JPH01238143A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH01238143A JPH01238143A JP6644988A JP6644988A JPH01238143A JP H01238143 A JPH01238143 A JP H01238143A JP 6644988 A JP6644988 A JP 6644988A JP 6644988 A JP6644988 A JP 6644988A JP H01238143 A JPH01238143 A JP H01238143A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- metal wiring
- etching
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 6
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 7
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置として、絶縁膜と金属配線膜の組
合せ、もしくはさらにその上に絶縁膜と金属配線膜を組
合せる配線構造を有する装置の製造方法に関する。
合せ、もしくはさらにその上に絶縁膜と金属配線膜を組
合せる配線構造を有する装置の製造方法に関する。
従来、この種の半導体装置の製造方法は、第３５４に示
す様に半導体基板ｌに設けられた第１の絶縁膜２の上に
金属配線膜３を成長させ、ホトエツチング技術を用いて
、所望のパターンを形成していた。多層配線構造では、
さらにその上に絶縁膜を被着し、金属配線パターンを形
成する。
す様に半導体基板ｌに設けられた第１の絶縁膜２の上に
金属配線膜３を成長させ、ホトエツチング技術を用いて
、所望のパターンを形成していた。多層配線構造では、
さらにその上に絶縁膜を被着し、金属配線パターンを形
成する。
〔発明が解決しようとする課題〕 −
上述した従来の半導体装置の製造方法は、所望パターン
形成のエツチング後に、第３図に示すように反応生成物
や不純物の付着物１１が表面に付着する可能性があり、
通常のクリーニング技術を用いては除去不可能な物が多
く、後工程を経ると第４図の１２の様に変化し、信頼性
上からも、歩留の点からも問題となる欠点があった。こ
の様になると金属配線膜３の上に設けられた最終絶縁膜
ｌＯにもダメジを与える心配があり、極端な場合には最
終絶縁膜１０にクラック等を発生させ、耐湿性が劣化す
るという欠点がある。
形成のエツチング後に、第３図に示すように反応生成物
や不純物の付着物１１が表面に付着する可能性があり、
通常のクリーニング技術を用いては除去不可能な物が多
く、後工程を経ると第４図の１２の様に変化し、信頼性
上からも、歩留の点からも問題となる欠点があった。こ
の様になると金属配線膜３の上に設けられた最終絶縁膜
ｌＯにもダメジを与える心配があり、極端な場合には最
終絶縁膜１０にクラック等を発生させ、耐湿性が劣化す
るという欠点がある。
本発明の目的は、上記の欠点を除去し、信頼瓜の高い配
線構造を有する゛ｒ−導体装置の！ｌｌｌｌ決方法供す
ることにある。
線構造を有する゛ｒ−導体装置の！ｌｌｌｌ決方法供す
ることにある。
本発明は、半導体装置の製造工程において、絶縁膜上の
金属配線膜を所望のパターンに形成後、全面に高周波プ
ラズマエツチングを行なう工程を含ませ、前記パターン
形成の際に生じた反応生成物および混入不純物を除Ｊ２
するようにしたものである。
金属配線膜を所望のパターンに形成後、全面に高周波プ
ラズマエツチングを行なう工程を含ませ、前記パターン
形成の際に生じた反応生成物および混入不純物を除Ｊ２
するようにしたものである。
金属配Ｍｊ、膜を所定のパターンに形成するときに、反
応生成物、不純物が金属配ｔ＆膜、絶縁膜に付着するが
、高周波プラズマエツチングによって物理的エツチング
効果により小金属イオン、有機物、無機物までも完全に
除去できる。
応生成物、不純物が金属配ｔ＆膜、絶縁膜に付着するが
、高周波プラズマエツチングによって物理的エツチング
効果により小金属イオン、有機物、無機物までも完全に
除去できる。
以下５本発明の実施例につき図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１実施例の縦断面図である。′１′
導体ノふ板１に第１の絶縁膜２を形成した後、第１の金
属配線膜３を所望のパターンに形成させるために、通常
のホトエツチング技術を用いてパターニングする。ホト
レジストを除去した後、第１の金属配線膜３の表面と第
１の絶縁Ｉ漠２の露出部分を、 １００〜３００ Ｗの
パワーでアルゴン等の高周波プラズマエツチングにより
、全面エツチング（１００〜３００Ａ）を行ない、表面
上に残留している反応生成物や不純物を完全に除去する
。第１の金属配線膜３がエツチング除去された部分が４
