JPH01234569A - 酸化マグネシウム膜の製造方法 - Google Patents
酸化マグネシウム膜の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、酸化マグネシウム膜の製造方法に関し、更に
詳しくは、たとえば絶縁膜、表面保護膜、触媒膜、半導
体膜、プリコーテイング膜などとして有用な酸化マグネ
シウム膜の製造方法に関する。
詳しくは、たとえば絶縁膜、表面保護膜、触媒膜、半導
体膜、プリコーテイング膜などとして有用な酸化マグネ
シウム膜の製造方法に関する。
（従来の技術）
オプトエレクトロニクス時代の幕開けと共に、耐熱性と
高い光透過性とを兼ね備えた透明セラミックス膜の必要
性が大きくなっている。酸化マグネシウム膜は高温の電
気絶縁材料、平炉その他の測温用非金属保護管などに用
いられている。これら用途以外にも、酸化物高温超伝導
薄膜の基板などにも応用されている。
高い光透過性とを兼ね備えた透明セラミックス膜の必要
性が大きくなっている。酸化マグネシウム膜は高温の電
気絶縁材料、平炉その他の測温用非金属保護管などに用
いられている。これら用途以外にも、酸化物高温超伝導
薄膜の基板などにも応用されている。
透明酸化マグネシウム膜を製造する方法としては、ホッ
トフ゛レス法が王に採用されているが、この方法では、
高温と高圧を必要としたり、薄膜の形成が困難である、
などの欠点かある。
トフ゛レス法が王に採用されているが、この方法では、
高温と高圧を必要としたり、薄膜の形成が困難である、
などの欠点かある。
比較的低温、常圧下での成膜方法としては、ゾルチル法
（アルコキシド法または加水分解法ともいう。）が考え
られる。しかし、ゾルゲル法は、原料であるアルコキシ
ドが高価である、加水分解反応の制御が困難である、溶
液の保存時に反応が進み再使用が困難である、などの欠
点がある。
（アルコキシド法または加水分解法ともいう。）が考え
られる。しかし、ゾルゲル法は、原料であるアルコキシ
ドが高価である、加水分解反応の制御が困難である、溶
液の保存時に反応が進み再使用が困難である、などの欠
点がある。
（発明が解決しようとする課題）
本発明は、マグネシウム化合物の溶液を用いながら、加
水分解反応の持つ問題を克服し、絶縁膜、表面保護膜、
触媒膜、半導体膜、ブリコーテイング膜などとして広い
用途を持つ酸化マグネシウム膜を、高圧をもちいること
なく形成する方法を提供しようとするものである。
水分解反応の持つ問題を克服し、絶縁膜、表面保護膜、
触媒膜、半導体膜、ブリコーテイング膜などとして広い
用途を持つ酸化マグネシウム膜を、高圧をもちいること
なく形成する方法を提供しようとするものである。
（課題の解決手段）
本発明によれば、上記課題は、マグネシウムの１１機酸
塩またはキレ−１−１ヒ金物の溶液を基板表面に塗布し
、次いで加熱して酸化マグネシウム膜を基板」−に形成
することを特徴とする酸化マグネシウム膜の製造方法に
より解決される。
塩またはキレ−１−１ヒ金物の溶液を基板表面に塗布し
、次いで加熱して酸化マグネシウム膜を基板」−に形成
することを特徴とする酸化マグネシウム膜の製造方法に
より解決される。
マグネシウムの有機酸塩としては、マグネシウムの金属
石鹸、たとえばナフテン酸マグネシウム、カプリル酸マ
グネシウムまたは２−エチルヘキサン酸マグネシウムが
例示できるが、これらに限定されるものではない。マグ
ネシウムのキレ−１〜化合物としては、アセデルアセト
ナトキレートたとえばＭｇ （Ｃ５Ｈ７０２） ２（１
−１２０） ２が例示できるが、これに限定されるもの
ではない。
石鹸、たとえばナフテン酸マグネシウム、カプリル酸マ
グネシウムまたは２−エチルヘキサン酸マグネシウムが
例示できるが、これらに限定されるものではない。マグ
ネシウムのキレ−１〜化合物としては、アセデルアセト
ナトキレートたとえばＭｇ （Ｃ５Ｈ７０２） ２（１
−１２０） ２が例示できるが、これに限定されるもの
ではない。
このようなマグネシウムの有機酸塩またはキレート化合
物は、溶液として基板表面に塗布されるのであるが、溶
媒としては有機酸塩またはキレート化合物を溶解するも
のならいずれの溶媒も使用できる。好ましい溶媒の例は
、アルコール（たとえば、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパツール、イソプロパツール、ｎ−ブタメールな
ど）、ケトン（たとえば、ジメチルケトン、アセ１−ン
、アセデルアセ１〜ンなと）、エーテル 芳香族化合物
（たとえば、ベンゼン、１ヘルエン、キシレンなど）、
シクロヘキサン、ターペン、灯油、酢酸ブヂル、クロロ
ポルムである。
物は、溶液として基板表面に塗布されるのであるが、溶
媒としては有機酸塩またはキレート化合物を溶解するも
のならいずれの溶媒も使用できる。好ましい溶媒の例は
、アルコール（たとえば、メタノール、エタノール、ｎ
−プロパツール、イソプロパツール、ｎ−ブタメールな
ど）、ケトン（たとえば、ジメチルケトン、アセ１−ン
、アセデルアセ１〜ンなと）、エーテル 芳香族化合物
（たとえば、ベンゼン、１ヘルエン、キシレンなど）、
