JPH01228131A - レジスト現像装置 - Google Patents
レジスト現像装置Info
- Publication number
- JPH01228131A JPH01228131A JP5560088A JP5560088A JPH01228131A JP H01228131 A JPH01228131 A JP H01228131A JP 5560088 A JP5560088 A JP 5560088A JP 5560088 A JP5560088 A JP 5560088A JP H01228131 A JPH01228131 A JP H01228131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- temperature
- developer
- resist
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体等ホトリソグラフィにおけるレジストの
現像装置に関する。
現像装置に関する。
レジストを塗布した基板として半導体の製造に用いるマ
スクを挙げることができる。
スクを挙げることができる。
レジストには、例えばＥＢＲ−９（東し株式会社の商品
名）が用いられ、基板にレジストを塗布した後電子線描
画装置によってパターンが作成される．この電子線によ
って露光されたパターンに現像液、例えばメチルイソブ
チルケトンを基板にスプレして現像する。メチルイソブ
チルケトンは有機溶剤なので３分間連続してスプレした
時、その気化熱によりノズルの温度は３〜５℃低下する
。
名）が用いられ、基板にレジストを塗布した後電子線描
画装置によってパターンが作成される．この電子線によ
って露光されたパターンに現像液、例えばメチルイソブ
チルケトンを基板にスプレして現像する。メチルイソブ
チルケトンは有機溶剤なので３分間連続してスプレした
時、その気化熱によりノズルの温度は３〜５℃低下する
。
ｆＪ！像液の温度が３℃下がると現像速度は約３０％遅
くなる。
くなる。
従って、マスクの現像処理を多数枚連続して行うとノズ
ルの温度が徐々に低下してくるので、始めのマスクと終
わりのマスクでは線幅寸法の差が発生するという問題が
ある。
ルの温度が徐々に低下してくるので、始めのマスクと終
わりのマスクでは線幅寸法の差が発生するという問題が
ある。
第１図はマスクの現像処理を連続して行った時のノズル
温度の測定結果である。
温度の測定結果である。
横軸はマスクの現像枚数であり、約５枚の処理をすると
ノズルはほぼ一定温度になる。
ノズルはほぼ一定温度になる。
従って、従来の現像装置ではダミマスクに対し現像液を
スプレしてノズルの温度を一定にした後、製品マスクの
現像を行うという方法がとられているが、この方法は現
像液を無駄に消費し、かつ、待ち時間が長くなるという
欠陥がある。
スプレしてノズルの温度を一定にした後、製品マスクの
現像を行うという方法がとられているが、この方法は現
像液を無駄に消費し、かつ、待ち時間が長くなるという
欠陥がある。
さらに、現像処理が終わってから次に始めるまでの時間
が変化した時、ノズル温度の回復の仕方が異なるので線
幅寸法の変化になるという欠陥がある。
が変化した時、ノズル温度の回復の仕方が異なるので線
幅寸法の変化になるという欠陥がある。
また、ノズルを恒温水等を用いて常に一定の温度にする
という装置もあるが、有機溶剤の気化熱が極わめて大き
いめで、一定温度にするには時間遅れが発生し、それが
線幅寸法の差を発生する原因になるという欠陥がある。
という装置もあるが、有機溶剤の気化熱が極わめて大き
いめで、一定温度にするには時間遅れが発生し、それが
線幅寸法の差を発生する原因になるという欠陥がある。
本発明は上記欠陥を除去した新規な発明であって、その
目的はマスク間の線幅寸法偏差の小さい精度の高いマス
クを作成することのできるレジスト現像装置を提供する
ことである。
目的はマスク間の線幅寸法偏差の小さい精度の高いマス
クを作成することのできるレジスト現像装置を提供する
ことである。
本発明のレジスト現像装置は、基板を載置するステージ
と該ステージを回転するモータと現像液を貯蔵するタン
クと現像液をスプレするノズルと該ノズルに付加した温
度測定手段とからなることを特徴とするものである。
と該ステージを回転するモータと現像液を貯蔵するタン
クと現像液をスプレするノズルと該ノズルに付加した温
度測定手段とからなることを特徴とするものである。
このようなレジスト現像装置によれば、ノズルの温度を
測定して現像することができるのでマスク間の線幅寸法
の偏差を精度高（制御できることが期待される。
測定して現像することができるのでマスク間の線幅寸法
の偏差を精度高（制御できることが期待される。
以下、本発明を図面により詳細に説明する。
第２図は本発明になる第一の実施例のレジスト現像装置
の構成図である。
の構成図である。
ステージｌに露光されたマスク２を平面状に載置しモー
タ３を低速回転、例えば１００ ｒｐｍの回転をしなが
らノズル４より加圧タンク５の現像液６例えばメチルイ
ソブチルケトンをスプレして現像する。加圧管の入力口
