JPH01235345A - Semiconductor inspection apparatus - Google Patents

Semiconductor inspection apparatus

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JPH01235345A
JPH01235345A JP63060599A JP6059988A JPH01235345A JP H01235345 A JPH01235345 A JP H01235345A JP 63060599 A JP63060599 A JP 63060599A JP 6059988 A JP6059988 A JP 6059988A JP H01235345 A JPH01235345 A JP H01235345A
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section
test
under test
device under
test head
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Norimasa Okubo
大窪 憲政
Keiichi Yokota
横田 敬一
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Abstract

PURPOSE:To make a test head lightweight and small-sized and to enhance the operation performance of an inspection apparatus by a method wherein a comparator part of a pin electronics part is situated near a device under test and a driver part is arranged and installed at the outside of a measuring area of the device under test. CONSTITUTION:Only a peripheral circuit board and a comparator part CM out of a pin electronics part PE are built in a test head 2. A driver part DR used to give a voltage, timing and the like to a device under test in accordance with a test program by a control signal is arranged in the half way part of a connection cable between a tester 3 and the test head 2 at the outside of the test head 2. An amplifier PA is installed near a semiconductor wafer 5 between a semiconductor device on the semiconductor wafer 5 and the comparator part CM in order to match an impedance with a circuit and to stabilize measurements.

Description

【発明の詳細な説明】 見所立旦煎 (産業上の利用分野) 本発明は、半導体ウェハ上に完成された半導体装置やI
C(集積回路)、LSI(大規模集積回路)などの特性
試験に用いられる試験及び検査装置に関し、特に、プロ
ーブカードの触針(プローブ)を用いてこれらの被測定
デバイスの良・不良、電気特性を試験・検査するための
装置に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] Highlights (Industrial Application Field) The present invention relates to semiconductor devices and integrated circuits completed on semiconductor wafers.
Regarding testing and inspection equipment used for characteristic testing of C (integrated circuits), LSI (large scale integrated circuits), etc., in particular, the stylus (probe) of a probe card is used to check whether these devices under test are good or bad, and whether they are electrical. It relates to equipment for testing and inspecting properties.

(従来の技術) 従来、例えば、プローブカードの接触針を用いる半導体
ウェハ上に完成された半導体装置の検査測定装置(ウエ
ハプローバ)は、第3図及び第4図(A)(B)に示す
ように、ドライバ部DRとコンパレータ部CMとから成
るピンエレクトロニクス部PE及び周辺回路基盤等を内
蔵したテストヘッド31を、テスタ32から分離移動し
てウエハプローバ33上に直接乗せ、ウェハ34の被測
定デバイスDUTとテストヘッド31に内蔵したピンエ
レクトロニクス部PEを、探触針(プローブ)35を有
するプローブカード36とパフォーマンスポード37と
の間に設けた双方向プローブコンタクトピン39により
電気的に接続し、テスタ32とピンエレクトロニクス部
PEを接続ケーブル等で接続している。なお、第4図(
A)(B)において、37はピンエレクトロニクス部P
Eとの接続を行うパフォーマンスポード、38は多数の
双方向プローブコンタクトピン39が埋め込まれ、かつ
プローブカード36とパフォーマンスポード37との接
続を行うフロッグリング、4oはプローブカード36が
取付けられるインサートリング、41はリングスペーサ
である。この装置において、ピンエレクトロクス部PE
は、第5図に示すように、ウェハ上のIC−LSI等(
被測定デバイス)DUTにテストプログラム通りの電圧
・タイミングを与えるドライバ部DRと、該被測定デバ
イスDUTからの出力が「1」であるがrQJであるが
を比較する出力判定回路であるコンパレータ部CMとか
ら成るもので、配線長を短縮しインピーダンス不整合に
よる波形歪みを防止してプローブカード36のプローブ
(探触針)35による被測定デバイスDUTの測定波形
を忠実に再現し、高速テストを実行すべく、上記のよう
に移動可能なテストヘッド31に内蔵して、検査時はテ
ストヘッド31ごとピンエレクトロニクス部PEを移動
させプローブカード36の近接上部位置に配置して検査
を行うよう構成されている。
(Prior Art) Conventionally, for example, an inspection and measurement device (wafer prober) for semiconductor devices completed on a semiconductor wafer using contact needles of a probe card is shown in FIGS. 3 and 4 (A) and (B). The test head 31, which has a built-in pin electronics section PE consisting of a driver section DR and a comparator section CM, and a peripheral circuit board, etc., is separated from the tester 32 and placed directly on the wafer prober 33, and the wafer 34 to be measured is placed directly on the wafer prober 33. The device DUT and the pin electronics part PE built in the test head 31 are electrically connected by a bidirectional probe contact pin 39 provided between a probe card 36 having a probe 35 and a performance port 37, The tester 32 and the pin electronics section PE are connected by a connecting cable or the like. In addition, Figure 4 (
A) In (B), 37 is the pin electronics section P
38 is a frog ring in which a large number of bidirectional probe contact pins 39 are embedded and connects the probe card 36 and the performance port 37; 4o is an insert ring to which the probe card 36 is attached; 41 is a ring spacer. In this device, the pin electronics section PE
As shown in Fig. 5, IC-LSI etc. on a wafer (
(device under test) A driver section DR that applies voltage and timing according to the test program to the DUT, and a comparator section CM that is an output judgment circuit that compares whether the output from the device under test DUT is "1" or rQJ. It shortens the wiring length and prevents waveform distortion due to impedance mismatch, faithfully reproduces the waveform measured by the probe 35 of the probe card 36 on the device under test DUT, and performs high-speed testing. In order to achieve this, the pin electronics section PE is built into the movable test head 31 as described above, and during inspection, the pin electronics section PE is moved together with the test head 31 and placed at a position close to and above the probe card 36 for inspection. There is.

