JPH01231289A - マイクロ波エネルギ発生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 関連出願との関係 この出願は、下記の現在出願中の関連する出願に開示並
びに請求されている内容と関連する内容を開示して請求
する。

「マグネトロン用のフィラメント電力の補償」、通し番
号　　（出願人控え番号９　Ｄ−ＲＧ−１７「温度プロ
ーブを隔離したマグネトロン」、通し番号　　（出願人
控え番号９　Ｄ−ＲＧ−１７３「電力調整用の周波数制
御を持つマグネトロン」、通し番号　　（出願人控え番
号９　Ｄ−ＲＧ「マイクロプロセッサ電力制御装置を持
つマグネトロン」、通し番号　　（出願人控え番号９Ｄ
−ＲＧ−１６３９４） 「マイクロプロセッサを基本としたフィードバック制御
装置を持つマグネトロン」、通し番号（出願人控え番号
９Ｄ−ＲＧ−１６４０５）これらの出１頭は、「電力調
整用の周波数制御を持つマグネトロン」がピータ・スミ
ス及びフラビアン・ライジング・ジュニアを共同発明者
とし、「調理用マグネトロンに対するフィラメント電力
補償」がピーク・スミス、フラビアン◆ライジング・ジ
ュニア及びトーマスＲ，ベインを共同発明者とするのを
除くと、ビータ・スミスが発明者であり、出願人に譲渡
されている。

発明の背景 この発明は全般的に調理用マグネトロン電力供給装置、
更に具体的に云えば、両波ブリッジ・インバータを用い
たこの［ｌな装置に関する。

現在山場に出ている大抵のマイクロ波オーブンは、１９
６８年８月６日に付与された米国特許第３．３９６，３
４２号に記載される様な線に沿った５０又は６０Ｈｚの
ＬＣ電力供給装置を用いている。こう云う形式の電源は
、低電力の小形のものから、電気レンジ／マイクロ波装
置兼用のものまでのマイクロ波調理機器に用いられてい
るが、これまで２０年間使われて来た。

上に引用した米国特許の電源装置の利点は、４つの部品
しか使わないと云う簡単さと、力率の制御がよいことで
ある。欠点は、デユーティ・サイクルだけで電力を制御
する為にかさ（重量及び寸法）が必要になること、１０
０％以外の電力レベルではフィラメント電力が連続的で
ないこと、突入電流が大きいこと、及び積層板の騒音で
ある。

この装置のかさの欠点は、約１．２ｋＶＡの定格の５０
又は６０Ｈｚ変圧器を必要とする為である。こう云う変
圧器の鉄及び銅の重塁は、典型的には約７００ｇであり
、１，７１０ｃｍ”の容積を占める。

更に、この様な変圧器を使う時は、線路電圧の変動に対
して、マグネトロンの電流を定電流で調整する為に、必
要な部品として物理的に大きなコンデンサが必要になる
。

調理用マグネトロンの給電に関連してプッシュプル装置
が使われ又は提案されている。プッシュプル装置は」二
に述べた電源装置の幾つかの欠点を避けるものであるが
、この様なプッシュプル装置は、コストが高く、論理が
複雑であり、高圧のダ−リントン接続の電力トランジス
タを必要とし、リアクタンス性（即ち、電力消費形）緩
衝回路を必要とし、スイッチング・トランジスタのター
ン・オフ特性が制御されない為に、動作の各々の半サイ
クルでのボルト秒特性が本質的に不平衡であること、入
力力率がよくないこと（例えば０．６）、ＥｉＩの発生
量が大きいこと、変換がよくないこと、及びコストの一
層高い磁気回路を必要とすること等の欠点がある。コス
トの高い磁気回路は、電力制御手段として、漏れが可変
の変圧器を用いた設計の為である。

従来の別の設計が１９８１年７月２８日に付与された米
国特許第４．２８１．３７２号に記載されている。この
設計は、一般的に役に立つが、幾つかの欠点がある。特
に、この設計は前に引用した米国特許第３．３９６．３
４２号の装置よりも、−層段雑で費用がか〜る。７００
ワツトのマイクロ波電力を送出すことが出来る様にする
為には、４アンペアを越えるピーク電流が必要である。

このピーク電流により、マグネトロンの初期の望ましく
ないモードや、最終的には短期の故障を招く傾向がある
。更に、この設計は電磁障害が望ましくない程大きくな
ることがある。更にこの設計は、大きなピーク電流を取
扱い、非常に高い電圧に耐えることが要求されるスイッ
チング・トランジスタを必要とするのが欠点である。こ
の設計の別の欠点は、スイッチの動作を制御するのに、
曳雑な論理を必要とすることである。

従って、この発明の主な目的は、コストが安く、物理的
な容積及びｍＷの小さい電源を持つマイクロ波エネルギ
発生装置を提供することである。

この発明の別の目的は、効率が高い電力回路を持ち、Ｅ
ＭＩの放出が最小限であると共に、その他にも上に述べ
た電力回路の問題を避は又は最小限に抑える様なマイク
ロ波エネルギ発生装置を提供することである。

発明の要約 この発明は両波ブリッジ・インバータを使うことによっ
て、調理用マグネトロンに給電する装置を提供する。イ
ンバータが４つのスイッチを使つて、電力変圧器の１次
巻線の電流の流れを交互に変える。電力変圧器の２次巻
線がマグネトロンに給電する。この発明の１形式では、
スイッチか半導体スイッチ、更に具体的に云えば、ＭＯ
ＳＦＥＴ装置であり、各々の半導体スイッチと並列にダ
イオードが設けられる。ブリッジ整流器を使ってインバ
ータ回路に給電する。ブリッジ整流器からインバータ回
路に供給される電力は、動作中の最低電圧、及び整流器
の入力の交流によって生ずるリップルを持つ直流である
。このリップルの大きさは少なくとも最低電圧と同じ大
きさである。インバータ回路がスイッチの動作を制御す
る制御回路を含む。この発明の１形式では、制御回路が
ゲート・パルスを発生して、２０乃至３０ｋＨｚ程度の
周波数で半導体スイッチを切換え、１次巻線の電流の周
波数が同じく２０乃至３０ｋＨｚ程度になる様にする。