７には窒素が入力され、加圧タンク５は、例えばＩＫｇ
／−の圧力で加圧されている。制御装置８からの信号で
バルブ９が開となり、ノズル４から現像液が噴霧状にス
プレされる。
タ３を低速回転、例えば１００ ｒｐｍの回転をしなが
らノズル４より加圧タンク５の現像液６例えばメチルイ
ソブチルケトンをスプレして現像する。加圧管の入力口
７には窒素が入力され、加圧タンク５は、例えばＩＫｇ
／−の圧力で加圧されている。制御装置８からの信号で
バルブ９が開となり、ノズル４から現像液が噴霧状にス
プレされる。
その結果、ノズル４の温度は低下するが、ノズル４に固
着されたサーミスタ１０で測定したノズル４の温度信号
を制御装置８に入力し、その温度が制御装置８の内部に
予め設定した温度範囲にある時のみ、次の現像処理を開
始する。
着されたサーミスタ１０で測定したノズル４の温度信号
を制御装置８に入力し、その温度が制御装置８の内部に
予め設定した温度範囲にある時のみ、次の現像処理を開
始する。
第３図は本発明になる第二の実施例のレジスト現像装置
の構成図である。
の構成図である。
ステージ１、モータ３、ノズル４、加圧タンク５、バル
ブ９は第一の実施例と全く同様に動作する。サーミスタ
ｌＯで測定したノズル４の温度と基準温度設定回路１）
で設定した温度差を制御回路８゛で算出し、その温度差
に対応した比率を基準時間設定回路１２で設定した現像
時間に乗じて現像時間を決定する。
ブ９は第一の実施例と全く同様に動作する。サーミスタ
ｌＯで測定したノズル４の温度と基準温度設定回路１）
で設定した温度差を制御回路８゛で算出し、その温度差
に対応した比率を基準時間設定回路１２で設定した現像
時間に乗じて現像時間を決定する。
第４図は基準温度との温度差に対する時間比率を表す図
である。
である。
横軸はノズル４の温度と基準温度設定回路１）との温度
差、縦軸は基準時間設定回路１２と実際の現像時間との
比である。
差、縦軸は基準時間設定回路１２と実際の現像時間との
比である。
上記説明では基板の一例としてマスクを例にとり説明し
たが、本発明はこれに限定されるものではなく半導体ウ
ェハの場合でも全く同様に実現できることは明らかであ
る。
たが、本発明はこれに限定されるものではなく半導体ウ
ェハの場合でも全く同様に実現できることは明らかであ
る。
以上詳述した如く本発明の現像装置によれば、ノズルの
温度を温度測定手段で測定することにより常に一定の温
度条件で現像することが保証できるので、常に線幅偏差
の小さいマスクを作成することができる。
温度を温度測定手段で測定することにより常に一定の温
度条件で現像することが保証できるので、常に線幅偏差
の小さいマスクを作成することができる。
また、ノズルの温度により現像時間を補正することによ
り、精度の高いマスクを能率よく作成することができる
など顕著な効果を奏するものである。
り、精度の高いマスクを能率よく作成することができる
など顕著な効果を奏するものである。
第１図はマスクの現像処理を連続して行った時のノズル
温度の測定結果、第２図は本発明になる第一の実施例の
レジスト現像装置の構成図、第３図は本発明になる第二
の実施例のレジスト現像装置の構成図、第４図は基準温
度との温度差に対する時間比率を表す図である。 １・・・ステージ、２・・・露光されたマスク、３・・
・モータ、４・・・ノズル、５・・・加圧タンク、６・
・・現像液７・・・加圧管の入力口、８，８゛・・・制
御装置、９・・・バルブ、１０・・・サーミスタ、１）
・・・基準温度設定回路、１２・・・基準時間設定回路
。 特許出願人 シグマ技術工業株式会社代表者 神
１） 薫 第１図 ＄２圓
温度の測定結果、第２図は本発明になる第一の実施例の
レジスト現像装置の構成図、第３図は本発明になる第二
の実施例のレジスト現像装置の構成図、第４図は基準温
度との温度差に対する時間比率を表す図である。 １・・・ステージ、２・・・露光されたマスク、３・・
・モータ、４・・・ノズル、５・・・加圧タンク、６・
・・現像液７・・・加圧管の入力口、８，８゛・・・制
御装置、９・・・バルブ、１０・・・サーミスタ、１）
・・・基準温度設定回路、１２・・・基準時間設定回路
。 特許出願人 シグマ技術工業株式会社代表者 神
１） 薫 第１図 ＄２圓
Claims (3)
- （１）レジストを塗布した基板に電子線、Ｘ線、光を用
いて露光しパターンを作成する現像装置において、基板
を載置するステージと該ステージを回転するモータと現
像液を貯蔵するタンクと現像液をスプレするノズルと該
ノズルに付加した温度測定手段とからなることを特徴と
したレジスト現像装置。 - （２）前記ノズルの温度が規定温度範囲にある時現像処
理を開始するようになしたことを特徴とする前記特許請
求の範囲第（１）項記載のレジスト現像装置。 - （３）レジストを塗布した基板に電子線、Ｘ線、光を用
いて露光しパターンを作成する現像装置において基板を
載置するステージと該ステージを回転するモータと現像
液を貯蔵するタンクと現像液をスプレするノズルと該ノ
ズルに付加した温度測定手段と基準温度設定手段と基準
時間設定手段とからなることを特徴としたレジスト現像
