JPH01222070A - ドライエッチ装置 - Google Patents
ドライエッチ装置Info
- Publication number
- JPH01222070A JPH01222070A JP4601488A JP4601488A JPH01222070A JP H01222070 A JPH01222070 A JP H01222070A JP 4601488 A JP4601488 A JP 4601488A JP 4601488 A JP4601488 A JP 4601488A JP H01222070 A JPH01222070 A JP H01222070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- intensity
- reflected light
- etching
- wafer
- etched
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造用のドライエッチ装置に関し、
特にエツチングの終点を検出する機構に関する。
特にエツチングの終点を検出する機構に関する。
ドライエッチ終点検出の従来の技術としては、エッチ種
であるプラズマからの発光強度がエツチング終了と同時
に変化することを利用した方法や、エツチングの結果生
じた反応生成物からの発光強度がエツチング終了と同時
に急激に変化することを利用したものがある。
であるプラズマからの発光強度がエツチング終了と同時
に変化することを利用した方法や、エツチングの結果生
じた反応生成物からの発光強度がエツチング終了と同時
に急激に変化することを利用したものがある。
上述した従来の終点検出法はエッチ種又は反応生成物か
らの発光の変化を利用しているため、エツチングすべき
面積の比率が数％以下である場合には、発光強度の変化
がノイズのために検出することが不可能になってしまい
、終点検出が不可能となる。
らの発光の変化を利用しているため、エツチングすべき
面積の比率が数％以下である場合には、発光強度の変化
がノイズのために検出することが不可能になってしまい
、終点検出が不可能となる。
本発明の目的は前記課題を解消したドライエッチ装置を
提供することにある。
提供することにある。
上述した従来の終点検出法に対し、本発明は光源からの
平行ビームを被エツチウェーハ表面にあて、そこからの
反射光を検出するという相違点を有する。
平行ビームを被エツチウェーハ表面にあて、そこからの
反射光を検出するという相違点を有する。
上記目的を達成するため、本発明のドライエッチ装置に
おいては、光源からの光を平行に集光して被エッチ物表
面に照射する光学系と、被エッチ物表面からの反射光強
度を検出する測定系と、該測定系の出力に基づいて反射
光強度に応じエツチングを終了させる指令を発する制御
部とを有するものである。
おいては、光源からの光を平行に集光して被エッチ物表
面に照射する光学系と、被エッチ物表面からの反射光強
度を検出する測定系と、該測定系の出力に基づいて反射
光強度に応じエツチングを終了させる指令を発する制御
部とを有するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１の縦断面図である。
石英製チャンバ１の内部に、対をなす上部電極２及び下
部電極３とを上下に配置し、下部電極３上に被エツチウ
ェーハ４を搭載する。被エツチウェーハ４は表面に金属
薄膜とさらにその上に絶縁薄膜を有している。チャンバ
の外部には、波長４３６ｎｍの光源からの光を平行に集
光して被エツチウェーハ４の表面に照射する集束光学系
５と、フォトダイオードアレイよりなり、ウェーハ４の
表面からの反射光強度を検出する測定系６と１反射光強
度に応じてエツチングを終了させる指令を発する制御部
７を配置する。
部電極３とを上下に配置し、下部電極３上に被エツチウ
ェーハ４を搭載する。被エツチウェーハ４は表面に金属
薄膜とさらにその上に絶縁薄膜を有している。チャンバ
の外部には、波長４３６ｎｍの光源からの光を平行に集
光して被エツチウェーハ４の表面に照射する集束光学系
５と、フォトダイオードアレイよりなり、ウェーハ４の
表面からの反射光強度を検出する測定系６と１反射光強
度に応じてエツチングを終了させる指令を発する制御部
７を配置する。
第２図は測定系６を通して得られる反射光強度の時間変
化を示す図である。被エツチウェーハ４上の絶縁薄膜の
エツチングが進み、下地の金属薄膜が露出しはじめる時
点で反射光強度は急激に増加しはじめる。反射光強度が
一定となった時点で制御部７が働き、エツチングを終了
させる指令を発する。
化を示す図である。被エツチウェーハ４上の絶縁薄膜の
エツチングが進み、下地の金属薄膜が露出しはじめる時
点で反射光強度は急激に増加しはじめる。反射光強度が
一定となった時点で制御部７が働き、エツチングを終了
させる指令を発する。
（実施例２）
第３図は本発明の実施例２の縦断面図である。
本実施例はチャンバ１１と、対をなす上部電極１２及び
下部電極１３とを有し、電極１３は複数の被エツチウェ
ーハ１４を搭載し回転する構造になっている。
下部電極１３とを有し、電極１３は複数の被エツチウェ
ーハ１４を搭載し回転する構造になっている。
ウェーハ１４を搭載した電極１３はエツチング中に回転
している。第１の実施例と同じく、集束光学系１５から
でた光はチャンバ１１に設けられた石英製の窓１６から
チャンバ１１内に導かれ、ウェーハ１４の表面で反射さ
れ、同じく石英製の窓１７から測定系１８に入る。測定
系１８にはサンプリングタイミングを電極１３の回転に
同期させる同期機構１８ａを取付けてあり１回転するウ
ェーハ１４の同一場所からの反射光強度を測定する。制
御部１９はその反射光強度に応じてエツチングを終了さ
せる指令を発する。
している。第１の実施例と同じく、集束光学系１５から
でた光はチャンバ１１に設けられた石英製の窓１６から
チャンバ１１内に導かれ、ウェーハ１４の表面で反射さ
れ、同じく石英製の窓１７から測定系１８に入る。測定
系１８にはサンプリングタイミングを電極１３の回転に
同期させる同期機構１８ａを取付けてあり１回転するウ
ェーハ１４の同一場所からの反射光強度を測定する。制
御部１９はその反射光強度に応じてエツチングを終了さ
せる指令を発する。
以上説明したように本発明は被エツチウェーハ表面での
反射光強度に応じてエツチングの終了を検出するため、
被エツチング面積が極めて小さい場合にも、エツチング
の終点を検出し、適切な時点でエツチングを自動的に終
