JPH01232560A - 光磁気記録媒体ならびに光磁気記録再生方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、オーバライド（重ね書き）が可能な光磁気記
録媒体ならびに光磁気記録再生方法に関するものである
。

〔従来の技術〕

信号の記録再生方法の一つとして、従来から光磁気再生
方法が知られている。これは、昇温によって保磁力が著
しく低下する材料からなる光磁気記録膜を基板上に設け
て記録媒体とする。そしてこの記録媒体に磁界と昇温の
ためのレーザビームとを加え、昇温によって光磁気記録
膜の保磁力を印加される磁界の強さよりも低下させて、
この磁界方向に磁化することによって所望信号を記録す
る。

また、所望信号が記録された光磁気記録膜に弱いレーザ
ビームを照射し、光磁気記録膜の磁化によってこのレー
ザビームにカー効果を生じさせることにより、これを検
出して所望信号を再生するものである。

この光磁気記録媒体に信号を記録する場合、新らたな記
録によって既に記録されている信号の消去も行う、所謂
オーバライドを可能にした記録方法が例えば特公昭６０
−４８８０６号公報に記載されている。

この方法は照射するレーザビームの強度を一定とし、印
加する磁界の方向を記録すべき信号のレベルに応じて反
転するようにした方法で、これを第１１図を用いて説明
する。

同図に示すように磁気コア２４にはコイル８が巻回され
ており、このコイル８にデジタル信号による信号電流が
流される。この信号電流はデジタル信号の「１」、「０
」ビットに応じて極性が異なり、従って磁気コア２４か
ら発生する磁界は、強度が一定で、その方向がデジタル
信号の「１」、［０」ビットに応じて反転する。

透明な基板１上に光磁気記録膜３を形成した記録媒体２
６に１）′ｉ記磁界が印加される。また一定強度のレー
ザビーム６がフォーカスレンズ７によって集束され、基
板１側から光磁気記録膜３に照射される。このレーザビ
ーム６の照射により、光磁気記録膜３はその保磁力が印
加磁界の強度より低くなるように昇温さ籠る。そこで、
光磁気記録膜３は磁気コア２４から印加される磁界で磁
化されるから、記録媒体２６に既に信号が記録されてい
ても、この方法によって新たに信号を記録する際に前に
記録された信号が消去され、オーバライドが可能となる
。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところがこの記録方法では、光磁気記録膜３のレーザビ
ーム６による昇温部分に磁界を印加する必要があること
から、同図において点線で示すように、磁気コア２４の
中心軸とレーザビーム６の中心軸（すなわち、フォーカ
スレンズ７の光軸）とを必ず一致させる必要がある。

しかしながら、このように磁気コア２４とフォーカスレ
ンズ７とを配置すると、磁界発生手段は磁気コアによろ
閉磁路構造とすることができず、従って磁気抵抗が大き
くなって１強い磁界を発生させることができない、この
結果、オーバライドを高速で行うことが困冗である。ま
た、磁界を強めるためにはコイル８に大電流を流す必要
があり、そのために消′Ｉ！、ｆｆｌ力が増大するばか
りでなく、駆動回路などのスルーレートやコイル８のイ
ンダクタンスの影響により、高速でデータ転送ができな
くなる。

これに対し、第３４回応用物理学関係連合講演会予稿集
（８７年度）　Ｐ、７２１　２８　　ｐ−ＺＬ−３「多
層光磁気記録媒体を用いた単一ビームオーバライト方式
」と題する論文（以下「３４応用物理関係論文」と略記
する。）において、記録膜を多層構造とした光磁気記録
媒体が開示されている。

これを第１２図ならびに第１３図を用いて説明する。

第１２図に示されているように、この光磁気記録媒体２
６は、透明基板１上に、垂直磁化膜４と、垂直磁化膜４
とが重層状態で形成され、この光磁気記録膜３と垂直磁
化膜４とで記録膜が構成されている。光磁気韻８膜３に
はＴｂ−Ｆａ系アモルファス磁性材料が用いられ、垂直
磁化膜４には、光磁気記録膜３よりも室温での保磁力が
小さく。

かつキュリー点が高い１例えばＧｄ−Ｔｂ−Ｆｅ系のア
モルファス磁性材料が用いられている。

この光磁気記録媒体は、前記のように主の光磁気記録膜
３上に、それよりも室温における保磁力が小さくかつキ
ュリー点の高い垂直磁化１１！！４を積層した点に特徴
がある０次に、この光磁気記録媒体を用いた記録方法な
らびに垂直磁化膜４の役割りについて説明する。

この光磁気記録媒体２６の垂直磁化膜４側に直流磁石を
備えた第２磁気ヘツド１８が配置され、これに対向して
基板ｌ側にフォーカスレンズ７が配置されている。さら
に前記第２磁気ヘツド１８の光磁気記録媒体格！ｌＪ方
向（矢印Ａ）上流側には。

直流磁石を備えた第１磁気へラド１７が配置されている
。

この第１磁気へラド１７は、垂直磁化膜４の室温での保
磁力よりも高く、かつ光磁気記録膜３の室温での保磁力
よりも低い直流磁界を発生する。

この直流磁界により、その方向（矢印Ｂ）に垂直磁化膜
４のみが磁化される。第２６ｊ＆気ヘツド１８は、垂直
磁化膜４の磁化部分から室温での磁界よりも弱い直流磁
界を発生する。第２磁気ヘツド１８からの直流磁界の方
向は第１磁気ヘツド１７から発生する直流磁界とは逆方
向であり、前者の方向を矢印Ｃで示すと、後者の方向は
矢印Ｂで示される。

第１３図に示すように、レーザ源２０は信号源２１から
の信号によって駆動され、この信号によって強度変調さ
れたレーザ光を発生する。ここで。

信号源２１から出力される信号はデジタル信号であり、
説明を簡単にするために、レーザ源２０からのレーザ光
は、このデジタル信号の「１」ビットで強度か高＜、ｒ
ＯＪビットで強度が低いものとする。このレーザ光はコ
リメータレンズにより平行光、すなわちレーザビーム６
となり、このレーザビーム６はフォーカスレンズ７によ
って光磁気記録媒体２６の光磁気記録膜３に集光照射さ
れる。

