JPH01243541A - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

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JPH01243541A
JPH01243541A JP6947988A JP6947988A JPH01243541A JP H01243541 A JPH01243541 A JP H01243541A JP 6947988 A JP6947988 A JP 6947988A JP 6947988 A JP6947988 A JP 6947988A JP H01243541 A JPH01243541 A JP H01243541A
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Abstract

PURPOSE:To effectively prevent a short circuit between power-supply lines by a method wherein one side of a power-supply trunk line for power-supply voltage use and a power-supply trunk line for ground voltage use of a semiconductor device whose logic block is to be arranged and wired by using a building block system is divided and formed. CONSTITUTION:Each power-supply trunk line 6 is composed of a power-supply trunk lines 6a for power-supply voltage use and a power-supply trunk line 6b for ground voltage use. The trunk lines 6a are divided into two and arranged on both sides of the trunk line 6b by sandwiching this trunk line. Out of power- supply lines 7 which connect feed point pairs 2a of logic blocks 2 arranged at the upper part and lower part of the trunk line 6 to the trunk line 6, the power-supply lines 7 connected to the trunk line 6a are connected to the trunk line 6a on this side of the blocks 2. Then, the power-supply lines 7 which are extended from the feed point pairs 2a of the blocks 2 to the trunk line 6 do not stride over one side of the trunk line 6. By this setup, it is possible to effectively prevent a short circuit between the power-supply lines 7.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の電源配線技術に関し、セミカス
タムLSIの自動設計化に適用して特に有効な技術に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to power supply wiring technology for semiconductor devices, and relates to a technology that is particularly effective when applied to automatic design of semi-custom LSIs.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

セミカスタムLSIの自動設計波・術Cごついては、例
えば、日経マグロウヒル社、昭和62年12月1日発行
、「日経マイクロデバイス・12月号」P90〜P95
に記載があり、スタンダードセルやゲートアレイなど、
セミカスタムLSIを代表する半導体装置の自動設計技
術動向が解説されている。
For information on automatic design waves and techniques for semi-custom LSIs, see, for example, "Nikkei Microdevices December issue", published by Nikkei McGraw-Hill, December 1, 1986, P90-P95.
It is described in , and includes standard cells, gate arrays, etc.
Trends in automatic design technology for semiconductor devices, which represent semi-custom LSIs, are explained.

上記スタンダードセルの作成には、従来、ポリセル方式
などが用いられていたが、セミカスタムLSfの開発期
間短縮化や多機能化が進むにつれ、論理階層の設計や、
RAMSROMなどのマクロセルの搭載に適した、いわ
ゆるビルディングブロック方式が用いられるようになっ
ている。
Conventionally, the polycell method was used to create the standard cells mentioned above, but as the development period of semi-custom LSfs has become shorter and more functional, the design of the logical hierarchy,
A so-called building block method, which is suitable for mounting macro cells such as RAMSROM, is now being used.

このビルディングブロック方式によるスタンダードセル
の電源配線工程は、概ね以下の通りである。
The standard cell power supply wiring process using this building block method is generally as follows.

まず、半導体ペレット(以下、ペレットという)の回路
形成領域に論理ブロックやマクロセルを形成し、その際
、各論理ブロックやマクロセルの周縁部に電源を、また
、端部に給電点対をそれぞれ配置する。
First, logic blocks and macrocells are formed in the circuit formation area of a semiconductor pellet (hereinafter referred to as pellet), and at this time, a power supply is placed at the periphery of each logic block or macrocell, and a pair of power supply points is placed at the end. .

次に、Vdd (電源電圧)用電源幹線とVss (グ
ランド電圧〉用電源幹線とからなる電源幹線を論理ブロ
ックやマクロセルの間に配置する。
Next, a power main line consisting of a power main line for Vdd (power supply voltage) and a power main line for Vss (ground voltage) is placed between the logic blocks and macro cells.

