JPH01246190A - 結晶成長用容器 - Google Patents

結晶成長用容器

Info

Publication number
JPH01246190A
JPH01246190A JP7252188A JP7252188A JPH01246190A JP H01246190 A JPH01246190 A JP H01246190A JP 7252188 A JP7252188 A JP 7252188A JP 7252188 A JP7252188 A JP 7252188A JP H01246190 A JPH01246190 A JP H01246190A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal growth
cylindrical part
container
growth container
bottomed cylindrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7252188A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroki Koda
拡樹 香田
Keigo Senkawa
千川 圭吾
Hideo Nakanishi
秀男 中西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP7252188A priority Critical patent/JPH01246190A/ja
Publication of JPH01246190A publication Critical patent/JPH01246190A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野] 本発明は、ブリッジマン法、温度勾配法などによって結
晶を製造する(原料融液を、それを収容している容器内
で固化させることによって、成長した結晶を製造する)
場合において、原料融液を得、且つそれを固化させて成
長した結晶を製造するのに用いる容器、引上げ法によっ
て結晶を製造する(種子結晶を、原料融液中から引上げ
ることによって、成長した結晶を引上げによって製造す
る)場合において、成長した結晶を引上げ得るように原
料融液を得るのに用いる容器などの結晶成長用容器に関
する。
【従来の技術】
従来、第6図で符号1で示すような、有底筒状部2aと
、それから上方に延長している両端開放筒状部2bとを
有し、そして、それらが、それらに共通な例えば熱分解
窒化硼素でなる層の多層によって、継目なく一体に連続
して形成されている、という構成を有する結晶成長用容
器が提案されている。 この結晶成長用容器1は、第7図に示すように、結晶成
長用容器1の内面に沿う外面を有し且つカーボンでなる
容器製造用型3を用い、その表面に、CVD法によって
、熱分解窒化硼素層を例えば1mmの厚さに形成するこ
とを複数回繰返して、容器製造用型3の表面上に結晶成
長用容器1を形成し、次で、その結晶成長用容器1を、
容器製造用型3から取外すことによって製造されている
。 第6図に示す結晶成長用容器1によれば、それを、第8
図Aに示すJ:うに、不活性ガス雰囲気内において、回
転自在且つ昇降自在な載置台11上に載置され且つ周り
に発熱体12を配しているサセプタ13内に装着して用
いることによって、次のようにして、成長した結晶を製
造することができる。 すなわち、1つの例においては、第8図Aに示すように
、結晶成長用容器1内に、その底部2aにおいて、種子
結晶〈図示せず)を配置し、次で、結晶成長用言2S1
内に原料21を収容し、次で、その原料21上に液体封
止剤22を配置する。 次に、発熱体12を発熱させることによって、第8図B
に示すように、結晶成長用容器1内に、液体封止剤22
の融液32によって取囲まれ且つ種子結晶と接触してい
る原料21の融液31を得る。 次に、発熱体12を発熱量が予定の割合で減少するよう
に制御し、または結晶成長用容器1を、サセプタ13と
ともに、加熱体12に対して、予定の速度で、離れる方
向に移動さけ、よって、融液21の温度を予定の温度勾
配で降下させる。しかるときは、融液31が第8図Cに
示すように、液体封止剤22の融液32の固化層42に
よって取囲まれ且つ、種子結晶から成長した結晶41に
固化して得られる。 また、他の例においては、第8図△で上述したと同様に
、結晶成長用容器1内に原料を収容し、次で、その原料
上に液体封止剤を配置する。 ただし、この場合、種子結晶は用いない。 次に、第8図Bで上述したと同様に、発熱体12を発熱
させて、結晶成長用容器1内に液体封止剤の融液によっ
て取囲まれた原料の融液を得る。 次に、種子結晶を、融液中に浸漬し、次で引上げる。 しかるときは、融液が、種子結晶下に成長した結晶に固
化して引上げられて得られる。この場合、結晶成長用容
器1内には、第8図りに示すように、液体封止剤の融液
の固化物42によって取囲まれ且つ原料の固化物41′
が残留している。
【発明を解決するための課題】
上述したように、第6図に示す結晶成長用゛容器1によ
れば、それを用いて、成長した結晶を製造することがで
きる。 しかしながら、結晶成長用容器1の内表面は、その結晶
成長用容器1内で原料及び液体封止剤の融液が得られる
とき、及びそれら融液が固化するとぎ、とくに、液体封
止剤の同化層が接する領域において、圧縮応力や引張応
力を受けていることによって、剥離し易い状態になって
いる。このため、その内表面が、成長した結晶を(qで
後、結晶成長用容器1内から結晶41または原料の残留
固化物を取出す毎に、剥離して、機械的強度が低下する
。よって、結晶成長用容器1が、成長した結晶を僅かな
回数製造するのに用いただけで、使用できなくなり、よ
って、結晶成長用容器を交換する必要が生ずる、という
欠点を有していた。 また、第6図に示す従来の結晶成長用容器1の場合、そ
の有底筒状部2aと両端開放筒状部2bとが継目なく一
体に連続して形成されている構成を、−挙に形成する必
要があるため、それに多くの困難を伴う、という欠点を
有していた。 よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な結晶成
