JPH01237466A - トランジスタの電流増幅率計測回路 - Google Patents
トランジスタの電流増幅率計測回路Info
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- JPH01237466A JPH01237466A JP6510988A JP6510988A JPH01237466A JP H01237466 A JPH01237466 A JP H01237466A JP 6510988 A JP6510988 A JP 6510988A JP 6510988 A JP6510988 A JP 6510988A JP H01237466 A JPH01237466 A JP H01237466A
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- current
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランジスタの電流増幅率計測回路に関する。
共通エミッタのトランジスタの電流増幅率には、コレク
タ小信号、り間電圧と、コレクタ電流を指定し、それに
対応する直流ベース電流を求める大電流増幅率（以下ｈ
ＦＥ）と、上記直流バイアスにおけるベース小信号に対
するコレクタ小信号の比である小信号電流増幅率（以下
ｈｆｅ ）の二つがある。
タ小信号、り間電圧と、コレクタ電流を指定し、それに
対応する直流ベース電流を求める大電流増幅率（以下ｈ
ＦＥ）と、上記直流バイアスにおけるベース小信号に対
するコレクタ小信号の比である小信号電流増幅率（以下
ｈｆｅ ）の二つがある。
従来、このうちｈＦＥを計測するには、カーブトレーサ
を用いていた。
を用いていた。
カーグトＶ−サでは、被計測のトランジスタをエミッタ
共通形に接続してコレクタ・エミ、り間電圧Ｖ。と直流
のベース電流■８を設定し、そのときでてくるコレクタ
電流■。をオシロスコープ０を通して観測し、ｈＦＥを
求めている。
共通形に接続してコレクタ・エミ、り間電圧Ｖ。と直流
のベース電流■８を設定し、そのときでてくるコレクタ
電流■。をオシロスコープ０を通して観測し、ｈＦＥを
求めている。
第３図にその計測回路の原理を示す回路図を示す。
定電流源工８をトランジスタＱのベース［与よると、ｈ
ＦＦ、は第（１）式となる。
ＦＦ、は第（１）式となる。
なお、コレクターエミッタ間には、笑際のカーブトレー
サではのこぎυ波が与えられるが、ここでは、原理図と
してＶ。８の固定電圧で示している。
サではのこぎυ波が与えられるが、ここでは、原理図と
してＶ。８の固定電圧で示している。
ここで指定のコレクタ電流の条件のもとでｈＦＦ。
を計測するには、指定のコレクタ電流になるようニ、ベ
ース電流を手で調整してそのときのベース電流を読んで
から、ｈＦＦ、を算出する。
ース電流を手で調整してそのときのベース電流を読んで
から、ｈＦＦ、を算出する。
トランジスタの電流増幅率計測回路は、ベース定電流を
与えて増幅されたコレクタ電流を読むので、指定のコレ
クタ電流におけるｈＦＦ、を直読することができないと
いう問題があった。
与えて増幅されたコレクタ電流を読むので、指定のコレ
クタ電流におけるｈＦＦ、を直読することができないと
いう問題があった。
本発明の目的は、直読可能なトランジスタの電流増幅率
計測回路な提供することにある。
計測回路な提供することにある。
本発明によるトランジスタのｈＦＦ、計測回路は、計測
すべきエミッタ共通形のトランジスタのコレクタ・エミ
ッタ間電圧を設定するための第１の電圧源と、前記トラ
ンジスタのコレクタ電流を設定するための第２の電圧源
及び第１の抵抗と、非反Ｅ ｎＡ 子が前記トランジス
タのコレクタに接続されかつ反転端子が前記第１の電圧
源に接続された第１のＯＰアンプと、エミッタが該第１
のＯＰアンプの出力端に接続しコレクタが抵抗を介して
前記接続された第１のトランジスタと、該第１のトラン
ジスタとトランジスタのベースにベース及びエミッタが
それぞれ共通に接続する力Ｖントミラー回路を構成する
第２のトランジスタと、該第２のトランジスタのコレク
タ電流を電圧変換する第２のＯＰアンプ及び第２の抵抗
と、前記第２のＯＰアンプの非反転端子をバイアスする
第３の電圧源を含んで構成されている。