了できる効果がある。
反射光強度に応じてエツチングの終了を検出するため、
被エツチング面積が極めて小さい場合にも、エツチング
の終点を検出し、適切な時点でエツチングを自動的に終
了できる効果がある。
第１図は本発明の実施例１の縦断面図、第２図は実施例
１における反射光強度の時間変化を示す図、第３図は本
発明の実施例２の縦断面図である。
１における反射光強度の時間変化を示す図、第３図は本
発明の実施例２の縦断面図である。
Claims (1)
- １、光源からの光を平行に集光して被エッチ物表面に照
射する光学系と、被エッチ物表面からの反射光強度を検
出する測定系と、該測定系の出力に基づいて反射光強度
に応じエッチングを終了させる指令を発する制御部とを
有することを特徴とするドライエッチ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4601488A JPH01222070A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | ドライエッチ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4601488A JPH01222070A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | ドライエッチ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01222070A true JPH01222070A (ja) | 1989-09-05 |
Family
ID=12735201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4601488A Pending JPH01222070A (ja) | 1988-02-29 | 1988-02-29 | ドライエッチ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01222070A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704107B1 (en) | 1997-11-04 | 2004-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
| US7102737B2 (en) | 1997-11-04 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
-
1988
- 1988-02-29 JP JP4601488A patent/JPH01222070A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6704107B1 (en) | 1997-11-04 | 2004-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
| US6831734B2 (en) * | 1997-11-04 | 2004-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
| US7102737B2 (en) | 1997-11-04 | 2006-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4567828B2 (ja) | 終点検出方法 | |
| KR100797420B1 (ko) | 펄스화 광대역의 광원을 이용하는 플라즈마 에칭 및 퇴적프로세스의 인-시튜 모니터링 방법 및 장치 | |
| EP0841682A2 (en) | Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same | |
| EP1111356A3 (en) | Method and apparatus for processing semiconductor substrates | |
| JPS61114531A (ja) | プラズマエッチング方法 | |
| JPH0834199B2 (ja) | エッチング終点検出方法及び装置 | |
| JP2000331985A (ja) | 終点検出方法 | |
| US4902631A (en) | Monitoring the fabrication of semiconductor devices by photon induced electron emission | |
| JPH01222070A (ja) | ドライエッチ装置 | |
| JPH05179467A (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| KR970000694B1 (ko) | 반도체장치의 에칭종점검출방법 | |
| JPH0343772B2 (ja) | ||
| JP3112648B2 (ja) | エッチング副産物に対するモニタリング方法及びその装置 | |
| JP2660713B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS63254733A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
| JPS61131455A (ja) | ドライエツチング装置のエツチング量検出方法 | |
| JPH0518454B2 (ja) | ||
| JPS62171127A (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
| US20060138312A1 (en) | Solid-state spectrophotomer | |
| JPH0697152A (ja) | エッチング処理の終点判定方法および装置 | |
| JPH04280650A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0521395A (ja) | エツチング終点の検出方法 | |
| JPS6159834A (ja) | エツチング終点検出方法 | |
| JPS63211633A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS61207583A (ja) | エツチングの終点検出方法 |