JPH01232712A - 固定電解コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
固定電解コンデンサ及びその製造方法Info
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- JPH01232712A JPH01232712A JP5835188A JP5835188A JPH01232712A JP H01232712 A JPH01232712 A JP H01232712A JP 5835188 A JP5835188 A JP 5835188A JP 5835188 A JP5835188 A JP 5835188A JP H01232712 A JPH01232712 A JP H01232712A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、導電性高分子を電解質として用いた固体′r
J3yI?コンデンサ及びその#A造方法に関する。
J3yI?コンデンサ及びその#A造方法に関する。
(従来の技術)
弁作用金属表面に誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔上に
酸化剤を用いてビロールを化学酸化重合せしめて4?i
f性高分子膜を形成し、セパレータ紙及び陰極箔と巻回
するなどしてコンデンサ素子を構成した後、電解重合膜
を形成せしめた構造の固体電解コンデンサが提案されて
いる。
酸化剤を用いてビロールを化学酸化重合せしめて4?i
f性高分子膜を形成し、セパレータ紙及び陰極箔と巻回
するなどしてコンデンサ素子を構成した後、電解重合膜
を形成せしめた構造の固体電解コンデンサが提案されて
いる。
この構造のコンデンサは、単位体積当たりの静電容量が
大きく、損失角の正接(tanδ)が小さい特徴を有す
るが、漏れ電流の低下やバラツキの縮小など改良すべき
点が残されていた。
大きく、損失角の正接(tanδ)が小さい特徴を有す
るが、漏れ電流の低下やバラツキの縮小など改良すべき
点が残されていた。
(発明が解決しようとする課題)
誘電体酸化皮膜を形成せしめた陽極箔を所定の寸法に明
所後リードを取付け、次いで化学酸化手合を行いレバレ
ータ紙及び陰極箔とともに巻回又は積層する工程がある
が、陽極箔切断及びリード取付けの工程において陽極箔
金属の一部が露出するため、再爪該部分の誘電体酸化皮
膜の形成(再化成)を行っても十分な厚さの酸化皮膜形
成ができず、固体電解コンデンサの漏れ電流の増大やバ
ラツキの原因となる欠点があった。
所後リードを取付け、次いで化学酸化手合を行いレバレ
ータ紙及び陰極箔とともに巻回又は積層する工程がある
が、陽極箔切断及びリード取付けの工程において陽極箔
金属の一部が露出するため、再爪該部分の誘電体酸化皮
膜の形成(再化成)を行っても十分な厚さの酸化皮膜形
成ができず、固体電解コンデンサの漏れ電流の増大やバ
ラツキの原因となる欠点があった。
[fe明の構成1
(X!&!題を解決するための手段と作用)本発明者ら
tよ、漏れ電流の増大やバラツキ拡大をおさえるため種
々検討した結果、誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔を所
定の寸法に切断しリードを取付けた後、水又は弱アルカ
リ性水溶液中で水和処理を行い、陽4’FA箔の金属露
出部分に含水酸化皮膜を形成し、次いで再化成により誘
電体酸化皮膜を形成後、化学重合及び電解重合を行うこ
とで漏れ電流特性の改善された固体電解コンデンサの得
られることを見いだした。
tよ、漏れ電流の増大やバラツキ拡大をおさえるため種
々検討した結果、誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔を所
定の寸法に切断しリードを取付けた後、水又は弱アルカ
リ性水溶液中で水和処理を行い、陽4’FA箔の金属露
出部分に含水酸化皮膜を形成し、次いで再化成により誘
電体酸化皮膜を形成後、化学重合及び電解重合を行うこ
とで漏れ電流特性の改善された固体電解コンデンサの得
られることを見いだした。
本発明を更に詳しく説明すると、化学的又は電気化学的
に粗面化したアルミニウムの表面に電解酸化により誘電
体酸化皮膜層を形成せしめる。次いで所定の寸法に切断
し陽極リードを取付けた後、中性の水又はpH8,8以
下の弱アルカリ性水溶液中に80〜100℃で5秒間乃
至15分間浸漬する。アルカリ塩は、けい酸リチウム、
けい酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどがあげられ
、水はイオン交換樹脂にょる脱イオン水又は蒸留水が好
ましい。かくして、露出個所に含水酸化皮膜を形成させ
、続いて85±5℃に設定したリン酸−アンモニウム水
溶液中で再化成を行い、該膜下に誘電体酸化皮膜を形成
させる。次いで、セパレータ紙及び陰Ifi箔と巻回又
は積層してコンデンサ素子とする。
に粗面化したアルミニウムの表面に電解酸化により誘電
体酸化皮膜層を形成せしめる。次いで所定の寸法に切断
し陽極リードを取付けた後、中性の水又はpH8,8以
下の弱アルカリ性水溶液中に80〜100℃で5秒間乃
至15分間浸漬する。アルカリ塩は、けい酸リチウム、
けい酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウムなどがあげられ
、水はイオン交換樹脂にょる脱イオン水又は蒸留水が好
ましい。かくして、露出個所に含水酸化皮膜を形成させ
、続いて85±5℃に設定したリン酸−アンモニウム水
溶液中で再化成を行い、該膜下に誘電体酸化皮膜を形成
させる。次いで、セパレータ紙及び陰Ifi箔と巻回又
は積層してコンデンサ素子とする。
該素子を溶液状態もしくは無溶媒の導電性高分子単量体
に浸)dし、更に、過硫酸アンモニウム。
に浸)dし、更に、過硫酸アンモニウム。
過ta酸ナトリウム、過酸化水素などの酸化剤溶液に浸
漬して化学重合による導電性高分子膜(I)を形成せし