また、第6図に示す検査装置は、上記従来の技術以前に
おいて採用されていたもので、同図に示すように、ピン
エレクトロニクス部PEをテスタ32に内蔵し、ウエハ
プローバ33とピンエレクトロニクス部PE間をケーブ
ルコネクタ42等により長い接続ケーブルで電気的に結
んだものである。
The inspection apparatus shown in FIG. 6 was adopted before the above-mentioned conventional technology, and as shown in the figure, a pin electronics section PE is built into the tester 32, and a wafer prober 33 and a pin electronics section PE are built into the tester 32. They are electrically connected by a long connection cable using a cable connector 42 or the like.

(発明が解決しようとする技術的課題)しかしながら、
第3図乃至第5図に示すようにドライバ部DRとコンパ
レータ部CMとから成るピンエレクトロニクス部PEを
、検査時にプローブカード36近傍位置に移動するテス
トヘッド31に内蔵した場合には、テストヘッド31の
重量が嵩むと同時に大型化し、操作性の悪化、テストヘ
ッド31移動の際の異常振動の発生、テストヘッド31
移動機構の負担増等の問題が生じる。しかも、近年のL
SI等の高集積化、外部端子の多ピン化への対応、半導
体ウェハ段階での半導体装置の高速テストの要請などに
よるプローブ35の放射状多針化等により、テストヘッ
ド31内の測定周辺回路基盤もそれに合わせて複雑化・
大型化し、ピンエレクトロニクス部PEを含むテストヘ
ッド部31の重量は益々増加する傾向にあり、その対応
が困難になっていた。また、このことは、ウエハプロー
バに限らず、ICハンドラにおいても同様の問題が生じ
ていた。
(Technical problem to be solved by the invention) However,
As shown in FIGS. 3 to 5, when the pin electronics section PE consisting of the driver section DR and the comparator section CM is built into the test head 31 that moves to a position near the probe card 36 during inspection, the test head 31 The weight and size of the test head 31 increases, deterioration of operability, occurrence of abnormal vibration when moving the test head 31,
Problems such as increased burden on the moving mechanism arise. Moreover, in recent years L
The measurement peripheral circuit board in the test head 31 has increased due to the increase in the number of radial probes 35 due to the high integration of SI etc., the increase in the number of external terminal pins, and the demand for high-speed testing of semiconductor devices at the semiconductor wafer stage. has also become more complex and
As the test head section 31 becomes larger and the weight of the test head section 31 including the pin electronics section PE tends to increase more and more, it has become difficult to deal with this. Further, this problem occurs not only in wafer probers but also in IC handlers.

また、第6図に示すように、ピンエレクトロニクス部P
Eをテスタ32に内蔵し、離れたウエハプローバ33か
ら長いケーブルで両者を接続したのでは、波形の遅延及
びケーブル接続間でのインピーダンス不整合による波形
歪等が生じるため、検査精度が悪化し、検査速度を低下
せしめ、現在における検査精度、検査速度の水準を到底
満たすことができない。
In addition, as shown in FIG. 6, the pin electronics section P
If E is built into the tester 32 and the two are connected via a long cable from a distant wafer prober 33, test accuracy will deteriorate due to waveform delay and waveform distortion due to impedance mismatch between cable connections. This reduces the inspection speed and makes it impossible to meet the current standards of inspection accuracy and speed.

