JPH01235285A - 超伝導体の製造方法 - Google Patents
超伝導体の製造方法Info
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- JPH01235285A JPH01235285A JP63061505A JP6150588A JPH01235285A JP H01235285 A JPH01235285 A JP H01235285A JP 63061505 A JP63061505 A JP 63061505A JP 6150588 A JP6150588 A JP 6150588A JP H01235285 A JPH01235285 A JP H01235285A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、超伝導体の製造方法に係り、詳しくは例えば
集積回路等のエレクトロニクスに応用できる超伝導体の
製造方法に関する。
集積回路等のエレクトロニクスに応用できる超伝導体の
製造方法に関する。
近時、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系セラミツクスからな
る酸化物超伝導体と言われる超伝導体は、超伝導遷移温
度が９０゛に前後と高くなってきているため、電力やエ
レクトロニクス分野への応用が期待されている。エレク
トロニクス分野（例えば集積回路）への応用のためには
適当な基板の上に超伝導体の薄膜を形成する技術が必要
であり、通常スパッタリングや蒸着により超伝導体の薄
膜を形成することが知られている。しかしながら、薄膜
中の酸素が不足した状態となり易く、そのままでは良好
な超伝導特性が得られ難いという欠点がある。具体的に
は酸素が不足すると理想的な結晶構造（超伝導体の薄膜
を構成する金属元素が十分酸化されていること）が形成
されず、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の場合、単なるＹ
酸化物、Ｂａ酸化物、Ｃｕｉ粒子（特にＣｕは酸化され
難い）の混合物が形成されてしまうからである。このた
め薄膜形成後、良好な超伝導体特性を得るために一般に
最高温度が９００℃程度の酸素ガス中でアニール処理が
行われている。このような高温、酸化性雰囲気中でのア
ニールは、基板に形成されている他のデバイス構造（特
に熱的に弱い部分）に悪影響を与え易いという欠点があ
る。したがって、低い温度（例えば常温程度）で、かつ
、ダメージを与えないで超伝導体を酸化処理する製造方
法と、薄膜形成後に酸化処理をしないで良好な結晶構造
を有する超伝導体を得ることができる製造方法とが望ま
れている。
る酸化物超伝導体と言われる超伝導体は、超伝導遷移温
度が９０゛に前後と高くなってきているため、電力やエ
レクトロニクス分野への応用が期待されている。エレク
トロニクス分野（例えば集積回路）への応用のためには
適当な基板の上に超伝導体の薄膜を形成する技術が必要
であり、通常スパッタリングや蒸着により超伝導体の薄
膜を形成することが知られている。しかしながら、薄膜
中の酸素が不足した状態となり易く、そのままでは良好
な超伝導特性が得られ難いという欠点がある。具体的に
は酸素が不足すると理想的な結晶構造（超伝導体の薄膜
を構成する金属元素が十分酸化されていること）が形成
されず、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の場合、単なるＹ
酸化物、Ｂａ酸化物、Ｃｕｉ粒子（特にＣｕは酸化され
難い）の混合物が形成されてしまうからである。このた
め薄膜形成後、良好な超伝導体特性を得るために一般に
最高温度が９００℃程度の酸素ガス中でアニール処理が
行われている。このような高温、酸化性雰囲気中でのア
ニールは、基板に形成されている他のデバイス構造（特
に熱的に弱い部分）に悪影響を与え易いという欠点があ
る。したがって、低い温度（例えば常温程度）で、かつ
、ダメージを与えないで超伝導体を酸化処理する製造方
法と、薄膜形成後に酸化処理をしないで良好な結晶構造