最後に、電源幹線と前記給電点対との間に電源線を形成
し、給電点対の一方をVdd用電源幹線に、また、他方
をVss用電源幹線に接続することにより、ペレット内
の全ての素子に電力を供給する電源網を形成する。
Finally, by forming a power line between the power supply main line and the above-mentioned power supply point pair, and connecting one of the power supply point pair to the Vdd power supply main line and the other to the Vss power supply main line, all form a power supply network that supplies power to the elements.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

ところが、上記ビルディングブロック方式を用いてスタ
ンダードセルを作成する際、電源幹線を挟んで配置され
る論理ブロック(または、マクロセル)の相対位置によ
っては、給電点対と電源幹線とを接続するための電源線
同士がショートしてしまうことがある。
However, when creating a standard cell using the above building block method, depending on the relative position of the logic blocks (or macro cells) placed across the power supply main line, the power supply for connecting the power supply point pair and the power supply main line may be Wires may be shorted together.

これを第3図で説明すると、電源幹線20を挟む一対の
論理ブロック21.22の各給電点対21a、22aか
ら、VdC1用電源幹線20aとVss用電源幹線20
bとに電源線23.24を延ばす場合、例えば、論理ブ
ロック21の給電・点対・21aからVss用電源幹線
20bに延びる電源線23はVdd用電源幹線20aを
跨がなければならず、また、もう一方の論理ブロック2
2の給電点対22aからVdd用電源幹線20aに延び
る電源線24はVss用電源幹線20bを跨がなければ
ならないため、論理ブロック21.22の相対位置によ
っては、電源線23と電源線24とが接近してンヨート
してしまうことがある。
To explain this with reference to FIG. 3, from each feed point pair 21a, 22a of a pair of logic blocks 21 and 22 sandwiching the power main line 20, a power main line 20a for VdC1 and a power main line 20 for Vss are connected.
When extending the power lines 23 and 24 from the power supply line 21a of the logic block 21 to the Vss power supply main line 20b, for example, the power supply line 23 extending from the power supply point pair 21a of the logic block 21 must cross the Vdd power supply main line 20a, and , the other logical block 2
Since the power line 24 extending from the second feed point pair 22a to the Vdd power main line 20a must cross the Vss power main line 20b, depending on the relative positions of the logic blocks 21 and 22, the power line 23 and the power line 24 may may get close to you and cause you to swerve.

このような場合は、論理ブロックやマクロセルの配置を
やり直す必要があるが、このような設計変更は極めて高
度な判断を必要とするため、現状ではコンピュータやC
ADなどの自動設計技術を利用して設計変更を行うこと
が難しい。
In such a case, it is necessary to re-arrange the logic blocks and macrocells, but such design changes require extremely sophisticated judgment, so currently computers and
It is difficult to make design changes using automatic design technology such as AD.

そこで、止むを得ず、長時間を要する人手作業によって
設計変更を行っているのが現状であり、これがスタンダ
ードセルの開発期間を短縮化する上で大きな妨げとなっ
ている。
Therefore, the current situation is that design changes are unavoidably carried out manually, which takes a long time, and this is a major hindrance in shortening the development period for standard cells.

本発明は、上記した問題点に着目してなされたものであ
り、その目的は、ビルディングブロック方式を用いて作
成される半導体装置の設計自動化を達成することができ
る技術を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and its purpose is to provide a technology that can achieve design automation of semiconductor devices created using the building block method.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴とは、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

仁課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
Means for Solving the Problem] A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ビルディングブロック方式を用いて論理ブロ
ックやマクロセルの配置、配線を行う半導体装置のVd
d用電源幹線とVss用電源幹線の少なくとも一方を分
割形成するものである。
In other words, the Vd of a semiconductor device in which logic blocks and macro cells are placed and wired using the building block method.
At least one of the d power supply trunk line and the Vss power supply trunk line is formed separately.