この発明の１形式では、パルス幅変調器を含む制御回路
を使う。１次巻線が変圧器の唯一の１次巻線であること
が好ましい。

この発明の更に具体的な面について云うと、２つのスイ
ッチの制御端子が他の２つのスイッチに対して浮いてお
り、隔離駆動回路を使って浮いて′いる制御端子に信号
を印加する。この発明の１形式では、隔離駆動回路が、
制御回路に接続された１次巻線及び２つの２次巻線を持
つ隔離変圧器を有する。各々の２次巻線が浮いている制
御端子の内の１つに接続される。この発明の別の形式で
は、隔離駆動回路が２つのコンデンサを持ち、各々のコ
ンデンサが浮いている制御端子を持つ１つのスイッチに
対応する。各々のコンデンサはその電荷を使って、対応
するスイッチを閉じる様に作用し得る。

この発明の別の特定の１面として、制御回路がマグネト
ロンの電流を表わす制御入力信号を受取り、この制御回
路は、制御入力信号の値に応じて、対のスイッチを開状
態に切換える様に作用し得る。

制御回路にある電力調節器が、スイッチが閉じる期間の
長さを変えることにより、マグネトロンの電力を変える
様に作用し得る。更に具体的に云うと、電力調節器が電
力調節用可変抵抗であってよく、制御入力信号もこの電
力調節用可変抵抗の設定値に関係する。

この発明の上記、１しびにその他の目的及び特徴は、以
下図面について詳しく説明する所から明らかになろう。

図面全体にわたり、同様な部分には同じ参照記号を用い
ている。

詳しい説明 概観 第１図のブロック図について説明すると、この発明のマ
イクロ波エネルギ発生装置１４が、標準の交流線路に接
続された電磁障害（ＥＭＩ）フィルタ１６を含む。フィ
ルタ１６は、装置１４が厄。

介な信号を交流線路に送出さない様にする。Ｅ　Ｍ■フ
ィルタ１６が整流器／フィルタ１８に接続される。図示
の様に、整流器／フィルタ１８から線２０に出る出力は
バルク直流信号である。これは装置１４に入って来る６
０Ｈｚによって生ずる実質的なリップルを含むと云う意
味である。後で詳しく説明するが、装置は線２０のバル
ク直流を利用する。これは、（整流器／フィルタ１８に
）他の場合に要求されるよりも小形のフィルタ・コンデ
ンサを使えるからである。コンデンサが小形であれば、
他の場合よりも、交流線路から取出す電流が実質的に少
なくなる。

装置１４のブロック図が、安全スイッチ、消費者用制御
板、入力ヒユーズ、及びマイクロ波エネルギ発生装置で
周知のこの他の同様な部品を省略している点で、幾分簡
単にしたものであることは云うまでもない。

線２０のバルク直流が両波ブリッヂ・インバータ／駆動
器２２に供給される。インバータ／駆動器２２は、制御
回路２４によって制御されるが、約２０　ｋｌｌｚの周
波数の高い電圧の交流を電力変圧器２６に供給する。制
御回路２４は、電力設定値、動作時間、並びにマイクロ
波・オーブンを使う時にユーザが普通設定するその他の
条件について、ユーザ入力を受取ることが出来る。図示
の様に、制御回路２４が電力変換器２６に接続される。

後で詳しく説明するが、制御回路２４が電力変換器２６
からフィードバック信号を受取る。

電力変換器２６が倍電圧回路３０にエネルギを供給し、
これがマグネトロン３２に給電する。マグネトロン３２
はフィラメントに対する電流をも電力変圧器２６から受
取る。

インバータ及び関連回路 第２図に示す様に、マイクロ波発生装置１４のＥＭＩフ
ィルタ１６が、電力リレー接点３４及びヒユーズ３６を
介して１２０ボルトを受取る。Ｅｋｌ　Ｉフィルタは二
重π形フィルタであって、コンデンサ３８及び誘導子４
０で構成されている。フィルタ１６からの信号がブリッ
ジ整流′ｒｉ１８Ｒに供給され、これが整流信号を線４
２及び４４に供給する。この信号がフィルタ・コンデン
サ１８Ｃによってろ波され、線４２及び４４の間の信号
がバルク直流信号になる様にする。直流２５０ボルト、
３０マイクロフアラツドのフィルタ・コンデンサを使う
と、線４２及び４４の間の信号は振幅が３０ボルト及び
１６５ボルトの間で変化する。

即ち、人力交流信号によって起るリップル又は振幅の変
動は、３０ボルトと云う動作中の通常の最低電圧と少な
くとも同じ大きさである。装置１４をバルク直流で動作
させることにより、フィルタ・コンデンサ１８ｃに静電
容量の大きい値のコンデンサを使わないで済む。フィル
タとして十分大きい値のコンデンサを使えば、線４２及
び４４の間の直流信号の平滑さが改善されるが、これは
、ユーザの家庭用回路にあるヒユーズ３６及び／又は遮
断器をトリガする程、非常に大きな電流を最初に流すこ
とがある。

インバータ／駆動器２２が第１、第２、第３及び第４の
トランジスタ４６Ｆ、４６Ｓ、４６Ｔ。

４６Ｒを含む。トランジスタがインバータの入力線４２
及び４４の間のバルク直流をインバータの出力線４８．
５０に開閉する為の半導体スイッチとして作用する。ス
イッチ４６Ｆ、４６Ｓ、４６Ｔ、４６Ｒが制御回路２４
によってオン及びオフに切換えられる。図示の実施例で
は、スイッチは、インターナショナル・レクチファイヤ
社からＩＲＦ６４０形電力用ＦＥＴとして市場で入手し
得る２７０ボルト、１８Ａの電力用ＦＥＴである。

制御回路２４が半導体スイッチ４６Ｓ、４６Ｒの制御端
子に直結である。（図示のＭＯＳＦＥＴでは、勿論制御
端子はゲートである。）更に、制御回路２４が、１次巻
線５２及び２次巻線５４Ｆ。

５４Ｓを持つ隔離変圧器を介して、ＭＯＳＦＥＴスイッ
チ４６Ｆ、４６Ｔを制御する。隔離変圧器が隔離駆動回
路として作用して、スイッチ４６Ｆ。

４６Ｔの制御端子（具体的に云えばゲート）をスイッチ
４６Ｓ、４６Ｒに対して浮かすことが出来る様にする。

隔離変圧器は、１次側５２及び２次側５４Ｆ、５４Ｓを
持っていて、ｉｌｉなる１：１：１のパルス変圧器であ
る。半導体スイッチ４６Ｆ。

４６Ｔのドレインがインバータの入力線４２に直接的に
接触し、従ってスイッチの入力端子と見なすことが出来
、これに対してスイッチ４６Ｆ及び４６Ｔのソース端子
は、インバータの出力線５０゜４８に夫々直接的に接触
するから、出力端子と見なすことが出来る。他方、トラ
ンジスタ４６８゜４６Ｈのソースは、インバータの入力
線４４から抵抗５６を介して入力を受取ると云う点で、
入力端子として作用し、これに対してスイッチ４６Ｓ。