長用容器を提案せんとするものである。
【課題を解決するための手段] 本発明による結晶成長用容器は、第6図で上述した従来
の結晶成長用容器の場合と同様に、有底筒状部と、それ
から上方に延長している少くとも1つの両端開放筒状部
とを有する。 しかしながら、本発明による結晶成長用容器は、このよ
うな構成を有する結晶成長用容器において、その有底筒
状部と、両端開放筒状部とが、各別に形成され且つ互の
嵌合によって、継目を介して一体化されている。 【作用・効果】 本発明による結晶成長用容器によれば、有底筒状部と、
両端開放筒状部とが、継目なく一体に連続して形成され
ているのに代え、各別に形成され且つ互の嵌合によって
継目を介して一体化されていることを除いて、第6図で
上述した従来の結晶成長用容器の場合と同様の構成を有
する。 このため、本発明による結晶成長用容器も、第6図で上
述した従来の結晶成長用容器の場合と同様に、同様に用
いることによって、同様に、成長した結晶を製造するこ
とができる。 しかしながら、本発明による結晶成長用容器の場合、有
底筒状部と、両端開放筒状部とが、各別に形成され且つ
互の嵌合によって継目を介して一体化されている構成を
有するので、両端開放筒状部が1つである場合、有底筒
状部の長さを予め選定してJ3けば、また、両端開放筒
状部が複数である場合、有底筒状部や、複数の両端開放
筒状部中の有底筒状部側から順次とった1つまたは複数
の両端開放筒状部の長さを予め選定しておけば、両端開
放筒状部が1つである場合、有底筒状部の内表面が剥離
し易い状態になっても、両端開放筒状部の内表面が剥離
し易い状態にならないようにすることができるので、結
晶成長用容器内から成長した結晶または残留固化物を取
出すとき、有底筒状部だけの内表面だけしか剥離しない
ように1“ることができ、このため有底筒状部のみを交
換しさえすれば、結晶成長用容器として使用することが
でき、また、両端開放筒状部が複数である場合、上述し
た理由に準じた理由で、有底筒状部だけ、または有底筒
状部と複数の両端開放筒状部中の有底筒状部側から順次
とった1つまたは複数の両端開放筒状部とだけを交換す
れば、結晶成長用容器として使用することができ、従っ
て、結晶成長用容器全体を交換する必要が生じない。 また、本発明による結晶成長用容器の場合、有底筒状部
と、両端開放筒状部とを各別に容易に形成することがで
き、また、それらを嵌合するだけで、結晶成長用容器を
構成することができるので、結晶成長用容器を容易に製
造することができる。
【実施例】
次に、第1図を伴って、本発明による結晶成長用容器の
実施例を述べよう。 第1図において、第6図との対応部分には同一符号を付
して示ず。 第1図に示す本発明による結晶成長用容器1は、有底筒
状部2aと、上記両端開放筒状部2b及び2Cとを有し
、そして、それらが、各別に、第6図に示す結晶成長用
容器の場合と同様に、例えば熱分解窒化硼素でなる層の
多層によって形成され且つ互の嵌合によって順次継目4
a及び4bを介して一体化されている。 以上が、本発明による結晶成長用容器の実施例の構成で
ある。 このような構成を有する本発明による結晶成長用容器に
よれば、詳細説明は省略するが、第2図A、B、C及び
Dに示しずように、第8図A、B、C及びDで上述した
従来の結晶成長用容器の場合と同様にして結晶を製造し
た場合、封止剤22の固化層42が、その上面高さ位置
を両端開放筒状部2b内に位置して形成される場合、そ
の両端開放筒状部2bから上方に延長している両端開放
筒状部2C内面には剥離が実質的に生じないので両端開
放筒状部2b及び有底筒状部2aを交換する必要がある
場合としても、両端開放筒状部2Cを交換する必要がな
く、また、その分、結晶を廉価に製造することができる
。 また、有底筒状部2aと両端開放筒状部2b及び2Cと
を各別に廉価に製造することができるので、結晶成長用
容器1を有底筒状部2aと両端yn放筒状部2b及び2
Cとが継目なく一体に形成された構成された従来の結晶
成長用容器を製造する場合に比し、廉価に製造すること
ができる。 なお、上述において、本発明の一例を示したに過ぎず、
詳細説明は省略するが、第3図及び第4図に示すように
有底筒状部2aが第1図の場合とは異なった形状を有す
る構成とすることもでき、また、第5図に示すように両
端開放筒状部2Cを省略した構成とすることもでき、そ
の他、本発明の精神を脱することなしに、゛種々の変型
、変更をなし得るであろう。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明による結晶成長用容器の実施例を示す
路線的断面図である。 第2図A、B、C及びDは、それを使用して、結晶を製
造する場合の順次の工程における路線的断面図である。 第3図、第4図及び第5図は、本発明による結晶成長用
容器の他の実施例を示す路線的断面図である。 第6図は、従来の結晶成長用容器を示す路線的断面図で
ある。 第7図は、その製法を示す路線的断面図である。 第8図A、B、C及びDは、第6図に示す結晶成長用容
器を使用して、結晶を製造する場合の順次の工程におけ
る路線的断面図である。 出願人  日本電信電話株式会社 第6図 第7図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 有底筒状部と、それから上方に延長している少くとも1
    つの両端開放筒状部とを有する結晶成長用容器において
    、 上記有底筒状部と、上記両端開放筒状部とが、各別に形
    成され且つ互の嵌合によつて継目を介して一体化されて
    いることを特徴とする結晶成長用容器。
JP7252188A 1988-03-26 1988-03-26 結晶成長用容器 Pending JPH01246190A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7252188A JPH01246190A (ja) 1988-03-26 1988-03-26 結晶成長用容器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7252188A JPH01246190A (ja) 1988-03-26 1988-03-26 結晶成長用容器

