JPS61147257A - 現像装置 - Google Patents
現像装置Info
- Publication number
- JPS61147257A JPS61147257A JP26923884A JP26923884A JPS61147257A JP S61147257 A JPS61147257 A JP S61147257A JP 26923884 A JP26923884 A JP 26923884A JP 26923884 A JP26923884 A JP 26923884A JP S61147257 A JPS61147257 A JP S61147257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- drive control
- developer
- gas
- control part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明は現像装置に係り、特にスプレー現像装置の加圧
タンクの圧力を自動調整し得るようにした現像装置に関
する。
タンクの圧力を自動調整し得るようにした現像装置に関
する。
（２）技術の背景
ＩＣ，ＬＳＩ等の製造工程においてホトマスクやレチク
ルが用いられ、マスクとしては一般に写真乳剤マスク、
金属薄膜マスク等が用いられ１例えば、金属薄膜マスク
としてはガラス基板上に蒸着金属としてニッケル、クロ
ム等が用いられ、その上にポジ又はネガ用のフォトレジ
ストが塗布されプレベータの後に密着焼付を行い、現像
処理が行われている。現像処理システムにおいて、現像
処理はレジストの種類によって異なリボン型はディップ
方式がネガ型はスプレ一方式が一般に用いられているが
、現像機構そのものには、大きな差がないのが現状であ
る。
ルが用いられ、マスクとしては一般に写真乳剤マスク、
金属薄膜マスク等が用いられ１例えば、金属薄膜マスク
としてはガラス基板上に蒸着金属としてニッケル、クロ
ム等が用いられ、その上にポジ又はネガ用のフォトレジ
ストが塗布されプレベータの後に密着焼付を行い、現像
処理が行われている。現像処理システムにおいて、現像
処理はレジストの種類によって異なリボン型はディップ
方式がネガ型はスプレ一方式が一般に用いられているが
、現像機構そのものには、大きな差がないのが現状であ
る。
（３）従来技術と問題点
第３図は従来の現像処理システムに用いられているスプ
レ一方式の系統図である。
レ一方式の系統図である。
第４図において１は窒素ガス（Ｎ２）等を供給すると共
に操作制御部をも有するガス駆動制御部であり、該ガス
駆動制御部１からガス供給管５を通じて加圧タンク２に
窒素ガス４を供給して該加圧タンクを加圧する。
に操作制御部をも有するガス駆動制御部であり、該ガス
駆動制御部１からガス供給管５を通じて加圧タンク２に
窒素ガス４を供給して該加圧タンクを加圧する。
該加圧タンク内には有機溶剤からなる現像液３が満たさ
れ、上記窒素ガスで所定圧力に加圧された現像液３は第
１の通路６とフィルタ７を介して現像チャンバ８のノズ
ル９からスピンナチャック１０上の被現像体１１に現像
液３をスプレーするようになされている。
れ、上記窒素ガスで所定圧力に加圧された現像液３は第
１の通路６とフィルタ７を介して現像チャンバ８のノズ
ル９からスピンナチャック１０上の被現像体１１に現像
液３をスプレーするようになされている。
上記構成によれば、被現像体であるマスク等を現像する
ことができるが近時ホトマスやレチクルに対する寸法精
度誤差がきびしくなってきていて。
ことができるが近時ホトマスやレチクルに対する寸法精
度誤差がきびしくなってきていて。
レチクルではその寸法誤差を±０．３μｍ、ボトマスク
では±０．１μｍ以内に押えなげればならないのが現状
であり、」二記したスプレー現像装置では上記条件を高
定する寸法を支配するプロセス制御が不可能である欠点
があった。
では±０．１μｍ以内に押えなげればならないのが現状
であり、」二記したスプレー現像装置では上記条件を高
定する寸法を支配するプロセス制御が不可能である欠点
があった。
（４）発明の目的
本発明は上記欠点に鑑みなされたものであり。
ポトマスクやレチクル等の被現像体の寸法精度誤差が充
分にとれるような現像装置を提供することを目ｒ白とす
るものである。
分にとれるような現像装置を提供することを目ｒ白とす
るものである。
（５）発明の構成
そして」二記目的は本発明によれば、現像チャンバ内に
配設されたノズルから被現像体に現像液をスプレーする
