JPS6144792A - シリコン単結晶引上装置 - Google Patents
シリコン単結晶引上装置Info
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- JPS6144792A JPS6144792A JP16684384A JP16684384A JPS6144792A JP S6144792 A JPS6144792 A JP S6144792A JP 16684384 A JP16684384 A JP 16684384A JP 16684384 A JP16684384 A JP 16684384A JP S6144792 A JPS6144792 A JP S6144792A
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- Japan
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- quartz glass
- single crystal
- crucible
- silicon
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコン単結晶製造の引上装置の改良に関す
るものである。
るものである。
従来、シリコン単結晶は主にチョコラルスキー法（ＣＺ
法）によって製造されている。この方法は石英ガラスル
ツメ内にシリコン多結晶原料を入れ、周囲から加熱して
該シリコン多結晶を溶融させ、その溶融物を種結晶によ
り上方に引上け、シリコン単結晶をつくるものである。
法）によって製造されている。この方法は石英ガラスル
ツメ内にシリコン多結晶原料を入れ、周囲から加熱して
該シリコン多結晶を溶融させ、その溶融物を種結晶によ
り上方に引上け、シリコン単結晶をつくるものである。
例えＦ！第１図に示すように、チャンバー１内に保温筒
２があり、その内側にカーどンヒーター３が設置されて
いる。そしてヒーター３の内側にカーぎンルツ〆４がア
リ、サラにカーダンルツボ４の内側に石英ガラスルツボ
５があってシリコン多結晶を溶融し、その溶融物６を８
１結晶により上方に引上はシリコン単結晶７をつくって
いた。
２があり、その内側にカーどンヒーター３が設置されて
いる。そしてヒーター３の内側にカーぎンルツ〆４がア
リ、サラにカーダンルツボ４の内側に石英ガラスルツボ
５があってシリコン多結晶を溶融し、その溶融物６を８
１結晶により上方に引上はシリコン単結晶７をつくって
いた。
この際シリコン単結晶に不純物が含まれるのを防止する
ためにチャンバー１内にアルゴン等の不活性ガスを導入
することが一般に行なわれている。
ためにチャンバー１内にアルゴン等の不活性ガスを導入
することが一般に行なわれている。
このようにチャンバー１内にアルゴン等の不活性ガスを
導入するとともに、シリコン橡結晶を石英ガラスルツボ
５内の溶融シリコンに浸し、シリコン極結晶を引上げる
ことにより単結晶をつくっていた。
導入するとともに、シリコン橡結晶を石英ガラスルツボ
５内の溶融シリコンに浸し、シリコン極結晶を引上げる
ことにより単結晶をつくっていた。
しかしながら、従来の装置ではシリコン融液と石英ガラ
スルツボ（Ｓｉ０２）が高温で反応してＳｉ ＋ ５ｉ
０２→２ｓｉ。
スルツボ（Ｓｉ０２）が高温で反応してＳｉ ＋ ５ｉ
０２→２ｓｉ。
のように多量のＳｉＯを生成し、シリコン融液表面から
蒸発放出されるが、そのＳｉＯが石英ガラスルツブ５の
上端およびチャンパー１上部に蓄積されると、ＳｉＯが
成長しているシリコン単結晶の界面に落下し混入するこ
とによって、シリコン単結晶の有転位化が結晶引上げ中
に起きるという問題があった。
蒸発放出されるが、そのＳｉＯが石英ガラスルツブ５の
上端およびチャンパー１上部に蓄積されると、ＳｉＯが
成長しているシリコン単結晶の界面に落下し混入するこ
とによって、シリコン単結晶の有転位化が結晶引上げ中
に起きるという問題があった。
本発明は、石英ガ２スルツが５のシリコン融液面より上
部において、石英ガラスルツブ５の側壁に複数個の間隙
を設け、シリコン融液と石英ガラスルツブとが反応して
生成したＳｉＯを上記の間隙より即排出できるようにし
たものである。
部において、石英ガラスルツブ５の側壁に複数個の間隙
を設け、シリコン融液と石英ガラスルツブとが反応して
生成したＳｉＯを上記の間隙より即排出できるようにし
たものである。
本発明は第２図に示すように、石英ガラスルツブ５にシ
リコン融液６面の上部において、石英ガラスルツブ５の
側壁に透孔または開＠８を設けるとともにカーボンルツ
〆にも該透孔または間隙８と一致する位置に透孔９を設
けたものである。
リコン融液６面の上部において、石英ガラスルツブ５の
側壁に透孔または開＠８を設けるとともにカーボンルツ
〆にも該透孔または間隙８と一致する位置に透孔９を設
けたものである。
また、本発明ｔｌ第３図に示すように石英ガラスルツボ
５のシリコン融液６面より上部において、石英ガラスル
ツブ５の側壁に透孔または間隙８を設けるとともに、カ
ーがンルツ＆ ４ ｒＣは間隙１０を設け、該間隙１０
はカーデンルツが４の側壁の上端部に一端部を有すると
ともに、他端部は石英ガラスルツブ５側の側壁に設けた
ものであるが、カーボンルツボ４の上部即ち石英ガラス