４６Ｒのドレインが、インバータの出力線５０゜４８に
夫々接続されている点で出力端子として作用する。

各々のスイッチ４６Ｆ、４６Ｓ、４６Ｔ、４６Ｒと並列
にダイオード５８が接続されている。ダイオード５８は
、１対のスイッチのターンオフと別の１対のスイッチの
ターンオンの間の一時的な不感帯の間、トランジスタ・
スイッチの焼損を防止する。

インバータの出力線４８．５０が電力変圧器２６の１次
側６０に接続される。１次側６０と高圧２次巻線６４の
間のターン比は、５４０ｍＡの平均電流を通す負荷を受
けた時、２次巻線の両端に２゜０００ボルトの矩形波を
発生する様に設定する。

この電圧がダイオード６６及び電荷保持コンデンサ６８
によって半波倍電圧整流される。この結果生ずる負に向
う４．０００ボルトの矩形波が調理用マグネトロン７０
の陰極に印加される。典型的には電力変圧器２６が１次
巻線６０が２４ターンで、高圧２次巻線６４が４４０タ
ーンであってよい。更に、低圧の１ターンの２次巻線７
２が、マグネトロン７０のフィラメントに対して必要な
３ボルト、１４アンペアを供給し、２ターンの２次巻線
７４が制御回路２４を作動する為の低圧電力を供給する
。

インバータ及び制御回路の基本的な動作第２図の説明を
続け、第３図の波形図をも参照して、インバータ２２の
基本的な動作を説明する。

制御回路２４は、後で詳しく説明するが、マグネトロン
７０に異なる電力レベルを供給する為に使うことが出来
る。第３図の各部分（ａ）乃至（ｆ）は低電力の２０％
動作に対するものであり、部分（ｇ）乃至（１）はマグ
ネトロンの高電力の１００％動作に対するものである。

最初に低電力動作を考えると、制御回路２４が第３図の
部分（ａ）に示すゲート・パルスを発生し、このゲート
・パルスが第２図の制御回路２４の出力Ａに現れる。ゲ
ート・パルスがトランジスタ′φスイッチ４６Ｓをター
ンオンし、又は閉じ、１次側５２及び２次側５４Ｓを介
してスイッチ４６Ｔを閉じる。制御回路２４が、パルス
の幅を制御することにより、マグネトロン７０に供給さ
れ、る電力を制御する。第３図の部分（ａ）では、パル
スの幅は５マイクロ秒である。パルスの周波数は一定で
あり、ゲート・パルスＡが、４０マイクロ秒毎に開始す
る一連の第１の期間の間、反復的に発生される。第１の
期間と入り混じって、一連のゲート・パルスＢ（見易く
する為に、部分（ｂ）に１つだけ示す）が、制御回路２
４の出力Ｂに発生される。ゲート・パルスＢがスイッチ
４６Ｆ。

４６Ｒを閉じる。第３図の部分（ｃ）に示す様に、対の
スイッチ（４６Ｓと４６Ｔを一緒に、そして４６Ｆと４
６Ｒを一緒に）を交互に閉じることにより、電力変圧器
２６の１次側６０には、交互の方向に（ビーク１６５ボ
ルトまでの）バルク直流が印加される。１次側６０の電
流が第３図の部分（ｄ）に示されており、２次側６４の
電圧が部分（ｅ）に示されている。この結果生ずる約８
００ｍＡのマグネトロン電流が第３図の部分（ｆ）に示
されている。

第３図の部分（ｇ）乃至ＣＩ！＞に示す回路の動作は、
ゲート・パルスＡ及びＢの幅が一層大きく、それによっ
て関連する全てのパルス波形で幅が増加することを別と
すると、第３図の部分（ａ）乃至（ｆ）と路間−である
。これは、８００ｍＡの電流が、第３図の部分１）に示
す様に、マグネトロンに印加される時間が一層長いこと
に対応する。

従って、大電力動作の時は平均２７０ｍＡが印加され、
低電力動作の時は、平均は伜か５（１ｍＡである。

第３図の部分（ｇ）乃至（Ｉりで示した大電力動作の時
でも、出力Ａ又は出力Ｂの１つのゲート−パルスの終り
と、他方の出力のゲート・パルスの初めとの間に短い不
感帯がなければならないことに注意されたい。この「不
感帯」が存在することが、第３図の部分（ｉ）に示され
ている。この不感帯が、ゲート・パルスＢの終りからゲ
ート・パルスＡの初めまでの遅延を表わす。典型的には
、この遅延は２６５マイクロ秒であることがあり、ゲー
ト・パルスＡの終りとゲート・パルスＢの初めとの間の
対応する遅延をも考慮に入れると、合計の不感帯は５マ
イクロ秒になる。

制御回路の詳細 線路の調整及び出力電力の制御が制御回路２４によって
行なわれる。この回路はマグネトロン電流を感知し、こ
の電流情報を閉ループ・フィードバック方式で使って、
インバータ２２に印加される制御信号のパルス幅を制御
する。制御回路２４は、第４図に詳しく示しであるが、
パルス幅変調回路として作用する。見昌くする為、第２
図には、第４図に詳しく示したある部品が示されていな
い。

制御回路２４は、シリコン・ゼネラル社によって製造さ
れるパルス幅変調器集積回路である５Ｇ３５２６Ｊの様
な適当な駆動発生器チップ２４Ｃを有する。タイミング
・コンデンサ７６及びタイミング抵抗７８を使うことに
よって、パルス繰返し速度が設定される。好ましい実施
例では、これは２０ｋｌｌｚである。これらの部品は０
．００５マイクロフアラツド及び７．５キロオームの様
な値を持っていてよい。不感帯を設定する抵抗８０は例
えば９オームの値を持っていてよい。典型的には１００
マイクロフアラツドの値を持っていてよいが、緩始動コ
ンデンサ８２を使って、始動から動作時のパルス幅に達
するまでの直線的な遅延時間を作る。