この照射部分近傍の光磁気記録膜３ならびに垂直磁化膜
４が昇温される。この場合、レーザ源２０によって適宜
設定された出力パワーにより、レーザビーム６が高強度
で照射されたときには、光磁気記録膜３、垂直磁化膜４
の温度がそれらのキュリー点以上となり、光磁気記録膜
３、垂直磁化膜４の保磁力は第２磁気ヘツド１８から出
力される直流磁界の強さよりも低くなる。また、レーザ
ビーム６が低強度で照射された際には、光磁気記録膜３
の温度がそれのキュリー点よりも高いが、垂直磁化膜４
の温度がそれのキュリー点よりも低くなる、従って垂直
磁化膜４の保磁力は第２磁気ヘツド１８からの直流磁界
の強さよりも高いが。

光磁気記録膜３の保磁力は第２磁気ヘツド１８からの直
流磁界の強度よりも高く、かつ垂直磁化膜４の磁化部分
からの磁界の強さよりも低くなる。

これにより、レーザビーム６が高強度で照射されると、
光磁気記録膜３と垂直磁化膜４とが第２磁気ヘツド１８
からの磁界によってその方向に磁化される。一方、レー
ザビーム６が低強度で照射されろと、光磁気記録膜３が
垂直磁化膜４の磁化部分からの磁界によってその方向に
磁化される。

この後者の場合は換言すると、垂直磁化膜４の磁化が光
磁気記録膜３に転写されたことになる。従って、光磁気
記録膜３には第１磁気ヘツド１７からの磁界による磁化
部分と、第２磁気ヘツド１８からの磁界による磁化部分
との磁化パターンが得られ、前者の磁化部分が信号源２
１からのデジタル信号の「０」ビットを表力し、後者の
磁化部分が「１」ビットを表わすことになる。

このようにして光磁気記録膜３にデジタル信号が記録さ
れることになるが、第１磁気ヘツド１７はこのデジタル
信号の［０」ビットの記録に、第２磁気ヘツド１８はデ
ジタル信号の「１」ビットの記録に関与することになる
。

従って、光記録媒体２６に既に信号が記録されていても
、垂直磁化膜４では第１磁気へラド１７からの直流磁界
によって既に記録されている信号の消去も行われる。ま
た、光磁気記録膜３では。

第２磁気ヘツド１８からの直流磁界とレーザビー１１６
とによって既に記録されている信号の消去も行われるか
ら、オーバライドが可能となる。

なお、第１３図において、図中の３０はコイル駆動回路
、３１はデータ信号、３２はレーザ駆動回路、３３は再
生回路、３４は再生信号、３５は位置決め制御回路、３
６はヘッド位置決め制御信号、３７はモータ制御回路、
３８はモータ制御信号、３９は再生用の検出器、４０は
ヘッド位置決め機構、４１は光学ヘッド、４２スピンド
ルモータである。

ところで光磁気記録膜の材料としてＴｂ−Ｆｅ系の合金
を用いた場合、その光磁気韻８膜が空気中の酸素や湿分
によって腐食される。このため従来は、光磁気記録膜の
腐食を防止するため、光磁気記録膜の外表面に空気中の
酸素や湿分を通しに難い特殊な保霞膜を設ける方法がと
られていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

第１２図ならびに第１３図において説明したように、光
磁気記録膜３をそのキュリー点より高く、垂直磁化ｖ４
のキュリー点よりも低い第１の温度に加熱するときと、
光磁気記録膜３と垂直磁化膜４とを垂直磁化膜４のキュ
リー点よりも蕎い第２の温度に加熱する場合がある。先
に挙げた３４応用物理関係論文においては、光磁気記録
ｖ３にはＴ　ｂ　−Ｆ　ｅ系アモルファス磁性材料が用
いられ、垂直磁化膜４にはｑｄ−Ｔｂ−Ｆｃ系のアモル
ファス磁性材料が用いられている。Ｔｂ−Ｆｅ系アモル
ファスのキュリー点は１４０℃、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ系ア
モルファスのキュリー点は１６０℃である。

光磁気記録膜３と垂直磁化膜４とを同時に加熱する場合
には、この加熱温度（前記第２の温度）を比較的低くで
きて、そのためにレーザビーム６を低パワーとすること
ができるが、光磁気記録膜３を前記ｌの温度に加熱する
ときには、この第１の温度を１６０℃−１４０ａＣ！＝
２０℃トイう非常に狭い範囲に設定する必要があり、そ
のためにレーザビーム６の強度制御が非常に難しい。

そこで、この温度範囲を十分広くできるような材料を光
磁気記録膜３ならびに垂直磁化膜４に用いることも考え
られる。しかし、この方法では第２の温度を高めること
になり、レーザ源２０のパワーを大きくしなければなら
ないという問題がある。

また、第１２図にて説明した方式では、（１）、垂直磁
化膜４を一定方向に磁化する初期磁化用の第１磁気ヘツ
ド１７と、記録すべき信号をデジタルで光磁気記録膜３
に記録するための第２磁気ヘツド１８の２つの磁気ヘッ
ドを用いないと情報の記録ができない。

（２）、レーザビーム６の出゛力として、光磁気記除膜
３のキュリー点以上でかつ垂直磁化膜４のキュリー点以
下になるような第１のレーザビーム出力と、垂直磁化膜
４のキュリー点以上にするための第２のレーザビーム出
力の２種類の出力の組合せを制御しなければならない。

（３）、前にも述べたように、光磁気記録膜３のキュリ
ー点（Ｔ　ｂ　−Ｆ　ｅ系アモルファス　１４０℃）と
垂直磁化膜４のキュリー点（Ｇｄ−Ｔａ　−Ｆｅ系アモ
ルファス　１６０℃）の温度差が余りないため、レーザ
ビームの出力制御が非常に困理である。

（４）、前記（３）の温度差はキュリー点の高い垂直磁
化膜４を使用すれば大きくなるが、その代り前記（２）
に記載した第２のレーザビーム出力を非常に大きくしな
ければならないので、レーザ源２０に大きなパワーが必
要である。

（５）、垂直磁化膜４は外気に露出した構造であるため
、この膜１６が空気中の酸素および湿分によって腐食さ
れる。そしてこの垂直磁化膜４の腐食が進行すると光磁
気記録膜３も腐食されて、光磁気記録媒体の保存寿命が
極めて短い。

本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解決し、
記録時におけるレーザビームの強度設定が容易で、かつ
低パワーのレーザ源で記録ができ。