める。その俊ベンゼンスルホン酸又はその塩、過塩fI
酸リチウムなどの支持電解質を0.01〜2−0し]及
び導電性高分子111母体を0.01〜5 n+ol/
N含むt8解液中にて電解手合を行うと、酸化剤を用い
て手合した導電性高分子膜(i)の上に電解重合された
導電性高分子膜(n)が得られる。S電性高分子膜(I
)はポリヂオフエン、ポリアニリン。
漬して化学重合による導電性高分子膜(I)を形成せし
める。その俊ベンゼンスルホン酸又はその塩、過塩fI
酸リチウムなどの支持電解質を0.01〜2−0し]及
び導電性高分子111母体を0.01〜5 n+ol/
N含むt8解液中にて電解手合を行うと、酸化剤を用い
て手合した導電性高分子膜(i)の上に電解重合された
導電性高分子膜(n)が得られる。S電性高分子膜(I
)はポリヂオフエン、ポリアニリン。
ポリピロール、ポリフランを用い、好ましくはポリピロ
ールを用いる。導電性高分子g1cn>はポリチオフェ
ン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフランを用い、
好ましくはポリピロールを用いる。該コンデンサ素子を
洗浄、乾燥して−Lボキシ樹脂などにより外装すること
により本発明の固体電解コンデンサが得られる。
ールを用いる。導電性高分子g1cn>はポリチオフェ
ン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリフランを用い、
好ましくはポリピロールを用いる。該コンデンサ素子を
洗浄、乾燥して−Lボキシ樹脂などにより外装すること
により本発明の固体電解コンデンサが得られる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例)
宋」11ユ
誘電体酸化皮膜を形成させた厚さ40μmの高純度アル
ミニウム箔を幅4顛に切断し陽極リードを溶接してなる
陽極箔を0.1%けい酸ノトリウム水溶液中98℃で5
分間煮沸し水和処理を行い、セパレータ(マニラ麻紙6
0μm)及び陰極箔と巻回しコンデンサ素子を1ワた。
ミニウム箔を幅4顛に切断し陽極リードを溶接してなる
陽極箔を0.1%けい酸ノトリウム水溶液中98℃で5
分間煮沸し水和処理を行い、セパレータ(マニラ麻紙6
0μm)及び陰極箔と巻回しコンデンサ素子を1ワた。
次いで、0.1%りん酸−アンモニウム水溶液中で4’
9Vを印加し30分間再化成を行い、2 molピロ
ール・エタノール溶液に浸漬した後、Q、 51dol
過taMアンモニウム水溶液に浸漬してポリピロールを
形成さUた。次いでこの素子をピロール単量体i m
ol及び支持電解質としてパラトルエンスルホン酸ナト
リウム1molを含むアセトニトリル溶液中に浸清し、
素子陰極箔を陽極とし外部陰極との間に定電流電解(0
、3m A / ci 、 60分間)を行った。この
素子をケースに収納しエポキシ樹脂で密封して定格電圧
25v、交称静電容吊10μFの固体電解コンデンサを
完成した。
9Vを印加し30分間再化成を行い、2 molピロ
ール・エタノール溶液に浸漬した後、Q、 51dol
過taMアンモニウム水溶液に浸漬してポリピロールを
形成さUた。次いでこの素子をピロール単量体i m
ol及び支持電解質としてパラトルエンスルホン酸ナト
リウム1molを含むアセトニトリル溶液中に浸清し、
素子陰極箔を陽極とし外部陰極との間に定電流電解(0
、3m A / ci 、 60分間)を行った。この
素子をケースに収納しエポキシ樹脂で密封して定格電圧
25v、交称静電容吊10μFの固体電解コンデンサを
完成した。
実施例2
実施例1の水相処理で使用した+Jい酸ノトリウムの代
わりに炭酸水素アンモニウムを使用した以外は実施例1
と同様にして行った。
わりに炭酸水素アンモニウムを使用した以外は実施例1
と同様にして行った。
実施例3
実施例1の水相処理で使用したけい酸ノトリウム水溶液
の代わり[pl−16,8の脱−fオン水を使用した以
外は実施例1と同様にしく行った。
の代わり[pl−16,8の脱−fオン水を使用した以
外は実施例1と同様にしく行った。
実施例4
実施例1の水相処理した陽極箔をセパレータを介して陽
極箔で挾み、つづら折りした]ンfンサ素子を使用し、
外装をエポキシ樹脂モールドによる以外は実施例1と同
様にして行った。
極箔で挾み、つづら折りした]ンfンサ素子を使用し、
外装をエポキシ樹脂モールドによる以外は実施例1と同
様にして行った。
参考例1
実施例1の水相処理を行わない以外は、実施例1と同様
にして行った。
にして行った。
参考V/42
実施例1の水和処理において、浸漬時間を30分間にし
た以外は、実施例1と同様にして行った。
た以外は、実施例1と同様にして行った。
参考例3
実Ml!41の水和時開において、浸油温度を60℃に
した以外は、実施例1と同様にして行った。
した以外は、実施例1と同様にして行った。
本発明の実施例のデータを参考例とともに表に承り。
(以下余白)
[発明の効果]
電解質として化学重合膜及び電解重合膜の二層からなる
導電性高分子膜を用いる固体電解]ンiンサにおいて、
誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔を切断し陽捗り一部を
取(=i it /j後、水和1811を行い、次いで
ヒバレータ及び陰極箔と巻回又は積層した素子は、水和
処lipを施さない素子に比ベコンデンリ形成後の漏れ
電流を太幅に低下させ、またそのバラツギをとしく縮小
で・きる。
導電性高分子膜を用いる固体電解]ンiンサにおいて、
誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔を切断し陽捗り一部を
取(=i it /j後、水和1811を行い、次いで
ヒバレータ及び陰極箔と巻回又は積層した素子は、水和
処lipを施さない素子に比ベコンデンリ形成後の漏れ
電流を太幅に低下させ、またそのバラツギをとしく縮小
で・きる。
第1図は本発明の一実施例に係る固体電解コンデンサの
陽極箔、スペーサ及び陰極箔の配置を示す一部拡大断面