を有する超伝導体を得ることができる製造方法とが望ま
れている。
超伝導体の薄膜形成後の酸化処理する製造方法と超伝導
体の薄膜の製造方法について以下説明する。
体の薄膜の製造方法について以下説明する。
まず、超伝導体の薄膜形成後に酸化処理する製造方法と
してはプラズマ処理する方法が知られており、良好な特
性の超伝導体を得るために低い温度で薄膜を酸化処理す
るものである。この方法は熱的ダメージを与えないとい
う利点があり、超伝導体の特性が改善される。超伝導体
の特性が改善されるのは、プラズマで発生する原子状酸
素の酸化作用によるものと考えられている。
してはプラズマ処理する方法が知られており、良好な特
性の超伝導体を得るために低い温度で薄膜を酸化処理す
るものである。この方法は熱的ダメージを与えないとい
う利点があり、超伝導体の特性が改善される。超伝導体
の特性が改善されるのは、プラズマで発生する原子状酸
素の酸化作用によるものと考えられている。
次に、超伝導体の薄膜の製造方法としては、例えばＭＢ
Ｅ等による形成方法があり、具体的には超伝導体を構成
する金属元素、例えばＹ、Ｂａ、Ｃｕの各分子ビームを
作り出して基板に照射するとともに、酸素ガス（Ｏｚガ
スのこと）を導入して基板上に超伝導体の薄膜を形成す
るものである。
Ｅ等による形成方法があり、具体的には超伝導体を構成
する金属元素、例えばＹ、Ｂａ、Ｃｕの各分子ビームを
作り出して基板に照射するとともに、酸素ガス（Ｏｚガ
スのこと）を導入して基板上に超伝導体の薄膜を形成す
るものである。
しかしながら、このような従来のプラズマ処理により超
伝導体の薄膜を酸化処理する超伝導体の製造方法にあっ
ては、熱的ダメージを与えないという利点がある反面、
イオン衝撃によりダメージを与え易いという問題点があ
った。ここでイオン衝撃について説明する。イオン衝撃
とはプラズマ中に試料を置いた際の、イオンによる試料
表面への衝撃のことである。イオン衝撃があるとイオン
衝撃された表面の超伝導特性が失われ易い、これは結晶
粒界に作用して、結晶粒界が電流に対してあたかもバリ
アとして働くようになるものと推定される。具体的には
、酸素ガス圧がｌ ｔｏｒｒのプラズマ中で試料電位を
一５０Ｖとして陽イオン衝撃を行うと、膜厚５０００人
のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系からなる薄膜の室温での抵抗率
は３．５ｍＱｃ＋＊から１８ｍΩ口と上昇してしまい、
超伝導特性を示さなくなる。また、イオン衝撃があると
、プラズマ処理後の経時変化が極めて大きくなり、抵抗
率にして数％／時間という大きな上昇率を示すようにな
る。
伝導体の薄膜を酸化処理する超伝導体の製造方法にあっ
ては、熱的ダメージを与えないという利点がある反面、
イオン衝撃によりダメージを与え易いという問題点があ
った。ここでイオン衝撃について説明する。イオン衝撃
とはプラズマ中に試料を置いた際の、イオンによる試料
表面への衝撃のことである。イオン衝撃があるとイオン
衝撃された表面の超伝導特性が失われ易い、これは結晶
粒界に作用して、結晶粒界が電流に対してあたかもバリ
アとして働くようになるものと推定される。具体的には
、酸素ガス圧がｌ ｔｏｒｒのプラズマ中で試料電位を
一５０Ｖとして陽イオン衝撃を行うと、膜厚５０００人
のＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系からなる薄膜の室温での抵抗率
は３．５ｍＱｃ＋＊から１８ｍΩ口と上昇してしまい、
超伝導特性を示さなくなる。また、イオン衝撃があると
、プラズマ処理後の経時変化が極めて大きくなり、抵抗
率にして数％／時間という大きな上昇率を示すようにな
る。
そこで本発明は、イオン衝撃によるダメージを与えるこ
となく超伝導体の薄膜を低温で酸化処理することができ
る超伝導体の製造方法を提供す“ることを目的とする。
となく超伝導体の薄膜を低温で酸化処理することができ
る超伝導体の製造方法を提供す“ることを目的とする。
また、超伝導体の薄膜を形成する超伝導体の製造方法に