しかも長期的な保存寿命に耐える光磁気記録媒体を提供
すること４にある。

さらに本発明の他の目的は、消′Ｒ電力を低減して、高
速でのデータ転送が可能な光磁気記録再生方法を提供す
るにある。

〔課題を解決するための手段〕

前述の目的を達成するため、本発明は、垂直方向に磁気
異方性を有する光磁気記録膜と、その光磁気記録膜より
も室温での保磁力が小さくかつキュリー点が十分高い垂
直磁化膜の重層構造の記録膜を、透明基板上に設けたこ
とを特徴とするものである。

前述の目的を達成するため、さらに本発明は、垂直方向
に磁気異方性を有する光磁気記録膜と垂直磁化膜との重
層構造の記録膜を透明基板上に設けた光磁気記録媒体を
用い、所望信号のレベルに応じて方向が反転する磁界を
前記垂直磁化膜に印加することにより、垂直磁化膜に所
望信号を記録し、前記光磁気記録膜を昇温することによ
り、その磁界による垂直磁化膜の磁化パターンを光磁気
記録膜に転写し、所望信号を光磁気記録膜に記録するこ
とを特徴とするものである。

前述の目的を達成するため、さらに本発明は。

垂直方向に磁気異方性を有する光磁気記録膜と垂直磁化
膜との重ＷＩ枯造の記録膜を透明基板上に設けた光磁気
記録媒体を用い、所望信号のレベルに応じて方向が反転
する磁界を前記垂直磁化膜に印加することにより、垂直
磁化膜に所望信号を記録し、前記光磁気記録膜を昇温す
ることにより、その磁界による垂直磁化膜の磁化パター
ンを光磁気記録膜に転写して所望信号を光磁気記録膜に
記録した後、新らたに前記垂直磁化膜に別の所望信号を
磁化記録し、その垂直磁化膜に記録された記録信号を磁
気的に再生し、前記光磁気記録膜に記録された記録信号
を光学的に再生することを特徴とするものである。

次に本発明の実施例を図面とともに説明する。

く第１実施例〉 第１図は、第１実施例に係る光磁気記録媒体の断面図で
ある。同図において１は透明基板、２はエンハンス膜、
３は光磁気記録膜、４は垂直磁化膜、２６は光磁気記録
媒体である。

同図に示すように基板１上にエンハンス膜２が形成され
、その上に垂直方向（膜厚方向）に磁気異方性を有する
光磁気記録膜３が、その上に垂直磁化膜４がそれぞれ形
成される。垂直磁化膜４としては、光磁気記録膜３より
も室温での保磁力が小さく３００〜１２００エルステッ
ト、キュリー点が十分に高く３００℃以上の強磁性材料
またはフェリ磁性材料が用いられる。

一例として、ガラス製の基板ｌ上に膜厚が７０ｎｍのＳ
ｉＮによるエンハンス膜２をスパッタ法によって形成す
る。その上にスパッタ法によってＴｂ−Ｆｅ−Ｇｏ系ア
モルファス合金を１００ｎｍの厚さに形成して光磁気記
録膜３とし、さらにその上にスパッタ法によってＣｏ　
−Ｃｒ系アモルファス合金を１１００ｎの厚さに形成し
て垂直磁化膜４とした光磁気記録媒体２６を得る。この
具体例における光磁気記録膜３と垂直磁化膜４の特性を
次の表１に示す。

但し表中の各記号は、下記の通りであ、。

Ｈｃ：保磁力 Ｍｓ：飽和磁化 Ｔｃ：キュリー点 Ｔ　ｃｐｍρ：補償温度 なお、ＣｏＣｒ系の垂直磁化膜４としては、Ｃｏｔ−ｘ
Ｃｒｘで表わされ、一般にｘ＝０．１５〜０．２５程度
のものが用いられるが、特に、Ｘ≧０．２０のときには
、耐蝕性に優れ、保護膜としての機能も有することにな
る。垂直磁化膜４としては、Ｇｏ−Ｃｒ合金のほかに、
Ｇ　ｏ　−Ｒｅ合金、Ｇｏ−Ｒｕ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金
なども用いることができる。また、光磁気記録膜３とし
ては。

Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−Ｇｏ金合金Ｇｄ−Ｄｙ−Ｆｅ−Ｇｏ
金合金Ｔｂ−Ｆｅ合金などを用いることができる。

次に第２図に基づいて、この光磁気記録媒体の記録方法
について説明する。

第１図に示した光磁気記録媒体２６の垂直磁化膜４側に
コイル８を巻回した磁気コア２４が配置され、それの光
磁気記録媒体移動方向（矢印Ａ）後流側にフォーカスレ
ンズ７が配置されている。

前記コイル８には記録すべき信号によって変調された励
磁電流ｉが流され、これによって磁気コア２４から直流
磁界が発生する。この磁界の最大強度は垂直磁化膜４の
室温での保磁力よりも高く、光磁気記録膜３の室温での
保磁力よりも低く設定され、このために、垂直磁化膜４
は磁気コア２４からの磁界によって垂直方向（膜厚方向
）に飽和磁化される。

記録すべき信号はデジタル信号であり、励磁電流ｉは、
このデジタル信号の「１」、「０」ビットに応じて極性
が異なるように変調されている。

従って磁気コア２４から発生する磁界の方向もこのデジ
タル信号のｒｌＪ、［０」ビットに応じて反転するから
、垂直磁化膜４のこの磁界による磁化方向も同様に反転
し、デジタル信号が垂直磁化膜４に磁化パターンとして
記録されろ。

一定強度のレーザビーム６が、フォーカスレンズ７によ
り光磁気記録膜３に集光照射される。これにより光磁気
記録膜３は昇温されるが、このときの温度が光磁気記録
膜３のキュリー点Ｔ０６しくはその補償温度Ｔｃｏｍｐ
よりも高く、垂直磁化膜４のキュリー点Ｔｃよりも低く
なるように、レーザビー１ｓ　６のパワーが設定されて
いる。

これにより、レーザビーム６の照射によって急直磁化膜
４の磁化パターンは消滅することがなく、光磁気記録膜
３では、その昇温部分が垂直磁化膜４の磁化された部分
からの磁界ｌ；よってその方向に磁化される。すなわち
、垂直磁化膜４の磁化パターンが光磁気記録膜３に転写
され、これによって光磁気記録膜３にデジタル信号が磁
化パターンとして記録されることになる。