本発明は、上記従来の技術的欠陥に鑑み発明されたもの
で、その目的とするところは、近年の検査装置における
ピンエレクトロニクス部を含むテストヘッドの不可避的
な重量増、大型化という技術的課題を解決してテストヘ
ッドの軽量化、小型化を図り、もって従来の種々の弊害
を防止し、しかも検査精度を落すことのない半導体検査
装置を提供することにある。
The present invention was invented in view of the above-mentioned conventional technical deficiencies, and its purpose is to solve the technical problem of unavoidable weight increase and enlargement of test heads including pin electronics parts in recent inspection equipment. It is an object of the present invention to provide a semiconductor testing device which solves the problems and reduces the weight and size of a test head, thereby preventing various disadvantages of the conventional technology, and without reducing testing accuracy.

発明の構成 (課題を解決するための手段) 本発明は、上記課題を解決するため、次の構成を採用し
た。
Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, the present invention employs the following structure.

すなわち、半導体被測定デバイスの試験及び検査装置で
あって、テスタとプローブカード間の測定信号の授受等
を行うピンエレクトロニクス部のコンパレータ部を被測
定デバイスの近傍に位置せしめ、一方、ピンエレクトロ
ニクス部のドライバ部を被測定デバイスの測定エリア外
に配設した。
In other words, the comparator section of the pin electronics section, which transmits and receives measurement signals between the tester and the probe card, is located near the device under test in a testing and inspection apparatus for semiconductor devices under test. The driver section was placed outside the measurement area of the device under test.

また、被測定デバイスからの測定信号を該被測定デバイ
ス近傍に配置した増幅器を介して該コンパレータ部に入
力するよう構成した。
Further, the measurement signal from the device under test is input to the comparator section via an amplifier placed near the device under test.

(作用) 以上のような本発明によれば、テストヘッドには相当の
重景を有するドライバ部が内蔵されないので、テストヘ
ッドが軽量化、小型化し、検査装置の操作性が著しく向
上する。このテストヘッドの軽量化により、検査装置の
回転機構部なども小型のもので十分となる。また、ドラ
イバ部の発熱による被測定デバイスへの影響が全くなく
なるので、テストヘット内の冷却ファンも不要となって
一層小型、軽量化でき、又、ファンの振動によるプロー
バの触針時のウェハ損傷、ファンによるゴミの落下の影
響によるウェハの品質不良などがおきない。
(Function) According to the present invention as described above, since the test head does not have a built-in driver section having a considerable perspective, the test head is made lighter and smaller, and the operability of the inspection apparatus is significantly improved. By reducing the weight of this test head, it is sufficient to use a small rotating mechanism part of the inspection device. In addition, since the heat generated by the driver part has no effect on the device under test, there is no need for a cooling fan inside the test head, making it even smaller and lighter.Furthermore, the vibration of the fan can damage the wafer when the prober probe touches it. , there will be no wafer quality defects due to the influence of dust falling from the fan.

このように小型化、軽量化されることにより、更に、被
測定デバイスとコンパレータ部とのifl’l定距離も
短縮でき、プローブで測定された信号を測定時に直ちに
外部から観察してプローブの操作性を高めることも可能
となる。なお、同時に行う外観目視検査において、マイ
クロスコープの視野が広がって操作性が良好となる。
By being smaller and lighter in this way, the distance between the device under test and the comparator section can be further shortened, and the signal measured by the probe can be observed from the outside immediately at the time of measurement and the probe can be operated. It is also possible to improve sex. In addition, in the external visual inspection performed at the same time, the field of view of the microscope is widened and operability is improved.

また、被測定デバイスの近傍位置で測定波形がコンパレ
ータ部に入力されるため、被?1III定デバイスの1
lll+定精度、検査精度は従来とほぼ変わらず、テス
トの高速化も満たすことができ、現在の精度水準、速度
水準をクリアする。なお、該被測定デバイス近傍に配置
した増幅器を介して、被測定デバイスからの測定信号を
コンパレータ部に入力するようにすれば、回路上のイン
ピーダンスのマツチングを取り、更に測定結果が安定す
る。
Also, since the measured waveform is input to the comparator section at a position near the device under test, 1 III fixed device 1
Ill + constant accuracy and inspection accuracy are almost the same as before, and it can meet the requirements for faster testing, clearing the current accuracy and speed levels. Note that if the measurement signal from the device under test is input to the comparator section via an amplifier placed near the device under test, the impedances on the circuit will be matched and the measurement results will be further stabilized.

