JPH01217514A - 半導体ファイルメモリ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体ファイルメモリに格納されるデータの不
揮発性をより高信頼度により高速に保障するための半導
体ファイルメモリのデータの不揮発性改良に係る。

〔従来の技術〕

従来の装置は、特開昭５８−１９７８４号公報に記載の
ように高速のＩＣメモリと不揮発性の磁気バブルメモリ
を組合わせ、ＣＰＵから非アクセス時にＩＣメモリと磁
気バブルメモ９間でデータ転送させることにより、高速
データ処理して電源しゃ断時の記憶内容を保護していた
。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、ＩＣメモリと磁気バブルメモリとを備
えた記憶装置で記述されているが基本的には不揮発性メ
モリ部は磁気バブルメモリに限らず小形磁気ディスク等
でもよい。従来技術の方式ではＩＣメモリが中央処理装
置よりアクセスされていない時にＩＣメモリと磁気バブ
ルメモリとの間でデータ転送を行ないＩＣメモリ上のデ
ータを不揮発性の磁気バブルメモリに書込み、（源しゃ
断に対して記憶内容の保護が可能な記憶装置を提供して
いる。この方式では、データ処理途中においても、磁気
バブルメモリの内容は最新のものに書換えられて行（た
め、データ処理途中で電源断となっても、電ｍ再投入時
に始めから処理をやり直す必要がないと記述されている
か中央処理装置からＩＣメモリにデータ曹込み直後に電
源断となる場合、磁気バブルメモリに最新データが８換
えられずに最新データが保障されないという問題がある
。

本発明の目的は、半導体ファイルメモリ上の全てのデー
タをいかなる時でも保障するために、中央％埋装前から
ＩＣメモリにデータ４込み指示動作がある場０合、ＩＣ
メモリ上と小形磁気ディスクへ同時に二重書込み動作を
行ないデータの不揮発性をより高信頼度で保障する。こ
の時、磁気ディスクへの書込み動作はＩＣメモリよりや
〜遅れるために、遅れによるデータ長を吸収するためデ
ータバッファを設けることと、この時に成源断となって
もデータが消失しない様にバッテリ電源を設け、このバ
ッテリ電源によりデータバッファに残されたデータを最
後重圧しく磁気ディスクに曹込み、データの完全不揮発
性を狙ったものである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、ＩＣメモリと小形磁気ディスクとバクテリ
電源とを具備した半導体ファイルメモリにおいて、小形
磁気ディスク回路の前段にデータ転送速度の時間差を吸
収するためにデータバッファ回路を設けることにより達
成される。

〔作用〕

本発明は高速のＩＣメモリと不揮発性の小形磁気ディス
クとを組合わせ、中央処理装置からＩＣメモリに書込み
動作があった場合、ＩＣメモリと磁気ディスクへ同時に
データ転送を行なうようにしているから、高速のデータ
処理が可能で、かつバクテリ電源を設けているので瞬断
等の停域に対してデータの保獲が可能である。具体的に
は磁気ディスクへの書込み回路の前段にデータバッファ
回路を設けて中央処理装置からのデータ転送を並列処理
して一方はＩＣメモリ上に直接データ書込みを行なう。

曲刃はデータバッファ回路にデータを取込むと同時に磁
気ディスクとのデータ転送を始めデータバッファに取込
んだデータを逐時書込む。

それによってＩＣメモリと中央処理装置との高速なデー
タ処理動作を損なうことなくデータの不揮発性を保障す
ることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の一芙施例全第１図により説明する。第１
図は半導体ファイルメモリの装置構成を示すブロック図
である。上位インターフェース回路１は半導体ファイル
メモリを上位装置と接続するための送受信回路である。

コントロール回路２は上位装置からの各種命令イｇ号や
データ転送等を扱い半導体ファイルメモリの各種動作を
総合的に制御する回路である。書込み回路６はＩＣメモ
リ部５にデータを３込む回路であるがＩＣメモリ部のデ
ータを高（ｇ頭）見で保障するためにＥＣＣ（Ｅｒｒｏ
ｒ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ　Ｃｏｄｅ、　ｘ−ラー訂正
機能）等の冗長ビットを付加する機能を有する。読出し
回路４はＩＣメモ９部５からデータを再生する回路であ
りＥＣＣ等を解析し真のデータ再生を行なう。ＩＣメモ
９部５はＬ）−Ｒ，ＡＭ多数で構成されている。