このように、レーザビーム６の照射による光磁気記録膜
３の加熱温度は、この光磁気記録膜３のキュリー点Ｔｃ
もしくは補償温度Ｔ　ｃｏＩＩｐと垂直磁化膜４のキュ
リー点Ｔｅとの間に設定すればよいのであるから、これ
らの差が大きいほど加熱温度の設定精度が緩和され、レ
ーザビーＡｘ　６のパワー設定が容易となる。また、こ
の加熱温度は光磁気記録膜３のキュリー点Ｔｃもしくは
補償温度Ｔ　ｃｏｍｐより高ければよく、垂直磁化ｒＪ
！Ａ４のキュリー点Ｔｃに比較して低く設定できるから
、レーザビー１１のパワーも低減でき、低いパワーのレ
ーザ源を用いることができる。

前記表１では室温を２５℃とし、レーザビーム６による
加熱を光磁気記録膜３（Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ系アモルファ
ス）の補償温度’ｒｃｏｍｐよりも高く、そのキュリー
点Ｔｃよりも低い１６０℃に設定した場合のものであり
５以上の条件をもとにして記録した場合の記録再生特性
を、第１１図に示した従来と比較して次の表２に示した
。

表　　２ なお、第１１図に示す光磁気記録媒体（表中の従来例）
は、基板１．エンハンス膜２ならびに光磁気記録膜３の
材料、膜厚がこの実施例と同じであり、保護膜４は１１
００ｎの膜厚の５ｉＮｌｌＸとし、従来例の光磁気記録
媒体におきかえて測定した。実施例、従来例いずれにお
いても、レーザパワーを７ｍＷ、光磁気記録媒体の光学
ヘッドに対する相対速度を７ｍ／秒、記録信号の周波数
を２．５Ｍ　Ｈｚとした。

この表２から明らかなように、従来例に比較して小さい
励磁電流ｉで同程度のオーバライドが得られる。また、
−３５ｄＢのオーバーライドが得られる最高周波数は、
従来例では４Ｍ）（ｚであったのに対し、実施例では１
０ＭＨｚであった。

第３図は第１図に示した光磁気記録媒体の全体の断面図
で１図中の９は中心孔である。

第４図は光磁気記録媒体の変形例を示す図で。

この例の場合、垂直磁化膜４の上にさらに保護膜１６が
設けられている。この保護膜１６の材料には、耐腐食性
を有し、酸素ならびに湿分不透過性の例えば金属アルミ
ニウＩｓ、酸化アルミニウム、アルマイト、非磁性ステ
ンレスなどが用いられ、スパッタリングや蒸若などによ
って膜が形成される。

〈第２実施例〉 第５図は、本発明による他の記録再生方法を説明するた
めの図である１図中の２２はコイル８を巻回した補助磁
極、２３は主磁極である。

光磁気記録膜３には室温での保磁力が大きくてキュリー
点の低い材料が用いられ、これに対して垂直磁化膜４に
は室温での保磁力が小さくてキュリー点が十分高い材料
が用いられる。

同図に示されているように、垂直磁化膜４側には主磁極
２３が、桟板１側には補助磁極２２が配置され、この主
磁極２３とコイル８を巻回した補助ｍ極２２とで補助磁
極励磁型の磁気ヘッドを構成している。補助磁極２２の
記録媒体移動方向（矢印Δ）後流側にはフォーカスレン
ズ７が配置されており、これによってレーザビーｌｓ　
６が光磁気記録膜３に集光される。

信号の記録時には、コイル８にデジタル信号による信号
電流ｉが流される。この信号電流ｉもデジタル信号のｒ
ｌＪ、ｒＯＪビットに応じて極性が反転し、従って補助
磁極２２から発生する直流磁界の方向がデジタル（３号
の「１」、「０」ピッ１へに応じて反転する。補助磁極
２２からの磁力線は記録媒体２６を通って主磁極２３に
至るが、この主磁極２３の断面積は補助磁極２２の断面
積よりも十分狭く設定されている。そのため、補助磁極
２２からの磁力線は図に示すように主１Ｉｌｉ極２３で
集束され、主磁極２３の近接した垂直磁化膜４の近傍で
は強磁界が得られる。但し、光磁気記録膜３での磁界の
強さがその室温での保磁力よりも十分小さく、垂直磁化
膜４での磁界の強さがその室温での保磁力よりも大きく
なるように、コイル８に流す電流値などが設定されてい
る。これにより、垂直磁化膜４のみが磁界によって磁化
されて、そこに信号が記録されろ。

一方、この磁気ヘッドの光磁気記録媒体移動方向後流側
には、フォーカスレンズ７が配置され、レーザビーム６
が光磁気記録膜３に集光、照射される。これにより、照
射部分に近い光磁気記録膜３と垂直磁化膜４の部分が昇
温されるが、垂直磁化膜４の温度がそのキュリー点より
も十分低く、かつ光磁気記録膜３の保磁力がこの昇温部
分に接する垂直磁化膜４の部分の磁化による磁界の強さ
よりも小さくなるように、レーザビーム６のパワーが設
定されている。

従って、レーザビーム６の照射により垂直磁化膜４の磁
化は何ら影響されることなく、光磁気記除膜３が垂直磁
化膜４の磁化による磁界で磁化され、垂直磁化ｖ、４の
磁化パターンがそのまま光磁気記録膜３に転写される。

以上のようにして、光磁気記録膜３に（ｔ１号が記録さ
れることになる。この場合、補助磁極励磁型磁気ヘッド
によって垂直磁化膜４に連続的に磁界が印加されて記録
が行われる。また、レーザビーム６による連続的な昇温
により、垂直磁化膜４がら光磁気記録膜３に磁化パター
ンの転写が行われるから、オーバライドが可能となり、
消去手段は必要でない。

また、記録のための磁界発生手段は、補助磁極２２なら
びに主磁極２３によって閉磁路が形成されるため、磁界
発生効率が向上する。さらに主磁極２３の断面積を補助
磁極２２の断面積よりも十分に小さくして、磁束を主磁
極２３で収束させているから、垂直磁化膜４での磁界の
強度を大幅に高めることもでき、コイル８に流す電流値
を小さくしても、強い磁界を発生することができ、消費
電力の低減、データ転送の高速化が図れる。