(実施例) 以下に、本発明の一実施例を図面を参照しつつ説明する
(Example) An example of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、本発明をウエハプローバに適用した一実施例
を示す説明図であり、同図において、1はウエハプロー
バで、特に詳細に図示しないが、例えばストローブディ
ストリビュータ回路、ストローブ選択回路、コンパレー
タ回路、ハイレベル比較器ピン間タイミング調整回路、
ローレベル比較器ピン間タイミング調整回路、ハイレベ
ル比較器、ローレベル比較器、D/A変換回路等から成
り、テスト結果と標準データの比較を行う出力信号判定
回路であるコンパレータ部CM及び周辺回路基盤を内蔵
し被測定デバイスDUTの各種電気的特性テストの総合
制御を行うテストヘッド2を、テスタ3から分離してウ
ェハプローバエ上のプローブカード4近傍位置に直接乗
せている。そして、従来のウエハプローバ同様、ウエノ
X5の被測定デバイスDUTとテストヘッド2を多数の
プローブ(探触針)を有するプローブカード4とパフォ
ーマンスポードとの間に設けた双方向プローブコンタク
トピンにより電気的に接続し、テスタ3とテストヘッド
2を接続ケーブル等で接続している。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a wafer prober. In the figure, numeral 1 is a wafer prober, which includes, for example, a strobe distributor circuit, a strobe selection circuit, a comparator, although not shown in detail. circuit, high-level comparator pin-to-pin timing adjustment circuit,
The comparator section CM, which is an output signal judgment circuit that compares test results and standard data, and peripheral circuits, consists of a low-level comparator pin-to-pin timing adjustment circuit, a high-level comparator, a low-level comparator, a D/A conversion circuit, etc. A test head 2, which has a built-in board and performs comprehensive control of various electrical characteristic tests of the device under test DUT, is separated from the tester 3 and placed directly on a wafer prober in the vicinity of a probe card 4. As with conventional wafer probers, the device under test DUT and test head 2 of Ueno The tester 3 and the test head 2 are connected by a connection cable or the like.

なお、本発明の検査装置を適用する場合、構造的には、
必ずしも上記したようなものである必要はない。
In addition, when applying the inspection device of the present invention, structurally,
It does not necessarily have to be as described above.

本実施例において、上記テストヘッド2には、周辺回路
基盤と従来のピンエレクトロニクス部PEの・うちの上
記コンバレー90構部のみを内蔵し、例えばタイミング
発生回路、グロックディストリビュータ回路、クロック
選択回路、波形モジュレーション回路、ピン間タイミン
グ調整回路、ドライバ駆動回路、D/A変換回路等から
成り、制御信号により被測定デバイスにテストプログラ
ムどおりの電圧、タイミング等を与えるドライバ部DR
は、このピンエレクトロニクス部PEから除去し、テス
トヘッド2外の、テスタ3とテストヘット2の接続ケー
ブルの途中に配置している。このようにテストヘッド2
に内蔵されるコンパレータ部CMは、プローブカード4
のプローブ及び周辺回路基盤を通る測定信号を比較して
結果を接続ケーブルを介してテスタ3に送信する。この
場合、テストヘッド2(したがって、コンパレータ部C
M)は被測定デバイスDUTのごく近傍位置に位置する
から、プローブによる測定信号のコンパレートに際し障
害が生じることはなく、検査のスピードも遅れず、はぼ
従来と同様の精度を保持できる。なお、上記コンパレー
タ部CMは、高精度のタイミング補正機構その他の回路
が組み込まれたものであってもよい。
In this embodiment, the test head 2 includes only the peripheral circuit board and the conventional pin electronics section PE, including the combiner 90 structure, such as a timing generation circuit, a Glock distributor circuit, a clock selection circuit, a waveform The driver section DR consists of a modulation circuit, a pin-to-pin timing adjustment circuit, a driver drive circuit, a D/A conversion circuit, etc., and provides voltage, timing, etc. to the device under test according to the test program using control signals.
is removed from the pin electronics section PE and placed outside the test head 2 in the middle of the connection cable between the tester 3 and the test head 2. Test head 2 like this
The comparator section CM built in the probe card 4
The measurement signals passing through the probe and the peripheral circuit board are compared and the results are sent to the tester 3 via the connecting cable. In this case, the test head 2 (therefore, the comparator section C
Since the device M) is located very close to the device under test DUT, there is no problem when comparing the measurement signals by the probe, the speed of the test is not delayed, and the same accuracy as before can be maintained. Note that the comparator section CM may incorporate a highly accurate timing correction mechanism and other circuits.