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5560088A JPH01228131A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | レジスト現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5560088A JPH01228131A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | レジスト現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01228131A true JPH01228131A (ja) | 1989-09-12 |
Family
ID=13003269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5560088A Pending JPH01228131A (ja) | 1988-03-09 | 1988-03-09 | レジスト現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01228131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10127035A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Canon Inc | リニアモータおよびこれを用いたステージ装置ならびに露光装置 |
-
1988
- 1988-03-09 JP JP5560088A patent/JPH01228131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10127035A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Canon Inc | リニアモータおよびこれを用いたステージ装置ならびに露光装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69837972T2 (de) | Verfahrensregelung für photoresistente beschichtung mit solventdampfsensor | |
| US4688918A (en) | Negative type photoresist developing apparatus | |
| JP3093975B2 (ja) | レジスト剥離液管理装置 | |
| KR100560181B1 (ko) | 웨이퍼 표면상의 물질에 대한 환경 교환 제어 | |
| US5952149A (en) | Resist solution for photolithography including a base resin and an oxygen-free or low-oxygen solvent | |
| Schaper et al. | Control systems for the nanolithography process | |
| JP3162497B2 (ja) | レジストの現像装置および現像方法 | |
| JPH01228131A (ja) | レジスト現像装置 | |
| TWI816764B (zh) | 使用校準修整用劑之臨界尺寸校正方法 | |
| KR100284348B1 (ko) | 포토레지스트도포웨이퍼의저장방법및레지스트패턴의형성방법 | |
| US6566275B1 (en) | Spinner apparatus with chemical supply nozzle and methods of forming patterns and performing etching using the same | |
| JPH01157527A (ja) | フォトレジストのパターン形成方法 | |
| JPH0273356A (ja) | レジスト塗布方法及び装置 | |
| JPS62274720A (ja) | 現像装置 | |
| JPS6046553A (ja) | パタ−ン形成方法及び装置 | |
| JPH0499018A (ja) | 半導体処理装置およびレジスト処理装置 | |
| KR0139964Y1 (ko) | 스피너의 배관 시스템 | |
| JPS61147257A (ja) | 現像装置 | |
| JPS6127629A (ja) | 現像装置 | |
| JPH0425114A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPS61124589A (ja) | エツチング剤組成物 | |
| JPH03261955A (ja) | 現像方法 | |
| JPS63310117A (ja) | 半導体製造用現像装置 | |
| JP3062634U (ja) | レジストパタ―ン付き基板、フォトマスク、及び現像装置 | |
| JPH03171140A (ja) | パターン形成方法 |