〔作用〕[Effect]

上記した手段によれば、電源幹線Vdd、 Vssを挟
んで対向する論理ブロック(またはマクロセル)の給電
点対から電源幹線Vdd、  Vssに電源線を延ばす
際、各電源線が電源幹線Vdd、  Vssを跨ぐこと
がないため、電源線同士のンヨートを有効に防止するこ
とができる。
According to the above-mentioned means, when the power supply lines are extended from the feed point pair of logic blocks (or macro cells) facing each other across the power supply main lines Vdd and Vss to the power supply main lines Vdd and Vss, each power supply line is connected to the power supply main lines Vdd and Vss. Since there is no straddling, it is possible to effectively prevent the power lines from crossing each other.

〔実施例〕〔Example〕

第1図は本発明の一実施例である半導体装置を示す第2
図の要部拡大平面図、第2図はこの半導体装置の略平面
図である。
FIG. 1 is a second diagram showing a semiconductor device which is an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an enlarged plan view of the main part of the figure and a schematic plan view of this semiconductor device.

本実施例の半導体装置は、ビルディングブロック方式に
より作成されるスタンダードセルであって、第2図に示
すように、シリコン単結晶からなるベレット1の回路形
成領域には、多数の論理ブロック2およびマクロセル3
が所定の間隔を置いて配置されている。
The semiconductor device of this embodiment is a standard cell manufactured by a building block method, and as shown in FIG. 3
are arranged at predetermined intervals.

各論理ブロック2の内部には、図示しない多数のセル列
と、各セルに電力を供給する電源とが形成され、電源の
端部には、給電点対2aが形成されている。
Inside each logic block 2, a large number of cell columns (not shown) and a power supply for supplying power to each cell are formed, and a pair of feeding points 2a is formed at the end of the power supply.

同様に、各マクロセル3の内部には、RAM、ROMな
どのメモリセルからなる多数のセル列と、各セルに電力
を供給する電源とが形成され、電源の端部には、給電点
対3aが形成されている。
Similarly, inside each macro cell 3, there are formed a large number of cell rows consisting of memory cells such as RAM and ROM, and a power source that supplies power to each cell. is formed.

論理ブロック2およびマクロセル3の余領域には、人出
力バッファ回路4に接続された二本の主電源配線5と、
この主電源配線5に直交する多数本の電源幹線6とが梯
子状に配設され、各論理ブロック2の給電点対2aおよ
び各マクロセル3の給電点対3aが電源線7を介して電
源幹線6に接続されている。
In the remaining area of the logic block 2 and the macro cell 3, two main power supply wirings 5 connected to the human output buffer circuit 4 are provided.
A large number of power supply trunk lines 6 orthogonal to this main power supply wiring 5 are arranged in a ladder shape, and the power supply point pair 2a of each logic block 2 and the power supply point pair 3a of each macro cell 3 are connected to the power supply trunk line 7 via a power supply line 7. 6.

ここで、主電源配線5は、Vdd用主電源配線5aとV
ss用主電源配線5bとから構成され、例えば、Vdd
= 5 V、 Vss= OV テアル。
Here, the main power supply wiring 5 is connected to the main power supply wiring 5a for Vdd and the Vdd main power supply wiring 5a.
ss main power supply wiring 5b, for example, Vdd
= 5 V, Vss = OV theal.

なお、ベレット1の周縁部には多数のボンディングバノ
ド8が形成され、このペレット1をパッケージに封止す
る際、リードとの間にワイヤがボンディングされるよう
になっている。
A large number of bonding bands 8 are formed on the peripheral edge of the pellet 1, and wires are bonded to the leads when the pellet 1 is sealed in a package.

次に、本実施例においては、各電源幹線6は、第1図に
示すように、Vdd用電源幹線6aとVss用電源幹線
6bとから構成され、その一方、すなわち、Vdd用電
源幹線6aが二分割され、Vss用電源幹線6bを挟ん
でその両側に配設されている。
Next, in this embodiment, each power supply trunk line 6 is composed of a Vdd power supply trunk line 6a and a VSS power supply trunk line 6b, as shown in FIG. It is divided into two parts and placed on both sides of the Vss power main line 6b.

