JPS61131455A - ドライエツチング装置のエツチング量検出方法 - Google Patents
ドライエツチング装置のエツチング量検出方法Info
- Publication number
- JPS61131455A JPS61131455A JP25191484A JP25191484A JPS61131455A JP S61131455 A JPS61131455 A JP S61131455A JP 25191484 A JP25191484 A JP 25191484A JP 25191484 A JP25191484 A JP 25191484A JP S61131455 A JPS61131455 A JP S61131455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- reflection
- etched
- depth
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 76
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 abstract 3
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の利用分野］
本発明は、半導体デバイス製造用のドライエツチング装
置におけるエツチング量の検出方法、特にエツチング中
にエツチング量を連続的に監視するためのエツチングｍ
の検出方法に関する。
置におけるエツチング量の検出方法、特にエツチング中
にエツチング量を連続的に監視するためのエツチングｍ
の検出方法に関する。
［従来技術ｌ
ＬＳＩ等のシリコン半導体デバイスのりソグラフィ技術
の超微細加工化に伴い、エツチング工程のドライプロセ
スにおいてそのエツチング量（深さ）の制御がますます
重要になってきている。
の超微細加工化に伴い、エツチング工程のドライプロセ
スにおいてそのエツチング量（深さ）の制御がますます
重要になってきている。
従来のドライエツチング装置においては、ウェハ上のエ
ツチング対象材料層を完全に終了までエツチングし、そ
のエツチング終了を判定することを目標に制御していた
ため、終了判定の正確性さえあれば目的を達成できるも
のであった。
ツチング対象材料層を完全に終了までエツチングし、そ
のエツチング終了を判定することを目標に制御していた
ため、終了判定の正確性さえあれば目的を達成できるも
のであった。
このような従来のシステムでは、エツチング終了判定の
手法として例えば反応ガスの発光スペクトル分析などが
用いられているが、これらの手法ではエツチング終了点
は検出できても、エツチング途中のエツチング深さを直
ちに計測することはできず、所定の途中深さでエツチン
グを停止させ、エツチング条件を変更して再びエツチン
グを開始する場合などのエツチング深さのＭｉｌｌには
利用することはできなかった。
手法として例えば反応ガスの発光スペクトル分析などが
用いられているが、これらの手法ではエツチング終了点
は検出できても、エツチング途中のエツチング深さを直
ちに計測することはできず、所定の途中深さでエツチン
グを停止させ、エツチング条件を変更して再びエツチン
グを開始する場合などのエツチング深さのＭｉｌｌには
利用することはできなかった。
［発明の目的と概要］
本発明は、ドライプロセスでのエツチング深さの制御に
応用するためにエツチング中にエツチング中を連続的に
監視し計測することのできる方法を提供しようとするも
ので、エツチング中の対象物のエツチング表面にレーザ
ービームを照射してその反射光中の干渉波形の波数カウ
ントを行なうことにより、エツチング量（深さ）の高精
度の検出モニタを達成できるようにしたものである。−
半導体製造用シリコンウェハ上にある多結晶シリコンを
ドライプロセスでエツチングする場合、 −エツチング
する形状または断面形状を途中で変化させるように制御
したり、エツチング材料と下地材料のエツチング速度比
を大きくしたり、或いは比較的速めのエツチング速度で
エツチングを行なう場合に下地材料の損傷を防止するた
めに下地材料近くまでエツチングが進んだときにエツチ
ング速度を遅＜シまたは下地選択性のあるエツチング条
件に変更したりすることは、エツチング際中で ゛のエ
ツチング深さの計測モニタが必須の事柄となる。例えば
エツチング材状の変更は、放電用の高周波電力、エツチ
ング圧力、反応用ガスの種類や流速、電極間隔、温度等
、各種の条件の変更で変化可能であり、エツチングマス
クに忠実な形状で垂直なエツチング断面形状が得られる
異方性エツチングとエツチングマスク面から内部へくい
込んだエツチング断面形状が得られる等方性エツチング
とに条件切換により変更可能である。
応用するためにエツチング中にエツチング中を連続的に
監視し計測することのできる方法を提供しようとするも
ので、エツチング中の対象物のエツチング表面にレーザ
ービームを照射してその反射光中の干渉波形の波数カウ
ントを行なうことにより、エツチング量（深さ）の高精
度の検出モニタを達成できるようにしたものである。−
半導体製造用シリコンウェハ上にある多結晶シリコンを
ドライプロセスでエツチングする場合、 −エツチング
する形状または断面形状を途中で変化させるように制御