次の表３は、同じスルーレートの駆動回路、同じインダ
クタスのコイルを用いた場合の、この実施例と第１１図
に示した従来例との特性を比較した表である。

表　　３ なお、表中のスイッチング速度とは記録電流ｉの極性の
切換え速度を示している。この表３から明らかなように
１本発明のものはスイッチング速度が十分に速いことか
ら、データ転送の高速化が図れる。

信号の再生時には、記録媒体２６に低パワーのレーザビ
ーム６のみが照射され、光磁気記録膜３での磁化による
カー効果検出器で検出することにより、信号の再生が行
われる。

なお、磁界発生手段としては、主磁極励磁型磁気ヘッド
やリング型磁気ヘッドなどを用いてもよく、また、レー
ザビーム６の後方にＤＲＡ’Ｗ用。

サーボ用などのためのレーザビームを使用してもよい。

く第３実施例〉 第６Ｕｆｉは、実施例に係る光磁気記録媒体の拡大断面
図である。この図において、２ａは信号パターンである
。

基板１は、例えばガラスなどの透明セラミックスや、ポ
リカーボネート（ｒ’Ｃ）　、ポリメチルメタクリレー
ト（ＰＭＭＡ）　、ポリメチルペンテン。

エポキシなどの透明な樹脂材料で形成される。基板１の
片面には、トラッキング信号に対応ず名案内トラックや
アドレス信号に対応するプリピットなどの信号パターン
２ａが形成されている。

信号パターン２ａの形成方法としては、基板ｌの材質に
よって適・当な方法が採用される。例えば基板ｌがＰＣ
，ｒ’ＭＭＡ、ポリメチルペンテンなどの熱可塑性樹脂
で形成される場合、その溶融した基板材料を成形金型内
に射出して、信号パターン２ａを有する基板１を成形す
る、所謂インジェクション法が適する。また、金型内に
基板材料を射出した後に圧力を加える、所謂コンプレッ
ション法あるいはインジェクションコンプレッション法
などの方法を適用することもできる。

基板１がガラスなどのセラミックスやエポキシなどの熱
硬化性樹脂で形成される場合は、信号パターン２ａの反
転パターンが形成されたスタンパと基板１との間で光硬
化性樹脂を展伸し、前記スタンパの反転パターンを基板
１に転写する２Ｐ法（光硬化性樹脂法）が適する。また
エポキシなどの熱硬化性樹脂の場合には、金型内に溶融
状態の基板材料を静注して基板ｌと信号パターン２ａを
一体に成形する、所謂注型法を適用することもできる。

エンハンス膜２は、見掛は上のカー回転角を大きくする
ためのものであって、例えばＳ　ｉ　３Ｎ　４などの誘
電体をもって、基板ｌの信号パターン２ａ形成面に、約
８０〜９０ｎｍの厚さに形成される・、エンハンス膜２
の形成方法としては、例えば真空蒸着法やスパッタ法な
どを適用することができる。

光磁気記録膜３は、例えばＴｂ−Ｆｅ合金、Ｇｄ−Ｔｂ
−Ｆｅ合金、Ｔｂ−Ｄｙ−Ｆｅ合金。

Ｍｎ−Ｃｕ−Ｒ１合金（結晶性）、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ−
Ｇｅ合金、Ｇｄ−Ｃｏ合金、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｃｏ合金、Ｔ
ｂ−Ｆｏ−Ｃｏ合金、Ｔ　ｈ　−Ｆ　ａ合金とＧｄ−Ｆ
ｅ合金の混合物、Ｔｂ−Ｆｅ合金とＧｄ−Ｆｅ−Ｃｏ合
金の混合物、’ｒｂ−ｏｙ−Ｆａ−Ｃｏ合金、Ｔ　ｂ　
−Ｎ　ｉ　−Ｆ　ｅ合金Ｄ）ｌ−Ｆｅ−Ｇｄ−Ｃｏ合金
など、主としてアモルファスの材料で形成される。

この光磁気記録膜３は、前記エンハンス膜り上に、例え
ば真空蒸着法やスパッタ法によって形成される。

垂直磁化膜４は光磁気記録膜３に比較してキュリー点が
高く、室温における保磁力が低い磁性、材料で形成され
る。この垂直磁化ｖ４の磁性材料としては、従来より例
えば磁気ディスク、磁気ドラｌｓ、磁気テープなどの磁
気記録媒体に用いられている任意のものを使用すること
ができる。なお、記録条件の自由度を大きくして使用の
容易化を図るため、前記光磁気記録膜３とのキュリー点
および室温における保磁力の差が大きいほど好ましい。

これらの条件を満すものであれば、多結品質のものでも
非晶質のものでもよい。

具体的には、ｙ　　Ｆ１３２０３粉末、Ｆ　０３０４粉
末、Ｃｏ含有７ＦｅｚＯｘ粉末、Ｇｏ含有ＦｅａＯ４粉
末、Ｆｏ粉末、Ｃｏ粉末、Ｆｅ−Ｎｉ合金粉末などの磁
性粉末を結合剤および有機溶剤などとともに塗布、乾燥
したもの。

あるいは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ合金合金、ｃ
ｏ−Ｃｒ合金、Ｇｏ−Ｐ合金、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ合金など
の強磁性材料を、蒸着法やスパッタ法などで真空成膜し
たものなどが用いられる。

これらのうちでは、Ｃｏ−Ｃｒ合金を主体とする垂直磁
化膜やＧ　ｏ　−Ｎ　ｉ合金を主体とする磁化膜が特に
好適である。

垂直磁化膜４の厚さは、光磁気記録膜３の保護の観点か
らは厚いほどが好ましいが、あまり厚くすると熱伝導率
が大きくなって光磁気記録膜３の記録が低下するなどの
不具合を生じるため、１１００ｎ〜１μｍ程度、好まし
くは１１００ｎ〜２００ｎｍにするとよい。

また第４図に示すように、垂直磁気記録膜４の外表面を
保護膜１６で被覆することは、光磁気記録媒体における
記録情報の保持寿命を非常に長くする効果がある。この
保護膜１６の材料としては、アルミニウム、酸化アルミ
ニウム、アルマイト、セラミックス、ステンレスなどが
用いられ、これらの材料をスパッタリングして、５′〜
１０’ｍｍの膜厚に成膜することができる。

本発明の実施例に係る光磁気記録媒体の記録再生は、第
７図に示すように、基板１側にフォーカスレンズ７を、
また垂直磁化膜４側に磁気ヘッド１２を、それぞれ配置
して記録再生を行う、この磁気ヘッド１２は、光磁気記
録膜３に情報を記録するための電磁コイルと、垂直磁化
膜４に情報を記録するための磁気ヘッドとを兼ている。