あっては、薄膜中の酸素が不足した状態となり易（、良
好な超伝導特性が得られ難いという問題点があった。こ
れは、酸素が不足すると理想的な結晶構造が形成されず
、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の場合、単なるＹ酸化物
、Ｂａ酸化物、Ｃｕ微粒子（特にＣｕは酸化され難い）
の混合物が形成されてしまうからである。
あっては、薄膜中の酸素が不足した状態となり易（、良
好な超伝導特性が得られ難いという問題点があった。こ
れは、酸素が不足すると理想的な結晶構造が形成されず
、例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系の場合、単なるＹ酸化物
、Ｂａ酸化物、Ｃｕ微粒子（特にＣｕは酸化され難い）
の混合物が形成されてしまうからである。
具体的には、酸素の分圧が２ Ｘｌ０−’ｔｏｒｒ 、
Ｙ。
Ｙ。
Ｂａ、Ｃｕの各金属の工程速度が１人／ｓｅｃの場合、
Ｙ、Ｂａの酸化物の混合物中に酸化されていないＣｕの
微粒子が混入したものになる。
Ｙ、Ｂａの酸化物の混合物中に酸化されていないＣｕの
微粒子が混入したものになる。
そこで本発明は、超伝導体の薄膜形成後に酸化処理をし
ないで、理想的な結晶構造の超伝導体の薄膜を安定に形
成することができる超伝導体の製造方法を提供すること
を目的とする。
ないで、理想的な結晶構造の超伝導体の薄膜を安定に形
成することができる超伝導体の製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明の第１の発明に係る超伝導体の製造方法は、セラ
ミックス系の超伝導体の薄膜を酸素ガスを導入して酸化
処理する超伝導体の製造方法において、前記酸素ガスの
一部をオゾン化してオゾンを形成し、該オゾンを含む酸
素ガス（０，ガス）中で前記超伝導体の薄膜を酸化処理
する工程を含むものである。
ミックス系の超伝導体の薄膜を酸素ガスを導入して酸化
処理する超伝導体の製造方法において、前記酸素ガスの
一部をオゾン化してオゾンを形成し、該オゾンを含む酸
素ガス（０，ガス）中で前記超伝導体の薄膜を酸化処理
する工程を含むものである。
本発明の第２の発明に係る超伝導体の製造方法は、基板
上にセラミックス系の超伝導体の薄膜を形成する超伝導
体の製造方法において、前記基板を加熱し、前記超伝導
体を構成する金属元素を気相化して前記基板に導入する
とともに、酸素ガス（０２ガス）の一部をオゾン化して
オゾンを形成し、該オゾンを含む酸素ガス（０゜ガス）
を前記基板に導入することにより前記超伝導体の薄膜を
形成する工程を含むものである。
上にセラミックス系の超伝導体の薄膜を形成する超伝導
体の製造方法において、前記基板を加熱し、前記超伝導
体を構成する金属元素を気相化して前記基板に導入する
とともに、酸素ガス（０２ガス）の一部をオゾン化して
オゾンを形成し、該オゾンを含む酸素ガス（０゜ガス）
を前記基板に導入することにより前記超伝導体の薄膜を
形成する工程を含むものである。
本発明の第１の発明に係る超伝導体の製造方法では、酸
素ガスの一部のオゾン化によりオゾンが形成され、オゾ
ンを含む酸素ガス中で超伝導体が酸化処理される。
素ガスの一部のオゾン化によりオゾンが形成され、オゾ
ンを含む酸素ガス中で超伝導体が酸化処理される。
したがって、低温で酸化処理することができ、熱的な悪
影古を与えることがなくなる。また、プラズマ処理を用
いずに酸化処理することができるので、イオン衝撃によ
る超伝導体の表面へのダメージがほとんどなくなり、酸
化処理後の特性が向上する。
影古を与えることがなくなる。また、プラズマ処理を用
いずに酸化処理することができるので、イオン衝撃によ
る超伝導体の表面へのダメージがほとんどなくなり、酸
化処理後の特性が向上する。
本発明の第２の発明に係る超伝導体の製造方法では、基
板が加熱され、超伝導体を構成する金属元素が気相化さ
れて基板に導入されるとともに、酸素ガスの一部がオゾ
ン化され形成されたオゾンを含む酸素ガスが基板に導入
されることにより超伝導体の薄膜が形成される。