したり、エツチング材料と下地材料のエツチング速度比
を大きくしたり、或いは比較的速めのエツチング速度で
エツチングを行なう場合に下地材料の損傷を防止するた
めに下地材料近くまでエツチングが進んだときにエツチ
ング速度を遅＜シまたは下地選択性のあるエツチング条
件に変更したりすることは、エツチング際中で ゛のエ
ツチング深さの計測モニタが必須の事柄となる。例えば
エツチング材状の変更は、放電用の高周波電力、エツチ
ング圧力、反応用ガスの種類や流速、電極間隔、温度等
、各種の条件の変更で変化可能であり、エツチングマス
クに忠実な形状で垂直なエツチング断面形状が得られる
異方性エツチングとエツチングマスク面から内部へくい
込んだエツチング断面形状が得られる等方性エツチング
とに条件切換により変更可能である。
本発明はこのような場合の制御情報としてのエツチング
母検出値をエツチング中に連続的に得ることのできる方
法を提供する一 本発明の一実施一を図面と共に詳述にすれば以下の通り
である。
母検出値をエツチング中に連続的に得ることのできる方
法を提供する一 本発明の一実施一を図面と共に詳述にすれば以下の通り
である。
［実施例１
第１図はドライエツチング装置における本発明の実施例
を示す概念図で、枠プレート５内に絶縁物４を介して保
持された下部電極３上に石英ガラスなどからなるウェハ
ホルダ１７を介してエツチング対象物としての半導体製
造用ウェハ１６が載置固定されており、このウェハ１６
を内部に収容するようにプレート５上に反応室本体１が
かぶせられ、内部の反応室１０を排気通路１８を介して
図示しない真空ポンプにより減圧するようにしである。
を示す概念図で、枠プレート５内に絶縁物４を介して保
持された下部電極３上に石英ガラスなどからなるウェハ
ホルダ１７を介してエツチング対象物としての半導体製
造用ウェハ１６が載置固定されており、このウェハ１６
を内部に収容するようにプレート５上に反応室本体１が
かぶせられ、内部の反応室１０を排気通路１８を介して
図示しない真空ポンプにより減圧するようにしである。
反応室本体１には上部電極２が高さ位置調整可能に取付
けられており、上部電極２と下部電極３とがあらかじめ
設定された間隔距離で対面するよう、にりつている。上
部電極２は反応用ガスＧの導入手段を兼ねており、絞り
弁９、流量計８、および開閉パルプ７を介し−Ｃ上部電
極２内を通り、反応雫１０内にＣＦ４などの反応用がス
が尋人される。上部電極２と下部電極３との間・に高周
波電力を与える電源Ｇが接続され、下部電極３上のウェ
ハホルダ１７にセットされたウェハ１６に対し高周波電
力による放電条件下での反応用ガスＱを作用させること
により、ウェハ上の例えば多結晶シリコン層のエツチン
グを行なうようになっている。
けられており、上部電極２と下部電極３とがあらかじめ
設定された間隔距離で対面するよう、にりつている。上
部電極２は反応用ガスＧの導入手段を兼ねており、絞り
弁９、流量計８、および開閉パルプ７を介し−Ｃ上部電
極２内を通り、反応雫１０内にＣＦ４などの反応用がス
が尋人される。上部電極２と下部電極３との間・に高周
波電力を与える電源Ｇが接続され、下部電極３上のウェ
ハホルダ１７にセットされたウェハ１６に対し高周波電
力による放電条件下での反応用ガスＱを作用させること
により、ウェハ上の例えば多結晶シリコン層のエツチン
グを行なうようになっている。
本発明に従って、反応室本体１にはその上蓋の一部に石
英ガラス窓１５が設けられると共にその直下の上部電極
２の一部に貫通孔２ａが設けられ、窓１５から貫通孔２
ａを介してウェハ１６上のエツチング対象面が光学的に
のぞけるようになっている。この窓１５上にはミラー１
２およびハーフミラ−１３を含む鏡筒１９が取付けられ
゛【おり、ミラー１２によりレーザ光源１１からのレー
ザビームを窓１５および目通孔２ａを介して垂直にウェ
ハ１６のエツチング表面に照射し、その反応光を逆の経
路を経てハーフミラ−１３により光電検出器１４に導び
くようになっている。該検出器１４の出力は整流器２０
で全波整流したのちに微分器２１で微分処理し、さらに
もう一度整流器２２で全波整流したのちに外部設定した
基準レベル信号２４との比較をレベル判定器２３で行な
って、得られた矩形波のマイナススロープをカウンタ２
５でカウントし、エツチング量出力としてとり出１．す
。
英ガラス窓１５が設けられると共にその直下の上部電極
２の一部に貫通孔２ａが設けられ、窓１５から貫通孔２
ａを介してウェハ１６上のエツチング対象面が光学的に
のぞけるようになっている。この窓１５上にはミラー１
２およびハーフミラ−１３を含む鏡筒１９が取付けられ
゛【おり、ミラー１２によりレーザ光源１１からのレー
ザビームを窓１５および目通孔２ａを介して垂直にウェ
ハ１６のエツチング表面に照射し、その反応光を逆の経
路を経てハーフミラ−１３により光電検出器１４に導び
くようになっている。該検出器１４の出力は整流器２０
で全波整流したのちに微分器２１で微分処理し、さらに
もう一度整流器２２で全波整流したのちに外部設定した
基準レベル信号２４との比較をレベル判定器２３で行な
って、得られた矩形波のマイナススロープをカウンタ２
５でカウントし、エツチング量出力としてとり出１．す
。
今、第２図に拡大して示すように、ウェハ１６のサブス