ルツ？の透孔または間隙８を設けた部分から上部のカー
ボンルツ？を全周にわたって薄肉状態に形成して間隙１
０を形成してもよい。
５のシリコン融液６面より上部において、石英ガラスル
ツブ５の側壁に透孔または間隙８を設けるとともに、カ
ーがンルツ＆ ４ ｒＣは間隙１０を設け、該間隙１０
はカーデンルツが４の側壁の上端部に一端部を有すると
ともに、他端部は石英ガラスルツブ５側の側壁に設けた
ものであるが、カーボンルツボ４の上部即ち石英ガラス
ルツ？の透孔または間隙８を設けた部分から上部のカー
ボンルツ？を全周にわたって薄肉状態に形成して間隙１
０を形成してもよい。
第４図ＫＦｉ他の実施例を示すもので、石英ガラスルツ
メ５に透孔または間隙８を設けるとともに、カーボンル
ツ〆４には石英ガラスルツボ５に設けた透孔または間隙
８とは連通しているが、該透孔または間隙８の位置とは
一致しない位置に透孔９を膜性たものである。この様に
することによって、第２図の実施例よりも、ヒーターか
らの輻射熱を均一にすることができ好ましい。
メ５に透孔または間隙８を設けるとともに、カーボンル
ツ〆４には石英ガラスルツボ５に設けた透孔または間隙
８とは連通しているが、該透孔または間隙８の位置とは
一致しない位置に透孔９を膜性たものである。この様に
することによって、第２図の実施例よりも、ヒーターか
らの輻射熱を均一にすることができ好ましい。
石英ガラスルツが５の側壁の間隙８は、石英ガラスルツ
メ５の側壁に透孔を穿孔してもよいけれど、第２図のよ
うに石英ガ２スルツぎ５の側壁を上下に二分割して上部
に分割された上部リング体の下端を歯形に加工して成形
して［…隙８をつくってもよい。賛はＳｉＯの排出がで
きればよい。
メ５の側壁に透孔を穿孔してもよいけれど、第２図のよ
うに石英ガ２スルツぎ５の側壁を上下に二分割して上部
に分割された上部リング体の下端を歯形に加工して成形
して［…隙８をつくってもよい。賛はＳｉＯの排出がで
きればよい。
石英ガラスルツボ５の側壁を上下二分割にすることによ
り石英ガラスルツボ５の上部リングは残留シリコンによ
る破損もなく、何回も使用ができるものであり、石英ガ
ラスルツボ５を交換するときは、下部のルツボ部分のみ
を交換すれはよく、上部のリング部はそのまま使用する
ことができるので安価なものとなる。
り石英ガラスルツボ５の上部リングは残留シリコンによ
る破損もなく、何回も使用ができるものであり、石英ガ
ラスルツボ５を交換するときは、下部のルツボ部分のみ
を交換すれはよく、上部のリング部はそのまま使用する
ことができるので安価なものとなる。
また、従来はシリコンチャージ量を増加することによっ
て長尺ルッがか必要となシ、ＳｉＯの排出が困難となシ
リコン単結晶の有転位化が増加したが、ＳｉＯ排出効果
を損うことなく、シリコンチャージ量を増加するために
は上部のリング体の高さを変えるだけでよい。従って本
願発明は大容量の単結晶引上装置において特に効果が大
きい。
て長尺ルッがか必要となシ、ＳｉＯの排出が困難となシ
リコン単結晶の有転位化が増加したが、ＳｉＯ排出効果
を損うことなく、シリコンチャージ量を増加するために
は上部のリング体の高さを変えるだけでよい。従って本
願発明は大容量の単結晶引上装置において特に効果が大
きい。
実施例
側壁が上下二分割体からなる直径１４インチの石英ガラ
スルツブの、上部のリング体の下端部を歯形に形成し、
該歯形に連通ずる孔をカーゲンルツデの側壁に形成した
。枝孔は直径１５ｍの孔で２０個形成した。
スルツブの、上部のリング体の下端部を歯形に形成し、
該歯形に連通ずる孔をカーゲンルツデの側壁に形成した
。枝孔は直径１５ｍの孔で２０個形成した。
したがって石英がラスルツボの内面からカーゲンルツが
の外面まで貫通した孔（間隙）を開けたことＫなる。
の外面まで貫通した孔（間隙）を開けたことＫなる。
なお５石英ガラスルツボの上部リング体はシリコン融液
面から３Ｑｍの上に位置するようにした。
面から３Ｑｍの上に位置するようにした。
その結果３０ｋＰのシリコン単結晶を２０本引上げたと
ころ、転移による不良となったシリコン単結晶は２本で
あった。
ころ、転移による不良となったシリコン単結晶は２本で
あった。
一方側壁に孔（間隙）のない従来のシリコン単結晶引上
装置を使用し、同一条件でシリコン単結晶を引上けたと
ころ転移による不良となったシリコン単結晶は６本であ
った。
装置を使用し、同一条件でシリコン単結晶を引上けたと
ころ転移による不良となったシリコン単結晶は６本であ
った。
第１図は従来のシリコン単結晶の引上装置の断面図、第
２図は本発明の要部の断面図、第３図、第４図は他の実
施例の断面陶であ机 ′４・・・カーゲンルツが ５
・・・石英ガラスルツが６・・・溶融物 ８，９，１
０・・・透孔または間隙第１図 第２図 第３図 第４願
２図は本発明の要部の断面図、第３図、第４図は他の実
施例の断面陶であ机 ′４・・・カーゲンルツが ５
・・・石英ガラスルツが６・・・溶融物 ８，９，１
０・・・透孔または間隙第１図 第２図 第３図 第４願
Claims (1)
- シリコン多結晶を石英ガラスルツボに入れて溶融し、こ
の融液からシリコン単結晶を引上形成するシリコン単結
晶製造装置において、石英ガラスルツボのシリコン融液
面より上部の側壁に複数個の間隙を設けたことを特徴と