板が加熱され、超伝導体を構成する金属元素が気相化さ
れて基板に導入されるとともに、酸素ガスの一部がオゾ
ン化され形成されたオゾンを含む酸素ガスが基板に導入
されることにより超伝導体の薄膜が形成される。
したがって、薄膜形成後の酸化処理工程がなくなり、薄
膜中の酸素の不足がほとんどな（なり理想的な結晶構造
（構成する金属元素が十分酸化されていること）の薄膜
を安定に形成することができる。
膜中の酸素の不足がほとんどな（なり理想的な結晶構造
（構成する金属元素が十分酸化されていること）の薄膜
を安定に形成することができる。
（実施例）
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の第１の発明に係る超伝導体の製造方法
の一実施例の構成を示す装置概略図、第２図は一実施例
のオゾン処理前後の温度と抵抗率との関係を示す図であ
る。
の一実施例の構成を示す装置概略図、第２図は一実施例
のオゾン処理前後の温度と抵抗率との関係を示す図であ
る。
これらの図において、１は気密容器、２は試料台、３は
例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系からなり膜厚が例えば５ｏ
ｏｏ人の超伝導体の薄膜（第１の発明に係る超伝導体の
薄膜に該当する）で、例えばＭｇＯからなる基板に形成
されている。
例えばＹ−Ｂａ−Ｃｕ−０系からなり膜厚が例えば５ｏ
ｏｏ人の超伝導体の薄膜（第１の発明に係る超伝導体の
薄膜に該当する）で、例えばＭｇＯからなる基板に形成
されている。
４はヒータ、５はオゾン発生器である。
次に、その動作原理について説明する。
まず、試料台２の温度をヒータ４を通電することにより
一定値に制御し、オゾン発生器５により酸素ガス（０８
ガスのこと）をオゾン化（オゾンは通常常温、常圧の条
件下で発生させることができる）し、このオゾンを含む
酸素ガスを気密容器ｌ内に導入する。この時、超伝導体
薄膜３がオゾンを含む酸化ガス中で酸化処理される、こ
れが第１の発明の、酸素ガスをオゾン化してオゾンを形
成し、オゾンを含む酸素ガス中で、超伝導体く薄膜３）
を酸化処理する工程に該当する。ここではオゾンの発生
は例えば１気圧の酸素ガス中で例えば沿面放電により行
われており、酸素カ゛ス中のオゾン濃度は例えば０．５
％で、流量は例えばｌ ｊ！ ／ｓｉｎ 、試料温度は
例えば９０℃（通常一定に保つ）である。
一定値に制御し、オゾン発生器５により酸素ガス（０８
ガスのこと）をオゾン化（オゾンは通常常温、常圧の条
件下で発生させることができる）し、このオゾンを含む
酸素ガスを気密容器ｌ内に導入する。この時、超伝導体
薄膜３がオゾンを含む酸化ガス中で酸化処理される、こ
れが第１の発明の、酸素ガスをオゾン化してオゾンを形
成し、オゾンを含む酸素ガス中で、超伝導体く薄膜３）
を酸化処理する工程に該当する。ここではオゾンの発生
は例えば１気圧の酸素ガス中で例えば沿面放電により行
われており、酸素カ゛ス中のオゾン濃度は例えば０．５
％で、流量は例えばｌ ｊ！ ／ｓｉｎ 、試料温度は
例えば９０℃（通常一定に保つ）である。
すなわち、上記実施例では、薄膜３をオゾンを含む酸素
ガス中で酸化処理しているため、低温で酸化処理するこ
とができ、熱的な悪影響を与えることがなくなり、集積
回路等に応用することができる。また、プラズマ処理を
用いていないためイオン衝撃による表面へのダメージが
ほとんどなくなり、酸化処理後の経時変化が起こりに（
くなり超伝導体特性が向上する。具体的には、第２図に
示すように抵抗率がＯ（ゼロ）の時の温度が、オゾン処
理する前で４６°にであったものがオゾン処理すること
で８１°Ｋに上昇しており、特性の改善が見られた。こ
こではオゾン処理を３．５時間行っている。
ガス中で酸化処理しているため、低温で酸化処理するこ
とができ、熱的な悪影響を与えることがなくなり、集積
回路等に応用することができる。また、プラズマ処理を
用いていないためイオン衝撃による表面へのダメージが
ほとんどなくなり、酸化処理後の経時変化が起こりに（