トレート１６１上に５ｆＯｚ層１６２を介して設けられ
た多結晶シリコン層１６３のマスクレジスト１６４で被
覆されていない部分をエツチングしている場合を想定す
ると、窓１５を通してエツチング表面１６６に光源１１
からのレーザビーム１１０が垂直に当ると、その反射光
中には、エツチング表面１１６での反射光成分１１１と
、層１６３中を透過して５ｉＯｚ層１６２の表面で反射
した反射光成分１１２どの間の干渉の結果、両表面間の
厚さｔｄに対応した波数をもつ干渉波形が含まれること
になる。
トレート１６１上に５ｆＯｚ層１６２を介して設けられ
た多結晶シリコン層１６３のマスクレジスト１６４で被
覆されていない部分をエツチングしている場合を想定す
ると、窓１５を通してエツチング表面１６６に光源１１
からのレーザビーム１１０が垂直に当ると、その反射光
中には、エツチング表面１１６での反射光成分１１１と
、層１６３中を透過して５ｉＯｚ層１６２の表面で反射
した反射光成分１１２どの間の干渉の結果、両表面間の
厚さｔｄに対応した波数をもつ干渉波形が含まれること
になる。
従って反射光の強度を光電検出器１４で検出すると、レ
ーザビーム１１１０基準レベル信号２４のレベル３２４
と比較し、このスレッシホルトレベル３２４をトリガレ
ベルとして矩形波にすれば、レベル判定器２３からは第
３図の波形３２３のような矩形波信号が生じ、そのマイ
ナススロープ（立下り）でトリガ信号（波形３２５）を
作ってカウンタ２５を動作させ、カウンタ２５からカウ
ント出力２６を得るものである。このカウント出力２６
は、成る定められた一定時間内のカウント値としてエツ
チング量（深ざ）を与え、従って種々のエツチングｕｒ
ｎに利用可能である。
ーザビーム１１１０基準レベル信号２４のレベル３２４
と比較し、このスレッシホルトレベル３２４をトリガレ
ベルとして矩形波にすれば、レベル判定器２３からは第
３図の波形３２３のような矩形波信号が生じ、そのマイ
ナススロープ（立下り）でトリガ信号（波形３２５）を
作ってカウンタ２５を動作させ、カウンタ２５からカウ
ント出力２６を得るものである。このカウント出力２６
は、成る定められた一定時間内のカウント値としてエツ
チング量（深ざ）を与え、従って種々のエツチングｕｒ
ｎに利用可能である。
例えば、半導体製造用シリコンウェハ上に形成されてい
る多結晶シリコン層をエツチングする場合、エツチング
形状または断面形状を途中で変更するように制御したり
、エツチング材料と下地材料のエツチング速度を例えば
大きくするように変化させることなどは実際上必要性が
大きい。
る多結晶シリコン層をエツチングする場合、エツチング
形状または断面形状を途中で変更するように制御したり
、エツチング材料と下地材料のエツチング速度を例えば
大きくするように変化させることなどは実際上必要性が
大きい。
この必要性を満たずために本発明の方法が利用される。
一例として、第４図に示す如くシリコンサブストレート
４１１上に３ ｉ ０２１５４１２を介して形成されて
いる多結晶シリコン１１４１３にレジストのマスク４１
４を施し、最初に厚さｔｌにつき第１ステップエツチン
グ条件で深さ制御のちとに等方性断面形状のエツチング
を行なう（第４図のＡ−８）。
４１１上に３ ｉ ０２１５４１２を介して形成されて
いる多結晶シリコン１１４１３にレジストのマスク４１
４を施し、最初に厚さｔｌにつき第１ステップエツチン
グ条件で深さ制御のちとに等方性断面形状のエツチング
を行なう（第４図のＡ−８）。
カウンタ２５の出力がｔｌに相当する出力を生じた時点
でエツチング案件を第２ステップ条件に変更し、今度は
異方性・のエツチング条件で垂直性のあるエツチングを
厚さｔｌの終了まで行なう（第４図Ｃ）。尚、この場合
のエツチング終了の検出は従来のガス分析手法或いは上
下電極間のりアクタンス変化によって行なってもよい、
その後レジストの除去を行って、例えば第４図のＤに示
すようなメサ形のエツチングが正確な寸法形状で達成さ
れるものである。
でエツチング案件を第２ステップ条件に変更し、今度は
異方性・のエツチング条件で垂直性のあるエツチングを
厚さｔｌの終了まで行なう（第４図Ｃ）。尚、この場合
のエツチング終了の検出は従来のガス分析手法或いは上
下電極間のりアクタンス変化によって行なってもよい、
その後レジストの除去を行って、例えば第４図のＤに示
すようなメサ形のエツチングが正確な寸法形状で達成さ
れるものである。
この他の例としては、例えば第１ステツプで処理能力を
高めるために高速エツチングを行ない、設定量までエツ
チングがすすんだら第２ステツプに切換えて、下地材料
に対するエツチング選択性の大きいエツチング条件で終
了点までエツチングし、このようにして下地材料を傷め
ることのないエツチングを達成することもできる。
高めるために高速エツチングを行ない、設定量までエツ
チングがすすんだら第２ステツプに切換えて、下地材料
に対するエツチング選択性の大きいエツチング条件で終
了点までエツチングし、このようにして下地材料を傷め
ることのないエツチングを達成することもできる。
［発明の効果］
以上述べたように、本発明によれば、ドライエツチング
装置でのエツチングの際中に、エツチング表面にレーザ
ービームを照射してその反射光中の干渉波形の波数から
エツチング深さを検知するので、エツチング中にエツチ
ング量を連続的に監視することができ、ドライプロセス