制御回路２４が待機状態にある時（即ち、ゲート・パル
スを発生していない時）、休止電流は、１５ボルトの電
圧で約１２ａ＋Ａである。休止電流がバルク直流レール
４２に接続された制限抵抗８４を介して供給され、平滑
コンデンサ８６により、交流線路からリップルを除く様
に平滑される。コンデンサ８６と並列に１５ボルトのツ
ェナー（図面に示してない）を入れることにより、調整
作用を改善することが出来る。ゲート・パルスを発生す
る時、制御回路に対する一層大きな動作電流が電力変圧
器２６の低圧巻線７４（第４図には巻線７４だけを示す
）から供給される。この動作電流がダイオード８８によ
って整流され、コンデンサ８６によって＞Ｐ波される。

３３オームの値を持っていてよいが、限流抵抗９０を使
って、制御回路チップ２４ｃの共通コレクタに対する電
圧を供給する。

線路の調整及び出力電力の制御は、マグネトロン電流を
感知し、この信号を使って、制御回路２４によって発生
される制御信号のパルス幅を制御することによって行な
われる。制御回路チップ２４Ｃの内部に誤差増幅器１０
６を用いて、パルス幅の比例制御を行なう。

トロイダル形変成器９４がマグネトロン電流を感知する
変流器として作用する。この変成器の２次巻線は２０タ
ーンであり、変成器９４の１次側は１ターンであって、
適当に変成した電流を発生する。この変成電流が可変電
力制御抵抗９８と直列の抵抗９６の両端に電圧を発生し
、それをダイオード１００で整流して、抵抗９６及びダ
イオード１００の共通の節に信号を発生する。この信号
は、可変電力制御抵抗９８の所定の設定値に対して、マ
グネトロン電流に比例する。可変電力制御抵抗９８は、
マグネトロンの所望の出力電力を選択する為に、ユーザ
によって調節される。この比例電圧信号がダイオード１
０２を介して、制御チップ２４Ｃ内にあるトランスコン
ダクタンス増幅器１０６の十入力信号に印加される。信
号接地線４４は、ブリッジ整流器１８Ｒ（１８Ｒは第２
図だけに示す）内にあるダイオードの順方向導電特性の
為に、大地９２に対してｌ甲いている。従って、マグネ
トロン７０の線路に接地された節と信号の大地又はイン
バータの入力線４４との間に隔離が必要である。変成器
７４がこの所要の隔離をも行なう。

パルス幅変調形制御回路チップ２４Ｃの内部の構成によ
り、誤差増幅器１０Ｂによって決定された入力の誤差に
比例するパルス幅を持つ出力信号が発生される。通常の
動作中、パルス幅は抵抗９６及び９８の両端の電圧によ
って決定される。この電圧がマグネトロン電流によって
決定される。

フィードバック動作を説明するには例を使うのが役立つ
と思われる。最初に入力の調整を取上げる。

パルス幅変調器チップ２４Ｃが７５％のデユーティ・サ
イクルに対応するパルス幅を発生する状態で、１１０ボ
ルトの低い線路電圧から、７００ワツトと云うマグネト
ロンの一杯の電力出力を発生する様に回路の定数が設定
されている場合、線路電圧が上昇すると、マグネトロン
電流も増加し、誤差増幅器１０６に対する入力の誤差が
増加する。

この入力誤差の増加により、パルス幅が減少し、マグネ
トロン電流が設定点に回復する。電力制御では、可変電
力調節抵抗９８をユーザが調節することにより、抵抗９
６及び９８の両端の電圧、従って増幅８１０６に対する
十人力が変化する。これがインバータ２２に対する制御
信号のパルス幅を変え、それによってマグネトロンに印
加される電力が変えられる。

増幅器１０６は、スイッチ４６Ｆ、４６Ｒ，４６Ｓ、４
６Ｔを通る過大なピーク電流に対する保護作用の為にも
使われる。この目的の為、電流感知抵抗５６を使って、
スイッチング電流の大きさを感知する。抵抗５６の両端
に発生する電圧をダイオード１０４を介して誤差増幅器
１０６の十人力に結合する。ダイオード１０４，１０２
が論理オアの形に構成されていて、マグネトロン電流の
制御と、インバータ回路２２のスイッチング電流の制限
との両方の為に、増幅器１０６を使うことが出来る様に
する。

トランスコンダクタンス又は誤差増幅器１０６の利得及
び位相制御が、コンデンサ１０８及び抵抗１１０で構成
された外部周波数補償回路によって定められる。１例と
して、１００ｐＦのコンデンサ１０８及び５キロオーム
の抵抗１１０を使うと、４００Ｈｚの所に極を置くこと
により、利得１の安定性が得られる様な補償が行なわれ
る。

パルス幅変調器制御回路チップ２４Ｃの始動及び停止動
作は、信号接地線４４に対して運転停止（ＳＤ）入力を
接続し、又は切離すリレー接点１１２の制御によって行
なわれる。

プローブの隔離 第４図に示す様に、制御チップ２４Ｃと共に温度プロー
ブ１１４を使うことが出来る。特に、温度プローブ１１
４は温度依存性の抵抗素子１１６を持ち、その片側が線
路の大地９２に接続されている。従って、温度プローブ
１１４と制御回路チップ２４Ｃの浮いている信号の大地
４４との間には電気的な隔離が必要である。トロイド形
変成器、１１８を使って必要な隔離を行なう。ＢＮＣ又
はその他のコレクタ（図面に示してない）を使って、プ
ローブ１１４と変成器１８の間の接続を取付け、取外す
ことが出来る。温度プローブ１１４はチップ２４ＣのＢ
に出るパルスによって駆動することが出来る。このパル
スが抵抗１２０を介して変成器１１８の１次側に印加さ
れる。更に、この出力パルスが、抵抗１２２，１２４及
び可変抵抗１２６を持つ温度設定点抵抗回路に供給され
る。抵抗１２０及び変成器１１８の１次側の間の共通の
節が、チップ２４Ｃの内部にある比較器増幅器１２８に
対する正の入力として使われる。この組込みの比較器増
幅器１２８は、それが作動された時、Ａ及びＢの出力制
御ゲート・パルスを禁止し、こうしてインバータ２２の
動作を停止する。温度が高くなるにつれて、索子１１６
の抵抗値が減少し、これによって隔離変成器１１８の１
次側に−層多くの電流が流れる。この電流変化が、感知
抵抗１２０の両端の電圧変化とし感知される。抵抗１２
２．１２４，１２６によって定められた電圧で決まる設
定点に等しくなった時、この温度依存性の電圧が比較器
増幅器１２８を不作動にし、インバータを動作停止モー
ドにする。従って、素子１１６で感知した；Ｒ度が、可
変抵抗１２６の設定によって定められる予め決めた温度
に達した時、マイクロ波エネルギがターンオフになる。