くなり超伝導体特性が向上する。具体的には、第２図に
示すように抵抗率がＯ（ゼロ）の時の温度が、オゾン処
理する前で４６°にであったものがオゾン処理すること
で８１°Ｋに上昇しており、特性の改善が見られた。こ
こではオゾン処理を３．５時間行っている。
なお、上記実施例では、オゾン発生器５により酸素ガス
をオゾン化してオゾンを形成する場合について説明した
が、第１の発明はこれに限定されるものではな（、第３
図に示すように酸素ガスを例えば１００ Ｗの紫外線ラ
ンプ６で例えば波長２５３７人の紫外線を照射して励起
することによりオゾンを形成する場合であってもよく、
この場合、上記実施例と同様の効果を得るのに５時間の
オゾン処理が必要である。第４図に示すように、従来の
プラズマ処理に対して第３図に示す他の実施例は抵抗率
の経時変化がほとんどなく安定である。また、第５図に
示すように、オゾン発生器５と紫外線ランプ６とを併用
して酸素ガスをオゾン化してオゾンを形成する場合でも
よく、この場合、上記実施例と同様の効果を得るのに２
時間のオゾン処理をすればよ（、短時間で処理ができる
という利点がある。
をオゾン化してオゾンを形成する場合について説明した
が、第１の発明はこれに限定されるものではな（、第３
図に示すように酸素ガスを例えば１００ Ｗの紫外線ラ
ンプ６で例えば波長２５３７人の紫外線を照射して励起
することによりオゾンを形成する場合であってもよく、
この場合、上記実施例と同様の効果を得るのに５時間の
オゾン処理が必要である。第４図に示すように、従来の
プラズマ処理に対して第３図に示す他の実施例は抵抗率
の経時変化がほとんどなく安定である。また、第５図に
示すように、オゾン発生器５と紫外線ランプ６とを併用
して酸素ガスをオゾン化してオゾンを形成する場合でも
よく、この場合、上記実施例と同様の効果を得るのに２
時間のオゾン処理をすればよ（、短時間で処理ができる
という利点がある。
次に、第６図は本発明の第２の発明に係る超伝導体の製
造方法の一実施例を構成を示す装置概略図、第７図は一
実施例の超伝導体の薄膜の温度と抵抗率との関係を示す
図である。
造方法の一実施例を構成を示す装置概略図、第７図は一
実施例の超伝導体の薄膜の温度と抵抗率との関係を示す
図である。
これらの図において、１１は真空容器、１２は基板ホル
ダ、１３は基板、１４はヒータ、１５はオゾン発生器、
１６ａ、１６ｂ、１６ｃはクヌーセンセルテ、クヌーセ
ンセル１６ａ、１６ｂ、１６ｃにはそれぞれ例えばＥｒ
ｓ Ｂａ、Ｃｕの各単体金属（第２の発明に係る超伝導
体を構成する金属元素に該当する）が充填されている。
ダ、１３は基板、１４はヒータ、１５はオゾン発生器、
１６ａ、１６ｂ、１６ｃはクヌーセンセルテ、クヌーセ
ンセル１６ａ、１６ｂ、１６ｃにはそれぞれ例えばＥｒ
ｓ Ｂａ、Ｃｕの各単体金属（第２の発明に係る超伝導
体を構成する金属元素に該当する）が充填されている。
１７はノズルである。
次に、その動作原理について説明する。
まず、基板１３の温度をヒータ１４を通電することによ
り一定値（例えば７００℃）に制御し、Ｅｒ、Ｉ３ａ、
Ｃｕの各単体金属が充填されているクヌーセンセル１６
ａ、１６ｂ、１６ｃによりビーム化して各分子ビームを
形成するとともに、オゾン発生器１５により酸素ガスの
一部をオゾン化し、このオゾンを含む酸素ガスを基＠１
３に向けて設けたノズル１７から入射する。この時、基
Ｆｉ１３上にＥｒ−Ｂａ−０系からなる超伝導体の薄膜
が例えば膜厚５０００人で形成される。これが第２の発
明の、オゾンを含む酸素ガスを基板に導入することによ
り超伝導体の薄膜を形成する工程に該当する。ここでは
酸素ガスのオゾン化は、オゾン発生器１５により例えば
１気圧の酸素ガス中で交流高圧電圧を用いた無声放電に
より行われている。酸素ガス中のオゾン濃度は例えば５
重量％、オゾンを含む酸素ガスを導入した時のガス圧は
Ｉ Ｘｌ０−”ｔｏｒｒ、 Ｅ ｒ ＳＢ ａ 、 Ｃ
ｕの各単体金属の蒸着速度はそれぞれ金属単体に換算し
て０．５人／ｓｅｃ 、 ３．５人／ｓｅｃ 、 ０
．８人／ｓｅｃである。
り一定値（例えば７００℃）に制御し、Ｅｒ、Ｉ３ａ、