そして、電源幹線6の上下に配置された論理ブロック2
 (またはマクロセル3)の給電点対2a(または3a
)と電源幹線6とを接続する電源線7のうち、Vdd用
電源幹線6aに接続され・る電源線7は、各論理ブロッ
ク2 (またはマクロセル3)の手前側のVdd用電源
幹線6aに接続されるようになっている。
Logic blocks 2 placed above and below the power main line 6
(or macrocell 3) feed point pair 2a (or 3a
) and the power supply main line 6, the power supply line 7 connected to the VDD power supply main line 6a is connected to the VDD power supply main line 6a on the front side of each logic block 2 (or macro cell 3). It is now possible to do so.

なお、電源幹線6と電源線7とは、階層構造をなし、例
えば、第−層Aβ配線または第三層A1配線が電源幹線
6として用いられる場合には、第二層Al配線が電源線
7として用いられるため、コンタクトホール9を介して
電源幹線6と電源線7との接続が行われることになる。
Note that the power supply trunk line 6 and the power supply line 7 have a hierarchical structure. For example, when the first layer Aβ wiring or the third layer A1 wiring is used as the power supply trunk line 6, the second layer Al wiring is the power supply line 7. Therefore, the power main line 6 and the power line 7 are connected through the contact hole 9.

このように、Vcld用電源幹線6aを二分割してVs
s用電源幹線6bの両側に配設した場合には、従来のス
タンダードセルと異なり、論理ブロック2 (またはマ
クロセル3)の給電点対2a(または3a)から電源幹
線6に延びる電源線7が電源幹線6の一方を跨ぐことが
ないため、電源幹線6を挟んで対向する論理ブロック2
 (またはマクロセル3)の相対位置が近接した場合で
あっても、電源線7,7同士のショートを有効に防止す
ることができる。
In this way, the Vcld power supply main line 6a is divided into two, and the Vcld
When placed on both sides of the power supply main line 6b for s, unlike the conventional standard cell, the power supply line 7 extending from the power supply point pair 2a (or 3a) of the logic block 2 (or macro cell 3) to the power supply main line 6 is the power source. Since it does not cross one side of the main line 6, the logic blocks 2 facing each other across the power supply main line 6
Even if the relative positions of the macrocells 3 (or macrocells 3) are close to each other, short circuits between the power supply lines 7, 7 can be effectively prevented.

その結果、従来、人手作業によって長時間をかけて行な
っていた設計変更工程が不要となり、スタンダードセル
の設計が完全自動化されることから、スタンダードセル
の開発期間を大幅に短縮化することが可能となる。
As a result, the design change process, which previously took a long time to perform manually, is no longer necessary, and standard cell design is fully automated, making it possible to significantly shorten the standard cell development period. Become.

また、論理ブロック2やマクロセル3の相対位置をより
近接させることができるため、スタンダードセルの集積
度をより向上させることができる。
Further, since the relative positions of the logic block 2 and the macro cell 3 can be made closer to each other, the degree of integration of the standard cells can be further improved.

以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。
As above, the invention made by the present inventor has been specifically explained based on Examples, but the present invention is not limited to the above-mentioned Examples, and it is understood that various changes can be made without departing from the gist thereof. Needless to say.

例えば、実施例では、Vdd用電源幹線を二分割してV
ss用電源幹線の両側に配設したが、これとは逆に、V
、 s s用電源幹線を二分割してVdd用電源幹線の
両側に配設した場合でも、実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
For example, in the embodiment, the power main line for Vdd is divided into two and
It was installed on both sides of the ss power supply main line, but on the contrary, V
, s Even if the ss power supply main line is divided into two and placed on both sides of the Vdd power supply main line, the same effects as in the embodiment can be obtained.

また、Vdd用電源幹線とVss用電源幹線の両方を二
分割した場合には、電源線同士のショートをより確実に
防止することができる。
Furthermore, when both the Vdd power supply trunk line and the Vss power supply trunk line are divided into two, short circuits between the power supply lines can be more reliably prevented.