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01246190A true JPH01246190A (ja) 1989-10-02

Family

ID=13491716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7252188A Pending JPH01246190A (ja) 1988-03-26 1988-03-26 結晶成長用容器

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01246190A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02188486A (ja) * 1988-12-05 1990-07-24 American Teleph & Telegr Co <Att> 結晶の成長法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221077B2 (ja) * 1983-02-01 1987-05-11 Takashi Kobayashi
JPS63233091A (ja) * 1987-03-20 1988-09-28 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体の単結晶製造方法及びその装置
JPS6442388A (en) * 1987-08-07 1989-02-14 Toshiba Ceramics Co Quartz crucible for silicon single crystal pulling apparatus

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221077B2 (ja) * 1983-02-01 1987-05-11 Takashi Kobayashi
JPS63233091A (ja) * 1987-03-20 1988-09-28 Hitachi Cable Ltd 化合物半導体の単結晶製造方法及びその装置
JPS6442388A (en) * 1987-08-07 1989-02-14 Toshiba Ceramics Co Quartz crucible for silicon single crystal pulling apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02188486A (ja) * 1988-12-05 1990-07-24 American Teleph & Telegr Co <Att> 結晶の成長法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2205918A1 (en) Epitaxial growth of silicon carbide and resulting silicon carbide structures
KR20070120867A (ko) 여러 단편으로 된 세라믹 도가니 및 그의 제조방법
KR20070059064A (ko) 부분적으로 실투되어 있는 도가니
JPH0412086A (ja) シリコン単結晶の製造装置
TW200936835A (en) Container holding member and method for producing the same
JPH01246190A (ja) 結晶成長用容器
JP5359845B2 (ja) 単結晶成長装置
Althaus et al. Some new design features for vertical Bridgman furnaces and the investigation of small angle grain boundaries developed during VB growth of GaAs
WO1987004854A3 (fr) Procede epitaxial liquide pour la fabrication de structures semi-conductrices en trois dimensions
JP2007131470A (ja) ランガテイト単結晶の製造方法
JP2781856B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JP2000247781A (ja) 黒鉛るつぼ
JPS6144792A (ja) シリコン単結晶引上装置
JP2000247780A (ja) 単結晶引き上げ装置
JPH1025186A (ja) 石英ルツボ製造用中空型
JPH04160090A (ja) 半導体単結晶引上装置の黒鉛ルツボ
JPH026380A (ja) 結晶成長法
JPS6251237B2 (ja)
JP2706272B2 (ja) 化合物半導体単結晶の成長方法
JPH02212395A (ja) 化合物半導体結晶の製造方法および製造装置
JP2001192294A5 (ja)
JPS63195189A (ja) 単結晶の製造装置
JPH046194A (ja) 単結晶成長用るつぼ
JPH072593A (ja) 化合物半導体結晶の製造装置
JP2600078B2 (ja) 結晶成長装置