フライング・コンデンサの隔離駆動 次に第２図及び第５Ａ図について、１次巻線５２及び２
次巻線５４Ｆ、５４Ｓ　（第２図）の隔離駆動回路の代
案を説明する。第２図の実施例に示す様に、隔離変成器
を隔離駆動回路として使う代りに、第５Ａ図は、フライ
ング・コンデンサ隔離駆動回路１５２を介しＣ，Ｉ＝側
のトランジスタ４６Ｆを作動する様にするには、制御回
路２４をどの様に接続すればよいかを示している。実際
には、隔離駆動回路はフライング・コンデンサ駆動回路
１５２を２つ持っており、制御回路２４のＢ出力とトラ
ンジスタ４６Ｔのゲート（第２図）の間に同じ様な回路
１５２が接続されることは容易に理解されよう。

フライング・コンデンサ駆動回路１５２は、ＭＯＳＦＥ
Ｔ　　４６Ｆの様な電力用ＦＥＴは電圧駆動であって、
オン状態の時のゲート７Ｉｌｆ流が無視し得ることを基
本としている。従って、駆動回路１５２がコンデンサ１
５４を使って駆動電圧を貯蔵する。コンデンサ１５４は
、ＦＥＴスイッチ４６Ｆのソース電位及びスイッチ４６
Ｓのドレインで浮いている。

、トランジスタ４６Ｓがターンオンになると（Ｂ出力が
ゲート・パルスを発生すると）、コンデンサ１５４が、
抵抗１５６及びダイオード１５８を介して１５ボルトに
充電される。スイッチ４６Ｓのターンオフ又は開路と短
い不感帯（制御チップ２４は前に述べたのと同じ様に動
作する）の後、制御チップが出力Ａにパルスを発生する
。このゲート・パルスがスイッチ４６Ｒをターンオンす
ると共に、抵抗１６０を介して、高圧電流シンク１６２
の電流の流れを開始する。シンク１６２に対する電流の
流れが、それまでは不作動であったゲート１６４を作動
する。この時、ゲート１６４の出力が、相補形スイッチ
１６６．１６８及び関連する抵抗１７０，１７２を介し
て、スイッチ４６Ｆを速やかにターンオンする。抵抗１
７４及びダイオード１７６がゲート１６４の一方の入力
に接続され、適当な入力信号を供給する。

パルス幅変調器（ＰＷＭ）制御回路２４の出力Ａのパル
スが中断すると、ゲート１６４の下側入力が変わる。ゲ
ート１６４の出力により、トランジスタ４６Ｆのゲート
・ソース間駆動電圧が略ゼロに減少しくトランジスタ・
スイッチ１６８が導電する）、こうしてスイッチ４６Ｆ
をターンオフする。

電流シンク１６２に対する適当な回路の１例は、第５Ｂ
図に示す様な単純な電流シンクであってよい。この図で
は、トランジスタ２５０を使って、１５ボルトの接続を
必要としない場合、トランジスタ２５２，２５４によっ
て形成された電流ミラーをターンオンする。この他の電
流シンク回路を同様に使うことが出来ることは云うまで
もない。

フィラメント電力の補償 オーブン用マグネトロンに対する従来のＬＣ電源装置で
は、マグネトロンのフィラメント巻線が高圧巻線と同じ
鉄心に巻かれている。従って、ＬＣ電源の変圧器の１次
側が付勢された時に、フィラメント巻線が付勢され、１
次側か脱勢された時にフィラメント巻線が脱勢される。

従って、フィラメントは、デユーティ・サイクルのオフ
期間の間、冷めることがある。この期間は、普通の６０
Ｈｚ電源回路では、持続時間が１５乃至３０秒程度にな
ることがある。冷陰極で始動する時、−杯の動作温度ま
で陰極を高める為には、大体３秒が必要である。この期
間中、マグネトロンは正しくないモードで振動したり、
或いは外れたモードに飛込んだり、飛出したりすること
があり、冷陰極で始動する時は特にそうである。マグネ
トロンが的外れのモードに飛込んだり、飛出す時、振動
が止む場合が多（、普通、これによって非常に高い電圧
の過渡状態（典型的には１２乃至１４キロボルト）が発
生する。

この発明の装置は、デユーティ・サイクル制御装置に典
型的な長くなる可能性のあるオフ期間を避ける。即ち、
マグネトロンの陰極は殆んど一定の温度にと譬まり、こ
れがマグネトロン管の寿命を改善すると共に、高圧の過
渡状態が周期的に発生されると云う問題をなくす。

従来普通に使われていた方式は、電力用変圧器と並列に
別個のフィラメント用変圧器を用い、（線路の変動によ
るフィラメント電圧の変化を別として）一定のフィラメ
ント電圧を供給するものであった。この方式をこの発明
のインバータ回路に用いることが出来る。然し、図示の
実施例では、電力変圧器の低圧の２次巻線がフィラメン
ト電圧を供給する。この装置では、フィラメント巻線７
２（第２図）は、前に第３図について説明した様に、マ
グネトロンの電力を調節する為にパルス幅を変える時、
マグネトロン７０のフィラメントの電力を変化させるこ
とがある。

第６図は、パルス幅を変えた時に普通起る様な変化が起
らない様に、フィラメントを調整する１実施例の装置を
示す。電力変圧器２６の１次巻線６０が、第２図と同じ
様に、インバータの出力線４８．５０に接続される。マ
グネトロン・フィラメント調整回路が電力変圧器回路の
２次側に追加され、所望のフィラメントの調整作用をす
る。第２図の別の２次巻線７４が、第６図では、見易く
する為に、省略されていることに注意されたい。

