JPH01234565A - 絶緑基板上に設けた導電性被膜 - Google Patents
絶緑基板上に設けた導電性被膜Info
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- JPH01234565A JPH01234565A JP5850988A JP5850988A JPH01234565A JP H01234565 A JPH01234565 A JP H01234565A JP 5850988 A JP5850988 A JP 5850988A JP 5850988 A JP5850988 A JP 5850988A JP H01234565 A JPH01234565 A JP H01234565A
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- film
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- conductive coating
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Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract description 20
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 8
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 5
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B9/00—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor
- G11B9/06—Recording or reproducing using a method not covered by one of the main groups G11B3/00 - G11B7/00; Record carriers therefor using record carriers having variable electrical capacitance; Record carriers therefor
- G11B9/061—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B9/063—Record carriers characterised by their structure or form or by the selection of the material; Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers characterised by the selection of the material
- G11B9/066—Electrically conductive layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
本発明は、静電容量型ビデオディスクの再生針等に利用
可能な絶縁基板上に設けた導電性被膜に関するものであ
る。
可能な絶縁基板上に設けた導電性被膜に関するものであ
る。
本発明は、ダイヤモンドのような絶縁基板上に設けた導
電性被膜に関し、その基板と被膜の界面に不活性ガスの
イオンを注入することによってミキシング層を形成し、
被膜の密着強度の向上をはかるものである。
電性被膜に関し、その基板と被膜の界面に不活性ガスの
イオンを注入することによってミキシング層を形成し、
被膜の密着強度の向上をはかるものである。
静電容量型ビデオディスクにおいては、第５図に示すよ
うなディスクとの静電容量の変化を検知するための再生
計２０が用いられている。この再生針の先端部は、高速
回転するディスク上を摺動しつつ、微小面積の静電容量
の変化を検出するために、再生針のダイヤモンド基板２
１の１側面に導電性被膜２２を有する。この被膜は、デ
ィスクの表面を摺動するため、摩耗性に優れ、かつ、基
板との密着性が良好な材料を用いる必要がある。
うなディスクとの静電容量の変化を検知するための再生
計２０が用いられている。この再生針の先端部は、高速
回転するディスク上を摺動しつつ、微小面積の静電容量
の変化を検出するために、再生針のダイヤモンド基板２
１の１側面に導電性被膜２２を有する。この被膜は、デ
ィスクの表面を摺動するため、摩耗性に優れ、かつ、基
板との密着性が良好な材料を用いる必要がある。
しかし、耐摩耗性と密着性共に優れた材料は見当たらず