でのエツチング深さのＩＩＪｖＩＪに応用して、エツチ
ング形状、断面形状の正確な制御およびエツチングの高
速化と下地の損傷防止などの精密な制御が実現できるも
のである。
装置でのエツチングの際中に、エツチング表面にレーザ
ービームを照射してその反射光中の干渉波形の波数から
エツチング深さを検知するので、エツチング中にエツチ
ング量を連続的に監視することができ、ドライプロセス
でのエツチング深さのＩＩＪｖＩＪに応用して、エツチ
ング形状、断面形状の正確な制御およびエツチングの高
速化と下地の損傷防止などの精密な制御が実現できるも
のである。
第１図はドライエツチング装置における本発明の実施例
を示す概念図、第２図はエツチング部分でのレーザービ
ームの反射の様子を説明するための拡大模式図、第３図
は本発明の検出系の各部波形を示す線図、第４図はエツ
チング形状制御の工程の一例による半導体断面形状の変
化を示す模式％式％ ６：高周波電源、１０：反応窟、１１：レーザ光源、１
４：光検出器、１５：石英ガラス窓、１６：半導体製造
用ウェハ、１９：鏡筒、２０．２２：整流器、２１：微
分器、 ２３ニレベル判定器、２５：カウンタ。
を示す概念図、第２図はエツチング部分でのレーザービ
ームの反射の様子を説明するための拡大模式図、第３図
は本発明の検出系の各部波形を示す線図、第４図はエツ
チング形状制御の工程の一例による半導体断面形状の変
化を示す模式％式％ ６：高周波電源、１０：反応窟、１１：レーザ光源、１
４：光検出器、１５：石英ガラス窓、１６：半導体製造
用ウェハ、１９：鏡筒、２０．２２：整流器、２１：微
分器、 ２３ニレベル判定器、２５：カウンタ。
Claims (1)
- 半導体デバイス製造用のドライエッチング装置におけ
るエッチングに際し、エッチング対象物のエッチング表
面にレーザビームを照射してその反射光中の干渉波形の
波数からエッチング深さを知るドライエッチング装置の
エッチング量検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25191484A JPS61131455A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ドライエツチング装置のエツチング量検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25191484A JPS61131455A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ドライエツチング装置のエツチング量検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131455A true JPS61131455A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17229837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25191484A Pending JPS61131455A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | ドライエツチング装置のエツチング量検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131455A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148118A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| EP0889359A2 (en) * | 1997-06-27 | 1999-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method for manufacture of a phase-shift mask |
| JP2002313779A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Promos Technol Inc | 食刻深度の制御方法 |
| JP2004516681A (ja) * | 2000-06-22 | 2004-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 堆積膜の反射率を測定するための方法および装置 |
| JP2010535425A (ja) * | 2007-08-01 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上の薄膜を識別するための方法及び装置 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25191484A patent/JPS61131455A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03148118A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-24 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| EP0889359A2 (en) * | 1997-06-27 | 1999-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method for manufacture of a phase-shift mask |