シクロヘキサン、ターペン、灯油、酢酸ブヂル、クロロ
ポルムである。
溶液濃度は、マグネシウム換算で５重量％以下に調整さ
れるが、この範囲に限定されることばない。
れるが、この範囲に限定されることばない。
基板としては−ガラス（たとえば、ソーダ石灰ガラス、
はうけい酸ガラス、石英ガラスなど）、セラミックス（
たとえは、天然白雲母板、合成フッ素金雲母板など）、
合成樹脂（たとえば、ポリイミド、ポリエステル、ボリ
フｊ−ニルスルホンなど）、金属、ダイヤモンドなどの
基板を例示することができる。
はうけい酸ガラス、石英ガラスなど）、セラミックス（
たとえは、天然白雲母板、合成フッ素金雲母板など）、
合成樹脂（たとえば、ポリイミド、ポリエステル、ボリ
フｊ−ニルスルホンなど）、金属、ダイヤモンドなどの
基板を例示することができる。
加熱温度は、３００″ｆＪＪ上、好ましくは３００〜６
００°Ｃ２より好ましくは４００〜５００℃である。
００°Ｃ２より好ましくは４００〜５００℃である。
加熱雰囲気は、特に制限されないが、酸素含有雰囲気（
たとえば、空気、酸素／不活性ガス混合物）が好ましい
。し、かじ、不活性ガス雰囲気（窒素、ヘリウム、アル
ゴンなど）を採用することもできる。
たとえば、空気、酸素／不活性ガス混合物）が好ましい
。し、かじ、不活性ガス雰囲気（窒素、ヘリウム、アル
ゴンなど）を採用することもできる。
加熱時間は温度に依存するが、概ね１０〜６０分間であ
る。しかし、場合によりこれより短くても長くてもよい
。
る。しかし、場合によりこれより短くても長くてもよい
。
酸化マグネシウム膜の厚さは、用途にもよるが、一般に
３００ ｎｍまたはそれ以−ヒにすることができる。溶
液濃度が低く、−回の塗布および焼成によって所望の膜
厚が得られない場合には、塗布および焼成の工程を２回
またはそれ以上繰り返仕ばよい。
３００ ｎｍまたはそれ以−ヒにすることができる。溶
液濃度が低く、−回の塗布および焼成によって所望の膜
厚が得られない場合には、塗布および焼成の工程を２回
またはそれ以上繰り返仕ばよい。
（発明の効果）
本発明で使用するマグネシウム化合物の溶液は、安定で
長期間保存しても劣化することがない。また、用いるー
？マグネシウム化合物、アルコキシドに比べて安価であ
る、 溶液が劣化しない為、酸化マグネシウム膜の膜厚制御が
容易に行なえる。
長期間保存しても劣化することがない。また、用いるー
？マグネシウム化合物、アルコキシドに比べて安価であ
る、 溶液が劣化しない為、酸化マグネシウム膜の膜厚制御が
容易に行なえる。
ホラ１−ブレス法のように高温と高圧を必要としないの
で、酸化マグネシウム膜が簡単にしかも経済的に形成で
きる。
で、酸化マグネシウム膜が簡単にしかも経済的に形成で
きる。
次に、実施例を示し、本発明を具体的に説明する。
実施例１〜３
ナフテン酸マグネシウムをトルエンで希釈してマグネシ
ウム濃度２，０３重重量の溶液を調製した。
ウム濃度２，０３重重量の溶液を調製した。
一方、ガラス基板を超音波洗浄し、乾燥した後、先に調
製した溶液に浸漬し、基板の両面に溶液を塗布した。溶
液塗布した基板を空気中、３５０℃（実施例］、 ）
、 ４００℃〈実施例２）または５００℃（実施例３）
で２０分間加熱処理して、酸化マグネシウム膜を合成し
た。
製した溶液に浸漬し、基板の両面に溶液を塗布した。溶
液塗布した基板を空気中、３５０℃（実施例］、 ）
、 ４００℃〈実施例２）または５００℃（実施例３）
で２０分間加熱処理して、酸化マグネシウム膜を合成し
た。
実施例４〜５
カフプリル酸マグネシウムをトルエンで希釈してマグネ
シウム濃度３２７重量％の溶液を調製した。
シウム濃度３２７重量％の溶液を調製した。
一方、カラス基板を超音波洗浄し、乾燥した後、先に１
ｔｔｌ製した？８液に浸漬し、基板の両面に溶液を塗布
した。溶液塗布した基板を空気中、４００℃（実施例４
）または５００″Ｃ（実施例５）で２０分間加熱処理し
て、酸化マグネシウム膜を合成した。
ｔｔｌ製した？８液に浸漬し、基板の両面に溶液を塗布
した。溶液塗布した基板を空気中、４００℃（実施例４
）または５００″Ｃ（実施例５）で２０分間加熱処理し
て、酸化マグネシウム膜を合成した。
形成された酸化マグネシウム膜の評価は以下のようにし
て行った。
て行った。
基板の両面の酸化マグネシウム膜を透過する光の直線透
過率を自記分光光度計で測定した。膜厚は重量法により
測定した。結果を第１表に示す。
過率を自記分光光度計で測定した。膜厚は重量法により
測定した。結果を第１表に示す。
第１表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マグネシウムの有機酸塩またはキレート化合物の溶
液を基板表面に塗布し、次いで加熱して酸化マグネシウ
ム膜を基板上に形成することを特徴とする酸化マグネシ
ウム膜の製造方法。 ２、加熱温度が、３００℃以上である特許請求の範囲第
１項記載の酸化マグネシウム膜の製造方法。 ３、マグネシウムの有機酸塩が、マグネシウムの金属石
鹸である特許請求の範囲第１項記載の酸化マグネシウム