なお、以上の説明では、主として本発明者によってなさ
れた発明をその背景となった利用分野であるスタンダー
ドセルに適用した場合について説明したが、これに限定
されるものではなく、例えば、敷き詰めゲートアレイな
ど、ビルディングブロック方式により作成される他の半
導体装置に適用することもできる。
In the above explanation, the invention made by the present inventor was mainly applied to standard cells, which is the field of application that formed the background of the invention. However, the present invention is not limited to this, and for example, The present invention can also be applied to other semiconductor devices manufactured using the building block method.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである
A brief explanation of the effects obtained by typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、ビルディングブロック方式を用いて論理ブロ
ックやマクロセルの配置、配線を行う半導体装置のVd
d用電源幹線とVss用電源幹線の少なくとも一方を分
割形成することにより、電源幹線を挟んで対向する論理
ブロツク(またはマクロセル)の給電点対から電源幹線
に延びる電源線同士のンヨートを有効に防止することが
できるため、半導体装置の設計自動化が達成され、ひい
ては、開発期間の短縮化が促進される。
In other words, the Vd of a semiconductor device in which logic blocks and macro cells are placed and wired using the building block method.
By dividing at least one of the power supply main line for d and the power supply main line for Vss, it is possible to effectively prevent interference between the power supply lines extending from the power supply point pair of logic blocks (or macro cells) facing each other across the power supply main line to the power supply main line. Therefore, automation of the design of semiconductor devices can be achieved, which in turn promotes shortening of the development period.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、本発明の一実施例である半導体装置を示す第
2図の要部拡大平面図、 第2図は、この半導体装置の略平面図、第3図は、従来
の半導体装置における電源配線構造を示す要部拡大平面
図である。 1・・・半導体ペレット、2.21.22・・・論理ブ
ロック、2a、3a、21a、22a・・・給電点対、
3・・・マクロセル、4・・・人出力バッファ回路、5
・・・主電源配線、5a・・・電源電圧(Vdd)用主
電源配線、5b・・・グランド電圧(Vss)用主電源
配線、6.20・・・電源幹線、6a、20a・・・電
源電圧(Vdd)用電源幹線、6b、20b・・・グラ
ンド電圧(Vss)用電源幹線、?、23.24・・・
電源線、8・・・ポンディングパッド、9・・・コンタ
クトホール。 第2図
1 is an enlarged plan view of main parts of FIG. 2 showing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view of this semiconductor device, and FIG. 3 is a plan view of a conventional semiconductor device. FIG. 3 is an enlarged plan view of main parts showing the power supply wiring structure. 1... Semiconductor pellet, 2.21.22... Logic block, 2a, 3a, 21a, 22a... Feeding point pair,
3... Macro cell, 4... Human output buffer circuit, 5
... Main power supply wiring, 5a... Main power supply wiring for power supply voltage (Vdd), 5b... Main power supply wiring for ground voltage (Vss), 6.20... Main power supply line, 6a, 20a... Main power supply line for power supply voltage (Vdd), 6b, 20b... Main power supply line for ground voltage (Vss), ? , 23.24...
Power line, 8... bonding pad, 9... contact hole. Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、ビルディングブロック方式を用いて論理ブロックや
マクロセルの配置、配線を行う半導体装置であって、前
記論理ブロックやマクロセルに電源を供給する電源電圧
用電源幹線とグランド電圧用電源幹線の少なくとも一方
を分割形成したことを特徴とする半導体装置。 2、スタンダードセルであることを特徴とする請求項1
記載の半導体装置。
[Claims] 1. A semiconductor device in which logic blocks and macro cells are arranged and wired using a building block method, which includes a main power supply line for power supply voltage and a power supply for ground voltage that supply power to the logic blocks and macro cells. A semiconductor device characterized in that at least one of the main lines is formed in sections. 2. Claim 1 characterized in that it is a standard cell.
The semiconductor device described.
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