、従来から、耐摩耗性と密着性を同時に改善すべく研究
がなされていた。例えば、第４図に示すように、絶縁基
板１１上に該基板との密着性の優れた金属材料、例えば
チタンなどをＣＶＤやスパンタリングによって金属被膜
１２ａを形成し、金属被膜の表面に、その金属材料と窒
素の化合物である窒化金属層１２ｂを形成し、耐摩耗性
を向上させた例もある（特開昭６０−２２１５６５ ）
。
、従来から、耐摩耗性と密着性を同時に改善すべく研究
がなされていた。例えば、第４図に示すように、絶縁基
板１１上に該基板との密着性の優れた金属材料、例えば
チタンなどをＣＶＤやスパンタリングによって金属被膜
１２ａを形成し、金属被膜の表面に、その金属材料と窒
素の化合物である窒化金属層１２ｂを形成し、耐摩耗性
を向上させた例もある（特開昭６０−２２１５６５ ）
。
従来の導電性被膜の形成には、ＣＶＤやスパッタリング
を用いていたが、基板と被膜の密着強度は充分とはいえ
ず、耐摩耗性の優れた導電材料で、かつ、密着性の優れ
た導電性被膜の形成が望まれていた。
を用いていたが、基板と被膜の密着強度は充分とはいえ
ず、耐摩耗性の優れた導電材料で、かつ、密着性の優れ
た導電性被膜の形成が望まれていた。
本発明は、耐摩耗性の優れた導電材料を絶縁基板に被着
し導電性被膜を形成した後、前記被膜と基板の界面部に
、不活性ガスのイオンを注入し、ミキシング層を形成す
ることによって密着強度の優れた被膜を形成することが
出来る。
し導電性被膜を形成した後、前記被膜と基板の界面部に
、不活性ガスのイオンを注入し、ミキシング層を形成す
ることによって密着強度の優れた被膜を形成することが
出来る。
絶縁基板上に設けた導電性被膜の表面から、例えばアル
ゴン（Ａｒ”″）などの不活性ガスのイオンをイオン注
入法によって基板と被膜の界面部に、１０１６コ／Ｃｌ
Ｔ１２程度のイオン量を注入すると、ミキシング効果に
よって界面近傍にミキシング層が形成され、密着強度が
著しく向上する。
ゴン（Ａｒ”″）などの不活性ガスのイオンをイオン注
入法によって基板と被膜の界面部に、１０１６コ／Ｃｌ
Ｔ１２程度のイオン量を注入すると、ミキシング効果に
よって界面近傍にミキシング層が形成され、密着強度が
著しく向上する。
本発明の実施例を第１図及び第２図によって説明する。
第１図は、絶縁基板１の表面に導電性被膜２を形成し、
該被膜の表面からＡｒ’をイオン注入することによって
ミキシング層を形成した断面図である。この被膜の製造
方法を第２図によって説明する。
該被膜の表面からＡｒ’をイオン注入することによって
ミキシング層を形成した断面図である。この被膜の製造
方法を第２図によって説明する。
まず、第２回ａに示すようにダイヤモンドあるいはザフ
ァイアのような絶縁基板の表面を鏡面に仕上げ、この表
面にハフニウム（Ｈｆ ）あるいはチタン（Ｔｉ）のよ
うな耐摩耗性の優れた金属材料を通常のスパッタリング
法を用いて５００人程変波着し、導電性被膜２を形成す
る。次に第２図すのように、導電性被膜の表面からＡｒ
“を３５０ＫｅＶの加速電圧で、１×１０′６コ／ＣＴ
１１２のイオン量をイオン注入法によって注入する。加
速電圧は、イオンの飛程距離が被膜の膜厚に等しくなる
ような電圧を選ぶ。すなわち、基板と被膜の界面部にイ
オンが到達するような加速電圧で注入する。
ァイアのような絶縁基板の表面を鏡面に仕上げ、この表
面にハフニウム（Ｈｆ ）あるいはチタン（Ｔｉ）のよ
うな耐摩耗性の優れた金属材料を通常のスパッタリング
法を用いて５００人程変波着し、導電性被膜２を形成す
る。次に第２図すのように、導電性被膜の表面からＡｒ
“を３５０ＫｅＶの加速電圧で、１×１０′６コ／ＣＴ
１１２のイオン量をイオン注入法によって注入する。加
速電圧は、イオンの飛程距離が被膜の膜厚に等しくなる
ような電圧を選ぶ。すなわち、基板と被膜の界面部にイ
オンが到達するような加速電圧で注入する。
このイオン注入によって、前記界面部に、ミキシング効
果（撹拌）によってミキシング層３を形成することが出
来る。ミキシング層の形成によって、明確な界面が消失
するので、基板と被膜の密着強度は著しく向上する。ミ
キシング効果の発生は、イオン注入量に依存し、Ａｒ”
の場合、５×１０１５コ／ ｃｍ ２以上あればミキシ
ング効果を生ずる。
果（撹拌）によってミキシング層３を形成することが出
来る。ミキシング層の形成によって、明確な界面が消失
するので、基板と被膜の密着強度は著しく向上する。ミ
キシング効果の発生は、イオン注入量に依存し、Ａｒ”
の場合、５×１０１５コ／ ｃｍ ２以上あればミキシ
ング効果を生ずる。
再生針の導電性被膜の膜厚は２０００人〜３０００人が
適当であるので、第２図Ｃのように、初めに被着した被