記録媒体の移動に伴う空気の粘性層流によって、磁気へ
ラド１２は前記垂直磁化膜４の表面から約１μｍ程度浮
上するように設定されている。

光磁気記録膜３への記録に際しては、図示していないレ
ーザ光源を［ｇ！Ｊして、フォーカスレンズ７により光
磁気記録膜３の一部をそのキュリー点以上に加熱し、ま
た、垂直磁化膜４をそのキュリー点以上に加熱すること
のない強度のレーザビームを連続して照射する。それと
ともに、前記磁気ヘッド１２を駆動して、光磁気記録膜
３の膜面に垂直で、記録方向の極性を有し、かつレーザ
ビーム照射時の温度における垂直磁化膜４の保磁力より
も小さい信号磁界を発生する。このようにすると、光磁
気記録膜３のレーザビー１１照射部分がキュリー点以上
に加熱されて、その部分の保磁力が零になり、磁気ヘッ
ド１２からの信号磁界に応じて順次情報信号に対応する
反転磁区が形成され、情報の記録が行われる。

この場合、光磁気記録膜３に比較して高いキュリー点を
有する垂直磁化膜４については、レーザビー１１を照射
しても保磁力が磁気ヘッド１２の直流磁界以下に低下せ
ず、従って情報が記録されることはない。

前述のように記録媒体は、光磁気記録膜３上に係い垂直
磁化膜４を形成しているので、光磁気記録膜３に極く接
近して磁気ヘッド（電磁コイル）１２を設置することが
できる。従って磁気ヘッド１２を大型化する必要がなく
、光磁気記録膜３の磁化反転に必要な磁界の高速スイチ
ングが可能となることから、かかる磁界変調方式を採用
することができろ。

この磁界変調方式によると、従来の磁気記録媒体と同様
に、オーバライドすることができ、先に記録された情報
を消去する過程を必要としないので、アクセス速度を格
段と改善することができる。

なお、光情報記録膜３の記録方法については、磁界変調
方式に限定されるものではなく、貼合せ型の光磁気韻０
媒体と同様に、光変調方式を採用することもできる。

垂直磁化膜４への情報の記録に際しては、前記磁気ヘッ
ド１２を駆動して、室温における垂直磁化膜４の保磁力
よりも大きく、室温における光磁気記録膜３の保磁力よ
りも小さい、記録方向の極性を有する磁場信号を発生す
る。

これによって、垂直磁化膜４に記録信号の正負に相当す
る磁化方向をもつ磁区が形成されて情報が記録される。

この場合、′Ａ！、温における光磁気記録膜３の保磁力
よりも大きい磁界を作用することがないので、光磁気記
録膜３に情報が記録されたり、光磁気記録膜３に既に記
録された情報が消去されるような不具合はない。

記録済みの光磁気記録媒膜３から情報を再生するに際し
ては、図示していないレーザビーｔｓＷＸを駆動し、フ
ォーカスレンズ７を通してレーザビームを光磁気記録膜
３に照射する。この照射は、光磁気記録膜３をそのキュ
リー点以上に加熱しない程度の強度に調整される。光磁
気記録膜３からの反射光は、反転磁区がある部分とない
部分で偏光面が回転するので（カー効果）、この反射光
の偏光面の回転方向の差を検出器で光の強度として検出
することにより、情報を再生することができる６また、
記録済みの垂直磁化膜４からの情報を再生する場合は、
従来の磁気記録媒体と同様に、垂直磁化膜４の磁区から
発生する磁束の変化を磁気ヘッド１２のギャップを通し
てＩＱ　磁変換することによって行う。この場合、磁気
ヘッドト２のトラッキングは、光学ヘッドと連動させる
か、あるいは光学ヘッドから読み出されたトラッキング
（１号を利用することによって、精密にサーボコントロ
ールすることができる。

以下、具体的の実施例を挙げ、その効果について説明す
る。

く第４実施例〉 射出成形されたポリカーボネート製基板ｌの信号パター
ン面に、Ｓ　ｔコＮ４からなるエンハンス膜２を約９０
ｎｍの厚さに形成し、エンハンス膜２の」二に下記組成
のアモルファス合金からなる光磁気記録膜３をスパッタ
リング法によって形成する。

チルビラＡｓ　（Ｔ　ｂ　）　　：　２０　””、　２
７原子％コバルト（Ｇｏ）　　　：　　８〜１３原子％
ニオブ（Ｎｂ）またはチタン（Ｔｉ）またはクロム（Ｃ
ｒ）　　　　　：　　２〜５Ｍ子％鉄（Ｆｏ）　　　　
　：残部 この光磁気記録膜３上に、垂直磁化ｖ、４の結晶配向性
を促進するためのゲルマニラＡ（Ｇｃ）またはチタン（
Ｔｉ）からなる下地后を、約２０〜３０ｎｍの厚さに積
層する。

最後にこの下地幻」−に、Ｇ　ｏ　−Ｃｒ系合金（Ｃ「
含有率：２０〜２５原子％）からなる氾直磁化暎４を、
窓箔法やスパッタ法などのｆ（塑成Ｖ法により約２００
ｎｍ、Ｆ７に形成した。

く第５実施例〉 前記第４実施例と同様に、ポリカーボネート刊基板１上
にエンハンス膜２ならびに光磁気記録膜３を順次形成す
る。この光磁気記録膜３上に、耐腐食性を向」ニするた
めに白金（Ｐｔ）またはクロム（Ｃｒ）が２〜３ｇ子％
添加されたＣｏ−Ｎｉ系合金（Ｎｉ含有率＝２０〜４０
原子％）の磁気記録膜を約１００ｎｒｎの厚さに真空成
膜法によって形成した。この磁気記録膜は、膜面内に磁
化容易軸をもつ、所謂水平磁気記録膜である。