Ｃｕの各単体金属が充填されているクヌーセンセル１６
ａ、１６ｂ、１６ｃによりビーム化して各分子ビームを
形成するとともに、オゾン発生器１５により酸素ガスの
一部をオゾン化し、このオゾンを含む酸素ガスを基＠１
３に向けて設けたノズル１７から入射する。この時、基
Ｆｉ１３上にＥｒ−Ｂａ−０系からなる超伝導体の薄膜
が例えば膜厚５０００人で形成される。これが第２の発
明の、オゾンを含む酸素ガスを基板に導入することによ
り超伝導体の薄膜を形成する工程に該当する。ここでは
酸素ガスのオゾン化は、オゾン発生器１５により例えば
１気圧の酸素ガス中で交流高圧電圧を用いた無声放電に
より行われている。酸素ガス中のオゾン濃度は例えば５
重量％、オゾンを含む酸素ガスを導入した時のガス圧は
Ｉ Ｘｌ０−”ｔｏｒｒ、 Ｅ ｒ ＳＢ ａ 、 Ｃ
ｕの各単体金属の蒸着速度はそれぞれ金属単体に換算し
て０．５人／ｓｅｃ 、 ３．５人／ｓｅｃ 、 ０
．８人／ｓｅｃである。
すなわち、上記実施例では、超伝導体の薄膜３をオゾン
を含む酸素ガスを基板に導入することにより形成してい
るため、薄膜形成後の酸化処理工程がな（なり、薄膜中
の酸素の不足がほとんどなくなり、理想的な結晶構造の
薄膜を安定に形成することができる。具体的には、第７
図に示すように、室温での抵抗率が１．５ｍΩｃｍで抵
抗率が０（ゼロ）の時の温度が８７°にと良好な特性を
示、した。また、酸素ガスをオゾン化せずにそのまま導
入した場合には、得られる薄膜は高抵抗で導電性を示さ
なかった。この薄膜をＸ線回折により調べるとアモルフ
ァス相の中にＣｕの単体金属の存在が確認され、Ｃｕが
十分酸化されていないことが判った。
を含む酸素ガスを基板に導入することにより形成してい
るため、薄膜形成後の酸化処理工程がな（なり、薄膜中
の酸素の不足がほとんどなくなり、理想的な結晶構造の
薄膜を安定に形成することができる。具体的には、第７
図に示すように、室温での抵抗率が１．５ｍΩｃｍで抵
抗率が０（ゼロ）の時の温度が８７°にと良好な特性を
示、した。また、酸素ガスをオゾン化せずにそのまま導
入した場合には、得られる薄膜は高抵抗で導電性を示さ
なかった。この薄膜をＸ線回折により調べるとアモルフ
ァス相の中にＣｕの単体金属の存在が確認され、Ｃｕが
十分酸化されていないことが判った。
本発明の第１の発明によれば、イオン衝撃によるダメー
ジを与えることなく超伝導体の薄膜を低温で酸化処理す
ることができるという効果がある。また、本発明の第２
の発明によれば、超伝導体の薄膜形成後に酸化処理をし
ないで、理想的な結晶構造の超伝導体の薄膜を形成する
ことができるという効果がある。
ジを与えることなく超伝導体の薄膜を低温で酸化処理す
ることができるという効果がある。また、本発明の第２
の発明によれば、超伝導体の薄膜形成後に酸化処理をし
ないで、理想的な結晶構造の超伝導体の薄膜を形成する
ことができるという効果がある。
第１図は第１の発明の超伝導体の製造方法の一実施例の
構成を示す装置概略図、 第２図は第１の発明の一実施例のオゾン処理前後の温度
と抵抗率との関係を示す図、第３図は第１の発明の他の
実施例の構成を示す装置概略図、 第４図は第３図に示す他の実施例と従来例との抵抗率の
経時変化を説明する図、 第５図は第１の発明の他の実施例の構成を示す装置概略
図、 第６図は第２の発明の一実施例の構成を示す装置概略図
、 第７図は第２の発明の一実施例の超伝導体のｇＩＧの温
度と抵抗率との関係を示す図である。 １・・・・・・気密容器、 ２・・・・・・試料台、 ３・・・・・・薄膜、 ４．１４・・・・・・ヒータ、 ５．１５・・・・・・オゾン発生器、 １１・・・・・・真空容器、 １２・・・・・・基板ホルダ、 １３・・・・・・基板、 １６ ａ 、 １６．ｂ 、 １６ ｃ ・・・・−ク
ヌーセンセル、１７・・・・・・ノズル。
構成を示す装置概略図、 第２図は第１の発明の一実施例のオゾン処理前後の温度
と抵抗率との関係を示す図、第３図は第１の発明の他の
実施例の構成を示す装置概略図、 第４図は第３図に示す他の実施例と従来例との抵抗率の