また、テスタ3とテストヘッド2の接続ケーブルの途中
に配置した上記ドライバ部DRにより、テスタ3との測
定信号等の信号授受を行うが、ドライバ部DRをこのよ
うにウエハプローバ1のブロービングエリア外に位置さ
せても、ドライバ部DRとしての機能が損なわれること
はない。
In addition, the driver unit DR placed in the middle of the connection cable between the tester 3 and the test head 2 exchanges signals such as measurement signals with the tester 3. Even if it is located outside, the function as the driver section DR will not be impaired.

第2図は1本発明の他の実施例における被測定デバイス
DUTとコンパレータ部CM、トライバ部DRの接続関
係を示す部分回路図であり1図中PAは、被測定デバイ
スとコンパレータ部CMとの間に設けられたプリアンプ
である。本実施例では、同図に示すように、被測定デバ
イスDUTの近傍位置に更にプリアンプを設けることに
より、ドライバ部DRと被測定デバイスDUTとの距離
を離した場合により対応させて、回路上のインピーダン
スのマツチングを取るものである。
FIG. 2 is a partial circuit diagram showing the connection relationship between the device under test DUT, the comparator section CM, and the driver section DR in another embodiment of the present invention. A preamplifier is installed between the two. In this embodiment, as shown in the figure, by further providing a preamplifier near the device under test DUT, it is possible to cope with the case where the distance between the driver section DR and the device under test DUT is increased, and This is for impedance matching.

また、上記各実施例においては、コンパレータ部CMを
テストヘッド2に内蔵しているが、必ずしもテストヘッ
ド2に内蔵する必要はなく、例えばコンパレータ部CM
をプローブカード4に実装して更にプローブの最短距離
にコンパレータ部CMを位置させるよう構成することも
でき、測定精度の面からいえばその方が望ましい、また
、プローブカード4を取付けるヘッドブレードにコンパ
レータ部CMを実装するよう構成してもよく、コンパレ
ータ部CMが測定時において被測定デバイスDUTにな
るべく近いプロービングエリア内に位置するようにすれ
ば、検査時に移動して位置するよう構成しても、固定的
に位置するよう構成してもよい。
Further, in each of the above embodiments, the comparator section CM is built into the test head 2, but it is not necessarily built into the test head 2. For example, the comparator section CM
It is also possible to mount the comparator section CM on the probe card 4 and position the comparator part CM at the shortest distance from the probe, which is preferable from the standpoint of measurement accuracy. The comparator unit CM may be configured to be mounted within the probing area as close as possible to the device under test DUT at the time of measurement, or may be configured to be moved and located at the time of inspection. It may be configured to be located in a fixed position.

次に上記実施例の作用について説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained.

以上のような本実施例によれば、テストヘッド2には相
当の重量を有するトライバ部D Rが内蔵されないので
、テストヘッド2が軽量化、小型化し、検査装置αの操
作性が著しく向上する。このテストヘッド2の軽量化に
より、ウエハプローバ1の回転機構部なども小型のもの
で十分となる。また、ドライバ部DRの発熱による半導
体ウェハ5上の半導体装置への影響が全くなくなるので
、テストヘッド2内の冷却ファンも不要となって一層小
型、軽量化でき、又、冷却ファンの振動によるプローバ
の触針時の半導体装置の損傷、冷却ファンによるゴミの
落下の影響による半導体ウェハ5の半導体装置の品質不
良などがおきない。
According to this embodiment as described above, the test head 2 does not have a built-in tri-bar portion D R having a considerable weight, so the test head 2 is made lighter and smaller, and the operability of the inspection device α is significantly improved. . By reducing the weight of the test head 2, the rotation mechanism of the wafer prober 1 can also be made smaller. In addition, since the heat generated by the driver part DR does not affect the semiconductor devices on the semiconductor wafer 5 at all, the cooling fan inside the test head 2 is no longer necessary, resulting in further downsizing and weight reduction. This prevents damage to the semiconductor devices caused by the stylus, and quality defects of the semiconductor devices on the semiconductor wafer 5 due to the influence of dust falling due to the cooling fan.