前記第４実施例ならびに第５実施例における光磁気記録
膜とその表面に形成される磁気記録膜の磁気特性を次の
表４に示す。

表・４ 第８図に、前記実施例で得られた光磁気記録膜とその表
面に形成された磁気韻８膜との温度特性の概酩を示す。

この特性図の縦軸は記録膜の保磁力、横軸は温度である
。

この図から明らかなように、光磁気記録膜は室温から約
１００℃０１ｊ後までの温度範囲では約５（ＫＯｅ）程
度の高い保磁力を有するが、１００℃以」二加熱される
と急徴に保磁力が低下し、２００℃前後では保磁力が零
になる。これに対し磁気ＩＴｉ！録膜は除膜温における
保磁力が約７００（Ｏｃ）と光磁気記録膜に比較して格
段に低く、高温に加熱されるに従って除々に保磁力が低
下し、５００℃以上の高温に加熱されると保磁力が零に
なる。

従って同図に領域Ａで示すように、光磁気記録膜のキュ
リー点以上で磁気記録膜のキュリー点以下の温度に記録
膜（光磁気記録膜ならびに磁気記録膜の積層体）を加熱
し、かつ光磁気記録膜にレーザビーム照射時の温度にお
ける磁気記録膜の保磁力よりも小さな磁界をかけること
によって、光磁気記録膜にのみ情報の記録ができる。

また同図の領１！、１２　Ｔ３で示すように、室温にむ
ける磁気記録膜の保磁力よりも大きく、室温に才；ける
光磁気記録膜膜の保磁力よりも小さな磁界を印加するこ
とにより、磁気記録膜のみに情報を記録することができ
る。

従って、光磁気記録膜と磁気記録膜とにそれぞれ独立し
た異なる信号（情報）を記録することができ、貼合せ構
造の記録媒体と同様、記録容量を見掛は上２倍にするこ
とができる。なお、光磁気記録膜ならびに磁気記録膜の
記録再生特性は、これらの記録膜が単独で設けられた光
磁気配り媒体ならびに磁気記録媒体とほぼ同等であり、
これらを積層したことによる記録再生特性の劣化は認め
られない。

第９図に、前記第４実施例ならびに第５実施例に係る光
磁気記録媒体と、光磁気記録膜上に誘電体製の保護膜を
設けた従来の光磁気記録媒体の加速環境試験の結果を示
す、同図の縦軸に再生信号のＣ／Ｎ値を、横軸に経過１
１、ｙ間をとっている。なお、試験条件は、温度６０°
Ｃ１相対湿度９５％、試験時間１０００時間である。

この特性図から明らかなように、従来品は試験終了後の
Ｃ／Ｎ値が約３０％に低下するのに対、し、本発明に係
るものは試験終了後においてもＣ／Ｎ値の低下が認めら
れない、このことから、本発明の実施例に係る光磁気記
録媒体は、情報保ひの安定性からも優れている。

〈第６実施例〉 この実施例に係る記録膜は第３図に示すように、光磁気
記録膜３と、その光磁気記録膜３の保護膜を兼ねた垂直
磁化膜４とから枯成されている。

そして、 （＋）この垂直磁化膜４に情報を磁気的に記録し、この
記録された１１号を前記実施例と同様に、光磁気記録膜
３に転写記録し、これを再生、消去できるようにする。

これとともに、垂直磁化膜４には、光磁気記録膜３の記
録情報とは別の情報を記録、再生、消去に利用できるよ
うに、貼合せ式の両面光磁気記録媒体として用いる。

（２）また、光磁気記録膜３で情報を記録していない部
分の反対側の垂直磁化膜４に、情報を記録したり、記録
した情報を再生、消去するようにできる貼合せ式の両面
光磁気記録媒体として用いる。

前記（１）、（２）を可能にする条件は、磁気記録膜４
のキュリー点Ｔ　Ｃ２が光磁気記録膜３のキュリー点Ｔ
　Ｃ３より大きいこと、磁気記録膜４の室温での保磁力
が光磁気記録膜３の室温での保磁力より小さいこと、な
らびに光磁気記録膜３の温度Ｔ　ｃ　ｘにおける保磁力
が磁気記録膜４の温度Ｔ　Ｃ１における保磁力よりも小
さいことである。

これらの条件を満す光磁気記録膜３と磁気記録ｖ４との
前記特性関係を第１０図に示す。

図中の曲線ａおよび曲線すは、それぞれ光磁気記録膜３
および磁気記録膜４の保磁カー温度特性曲線であり、温
度Ｔ　ｃ、　ｘおよび温度Ｔ　ｃ、　ｚはそれぞれのキ
ュリー点である。

使用環暁条件は、室温（ＲＴ）近傍で、下限温度Ｔ】と
上限温度Ｔ２の間に設定されており、温度Ｔｌにおける
磁気記録膜４の保磁力をＩ（ｃ　ｚ　（’ｒ＋）、温度
Ｔ１に才ｉける光磁気記録ｖ３の保磁力を１ｌｅｘ（Ｔ
ｚ）とすると、磁気ヘッドにょろ印加磁界の強さ１１を １−１　ｃ　ｚ　（ゴ１）＜　Ｈ＜　Ｔ−Ｉ　Ｃ１（Ｔ
　２）の関係になるように設定すれば、光は低記録膜３
の記録磁化に影響を与えることなく、磁気記録膜４のみ
を磁化することになる。釘いかえれば磁気記録膜４のみ
に情報を記録することが可能である。

また、印加磁界の強さＩＩは環境の変動、媒体の互換性
を考五こすると、同図に示したようにＩＴ　２　＜　Ｈ
＜　ＩＩ　１ の範囲に設定した方が望ましいのはごうまでもない。

また、磁気記録膜４に記録された情報を光磁気記録膜３
に転写するの際には、次のようにして行う。図中の曲線
Ｃは、磁気記ｔ、々膜４の飽和磁化が光磁へｔ記録膜３
から発生する磁界を示しており、これは磁気面ｐ’ｔ＜
ｖ４の飽和磁化に比例するものである。曲線ａおよび曲
線Ｃの交互の温度をＴｚとすると、光磁気記録膜３の温
度Ｔをレーザビー１１を用いてＴ３以上に昇温すると、
光磁気記録膜３の保磁力が磁気記録膜４の発生する磁界
の大きさよりも低下するために、光磁気記録膜３の磁化
は磁気面ａＡ＋ｖ４の磁化の方向を向くことにより、記
録された情報が転写されろことになる。さらに望ましく
は、このときのレーザビー１１による昇温温度ＴはＴ４
くＴくＴ！、となるようにレーザパワーを設定した方が
好適である。上述したような、記録条件の設定により、
磁気記録膜４への独立した記録および磁気記録膜４を介
した光磁気記録膜３への転写記録が可能である。