すべきエミッタ共通形のトランジスタのコレクタ・エミ
ッタ間電圧を設定するための第１の電圧源と、前記トラ
ンジスタのコレクタ電流を設定するための第２の電圧源
及び第１の抵抗と、非反Ｅ ｎＡ 子が前記トランジス
タのコレクタに接続されかつ反転端子が前記第１の電圧
源に接続された第１のＯＰアンプと、エミッタが該第１
のＯＰアンプの出力端に接続しコレクタが抵抗を介して
前記接続された第１のトランジスタと、該第１のトラン
ジスタとトランジスタのベースにベース及びエミッタが
それぞれ共通に接続する力Ｖントミラー回路を構成する
第２のトランジスタと、該第２のトランジスタのコレク
タ電流を電圧変換する第２のＯＰアンプ及び第２の抵抗
と、前記第２のＯＰアンプの非反転端子をバイアスする
第３の電圧源を含んで構成されている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の回路図である。
計辿］回路は、計測すべきエミッタ共通形のトランジス
タＱＮのコレクターエミッタ間電圧Ｖ。８を設定するた
めの第１の電圧源Ｖ１ と、トランジスタＱＮのコレク
タ電流１゜を設定するための第２の電圧源ｖ２及び第１
の抵抗Ｒ１と、トランジスタＱＮのコレクタが非反転端
子に接続されかつ第１の電圧源ｖｌが反転端子に接続さ
れた第１のＯＰアンプＰ１と、エミッタが該や第１のＯ
Ｐアンプの出力端に接続しコレクタがＲ５を介し℃前記
トランジスタＱＮのベースに接続された第１のトランジ
スタと、該第１のトランジスタとベース及びエミッタが
それぞれ共通のカレントミラー回路を構成する第２のト
ランジスタと、該第２のトランジスタのコレクタ電流工
。２を電圧変換する第２のＯＰア７グＡ２及び第２の抵
抗Ｒ２と、第２のＯＰアンプＡ２の非反転端子をバイア
スする第３の電圧源ｖ３を含んで構成されている。
タＱＮのコレクターエミッタ間電圧Ｖ。８を設定するた
めの第１の電圧源Ｖ１ と、トランジスタＱＮのコレク
タ電流１゜を設定するための第２の電圧源ｖ２及び第１
の抵抗Ｒ１と、トランジスタＱＮのコレクタが非反転端
子に接続されかつ第１の電圧源ｖｌが反転端子に接続さ
れた第１のＯＰアンプＰ１と、エミッタが該や第１のＯ
Ｐアンプの出力端に接続しコレクタがＲ５を介し℃前記
トランジスタＱＮのベースに接続された第１のトランジ
スタと、該第１のトランジスタとベース及びエミッタが
それぞれ共通のカレントミラー回路を構成する第２のト
ランジスタと、該第２のトランジスタのコレクタ電流工
。２を電圧変換する第２のＯＰア７グＡ２及び第２の抵
抗Ｒ２と、第２のＯＰアンプＡ２の非反転端子をバイア
スする第３の電圧源ｖ３を含んで構成されている。
この計測回路は、被計測トランジスタＱＮを含めてＯＰ
アンプＡ、とトランジスタＱ１と直列抵抗Ｒ５の負帰還
回路を構成し、所定のコレクタ電流■。となるように自
動的に工８が定まる。
アンプＡ、とトランジスタＱ１と直列抵抗Ｒ５の負帰還
回路を構成し、所定のコレクタ電流■。となるように自
動的に工８が定まる。
次に回路の動作を説明する。
計測すべきトランジスタＱＮのコレクタ・エミッタ間電
圧Ｖ。８は第１の電圧源Ｖｌで与えられる。
圧Ｖ。８は第１の電圧源Ｖｌで与えられる。
第１のＯＰアンプＡ１の非反転端子電圧は反転端子電圧
に等しいからである。
に等しいからである。
一刀、ＱＮのコレクタ電流■。は第（２）式に示される
。
。
ここで、■ｏの設定を変えるには、Ｖ２ あるいはＲ１
を変えれはよい。
を変えれはよい。
本発明では、ＱＮのベース電流■８を第２のＯＰアンプ
Ａ２と第２の抵抗ＢＪ２により電圧変換し、Ａ２の出力
と非反転端子の電圧との差電圧ｖｏを得る方法をとって
いる。
Ａ２と第２の抵抗ＢＪ２により電圧変換し、Ａ２の出力
と非反転端子の電圧との差電圧ｖｏを得る方法をとって
いる。
次に、ｖｏを測定することによって、ｈゆ が求められ
ることを示す。
ることを示す。
トランジスタＱＮのベース電流■８は第１のＯＰアンプ
Ａｌの出力とＱＮのベースの間に挿入された第１のトラ
ンジスタＱｚのコレクタｉＥ 流Ｉ。１に等しい。
Ａｌの出力とＱＮのベースの間に挿入された第１のトラ
ンジスタＱｚのコレクタｉＥ 流Ｉ。１に等しい。
このコレクタ電流■。１を第２のトランジスタＱ２によ
シカレントミラー効来でとシだせば、Ｑ２のコレクタ電