第６図では、コンデンサ１８２及びダイオード１８４が
、第２図のコンデンサ６８及びダイオード６６と略同じ
形で、半波倍電圧整流をするのに役立つことが容易に理
解されよう。制御巻線１８８と２つの被制御巻線１９０
．１９２を有する小さな可飽和鉄心リアクトル１８６の
形をした被制御可変インピーダンス手段が、主たる電力
変圧器２６の低圧フィラメント用２次巻線７２とマグネ
トロンのフィラメントの間のフィラメント電力回路に作
動的に接続され、フィラメント電力を安定化する。可変
インピーダンス手段のインピーダンスが、電力変圧器の
１次巻線に供給される電力の変化を感知する感知手段に
よって発生された制御信号に応答して変化する。

リアクトル１８６の鉄心は２つの外側磁路及び中心磁路
を有する。被制御巻線１９０．１９２が夫々外側磁路に
反対向きに巻装されている。制御巻線１８８が内側磁路
に巻装されている。実施例の回路に使うには、制御巻線
に電流がない時の約１５０マイクロヘンリから、制御巻
線の電流が約６０ミリアンペアである時の約５０マイク
ロヘンリまで、３：１の制御比で変化する被制御巻線の
インダクタンスを持つリアクトルが適している。

（フィラメントは主に抵抗負荷であり、電流の制御によ
って電圧も制御される。） 実施例で変換器２６の１次側６０に印加される電力の変
化を感知する感知手段が、ダイオード１８４の陰極とマ
グネトロンの陽極の大地９２の間に直列に接続された感
知抵抗１９４として設けられている。ダイオード１９６
．１９８が、コンデンサ１８２に対する充電電流及び放
電電流の電流通路を抵抗１９４を介して作る様に接続さ
れている。ダイオード１８４と抵抗１９４の間の接続点
の電圧が、マグネトロン電流に比例し、この電流が１次
側６０に印加された電力の直接的な関数である。従って
、ダイオード１８４及び抵抗１９４の接続点には、１次
側６０に印加された電力を表わす電圧が発生される。こ
の電圧がリアクトル１８６に対する制御電圧として作用
する。リアクトル１８６の制御巻線１８８の制御端子と
呼ぶ片側が、ダイオード１８４及び抵抗１９４の接続点
に接続される。反対側が基準供給電圧回路２００に接続
される。基準供給回路２０．０が電力変圧器２６の低圧
２次巻線２０２によって付勢される。２次巻線２０２の
両端に接続された両波整流回路が、２０６の所に脈動直
流電圧を発生し、これがフィルタ・コンデンサ２０７に
よってろ波される。この電圧が限流抵抗２１０を介して
ツェナー・ダイオード２θ８の片側に接続される。ツェ
ナー・ダイオード２０８の反対側がツェナー電圧に接続
され、こうして、制御巻線１８８の反対側に印加される
略一定の基準電圧を供給する。

この構成によると、被制御巻線１９０．．１９２のイン
ダクタンスを決定する、制御巻線１８８の両端の電圧は
、ダイオード１８４及び感知抵抗１９４の接続点に於け
る制御電圧と２１２に示した基準電圧との間の差である
。抵抗１９４の数値及びツェナー電圧レベルは、２１２
に示す制御電圧を、マグネトロンの所望の電流範囲にわ
たって、基ケミ圧を越えない値の範囲に制限するｔ、ｌ
に選ばれる。巻線１８８の制御端子に印加される電圧が
常に基僧電圧より小さいか或いはそれに等しく、それが
マグネトロン電流と共に直接的に変化するから、制御巻
線１８８の両端の電圧、従って巻線１８８を通る電流が
マグネトロン電流に反比例する。

第３図について述べた様に、１次巻線６０に印加される
電力が、インバータ回路２２（第２図）から１次側に印
加されるパルスのパルス幅を変えることによって変えら
れる。パルス幅が増加すると、マグネトロン電流が増加
する。マグネトロン電流が増加すると、抵抗１９４及び
ダイオード１８４の接続点の電圧が比例して増加する。

これが制御巻線１８８の両端の電圧の差を減少し、マグ
ネトロンのフィラメントと直列の被制御巻線１９０．１
９２のインピーダンスを比例的に増加し、こうしてフィ
ラメント電流を減少する。フィラメントは実質的に抵抗
素子であるから、電流の減少により、フィラメント電力
が比例的に減少する。

同様に、１次側に印加されるパルスの幅を減少すること
等により、１次側に印加される電力を減少すれば、マグ
ネトロン電流が減少する。制御電圧が比例的に減少し、
制御巻線１８８の両端の電圧の差を増加する。制御巻線
のこの電圧増加により、波制御巻線１９０，１９２のイ
ンピーダンスが下がり、こうしてフィラメントに印加さ
れる電力を増加する。この様に用いる時、リアクトル１
８６の特性が、他の場合には、１次側６０に加えられる
パルス幅を変えた時に起る様な変化が起らない様に、フ
ィラメント電圧を安定化する助けになる。

回路の物理的な配置 第７図はマイクロ波オーブンの内側に両波ブリッジ・イ
ンバータを用いた典型的な集成体を示す。

印刷配線板２１６が、４つの半導体スイッチ４６Ｆ、４
６Ｓ、４６Ｔ、４６Ｒを含む電子的な切換え部品を含む
。スイッチング・トランジスタ、パルス幅変調器回路チ
ップ及び関連する制御部品に付設される放熱部、インバ
ータの入力フィルタ・コンデンサ、ゲート隔離駆動変成
器及び電力リレーは、第１０図に特別に示してはないが
、これらも配線板２１６の上に取付けられる。

スイッチング・トランジスタの動作温度を可能な最低レ
ベルに下げる為に、トランジスタの放熱部は位置を互い
違いにし、マグネトロンの冷却用送風機２１８の通気内
に配置することによって、強制空冷する。マイクロ波オ
ーブンの高圧室２２０が、第１０図には、配線板２１６
の上にあるブロックとして単に示した熱放射面全部にわ
たって、強制空気冷却を案内する。強制空気の一部分が
、電力変圧器２６に送られる。図示の様に、電力変圧器
２６は、漂遊インダクタンスを少なくする為に、印刷配
線！２２１６に接近して位置ぎめする。

第８図、第９図及び第１０図は、第７図の装置に使うこ
とが出来る放熱部２１９の詳細図である。

この放熱部は、スイッチングφトランジスタに対する適
正な動作状態を作る為に使われる。特定のスイッチング
・トランジスタに対する最大の場合の温度が、チップの
幾何学的な中心に現れるから、この熱を逃すことが重要
である。トランジスタがオン及びオフにサイクル動作を
する時の温度変動を防ぐ為に、十分な熱容量を持たせる
ことも必要である。Ｔｏ　　２２０パツケージ取付はケ
ース板２２０が、それから一連の冷却ひれ２２４が伸び
出している主な熱通路２２２と熱的に接触する。