このように小型化、軽量化されることにより、更に、半
導体ウェハ5上の半導体装置とコンパレータ部CMとの
測定距離も短縮でき、プローブで測定された信号を測定
時に直ちに外部から観察してプローブの操作性を高める
ことも可能となり、更に、多品種の半導体ウェハ5、I
C:、LSI(被測定デバイス)への対応が十分にでき
る。なお、同時に行う外観目視検査において、マイクロ
スコープ6の視野が広がって操作性が良好となる。
By reducing the size and weight in this way, the measurement distance between the semiconductor device on the semiconductor wafer 5 and the comparator section CM can also be shortened, and the signal measured by the probe can be immediately observed from the outside at the time of measurement. It is also possible to improve the operability of the
C: Sufficient support for LSI (device under test). In addition, in the external visual inspection performed at the same time, the field of view of the microscope 6 is widened and operability is improved.

また、テストヘッド部2にはピンエレクトロニクス部P
Eのコンパレータ部CMが内蔵され、又はピンエレクト
ロニクス部PEのコンパレータ部CMがプローブカード
等に実装され、コンパレータ部CMがプローブ近傍位置
におかれるので、より完全な測定波形がコンパレータ部
CMに入力されるので、半導体ウェハ上の半導体装置の
測定精度、検査精度は従来とほぼ変わらず、テストの高
速化も満たすことができ、現在の精度水準、速度水準を
クリアする。なお、半導体ウェハ5上の半導体装置とコ
ンパレータ部CM間の半導体ウェハ5近傍に増幅器PA
を設けてあれば、回路上のインピーダンスのマツチング
を取り、更に測定結果が安定する。
The test head section 2 also includes a pin electronics section P.
Since the comparator section CM of E is built-in, or the comparator section CM of the pin electronics section PE is mounted on a probe card, etc., and the comparator section CM is placed near the probe, a more complete measurement waveform can be input to the comparator section CM. Therefore, the measurement accuracy and inspection accuracy of semiconductor devices on semiconductor wafers remain almost the same as before, and the test speed can be increased, exceeding the current accuracy and speed levels. Note that an amplifier PA is installed near the semiconductor wafer 5 between the semiconductor device on the semiconductor wafer 5 and the comparator section CM.
If it is provided, the impedance on the circuit will be matched and the measurement results will be more stable.

見飢辺廟米 以上説明した本発明によれば、特に、半導体被測定デバ
イスの試験及び検査装置において、テスタとプローブカ
ード間の測定信号の授受等を行うピンエレクトロニクス
部のコンパレータ部を被測定デバイスの近傍に位置せし
め、一方、ピンエレクトロニクス部のドライバ部を被測
定デバイスの測定エリア外に配設するようにしたので、
テストヘッドが軽量化、小型化し、検査装置の操作性が
著しく向上する。従って、今後更なる半導体装置の高集
積化、例えば128ピン又は256ピン等にも十分に対
応し得る検査装置とすることができる。このテストヘッ
ドの軽量化により、検査装置の回転機構部などの付属機
構も小型、軽量化でき、併せて検査装置の規格化、共通
化も図れるので、十分なコスト低減に寄与する。
According to the present invention described above, in particular, in a test and inspection apparatus for a semiconductor device under test, the comparator section of the pin electronics section that transmits and receives measurement signals between the tester and the probe card is connected to the device under test. On the other hand, the driver section of the pin electronics section is placed outside the measurement area of the device under test.
The test head is lighter and smaller, and the operability of the inspection equipment is significantly improved. Therefore, it is possible to provide an inspection apparatus that can sufficiently cope with higher integration of semiconductor devices such as 128 pins or 256 pins in the future. By reducing the weight of the test head, attached mechanisms such as the rotating mechanism of the inspection device can also be made smaller and lighter, and the inspection device can also be standardized and shared, contributing to a substantial cost reduction.