ために加圧タンク内の現像液を塵埃除去フィルタを介し
て供給するようにしてなる現像装置において、上記加圧
タンクを加圧するためのガス駆動制御部あるいは、該ガ
ス駆動制御部と該加圧タンク間に配設した弁を上記現像
液の液量を検出して制御してなることを特徴とする現像
装置を提供することで達成される。
配設されたノズルから被現像体に現像液をスプレーする
ために加圧タンク内の現像液を塵埃除去フィルタを介し
て供給するようにしてなる現像装置において、上記加圧
タンクを加圧するためのガス駆動制御部あるいは、該ガ
ス駆動制御部と該加圧タンク間に配設した弁を上記現像
液の液量を検出して制御してなることを特徴とする現像
装置を提供することで達成される。
（６）発明の実施例
以下１本発明の一実施例を第１図乃至第２図について詳
記する。
記する。
第１図は本発明の現像装置の一実施例を示す系統図、第
２図は同じく本発明の他の実施例を示す系統図である。
２図は同じく本発明の他の実施例を示す系統図である。
第１図及び第２図において、第３図と同一部分には同一
符号を付して重複説明を省略するも２本発明においては
ガス駆動制御部１と加圧タンク２間のガス供給管５の途
中にニードル弁１５を配設すると共に、塵埃除去用フィ
ルタ７と現像チャンバ８内のノズル９間に流量センサ１
３を配設する。
符号を付して重複説明を省略するも２本発明においては
ガス駆動制御部１と加圧タンク２間のガス供給管５の途
中にニードル弁１５を配設すると共に、塵埃除去用フィ
ルタ７と現像チャンバ８内のノズル９間に流量センサ１
３を配設する。
第１図の実施例においては上記流量センサ１３からの流
量を検出し、現像液の流量が所定の流量以下であれば、
ガス駆動制御部１のガス圧を上昇させ所定の流量以上で
あればガス圧を降下させるようにフィードバックループ
１４を介してコントロロールするようになされる。
量を検出し、現像液の流量が所定の流量以下であれば、
ガス駆動制御部１のガス圧を上昇させ所定の流量以上で
あればガス圧を降下させるようにフィードバックループ
１４を介してコントロロールするようになされる。
第２図に示すものは流量センサ１３で検出した流量に基
づいて、ニードル弁１５を所定圧力になるようにコント
ロールするようになしたもので。
づいて、ニードル弁１５を所定圧力になるようにコント
ロールするようになしたもので。
例えばニードル弁１５にステッピングモータを取り付け
、流量センサ１３で定まる所定設定流量範囲に窒素ガス
圧送量がおさまるようにニードル弁１５を開閉させる。
、流量センサ１３で定まる所定設定流量範囲に窒素ガス
圧送量がおさまるようにニードル弁１５を開閉させる。
又、ニードル弁が全開した段階でアラーム又はランプ等
の指示装置を駆動して。
の指示装置を駆動して。
アラームを鳴らすかランプ等を点滅させるようにする。
上記構成に用いる流量センサ１３は例えばテーパ管流量
針等を用いることができる。上記実施例では流量計測を
行って、ガス圧をコントロールしたり、ニードル弁を開
閉させたりした場合を述べたが、この場合、流量を圧力
又は、電気変換して被制御系をコントロールするように
したものである。
針等を用いることができる。上記実施例では流量計測を
行って、ガス圧をコントロールしたり、ニードル弁を開
閉させたりした場合を述べたが、この場合、流量を圧力
又は、電気変換して被制御系をコントロールするように
したものである。
（７）発明の効果
本発明は叙上の如く構成させたので、現像プロセスでレ
ジスト膜減りの多いポジ型レジストや増感現像方式にも
適用することができる。そして本発明によれば、現像剤
のノズルからスプレーされる圧力差が常に一定になるた
めにホトマスクやレチクルの線幅の精度誤差を高めるこ
とができるので、略々コンスタントな線幅のレジストパ
ターン−を現像できる効果を有する。
ジスト膜減りの多いポジ型レジストや増感現像方式にも
適用することができる。そして本発明によれば、現像剤
のノズルからスプレーされる圧力差が常に一定になるた
めにホトマスクやレチクルの線幅の精度誤差を高めるこ
とができるので、略々コンスタントな線幅のレジストパ
ターン−を現像できる効果を有する。
第１図は本発明の現像装置の一実施例を示す系統図、第
２図は本発明の現像装置の他の実施例を示す系統図、第
３図は従来の現像装置の系統図である。 １・・・ガス駆動制御部、 ２・・・ガス加圧部
、 ３・・・現像液、 ４・・・窒素ガス
、 ５・・・ガス供給管、 ６・・・第１
の通路、 ７・・・塵埃除去用のフィルタ１
８・・・現像チャンバ。 ９・・・ノズル、 １０・・・スピンナチャッ