種々の具体的な回路の数値、構成及びその他の細部を説
明したが、これらは例示に過ぎないことを承知されたい
。当業者には、種々の変更が容易に考えられよう。従っ
て、特許請求の範囲は、この発明の範囲内に属するこの
様な全ての変更を包括するものであることを承知された
い。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の装置の機能的なブロック図、第２図
はこの発明の装置の略図、 第３図はこの発明の装置の異なる部分によって発生され
る波形の時間線図、 第４図はこの発明の装置に使われる制御回路の詳しい回
路図、 第５Ａ図は第４図の隔離変成器の代りに使うことが出来
る隔離駆動回路の回路図、 第５Ｂ図は第５Ａ図の駆動回路に使うことが出来る電流
シンク回路の回路図、 第６図はフィラメント電圧を調整する装置の回路図、 第７図はこの発明に用いることが出来る配置を示す略図
、 第８図、第９図及び第１０図は放熱部の正面図、側面図
及び断面図である。 主な符号の説明 ２２：インバータ／駆動器 ２４：制御回路 ２６：電力変圧器 ３２：マグネトロン ４２．４４：入力線 ４６　：　ＦＥＴ ４ｇ、５０；出力線 ６０：１次巻線 ６４：２次巻線

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、調理用マイクロ波エネルギを発生する様に作用し得
   るマグネトロンと、 １次巻線、及び前記マグネトロンに給電する様に接続さ
   れたマグネトロン給電用２次巻線を持つ電力変圧器と、 第１及び第２の入力線、並びに第１及び第２の出力線を
   持ち、第１の出力線が前記１次巻線の第１の端に接続さ
   れ、第２の出力線が前記１次巻線の第２の端に接続され
   、更に第１、第２、第３及び第４の半導体スイッチを持
   っていて、各々の半導体スイッチが入力端子、出力端子
   及び制御端子を持ち、各々の制御端子が関連する半導体
   スイッチを開閉する様に作用し得る両波ブリッジ・イン
   バータ回路とを有し、該インバータ回路は更に全ての半
   導体スイッチをその制御端子によって制御する制御回路
   を持っていて、 一連の第１の期間の間、 前記第１の半導体スイッチが閉じて前記第１の入力線を
   前記第２の出力線に作動的に接続すると共に、前記第４
   の半導体スイッチが閉じて前記第２の入力線を前記第１
   の出力線に作動的に接続する様に作用し得ると共に、前
   記第２及び第３の半導体スイッチが開いていて、前記第
   １及び第４の半導体スイッチが閉じたことにより、前記
   １次巻線に第１の方向に電流が流れる様にし、 前記第１の期間と交互する一連の第２の期間の間、 前記第２の半導体スイッチが閉じて前記第２の入力線を
   前記第２の出力線に作動的に接続すると共に、前記第３
   の半導体スイッチが閉じて前記第１の入力線を前記第１
   の出力線に作動的に接続する様に作用し得るとと共に、
   前記第１及び第４の半導体スイッチが開いていて、前記
   第２及び第３の半導体スイッチが閉じることによって、
   前記１次巻線に、前記第１の方向とは反対の第２の方向
   に電流が流れる様になっており、 前記第１及び第２の半導体スイッチは前記第１の入力線
   及び前記第２の入力線の間に直列に入っており、前記第
   ３及び第４の半導体スイッチは前記第１の入力線及び第
   ２の入力線の間に直列に入っており、前記制御回路が、
   前記マグネトロンの電流を表わす制御入力信号を受取り
   、該制御回路は、前記制御入力信号に応じた時刻に前記
   半導体スイッチの対を開状態に切換える様に作用し得る
   マイクロ波エネルギ発生装置。 ２、各々の半導体スイッチと並列にダイオードを有する
   請求項１記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 ３、交流入力線を持っていて、前記インバータ回路の第
   １及び第２の入力線に、動作中の最低電圧と、前記入力
   線の交流によって生ずる、前記最低電圧と少なくとも同
   じ大きさのリップルとを持つ直流を印加する様に作用し
   得るブリッジ整流器を有する請求項１記載のマイクロ波
   エネルギ発生装置。 ４、前記第１及び第３の半導体スイッチの制御端子が前
   記第２及び第４の半導体スイッチに対して浮いており、
   更に隔離駆動回路を有し、前記制御回路は該隔離駆動回
   路を介して前記第１及び第３の半導体スイッチを制御し
   て、前記第１及び第３の半導体スイッチの制御端子に信
   号を印加する様に作用し得る請求項３記載のマイクロ波
   エネルギ発生装置。 ５、前記変圧器が前記マグネトロンのフィラメントに接
   続されたフィラメント給電用２次巻線を有する請求項３
   記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 ６、前記制御回路が、前記１次巻線の電流の周波数が２
   ０，０００Ｈｚより高くなる様に、２０，０００Ｈｚよ
   り高い周波数で前記半導体スイッチを切換えるゲート・
   パルスを発生する請求項１記載のマイクロ波エネルギ発
   生装置。 ７、前記制御回路がパルス幅変調器を有する請求項６記
   載のマイクロ波エネルギ発生装置。 ８、前記制御回路が、前記制御入力信号に応じた期間の
   間、前記半導体スイッチの対を閉じる様に作用し得る請
   求項７記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 ９、前記制御回路が電力調節用の可変抵抗を持っていて
   、前記制御入力信号が該電力調節用の可変抵抗の設定値
   に依存する請求項８記載のマイクロ波エネルギ発生装置
   。 １０、各々の半導体スイッチがＦＥＴであり、前記１次
   巻線が前記電力巻線の唯一の１次巻線である請求項１記
   載のマイクロ波エネルギ発生装置。 １１、調理用マイクロ波エネルギを発生する様に作用し
   得るマグネトロンと、 １次巻線、及び前記マグネトロンに給電する様に接続さ
   れたマグネトロン給電用２次巻線を持つ電力変圧器と、 第１及び第２の入力線並びに第１及び第２の出力線を持
   つ両波ブリッジ・インバータ回路とを有し、前記第１の
   出力線は前記１次巻線の第１の端に接続され、前記第２
   の出力線は前記１次巻線の第２の端に接続され、前記イ
   ンバータ回路が第１、第２、第３及び第４のスイッチを