するシリコン単結晶引上装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16684384A JPS6144792A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | シリコン単結晶引上装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16684384A JPS6144792A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | シリコン単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6144792A true JPS6144792A (ja) | 1986-03-04 |
| JPH0154318B2 JPH0154318B2 (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=15838677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16684384A Granted JPS6144792A (ja) | 1984-08-09 | 1984-08-09 | シリコン単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6144792A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252395A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-04 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶製造用ルツボ |
| US6875275B1 (en) | 1997-03-31 | 2005-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Production apparatus for producing a crystal |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388674A (en) * | 1976-11-23 | 1978-08-04 | Busesoyutsunii Nii Monokurisut | Apparatus for growing single crystal from melts by adding broken insert |
| JPS5715075A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-26 | Caterpillar Mitsubishi Ltd | Hermetically sealing device of oil for hermetically sealed lubrication type truck |
| JPS5750729Y2 (ja) * | 1978-10-04 | 1982-11-06 |
-
1984
- 1984-08-09 JP JP16684384A patent/JPS6144792A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5388674A (en) * | 1976-11-23 | 1978-08-04 | Busesoyutsunii Nii Monokurisut | Apparatus for growing single crystal from melts by adding broken insert |
| JPS5750729Y2 (ja) * | 1978-10-04 | 1982-11-06 | ||
| JPS5715075A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-26 | Caterpillar Mitsubishi Ltd | Hermetically sealing device of oil for hermetically sealed lubrication type truck |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252395A (ja) * | 1986-04-24 | 1987-11-04 | Mitsubishi Metal Corp | 単結晶製造用ルツボ |
| US6875275B1 (en) | 1997-03-31 | 2005-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Production apparatus for producing a crystal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0154318B2 (ja) | 1989-11-17 |
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