| EP0889359A3 (en) * | 1997-06-27 | 2000-12-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Etching method for manufacture of a phase-shift mask |
| JP2004516681A (ja) * | 2000-06-22 | 2004-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 堆積膜の反射率を測定するための方法および装置 |
| JP2002313779A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-25 | Promos Technol Inc | 食刻深度の制御方法 |
| JP2010535425A (ja) * | 2007-08-01 | 2010-11-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上の薄膜を識別するための方法及び装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4611919A (en) | Process monitor and method thereof | |
| KR100769607B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 처리방법 및 처리장치 | |
| US5928532A (en) | Method of detecting end point of plasma processing and apparatus for the same | |
| US5963783A (en) | In-line detection and assessment of net charge in PECVD silicon dioxide (oxide) layers | |
| US4496425A (en) | Technique for determining the end point of an etching process | |
| JPH0546095B2 (ja) | ||
| JPH04225232A (ja) | エッチング終点検出方法及び装置 | |
| KR20020020979A (ko) | 플라즈마환경의 동적 감지를 사용하는 플라즈마처리방법및 장치 | |
| US4902631A (en) | Monitoring the fabrication of semiconductor devices by photon induced electron emission | |
| JPS61131455A (ja) | ドライエツチング装置のエツチング量検出方法 | |
| US4755049A (en) | Method and apparatus for measuring the ion implant dosage in a semiconductor crystal | |
| JP2612089B2 (ja) | 被エッチング膜の膜厚検出方法、膜厚検出装置及びエッチング装置 | |
| US2875141A (en) | Method and apparatus for use in forming semiconductive structures | |
| JPS62203335A (ja) | エツチングモニタ−装置 | |
| US6489612B1 (en) | Method of measuring film thickness | |
| TWI640031B (zh) | Plasma processing device and method for monitoring plasma process | |
| JP2005038896A (ja) | エッチング終点検出方法、エッチング監視装置、及びプラズマエッチング装置 | |
| TW201801128A (zh) | 監測技術製程的等離子體處理裝置及監測等離子體處理技術製程的方法 | |
| TW587152B (en) | Method and device for determining the thickness of a layer applied to a carrier, and monitoring system | |
| JPS5944828A (ja) | ドライエツチング方法 | |
| JPH06103713B2 (ja) | 結晶欠陥の測定方法 | |
| JPS6223113A (ja) | 終点検出方法 | |
| JPH0521395A (ja) | エツチング終点の検出方法 | |
| JPS6028234A (ja) | エツチング・モニタ方法 | |
| JPH01222070A (ja) | ドライエッチ装置 |