なお、前記実施例においてはディスク状記８媒体を例に
とって説明したが１本発明の要旨はこれに限定されるも
のではなく１例えばカード状記録媒体やテープ状記録媒
体など、他の任意の光磁気記録媒体にも応用することが
できる。

また、磁気面８媒収を光磁気記録媒膜の保護膜として用
いる技術は、光磁気記録媒体のみならず、例えばテルル
を主成分とするライトワンス型の光磁り媒体にも応用す
ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、レーザビーｌ、
のパワーを低減し、そのパワーの設定精度を松やかにす
ることができるとともに、磁界発生手段の励磁電流を小
さくしてオーバライドの高速化を実現できる。

また、信号電流が小さくして信号記録に十分な強磁界が
発生させることができるから、消質電力が低減できるし
、駆動回路のスルーレートやコイルのインダクタンスに
よる影響も低減できて高速なデータ転送が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例に係る光磁気記録媒体の要
部拡大断面図。 第２図はこの第１実施例に係る光磁気配り媒体の記録方
法を説明するための概酩構成図、第３図はこの第１実施
例に係る光磁気記録媒体の全体断面図、 第４図は光磁気記録媒体の変形例を説明するための要部
拡大断面図。 第５図は他の記録再生方法を説明するための概略構成図
。 第６図は第３実施例に係る光磁気記録媒体の要部拡大断
面図。 第７図は第３実施例に係る光磁気記録媒体の記録再生方
法を説明するための概略構成図、第８図は第５実施例に
係る光磁気配Ｑ媒体の温度特性図。 第９図は第４実施例ならびに第５実施例に係る光磁気記
録媒体と従来の光磁気韻ａ’１ＩＩｊ、体の加速環境試
験による特性図。 第１０図は光磁気記録膜ならびに磁気記録膜の条件を説
明するための特性図。 第１１１”ｌは従来の光磁気記録媒体の記録再生方法を
説明するための概略構成図、 第１２図ならびに第１３図は従来の他の光磁気記録媒体
の記録再生方法を説明するための概略構成１４である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・エンハンス膜、３
・・・・・・光磁気記録膜、４・・・・・・垂直磁化膜
、６・・・・・・レーザビーｔ１．７・・・・・・フォ
ーカスレンズ、１２・・・・・・磁気ヘッド、１６・・
・・・・保護膜、２２・・・・・・補助磁極、２３・・
・・・・主磁性、２６・・・・・・記録媒体。 第１図 第２図 第３図 第４図 第７図 口）　　　　　　　　　　−〜 第８図 １贋〔・Ｃ〕 第９図 的　閣！　［／７ｒｓ〕 ４ｒ　　ｋＢ、　　７）　　　（Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ
）第１１図 第１２図

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）、垂直方向に磁気異方性を有する光磁気記録膜と
   、その光磁気記録膜よりも室温での保磁力が小さくかつ
   キュリー点が十分高い垂直磁化膜との重層構造の記録膜
   を、透明基板上に設けたことを特徴とする光磁気記録媒
   体。
2. （２）、請求項（１）記載において、前記垂直磁化膜は
   、室温での保磁力が３００〜１２００エルステット、キ
   ュリー点が３００℃以上の強磁性材料もしくはフェリ磁
   性材料からなることを特徴とする光磁気記録媒体。
3. （３）、請求項（１）記載において、前記垂直磁化膜の
   磁性材料が耐酸化性、耐腐食性に優れた物質であること
   を特徴とする光磁気記録媒体。
4. （４）、請求項（１）記載において、前記垂直磁化膜の
   材料が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉのいずれか一つの単体または
   これらの合金、あるいはＣｏ、Ｆｅ、ＮｉにＰで添加し
   た合金であることを特徴とする光磁気記録媒体。
5. （５）、請求項（１）記載において、前記光磁気記録膜
   の磁性材料がＴｂとＦｅを含む合金であることを特徴と
   する光磁気記録媒体。
6. （６）、請求項（１）記載において、前記垂直磁化膜の
   外表面に耐腐食性を有し、酸素、湿分不透過性の保護膜
   を形成したことを特徴とする光磁気記録媒体。
7. （７）、請求項（６）記載において、前記保護膜の材料
   が、アルミニウム、酸化アルミニウム、アルマイト、セ
   ラミックスならびにステンレスのグループから選択され
   た材料であることを特徴とする光情報記録媒体。
8. （８）、透明基板上に設けられた垂直方向に磁気異方性
   を有する光磁気記録膜と、その光磁気記録膜に重層され
   る垂直磁化膜とを、互に異なる情報を同時に記録できる
   記録膜として用いることを特徴とする光磁気記録媒体。
9. （９）、垂直方向に磁気異方性を有する光磁気記録膜と
   垂直磁化膜との重層構造の記録膜を透明基板上に設けた
   光磁気記録媒体を用い、所望信号のレベルに応じて方向
   が反転する磁界を前記垂直磁化膜に印加することにより
   、垂直記録膜に所望信号を記録し、前記光磁気記録膜を
   昇温することにより、その磁界による垂直磁化膜の磁化
   パターンを光磁気記録膜に転写し、所望信号を光磁気記
   録膜に記録することを特徴とする光磁気記録媒体の記録
   方法。
10. （１０）、請求項（９）記載において、前記光磁気記録
    膜の昇温は、レーザビームの照射によつて行われること
    を特徴とする光磁気記録媒体の記録方法。
11. （１１）、垂直方向に磁気異方性を有する光磁気記録膜
    と垂直磁化膜との重層構造の記録膜を透明基板上に設け
    た光磁気記録媒体を用い、所望信号のレベルに応じて方
    向が反転する磁界を前記垂直磁化膜に印加することによ
    り、垂直磁化膜に所望信号を記録し、前記光磁気記録膜
    を昇温することにより、その磁界による垂直磁化膜の磁
    化パターンを光磁気記録膜に転写して所望信号を光磁気
    記録膜に記録した後、新らたに前記垂直磁化膜に別の所
    望信号を磁化記録し、その垂直磁化膜に記録された記録
    信号を磁気的に再生し、前記光磁気記録膜に記録された
    記録信号は光学的に再生することを特徴とする光磁気記
    録媒体の再生方法。
12. （１２）、請求項（１１）記載において、前記光磁気記
    録膜に記録された信号の光学的な再生はレーザビームの
    照射によつて行われることを特徴とする光磁気記録媒体
    の再生方法。