状部とが、各別に形成され且つ
互の嵌合によって継目を介して一体化されている構成を
有するので、両端開放筒状部が１つである場合、有底筒
状部の長さを予め選定してＪ３けば、また、両端開放筒
状部が複数である場合、有底筒状部や、複数の両端開放
筒状部中の有底筒状部側から順次とった１つまたは複数
の両端開放筒状部の長さを予め選定しておけば、両端開
放筒状部が１つである場合、有底筒状部の内表面が剥離
し易い状態になっても、両端開放筒状部の内表面が剥離
し易い状態にならないようにすることができるので、結
晶成長用容器内から成長した結晶または残留固化物を取
出すとき、有底筒状部だけの内表面だけしか剥離しない
ように１“ることができ、このため有底筒状部のみを交
換しさえすれば、結晶成長用容器として使用することが
でき、また、両端開放筒状部が複数である場合、上述し
た理由に準じた理由で、有底筒状部だけ、または有底筒
状部と複数の両端開放筒状部中の有底筒状部側から順次
とった１つまたは複数の両端開放筒状部とだけを交換す
れば、結晶成長用容器として使用することができ、従っ
て、結晶成長用容器全体を交換する必要が生じない。 また、本発明による結晶成長用容器の場合、有底筒状部
と、両端開放筒状部とを各別に容易に形成することがで
き、また、それらを嵌合するだけで、結晶成長用容器を
構成することができるので、結晶成長用容器を容易に製
造することができる。
次に、第１図を伴って、本発明による結晶成長用容器の
実施例を述べよう。 第１図において、第６図との対応部分には同一符号を付
して示ず。 第１図に示す本発明による結晶成長用容器１は、有底筒
状部２ａと、上記両端開放筒状部２ｂ及び２Ｃとを有し
、そして、それらが、各別に、第６図に示す結晶成長用
容器の場合と同様に、例えば熱分解窒化硼素でなる層の
多層によって形成され且つ互の嵌合によって順次継目４
ａ及び４ｂを介して一体化されている。 以上が、本発明による結晶成長用容器の実施例の構成で
ある。 このような構成を有する本発明による結晶成長用容器に
よれば、詳細説明は省略するが、第２図Ａ、Ｂ、Ｃ及び
Ｄに示しずように、第８図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤで上述した
従来の結晶成長用容器の場合と同様にして結晶を製造し
た場合、封止剤２２の固化層４２が、その上面高さ位置
を両端開放筒状部２ｂ内に位置して形成される場合、そ
の両端開放筒状部２ｂから上方に延長している両端開放
筒状部２Ｃ内面には剥離が実質的に生じないので両端開
放筒状部２ｂ及び有底筒状部２ａを交換する必要がある
場合としても、両端開放筒状部２Ｃを交換する必要がな
く、また、その分、結晶を廉価に製造することができる
。 また、有底筒状部２ａと両端開放筒状部２ｂ及び２Ｃと
を各別に廉価に製造することができるので、結晶成長用
容器１を有底筒状部２ａと両端ｙｎ放筒状部２ｂ及び２
Ｃとが継目なく一体に形成された構成された従来の結晶
成長用容器を製造する場合に比し、廉価に製造すること
ができる。 なお、上述において、本発明の一例を示したに過ぎず、
詳細説明は省略するが、第３図及び第４図に示すように
有底筒状部２ａが第１図の場合とは異なった形状を有す
る構成とすることもでき、また、第５図に示すように両
端開放筒状部２Ｃを省略した構成とすることもでき、そ
の他、本発明の精神を脱することなしに、゛種々の変型
、変更をなし得るであろう。
実施例を述べよう。 第１図において、第６図との対応部分には同一符号を付
して示ず。 第１図に示す本発明による結晶成長用容器１は、有底筒
状部２ａと、上記両端開放筒状部２ｂ及び２Ｃとを有し
、そして、それらが、各別に、第６図に示す結晶成長用
容器の場合と同様に、例えば熱分解窒化硼素でなる層の
多層によって形成され且つ互の嵌合によって順次継目４
ａ及び４ｂを介して一体化されている。 以上が、本発明による結晶成長用容器の実施例の構成で
ある。 このような構成を有する本発明による結晶成長用容器に
よれば、詳細説明は省略するが、第２図Ａ、Ｂ、Ｃ及び
Ｄに示しずように、第８図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤで上述した
従来の結晶成長用容器の場合と同様にして結晶を製造し
た場合、封止剤２２の固化層４２が、その上面高さ位置
を両端開放筒状部２ｂ内に位置して形成される場合、そ
の両端開放筒状部２ｂから上方に延長している両端開放
筒状部２Ｃ内面には剥離が実質的に生じないので両端開
放筒状部２ｂ及び有底筒状部２ａを交換する必要がある
場合としても、両端開放筒状部２Ｃを交換する必要がな
く、また、その分、結晶を廉価に製造することができる
。 また、有底筒状部２ａと両端開放筒状部２ｂ及び２Ｃと
を各別に廉価に製造することができるので、結晶成長用
容器１を有底筒状部２ａと両端ｙｎ放筒状部２ｂ及び２
Ｃとが継目なく一体に形成された構成された従来の結晶
成長用容器を製造する場合に比し、廉価に製造すること
ができる。 なお、上述において、本発明の一例を示したに過ぎず、
詳細説明は省略するが、第３図及び第４図に示すように
有底筒状部２ａが第１図の場合とは異なった形状を有す
る構成とすることもでき、また、第５図に示すように両
端開放筒状部２Ｃを省略した構成とすることもでき、そ
の他、本発明の精神を脱することなしに、゛種々の変型
、変更をなし得るであろう。
第１図は、本発明による結晶成長用容器の実施例を示す