流■。２がＱＮのベース電流■８と等しくなる。
シカレントミラー効来でとシだせば、Ｑ２のコレクタ電
流■。２がＱＮのベース電流■８と等しくなる。
この電流を第２のＵＰγングＡ２によシミ正変換してＡ
２の出力とＡ２の非反転端子に接続されている第３の電
圧源との差ｖｏとしてとり出し第（３）式で求める。
２の出力とＡ２の非反転端子に接続されている第３の電
圧源との差ｖｏとしてとり出し第（３）式で求める。
これよ’）、ｈｐＥは第（４）式から求められる。
第３の電圧源ｖ３はＱ、とＱ！のコレクタ・エミッタ間
電圧がほぼ等しくなるようにするため、ｖ３を約６００
ｍＶに設定される。
電圧がほぼ等しくなるようにするため、ｖ３を約６００
ｍＶに設定される。
ここで第２のＯＰアンプＡ２はＱＮのベース電流を電圧
変換するため、低バイアス電流型ＵＰアンプが望ましい
。
変換するため、低バイアス電流型ＵＰアンプが望ましい
。
ＱｓはＱｔ 、Ｑ２のカレントミラー効果の精度を向上
するために設けである。
するために設けである。
第１のＯＰアンプＡ１の出力に接続されているコンデン
サＣは回路系の発振を防止するために挿入されている。
サＣは回路系の発振を防止するために挿入されている。
また、）ｔ８はＡｌの動作異常によって生じる出力電圧
異常に対して計測すべきトランジスタＱＮを保護するた
めに用いられている。
異常に対して計測すべきトランジスタＱＮを保護するた
めに用いられている。
第２図は本発明の第２の実施例の回路図である。
前述の第１図ではＮＰＮ）ランジスタのｈＦＥｉ！十測
回路を示したが、本実施例の第２図では、ＰＮＰトラン
ジスタのｈＦｌ、計測回路を示す。
回路を示したが、本実施例の第２図では、ＰＮＰトラン
ジスタのｈＦｌ、計測回路を示す。
はんのわずかのに梃でＰＮＰ ｌ−ランジスタのｈＦＥ
が計測できる。すなわち、第１の電圧源、第２の電圧源
及び第３の電圧源の極性を反対にし、かつカレントミラ
ー回路ＭのＱｌ 、Ｑ−、ＱｓをＮＰＮトランジスタＱ
ｔ’、Ｑｚ’、Ｑａ’に変更するだけでよい。
が計測できる。すなわち、第１の電圧源、第２の電圧源
及び第３の電圧源の極性を反対にし、かつカレントミラ
ー回路ＭのＱｌ 、Ｑ−、ＱｓをＮＰＮトランジスタＱ
ｔ’、Ｑｚ’、Ｑａ’に変更するだけでよい。
回路動作は実施例１で示したのと同一である。
〔発明の効果」
以上説明したように本発明は、指定のコレクタ・エミッ
タ間電圧の条件のもとて指定のコレクタ電流となるよう
にベース電流を帰還する回路構成を形成することにより
、伺らの調整もすることなく、それぞれＮＰＮ Ｉ−ラ
ンジスタ（ＰＮＰ ）ランジスタ）の共通のエミッタ電
流増幅率を容易にかつ正確に計測することができる効果
がある。
タ間電圧の条件のもとて指定のコレクタ電流となるよう
にベース電流を帰還する回路構成を形成することにより
、伺らの調整もすることなく、それぞれＮＰＮ Ｉ−ラ
ンジスタ（ＰＮＰ ）ランジスタ）の共通のエミッタ電
流増幅率を容易にかつ正確に計測することができる効果
がある。
また、出力は第２のＯＰアンプによる電流電圧変換によ
ってとり出されるので、出力インピーダンスが低くおさ
えられ、その結果、ノイズに強い計測ができる効果もあ
る。
ってとり出されるので、出力インピーダンスが低くおさ
えられ、その結果、ノイズに強い計測ができる効果もあ
る。
第１図は本発明の第１の実施例の回路図、第２図は本発
明の第２の実施例の回路図、第３図は従来のトランジス
タの電流増幅率計測回路の原理を説明するための回路図
である。 Ａ１・・・・・・コレクタ制御用ＯＦアンプ、Ａ２・・
・・・・ＯＰアンプ、Ｍ・・・・・・カレントミラー回
路、Ｑ１１Ｑ２ 、 Ｑｓ・・・・・・カレントミラを
構成するトランジスタ、ＱＮ 、Ｑｐ・・・・・・計測
すべきＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタ、Ｒ１
・・・・・・コレクタ電流設定抵抗、Ｒ３・・・・・・
電圧変換抵抗、Ｒ５・・・・・・保護抵抗、Ｖ＋ ・・
・・・・コレクタ・エミッタ間電圧設定電圧源、■２・
・・・・・コレクタ電流設定電圧源、ｖ３・・・・・・
カレントミラーバイアス電源、ｖＯ・・・・・・差電圧
０ 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｑ訓づ々’Ｉｔ＜きＵラシジスタ 第３ 図