膜の製造方法。 ４、マグネシウム、の金属石鹸が、ナフテン酸マグネシ
ウム、カプリル酸マグネシウムまたは２−エチルヘキサ
ン酸マグネシウムである特許請求の範囲第３項記載の酸
化マグネシウム膜の製造方法。 ５、マグネシウムのキレート化合物が、アセチルアセト
アトキレートである特許請求の範囲第１項記載の酸化マ
グネシウム膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137488A JPH01234569A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 酸化マグネシウム膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6137488A JPH01234569A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 酸化マグネシウム膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234569A true JPH01234569A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13169339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6137488A Pending JPH01234569A (ja) | 1988-03-15 | 1988-03-15 | 酸化マグネシウム膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234569A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008516459A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 電気絶縁性半導体基板のＭｇＯベースのコーティング及びその製造方法 |
| JP2012148922A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 酸化マグネシウム（ＭｇＯ）絶縁膜の成膜方法、酸化マグネシウム絶縁膜および酸化マグネシウム絶縁膜の成膜装置 |
| CN104630750A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-05-20 | 南昌大学 | 一种镁合金表面复合膜层的制备方法 |
| JP2015229772A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 小林 博 | 熱伝導性ペーストの製造と製造方法 |
| JP2018177625A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | コリア インスティテュート オブ エナジー リサーチＫｏｒｅａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ | 金属支持体表面のマグネシウム含有コーティング層形成方法及びそのコーティング層を含む触媒支持体と触媒装置 |
-
1988
- 1988-03-15 JP JP6137488A patent/JPH01234569A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008516459A (ja) * | 2004-10-13 | 2008-05-15 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 電気絶縁性半導体基板のＭｇＯベースのコーティング及びその製造方法 |
| JP2012148922A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp | 酸化マグネシウム（ＭｇＯ）絶縁膜の成膜方法、酸化マグネシウム絶縁膜および酸化マグネシウム絶縁膜の成膜装置 |
| JP2015229772A (ja) * | 2014-06-03 | 2015-12-21 | 小林 博 | 熱伝導性ペーストの製造と製造方法 |
| CN104630750A (zh) * | 2015-01-14 | 2015-05-20 | 南昌大学 | 一种镁合金表面复合膜层的制备方法 |
| JP2018177625A (ja) * | 2017-04-10 | 2018-11-15 | コリア インスティテュート オブ エナジー リサーチＫｏｒｅａ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｅｎｅｒｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ | 金属支持体表面のマグネシウム含有コーティング層形成方法及びそのコーティング層を含む触媒支持体と触媒装置 |
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