経時変化を説明する図、 第５図は第１の発明の他の実施例の構成を示す装置概略
図、 第６図は第２の発明の一実施例の構成を示す装置概略図
、 第７図は第２の発明の一実施例の超伝導体のｇＩＧの温
度と抵抗率との関係を示す図である。 １・・・・・・気密容器、 ２・・・・・・試料台、 ３・・・・・・薄膜、 ４．１４・・・・・・ヒータ、 ５．１５・・・・・・オゾン発生器、 １１・・・・・・真空容器、 １２・・・・・・基板ホルダ、 １３・・・・・・基板、 １６ ａ 、 １６．ｂ 、 １６ ｃ ・・・・−ク
ヌーセンセル、１７・・・・・・ノズル。
Claims (2)
- （１）セラミックス系の超伝導体の薄膜を酸素ガスを導
入して酸化処理する超伝導体の製造方法において、前記
酸素ガスの一部をオゾン化してオゾンを形成し、該オゾ
ンを含む酸素ガス中で前記超伝導体の薄膜を酸化処理す
る工程を含むことを特徴とする超伝導体の製造方法。 - （２）基板上にセラミックス系の超伝導体の薄膜を形成
する超伝導体の製造方法において、前記基板を加熱し、
前記超伝導体を構成する金属元素を気相化して前記基板
に導入するとともに、酸素ガスの一部をオゾン化してオ
ゾンを形成し、該オゾンを含む酸素ガスを前記基板に導
入することにより前記超伝導体の薄膜を形成する工程を
含むことを特徴とする超伝導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061505A JPH01235285A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 超伝導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63061505A JPH01235285A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 超伝導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235285A true JPH01235285A (ja) | 1989-09-20 |
Family
ID=13173018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63061505A Pending JPH01235285A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 超伝導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01235285A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330935A (en) * | 1990-10-24 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Low temperature plasma oxidation process |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP63061505A patent/JPH01235285A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5330935A (en) * | 1990-10-24 | 1994-07-19 | International Business Machines Corporation | Low temperature plasma oxidation process |
| US5412246A (en) * | 1990-10-24 | 1995-05-02 | International Business Machines Corporation | Low temperature plasma oxidation process |
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