明の第２の実施例の回路図、第３図は従来のトランジス
タの電流増幅率計測回路の原理を説明するための回路図
である。 Ａ１・・・・・・コレクタ制御用ＯＦアンプ、Ａ２・・
・・・・ＯＰアンプ、Ｍ・・・・・・カレントミラー回
路、Ｑ１１Ｑ２ 、 Ｑｓ・・・・・・カレントミラを
構成するトランジスタ、ＱＮ 、Ｑｐ・・・・・・計測
すべきＮＰＮトランジスタ、ＰＮＰトランジスタ、Ｒ１
・・・・・・コレクタ電流設定抵抗、Ｒ３・・・・・・
電圧変換抵抗、Ｒ５・・・・・・保護抵抗、Ｖ＋ ・・
・・・・コレクタ・エミッタ間電圧設定電圧源、■２・
・・・・・コレクタ電流設定電圧源、ｖ３・・・・・・
カレントミラーバイアス電源、ｖＯ・・・・・・差電圧
０ 代理人 弁理士 内 原 晋 Ｑ訓づ々’Ｉｔ＜きＵラシジスタ 第３ 図
Claims (1)
- 計測すべきエミッタ共通形のトランジスタのコレクタ
・エミッタ間電圧を設定するための第１の電圧源と、前
記トランジスタのコレクタ電流を設定するための第２の
電圧源及び第１の抵抗と、非反転端子が前記トランジス
タのコレクタに接続されかつ反転端子が前記第１の電圧
源に接続された第１のＯＰアンプと、エミッタが該第１
のＯＰアンプの出力端に接続しコレクタが抵抗を介して
前記接続された第１のトランジスタと、該第１のトラン
ジスタとトランジスタのベースにベース及びエミッタが
それぞれ共通に接続するカレントミラー回路を構成する
第２のトランジスタと、該第２のトランジスタのコレク
タ電流を電圧変換する第２のＯＰアンプ及び第２の抵抗
と、前記第２のＯＰアンプの非反転端子をバイアスする
第３の電圧源を含むことを特徴とするトランジスタの電
流増幅率計測回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510988A JPH01237466A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | トランジスタの電流増幅率計測回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6510988A JPH01237466A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | トランジスタの電流増幅率計測回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01237466A true JPH01237466A (ja) | 1989-09-21 |
Family
ID=13277400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6510988A Pending JPH01237466A (ja) | 1988-03-17 | 1988-03-17 | トランジスタの電流増幅率計測回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01237466A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5625295A (en) * | 1993-11-29 | 1997-04-29 | Nec Corporation | Bipolar transistor circuit capable of high precision measurement of current amplification factor |
-
1988
- 1988-03-17 JP JP6510988A patent/JPH01237466A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5625295A (en) * | 1993-11-29 | 1997-04-29 | Nec Corporation | Bipolar transistor circuit capable of high precision measurement of current amplification factor |
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