であり、第１の絶縁膜２がエツチング除去された部分が
５である。その−１−に最終の絶縁膜１０を成長させる
。
導体ノふ板１に第１の絶縁膜２を形成した後、第１の金
属配線膜３を所望のパターンに形成させるために、通常
のホトエツチング技術を用いてパターニングする。ホト
レジストを除去した後、第１の金属配線膜３の表面と第
１の絶縁Ｉ漠２の露出部分を、 １００〜３００ Ｗの
パワーでアルゴン等の高周波プラズマエツチングにより
、全面エツチング（１００〜３００Ａ）を行ない、表面
上に残留している反応生成物や不純物を完全に除去する
。第１の金属配線膜３がエツチング除去された部分が４
であり、第１の絶縁膜２がエツチング除去された部分が
５である。その−１−に最終の絶縁膜１０を成長させる
。
これによって信頼性のある絶縁ｖ：１０が得られる。
次に、多層配線構造に関する第２実施例につき説明する
。第２図が実施例の縦断面図である。第１実施例と同様
に第１の金属配線膜３の表面と第１の絶縁膜２の表面を
高周波プラズマエツチングによりエツチングした後、第
２の絶縁膜６を成長させ、その上に第２の金属配線膜８
を所望のパターンに形成した後、再び高周波プラズマエ
ツチングにより第２の金属配線膜８の表面と第２の絶縁
膜６の表面をエツチングする。この場合２回１」のエツ
チングにより第２の金属配線膜８がエツチングされた部
分が９であり、第２の絶縁膜６がエツチングされた部分
が７である。この後最終の絶縁膜１０を全面に成長させ
る。この実施例では金属配線膜が多層化されてくるにつ
れて問題となる応力の問題や層間の不純物による歩留の
低ｆが著しく低減されるという利点がある。
。第２図が実施例の縦断面図である。第１実施例と同様
に第１の金属配線膜３の表面と第１の絶縁膜２の表面を
高周波プラズマエツチングによりエツチングした後、第
２の絶縁膜６を成長させ、その上に第２の金属配線膜８
を所望のパターンに形成した後、再び高周波プラズマエ
ツチングにより第２の金属配線膜８の表面と第２の絶縁
膜６の表面をエツチングする。この場合２回１」のエツ
チングにより第２の金属配線膜８がエツチングされた部
分が９であり、第２の絶縁膜６がエツチングされた部分
が７である。この後最終の絶縁膜１０を全面に成長させ
る。この実施例では金属配線膜が多層化されてくるにつ
れて問題となる応力の問題や層間の不純物による歩留の
低ｆが著しく低減されるという利点がある。
以り説明したように、本発明は絶縁膜上に形成した金属
配線膜を所望のパターンにエツチングした後、全面に高
周波プラズマエツチングを行ない、数１００ Ａ程度表
面を除去することで、金属配°線膜のパターン形成の際
に生ずる反応生成物や混入不純物を完全に除去して、後
工程にすすむものである。この後で、最終の保護絶縁膜
を被着すれば、信頼性の高い半導体装置をうることがで
きる。
配線膜を所望のパターンにエツチングした後、全面に高
周波プラズマエツチングを行ない、数１００ Ａ程度表
面を除去することで、金属配°線膜のパターン形成の際
に生ずる反応生成物や混入不純物を完全に除去して、後
工程にすすむものである。この後で、最終の保護絶縁膜
を被着すれば、信頼性の高い半導体装置をうることがで
きる。
本発明は金属配線膜が多層の場合にも、適用できる。た
だし多層の場合、必ずしもすべての層に本発明を適用し
ないでも、そのうちの１層のみでも効果が期待できる。
だし多層の場合、必ずしもすべての層に本発明を適用し
ないでも、そのうちの１層のみでも効果が期待できる。
高周波プラズマエツチングに用いる気体としては、アル
ゴンに限定されるものではない、物理的エツチング作用
を行なうものであればよい。
ゴンに限定されるものではない、物理的エツチング作用
を行なうものであればよい。
第１図、第２図は、それぞれ本発明の第１実施例、第２
実施例の縦断面図、第３図、第４図は従来例の製造工程
における欠陥を説明するための図である。 ｌ・・・半導体基板、 ２，６・・・絶縁膜、３．８
・・・金属配線膜、 ４．９・・・金属配線膜の高周波プラズマエツチングさ
れた部分、 ５．７・・・絶縁膜の高周波プラズマエツチングされた
部分、 １０・・・絶縁膜。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第１図 第２図
実施例の縦断面図、第３図、第４図は従来例の製造工程
における欠陥を説明するための図である。 ｌ・・・半導体基板、 ２，６・・・絶縁膜、３．８
・・・金属配線膜、 ４．９・・・金属配線膜の高周波プラズマエツチングさ
れた部分、 ５．７・・・絶縁膜の高周波プラズマエツチングされた
部分、 １０・・・絶縁膜。 特許出願人 日本電気株式会社 代理人 弁理士 内 原 晋第１図 第２図
Claims (1)
- 半導体基板の一主面上に、絶縁膜と金属配線膜の組合
せもしくは該組合せを重畳した配線構造を有する半導体
装置の製造工程において、金属配線膜を所望のパターン
に形成後、全面に高周波プラズマエッチングを行なう工