ク、 １１・・・被現像体、 １２・・・
スプレー、 １３・・・流体センサ。 １４・・・フィードハックループ、 １５・・・
ニードル弁、 １６・・・アラーム又は指示装置
。 −【すＡ−
２図は本発明の現像装置の他の実施例を示す系統図、第
３図は従来の現像装置の系統図である。 １・・・ガス駆動制御部、 ２・・・ガス加圧部
、 ３・・・現像液、 ４・・・窒素ガス
、 ５・・・ガス供給管、 ６・・・第１
の通路、 ７・・・塵埃除去用のフィルタ１
８・・・現像チャンバ。 ９・・・ノズル、 １０・・・スピンナチャッ
ク、 １１・・・被現像体、 １２・・・
スプレー、 １３・・・流体センサ。 １４・・・フィードハックループ、 １５・・・
ニードル弁、 １６・・・アラーム又は指示装置
。 −【すＡ−
Claims (1)
- 現像チャンバ内に配設されたノズルから被現像体に現像
液をスプレーするために加圧タンク内の現像液を塵埃除
去フィルタを介して供給するようにしてなる現像装置に
おいて、上記加圧タンクを加圧するためのガス駆動制御
部あるいは、該ガス駆動制御部と該加圧タンク間に配設
した弁を上記現像液の液量を検出して制御してなること
を特徴とする現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26923884A JPS61147257A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 現像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26923884A JPS61147257A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 現像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61147257A true JPS61147257A (ja) | 1986-07-04 |
Family
ID=17469579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26923884A Pending JPS61147257A (ja) | 1984-12-20 | 1984-12-20 | 現像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61147257A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242240U (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-13 | ||
| JPH0794407A (ja) * | 1994-09-01 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2003528284A (ja) * | 2000-03-24 | 2003-09-24 | オーガニック パワー エーエスエー | 固形燃料、特に固形廃棄物の燃焼方法及び燃焼装置 |
-
1984
- 1984-12-20 JP JP26923884A patent/JPS61147257A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6242240U (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-13 | ||
| JPH0311885Y2 (ja) * | 1985-08-30 | 1991-03-20 | ||
| JPH0794407A (ja) * | 1994-09-01 | 1995-04-07 | Fujitsu Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| JP2003528284A (ja) * | 2000-03-24 | 2003-09-24 | オーガニック パワー エーエスエー | 固形燃料、特に固形廃棄物の燃焼方法及び燃焼装置 |
| JP4889176B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2012-03-07 | アイエヌシー エンジニーリング エーエス | 固形燃料、特に固形廃棄物の燃焼方法及び燃焼装置 |
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