   持ち、各々のスイッチは入力端子、出力端子及び制御端
   子を持ち、各々の制御端子が関連するスイッチを開閉す
   る様に作用することが出来、更にインバータ回路が全て
   のスイッチをその制御端子を通じて制御する制御回路を
   持っていて、 一連の第１の期間の間、 前記第１のスイッチが閉じて前記第１の入力線を前記第
   ２の出力線に作動的に接続すると共に、前記第４のスイ
   ッチが閉じて前記第２の入力線を前記第１の出力線に作
   動的に接続し、更に前記第２及び第３のスイッチが開い
   ており、前記第１及び第４のスイッチが閉じることによ
   って前記１次巻線に第１の方向に電流が流れる様にし、 前記第１の期間と交互する一連の第２の期間の間、 前記第２のスイッチが閉じて前記第２の入力線を前記第
   ２の出力線に作動的に接続すると共に、前記第３のスイ
   ッチが閉じて前記第１の入力線を前記第１の出力線に接
   続し、前記第１及び第４のスイッチは開いており、前記
   第２及び第３のスイッチが閉じることによって、前記１
   次巻線に、前記第１の方向とは反対の第２の方向に電流
   が流れる様にし、 前記第１及び第２のスイッチは前記第１の入力線及び前
   記第２の入力線の間に直列に入っており、前記第３及び
   第４のスイッチは前記第１の入力線及び前記第２の入力
   線の間に直列に入っており、前記第１及び第３のスイッ
   チの制御端子が前記第２及び第４のスイッチに対して浮
   いており、更に隔離駆動回路を有し、前記制御回路は、
   該隔離駆動回路が前記第１及び第３のスイッチの制御端
   子に信号を印加することによって、前記第１及び第３の
   スイッチを制御する様に作用し得るマイクロ波エネルギ
   発生装置。 １２、前記隔離駆動回路が、前記制御回路に接続された
   １次巻線及び２つの２次巻線を持つ隔離変圧器を有し、
   該隔離変圧器の各々の２次巻線が前記第１及び第３のス
   イッチの対応する１つの制御端子に接続されている請求
   項１１記載のマイクロ波エネルギ発生装置。１３、前記
   隔離駆動回路が前記第２のスイッチが閉じた時に充電さ
   れる第１のコンデンサを持ち、該第１のコンデンサの電
   荷が制御回路に応答して前記第１のスイッチを閉じ、前
   記隔離駆動回路が前記第４のスイッチが閉じる時に充電
   する第２のコンデンサを持ち、該第２のコンデンサの電
   荷が前記制御回路に応答して前記第３のスイッチを閉じ
   る請求項１１記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 １４、前記制御回路がパルス幅変調器を含む請求項１１
   記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 １５、前記制御回路がマグネトロンの電流を表わす制御
   入力信号を受取り、前記制御回路が、前記制御入力信号
   が予定のレベルに達した時に、対のスイッチを開状態に
   切換える様に作用することが出来、各々のスイッチが半
   導体スイッチである請求項１４記載のマイクロ波エネル
   ギ発生装置。 １６、調理用マイクロ波エネルギを発生する様に作用し
   得るマグネトロンと、 １次巻線、及び前記マグネトロンに給電する様に接続さ
   れたマグネトロン給電用２次巻線を持つ電力変圧器と、 第１及び第２の入力線並びに第１及び第２の出力線を持
   つ両波ブリッジ・インバータ回路とを有し、前記第１の
   出力線が前記１次巻線の第１の端に接続され、前記第２
   の出力線が前記１次巻線の第２の端に接続され、前記イ
   ンバータ回路が第１、第２、第３及び第４のスイッチを
   持ち、各々のスイッチは入力端子、出力端子及び制御端
   子を持ち、各々の制御端子は関連したスイッチを開閉す
   る様に作用することが出来、更に前記インバータ回路が
   全てのスイッチをその制御端子によって制御する制御回
   路を持っていて、 一連の第１の期間の間、 前記第１のスイッチが閉じて前記第１の入力線を前記第
   ２の出力線に作動的に接続すると共に、前記第４のスイ
   ッチが閉じて前記第２の入力線を前記第１の出力線に作
   動的に接続し、前記第２及び第３のスイッチが開いてお
   り、前記第１及び第４のスイッチが閉じることによって
   前記１次巻線に第１の方向に電流が流れる様にし、 前記第１の期間と交互する一連の第２の期間の間、 前記第２のスイッチが閉じて前記第２の入力線を前記第
   ２の出力線に作動的に接続すると共に前記第３のスイッ
   チが閉じて前記第１の入力線を前記第１の出力線に作動
   的に接続し、前記第１及び第４のスイッチが開いており
   、前記第２及び第３のスイッチが閉じたことによって前
   記１次巻線に、前記第１の方向とは反対の第２の方向に
   電流が流れる様にし、前記第１及び第２のスイッチが前
   記第１の入力線及び前記第２の入力線の間に直列に入っ
   ており、前記第３及び第４のスイッチが前記第１の入力
   線及び前記第２の入力線の間に直列に入っており、前記
   制御回路が前記マグネトロンの電流を表わす制御信号を
   受取り、該制御回路は制御入力信号に応じた時刻に、対
   のスイッチを開状態に切換える様に作用し得るマイクロ
   波エネルギ発生装置。 １７、前記制御回路が電力調節用の可変抵抗を持ち、前
   記制御入力信号が該電力調節用の可変抵抗の設定値に関
   係する請求項１６記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 １８、前記制御回路がパルス幅変調器を含む請求項１６
   記載のマイクロ波エネルギ発生装置。 １９、前記制御回路が、前記第１及び第２の期間の長さ
   を変えることによって、前記マグネトロンの電力を変え
   る様に調節し得る電力調節器を有する請求項１８記載の
   マイクロ波エネルギ発生装置。 ２０、前記第１及び第３のスイッチの制御端子が前記第
   ２及び第４のスイッチに対して浮いており、更に隔離駆
   動回路を有し、前記制御回路は、前記隔離駆動回路が前
   記第１及び第３のスイッチの制御端子に信号を印加する
   ことによって、前記第１及び第３のスイッチを制御する
   様に作用することが出来、各々のスイッチが半導体スイ
   ッチである請求項１６記載のマイクロ波エネルギ発生装
   置。