バッファ回路６は磁気ディスク８ヘデータ転送する時、
ＩＣメモ９部５と磁気ディスク８とのデータ転送レート
の差を吸収するためのデータバッファ回路である。ディ
スクインターフェース回路７は磁気ディスク８とのデー
タの筈込み、読出しを行なう送受倍回路である。磁気デ
ィスク８はＩＣメモ９部５と同時にデータの二重書が行
なわれデータの不揮発性を保障するための磁気ディスク
である。バッテリを源９は予勘しない停電時にバッファ
回路６に残っているデータを正しく全て磁気ディスク８
に書込むために関連する回路部へ１力を供給するもので
ある。

第２図は従来の半導体ファイルメモリのブロック図であ
る。第２図にて従来の半導体ファイルメモリの具体的な
動作を説明する。上位装置よりのデータを上位インター
フェース回路１で受信するとコントロール回路２を経て
蓬込み回路３でＦＣＣを付加する等を行ないデータの信
頑件を副めてＩＣメモ９部５にデータの書込みを行なう
。データの読出し動作は読出し回路４、コントロール回
路２、上位インターフェース回路１を経て上位装置との
データの送受信動作を行なう。ＩＣメモ９部５と磁気デ
ィスク８へのデータ退避動作の実施例を２方式で説明す
る。一方式は半導体ファイルメモリが上位装置よりアク
セスされていない時にＩＣメモ９部５のデータを胱出し
回路４、デイスフィンターフエース回路７を経て磁気デ
ィスクへ書込む方式である。この方式では上位よりアク
セスが釆た時、データ転送を中断する必要があり、かつ
、どの領域のデータ迄磁気ディスクへ１込みが終了して
いるか等の管理制御が複雑である。

能力式は半導体ファイルメモリのサブシステムが使用さ
れている間（通常の場合、−日のオンライン／オフライ
ン業務中）はＩＣメモ９部５から磁気ディスク８へのデ
ータ退避動作を行なわず、−日の業務終了時点の装置の
′Ｆ！源を断とする時、−度にＩＣメモ９部５から磁気
ディスク８ヘデータを退避する方式である。この方式の
場合、業務終了後、ある一定時間（データ退避時間）オ
ペレータか保守員が介在する必要がある。これら２方式
の場合、バッテリ電源９はＩＣメモ９部５へも電力供給
する必要がありパッチ９の容量が太き（なるという欠点
がある。

本発明の第１図では、従来回路にないバッファ回路６が
余分に必要である。この回路はデータ転送をＩＣメモ９
部５と磁気ディスク８へ同時に行なう為に、磁気ディス
ク８へのデータ転送速度が遅いためデータをバッファに
入れて一時的にデータ転送速度の差を吸収する必要があ
る為である。

本方式の場合、ＩＣメモ９部５と磁気ディスク８には常
に同一データが存在することになり、万一どちらかに障
害が発生しても正常データがどちらかに保全されている
。またバッテリ電源９も負荷の大きいＩＣメモ９部５へ
電力供給する必要がな（、パッチ９　ｇｔｊｋが小さい
物で充分足りるため、経済的、省スペース、軽重量等の
メリットが大きい。先に述べたバッファ回路６は半導体
技術の進歩により集積回路化（ＬＳＩ）が容易でありコ
スト的にも充分安価な物が入手出来る。このように本方
式によれば高速ＩＣメモリの記録装置としての特長を生
かし、かつ高信頼度な不揮発付記憶装置を実現出来る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高速なＩＣメモリと小形磁気ディスク
とバッテリ電源とを具備した半導体ファイルメモリにお
いて高信頼度でデータの不揮発注を保障できる。また停
電時用のバッテリ電源もＩＣメモリ等の大電流を消費す
る回路に供給する必要がなく小容量なパッチ９電源で間
に合うことになり経済的、省スペース、軽重量、高信頼
性に富んだ半導体ファイルメモリを提供できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】 第１図は、本発明に係る半導体ファイルメモリの一実施
例を示すブロック図、第２図は、従来の半導体ファイル
メモリの一実施例を示すブロック図である。 １・・・上位インターフェース回路、２・・・コントロ
ール回路、３・・・舊込み回路、４・・・読出し回路、
５・・・ＩＣメモリ部、６・・・バッファ回路、７・・
・ディスクインターフェース回路、８・・・磁気ディス
ク、９・・・バッテリ電源。 箒　Ｉ　ス

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、高速なＩＣメモリと不揮発性の小形磁気ディスクと
   バッテリ電源を具備した半導体ファイルメモリ装置にお
   いて、上位装置よりデータの書込み指示があった時に、
   半導体メモリと小形磁気ディイクへ同時に二重書込み動
   作を行なうことを特徴とする半導体ファイルメモリ。