図、第2図は実施例1及び参考例1における漏れ電流を
示す分布図である。 1・・・1gJ極アルミニウム箔 2・・・誘電体酸化皮膜 3・・・含水酸化皮膜 4・・・再化成酸化皮膜 5・・・化学重合によるポリピロール (導電性へ分子膜(■)) 6・・・電解重合によるポリピロール (導電性へ分子膜(■)) 7・・・セパレータ 8・・・陰極箔 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 日本カーリット株式会社
陽極箔、スペーサ及び陰極箔の配置を示す一部拡大断面
図、第2図は実施例1及び参考例1における漏れ電流を
示す分布図である。 1・・・1gJ極アルミニウム箔 2・・・誘電体酸化皮膜 3・・・含水酸化皮膜 4・・・再化成酸化皮膜 5・・・化学重合によるポリピロール (導電性へ分子膜(■)) 6・・・電解重合によるポリピロール (導電性へ分子膜(■)) 7・・・セパレータ 8・・・陰極箔 特 許 出 願 人 マルコン電子株式会社 日本カーリット株式会社
Claims (6)
- (1)表面に誘電体酸化皮膜を形成したアルミニウムか
らなる陽極箔,陰極箔及び化学重合による導電性高分子
膜( I )並びに電解重合による導電性高分子膜(II)
を電解質とする固体電解コンデンサにおいて、少なくと
も陽極箔切断面及び陽極リード取付け個所のアルミニウ
ム露出部に水和処理皮膜が形成されていることを特徴と
する固体電解コンデンサ。 - (2)表面に誘電体酸化皮膜を形成したアルミニウムか
らなる陽極箔,陰極箔及び化学重合による導電性高分子
膜( I )並びに電解重合による導電性高分子膜(II)
を電解質とする固体電解コンデンサの製造方法において
、コンデンサ素子を構成する陽極箔の切断面及び陽極リ
ード取付け個所のアルミニウム露出部に水和処理及び再
化成を行うことを特徴とする固体電解コンデンサの製造
方法。 - (3)導電性高分子膜( I )がポリピロールである請
求項(1)記載の固体電解コンデンサ。 - (4)導電性高分子膜( I )がポリピロールである請
求項(2)記載の固体電解コンデンサの製造方法。 - (5)導電性高分子膜(II)がポリピロールである請求
項(1)又は請求項(3)記載の固体電解コンデンサ。 - (6)導電性高分子膜(II)がポリピロールである請求
項(2)又は請求項(4)記載の固体電解コンデンサの
製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5835188A JPH01232712A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 固定電解コンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5835188A JPH01232712A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 固定電解コンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01232712A true JPH01232712A (ja) | 1989-09-18 |
Family
ID=13081898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5835188A Pending JPH01232712A (ja) | 1988-03-14 | 1988-03-14 | 固定電解コンデンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01232712A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999065043A1 (fr) * | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Showa Denko K.K. | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide |
JP2007053292A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US7990682B2 (en) * | 2006-02-09 | 2011-08-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Anode element, method of manufacturing the same, and solid electrolytic capacitor |
-
1988
- 1988-03-14 JP JP5835188A patent/JPH01232712A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999065043A1 (fr) * | 1998-06-09 | 1999-12-16 | Showa Denko K.K. | Feuille electrode pour condensateur electrolytique solide, son procede de fabrication, et condensateur electrolytique solide |
JP2007053292A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US7990682B2 (en) * | 2006-02-09 | 2011-08-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Anode element, method of manufacturing the same, and solid electrolytic capacitor |
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