路線的断面図である。 第２図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それを使用して、結晶を製
造する場合の順次の工程における路線的断面図である。 第３図、第４図及び第５図は、本発明による結晶成長用
容器の他の実施例を示す路線的断面図である。 第６図は、従来の結晶成長用容器を示す路線的断面図で
ある。 第７図は、その製法を示す路線的断面図である。 第８図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、第６図に示す結晶成長用容
器を使用して、結晶を製造する場合の順次の工程におけ
る路線的断面図である。 出願人 日本電信電話株式会社 第６図 第７図
路線的断面図である。 第２図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、それを使用して、結晶を製
造する場合の順次の工程における路線的断面図である。 第３図、第４図及び第５図は、本発明による結晶成長用
容器の他の実施例を示す路線的断面図である。 第６図は、従来の結晶成長用容器を示す路線的断面図で
ある。 第７図は、その製法を示す路線的断面図である。 第８図Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、第６図に示す結晶成長用容
器を使用して、結晶を製造する場合の順次の工程におけ
る路線的断面図である。 出願人 日本電信電話株式会社 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 有底筒状部と、それから上方に延長している少くとも１
つの両端開放筒状部とを有する結晶成長用容器において
、 上記有底筒状部と、上記両端開放筒状部とが、各別に形
成され且つ互の嵌合によつて継目を介して一体化されて
いることを特徴とする結晶成長用容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252188A JPH01246190A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 結晶成長用容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7252188A JPH01246190A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 結晶成長用容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01246190A true JPH01246190A (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=13491716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7252188A Pending JPH01246190A (ja) | 1988-03-26 | 1988-03-26 | 結晶成長用容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01246190A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02188486A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-07-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 結晶の成長法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221077B2 (ja) * | 1983-02-01 | 1987-05-11 | Takashi Kobayashi | |
| JPS63233091A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体の単結晶製造方法及びその装置 |
| JPS6442388A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Toshiba Ceramics Co | Quartz crucible for silicon single crystal pulling apparatus |
-
1988
- 1988-03-26 JP JP7252188A patent/JPH01246190A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221077B2 (ja) * | 1983-02-01 | 1987-05-11 | Takashi Kobayashi | |
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|---|---|---|---|---|
| JPH02188486A (ja) * | 1988-12-05 | 1990-07-24 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 結晶の成長法 |
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