また、多品種の被測定デバイスへの対応が十分にできる
ようになり、更に、このように小型化、軽量化されるこ
とにより、被?11!l定デバイスとコンパレータ部と
の測定距謡も短縮でき、精度向上につながるばかりか、
プローブで測定された信号を測定時に直ちに外部から観
察できるためプローブの操作性を高めることも可能とな
る。
In addition, it is now possible to fully handle a wide variety of devices under test, and furthermore, by being smaller and lighter, 11! The measurement distance between the constant device and the comparator section can be shortened, which not only leads to improved accuracy, but also
Since the signal measured by the probe can be observed from the outside immediately at the time of measurement, it is also possible to improve the operability of the probe.

なお、該被測定デバイス近傍に配置した増幅器を介して
、被測定デバイスからの測定信号をコンパレータ部に入
力するようにすれば、回路上のインピーダンスのマツチ
ングを取り、ドライバ部との距離が離れていても安定し
て高速、高精度に検査81す定を行うことが可能となる
。などの効果を有する。
Note that if the measurement signal from the device under test is input to the comparator section via an amplifier placed near the device under test, impedance matching on the circuit can be achieved and the distance from the driver section can be improved. Inspection 81 can be stably performed at high speed and with high accuracy even when the test is performed. It has the following effects.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明をウエハブローバに適用した場合の一実
施例を示す概略図、第2図は本発明の他の実施例におけ
る被測定デバイスとコンパレータ部、ドライバ部の接続
関係を示す図であり、第3図は従来のウエハプローバの
一例を示す概略図、第4図(a)及び(b)は同上の従
来例のヘッド部を示す図であり、(a)は分解斜視図、
(b)は組立状態における平面図及び断面図、第5図は
従来のテストヘッドのピンエレクトロニクス部と被測定
デバイスとの接続関係を示す図、第6図は従来のウエハ
プローバの他側を示す概略図である。 ■・・・ウエハプローバ、  2・・・テストヘッド、
3・・・テスタ、      4・・・プローブカード
。 5・・・半導体ウェハ、DUT・・・被測定デバイス、
PE・・・ピンエレクトロニクス部、 CM・・・コンパレータ部、DR・・・ドライバ部。 第4図 (a)     (b) 第5図
FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment in which the present invention is applied to a wafer blobber, and FIG. 2 is a diagram showing the connection relationship between a device under test, a comparator section, and a driver section in another embodiment of the present invention. 3 is a schematic diagram showing an example of a conventional wafer prober, and FIGS. 4(a) and 4(b) are diagrams showing the head portion of the conventional example, and (a) is an exploded perspective view.
(b) is a plan view and a sectional view in the assembled state, FIG. 5 is a diagram showing the connection relationship between the pin electronics part of the conventional test head and the device under test, and FIG. 6 is the other side of the conventional wafer prober. It is a schematic diagram. ■...Wafer prober, 2...Test head,
3...Tester, 4...Probe card. 5... Semiconductor wafer, DUT... Device under test,
PE...Pin electronics section, CM...Comparator section, DR...Driver section. Figure 4 (a) (b) Figure 5

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)半導体被測定デバイスの試験及び検査装置であっ
て、テスタとプローブカード間の測定信号の授受等を行
うピンエレクロトロニクス部のコンパレータ部を被測定
デバイスの近傍に位置せしめ、一方、ピンエレクトロニ
クス部のドライバ部を被測定デバイスの測定エリア外に
配設した半導体検査装置。
(1) A test and inspection apparatus for semiconductor devices under test, in which the comparator section of the pin electronics section, which exchanges measurement signals between the tester and the probe card, is located near the device under test; A semiconductor inspection system in which the driver section of the electronics section is placed outside the measurement area of the device under test.
(2)被測定デバイスからの測定信号を増幅器を介して
コンパレータ部に入力する請求項1記載の半導体検査装
置。
(2) The semiconductor inspection apparatus according to claim 1, wherein the measurement signal from the device under test is input to the comparator section via an amplifier.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2007322372A (en) * 2006-06-05 2007-12-13 Yokogawa Electric Corp Ic tester

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5149688A (en) * 1974-10-25 1976-04-30 Seiko Instr & Electronics
JPS62243335A (en) * 1986-04-15 1987-10-23 Matsushita Electronics Corp Inspection of semiconductor chip

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5149688A (en) * 1974-10-25 1976-04-30 Seiko Instr & Electronics
JPS62243335A (en) * 1986-04-15 1987-10-23 Matsushita Electronics Corp Inspection of semiconductor chip

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007322372A (en) * 2006-06-05 2007-12-13 Yokogawa Electric Corp Ic tester

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