程を含ませ、前記パターン形成の際に生じた反応生成物
および混入不純物を除去することを特徴とする半導体装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6644988A JPH01238143A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6644988A JPH01238143A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01238143A true JPH01238143A (ja) | 1989-09-22 |
Family
ID=13316093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6644988A Pending JPH01238143A (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01238143A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629835A (en) * | 1994-07-19 | 1997-05-13 | Olin Corporation | Metal ball grid array package with improved thermal conductivity |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP6644988A patent/JPH01238143A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5629835A (en) * | 1994-07-19 | 1997-05-13 | Olin Corporation | Metal ball grid array package with improved thermal conductivity |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0732153B2 (ja) | 金属層を相互接続する方法 | |
| JPH09510324A (ja) | アンダーカットなしに導電線をエッチングする方法 | |
| JPH01238143A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02189981A (ja) | 半導体装置及びその製造法 | |
| JPH0313744B2 (ja) | ||
| JP3348564B2 (ja) | 誘電体キャパシタの製造方法 | |
| JPH03191536A (ja) | 集積回路に小さな電極を製造する方法 | |
| JPS5816545A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR0181959B1 (ko) | 반도체 장치의 비아홀 형성방법 | |
| JPS6411345A (en) | Formation of contact between interconnections | |
| JPH0195536A (ja) | 多重膜配線体の製造方法 | |
| JPH03239331A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03101229A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPH0319222A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61208879A (ja) | ジヨセフソン集積回路の製造方法 | |
| JPH05206285A (ja) | 多層配線形成方法 | |
| JPS584944A (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JPH0193146A (ja) | 多層配線の形成方法 | |
| JPS60154539A (ja) | アルミ配線の形成方法 | |
| JPS60234344A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04287925A (ja) | コンタクト穴の形成方法 | |
| JPH06132576A (ja) | 超伝導素子の製造法 | |
| JPH07283316A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 | |
| JPH03184344A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH08195394A (ja) | 半導体装置の配線形成方法 |