膜の表面に、更に前記被膜と同一導電材料を２０００人
被着４る。
適当であるので、第２図Ｃのように、初めに被着した被
膜の表面に、更に前記被膜と同一導電材料を２０００人
被着４る。
本発明による再生針を用いて動作テストを行った後の再
生針の先端部の３２Ｍ写真を第３図ａに示す。比較のた
めに、Ａｒ＋を注入しなかった再生針の同様のテスト後
の写真を第３図すに示した。
生針の先端部の３２Ｍ写真を第３図ａに示す。比較のた
めに、Ａｒ＋を注入しなかった再生針の同様のテスト後
の写真を第３図すに示した。
この写真かられかるように、導電性被膜は動作テスト後
もはがれることなく密着強度が向上していることがわか
る。
もはがれることなく密着強度が向上していることがわか
る。
本発明は、静電容量型ビデオディスクの再生針について
記したが、摺動しながら微小部分の電気的信号を検出す
るプローブのような電子部品に用いても同様の効果を発
揮する。
記したが、摺動しながら微小部分の電気的信号を検出す
るプローブのような電子部品に用いても同様の効果を発
揮する。
以上の説明から明らかなように、本発明による絶縁基板
上に設けた導電性被膜は、優れた耐摩耗性で、かつ、密
着性に優れた被膜を提供することが出来る。
上に設けた導電性被膜は、優れた耐摩耗性で、かつ、密
着性に優れた被膜を提供することが出来る。
第１図は本発明の絶縁基板上に設けた導電性被膜の断面
図、第２図は本発明の主要な工程における断面を示し、
ａは導電性被膜被着後、ｂはミキシング層形成後、Ｃは
追加被膜形成後の断面を示ず図、第３図ａは本発明によ
るＡｒ”注入処理の再生針の動作テスト後の先端部の写
真、第３図すは比較のためのＡｒ４を注入しない再生針
の動作テスト後の先端部の写真、第４図は従来の絶縁基
板上に設けた導電性被膜の断面図、第５図は静電容量型
ビデオディスクに使用する再生針の斜視図である。 回申 １．１１−−−−−−一絶縁基板 ２．２２−−−−−一導電性被膜 ２ａ−一一一一一一一一追加被膜 ３−−−−一−−−−−−−−ミキシング層１２ ａ
−−−−−〜−−金属被膜
図、第２図は本発明の主要な工程における断面を示し、
ａは導電性被膜被着後、ｂはミキシング層形成後、Ｃは
追加被膜形成後の断面を示ず図、第３図ａは本発明によ
るＡｒ”注入処理の再生針の動作テスト後の先端部の写
真、第３図すは比較のためのＡｒ４を注入しない再生針
の動作テスト後の先端部の写真、第４図は従来の絶縁基
板上に設けた導電性被膜の断面図、第５図は静電容量型
ビデオディスクに使用する再生針の斜視図である。 回申 １．１１−−−−−−一絶縁基板 ２．２２−−−−−一導電性被膜 ２ａ−一一一一一一一一追加被膜 ３−−−−一−−−−−−−−ミキシング層１２ ａ
−−−−−〜−−金属被膜
Claims (1)
- 絶縁基板と導電性被膜との少なくとも界面部に、不活性
ガスのイオンを注入することによって形成したミキシン
グ層を有することを特徴とする絶縁基板上に設けた導電
性被膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5850988A JPH01234565A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 絶緑基板上に設けた導電性被膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5850988A JPH01234565A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 絶緑基板上に設けた導電性被膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01234565A true JPH01234565A (ja) | 1989-09-19 |
Family
ID=13086389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5850988A Pending JPH01234565A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 絶緑基板上に設けた導電性被膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01234565A (ja) |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP5850988A patent/JPH01234565A/ja active Pending
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