JPH06348600A - ディスクキャッシュ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気ディスク装置に対する書き込み処理時間
を短くする。 【構成】 キャッシュメモリを不揮発性半導体メモリで
構成し、データの書き込み時は不揮発性半導体キャッシ
ュメモリに書き込んだ後、ホストに対して終了報告を行
ない、この後に磁気ディスク装置に対して書き込みを行
う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ホストプロセッサとそ
の外部記憶である磁気ディスク装置との間に介在するデ
ィスクキャッシュ装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来において、磁気ディスク装置からホ
ストプロセッサに対するデータ転送速度を向上させるた
めに、磁気ディスク装置とホストプロセッサとの間にキ
ャッシュメモリを設け、磁気ディスク装置をアクセスし
てデータを読み出したならば、その読出しデータをホス
トプロセッサに転送すると同時にキャッシュメモリへも
書き込んでおき、次のアクセス時にアクセス対象のデー
タがキャッシュメモリに存在していた場合は、磁気ディ
スク装置をアクセスすることなく、キャッシュメモリか
ら該当データをホストプロセッサに転送するようにした
ディスクキャッシュ装置が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のディス
クキャッシュ装置にあっては、磁気ディスク装置にデー
タを書き込む時は、書き込み終了報告直後にシステム電
源が切断される可能性があるため、磁気ディスク装置に
書き込みを行なった後に終了報告を行なうようにしてい
る。このため、読出し時はキャッシュメモリから高速に
データを得ることができるが、書き込み時はキャッシュ
メモリがない場合と同じ速度でしかデータを書き込むこ
とができないという問題がある。

【０００４】また、読み出し時にキャッシュメモリを使
用したとしても、システムの電源切断時にキャッシュメ
モリの内容は失われる。したがって、システムの電源の
投入及び切断を頻繁に行なう場合は、キャッシュメモリ
の利用効果が低減してしまうという問題がある。

【０００５】さらに、消費電力を減らすために、磁気デ
ィスク装置へのアクセスが途絶えた場合は、システムの
電源を切断するようにした場合、電源が切断された状態
で磁気ディスク装置に対するアクセス要求が発生する
と、モータの回転が安定するまでの待ち時間が必要にな
り、高速に必要なデータを得ることができず、この場合
もキャッシュメモリの利用効果が低減してしまうという
問題がある。

【０００６】なお、特開平４−２０５０２１号公報に記
載されるように、磁気ディスク装置の媒体不良が発生し
た場合に、その交替エリアを不揮発性メモリ上に確保
し、そこにデータを書き込む方法が提案されている。し
かし、この方法は、単に媒体不良に対する解決方法であ
って、媒体不良が発生しない場合は不揮発性メモリは何
等関与していない。このため、上記と同様の問題があ
る。

【０００７】本発明の第１の目的は、磁気ディスク装置
に対する書き込み処理時間を短くすることができるディ
スクキャッシュ装置を提供することにある。

【０００８】本発明の第２の目的は、システムの電源の
投入及び切断を頻繁に行なう場合においてもキャッシュ
メモリの利用効果を十分に発揮させることができるディ
スクキャッシュ装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るために本発明は、バッテリーでバックアップされた不
揮発性半導体キャッシュメモリと、ホストプロセッサか
らのコマンドを解読し、ホストプロセッサから磁気ディ
スク装置へのデータ書き込み時には、前記不揮発性半導
体キャッシュメモリに書き込み、ホストプロセッサに対
して終了報告を行なった後、そのデータを磁気ディスク
装置に書き込む転送制御を行う制御手段とを設けたもの
である。

【００１０】また、第２の目的を達成するために本発明
は、電源投入直後の処理が不揮発性半導体キャッシュメ
モリへの書き込み処理または不揮発性半導体キャッシュ
メモリに保持しているデータの読出し処理の場合は、磁
気ディスク装置の準備完了前に不揮発性半導体キャッシ
ュメモリとホストプロセッサとの間でデータ転送を開始
するように前記制御手段を構成したものである。

【００１１】

【作用】上記手段によれば、ホストプロセッサから磁気
ディスク装置へのデータ書き込み時には、データは不揮
発性半導体キャッシュメモリにまず書き込まれる。そし
て、ホストプロセッサに対して終了報告を行なった後、
そのデータが磁気ディスク装置に転送されて書き込まれ
る。

【００１２】したがって、ホストプロセッサ側から見た
磁気ディスク装置に対する書き込み処理時間を短くする
ことができる。

【００１３】また、電源投入直後の処理が不揮発性半導
体キャッシュメモリへの書き込み処理または不揮発性半
導体キャッシュメモリに保持しているデータの読出し処
理の場合は、磁気ディスク装置の準備完了前に不揮発性
半導体キャッシュメモリとホストプロセッサとの間でデ
ータ転送を開始する。このため、システムの電源の投入
及び切断を頻繁に行なう場合においても、キャッシュメ
モリの利用効果を十分に発揮させることができる。

【００１４】

【実施例】図１は本発明の一実施例を示すブロック図で
あり、この実施例のディスクキャッシュ装置は、ホスト
インタフェース１、ディスクインタフェース２、バッテ
リー３でバックアップされた不揮発性半導体キャッシュ
メモリ４、データの転送制御を行うプロセッサ５、制御
プログラムを格納したメモリ６、磁気ディスク装置の電
源制御部７で構成されている。

【００１５】図２は、不揮発性半導体キャッシュメモリ
４の構成を示す図であり、プロセッサ５が処理を行なう
ためのスタックエリア４１及びワークエリア４２が設け
られ、さらに磁気ディスク装置との間で転送されるデー
タエリア４３と、このデータエリア４３内のデータの状
態および磁気ディスク装置内での格納アドレスを記憶す
るフラッグ／ＴＡＧエリア４４が設けられている。

【００１６】この場合、データエリア４３およびフラッ
グ／ＴＡＧエリア４４は、磁気ディスク装置との間で転
送されるデータ単位（セクタ単位）に設けられる。

【００１７】フラッグには、図３にしめすように、バリ
ッドフラッグ１１、コヒーレンシーフラッグ１２、交替
処理フラッグ１３があり、これらのフラッグ１１，１
２，１３の組合せにより、データ４３がどのような状態
にあるかを示す。

【００１８】バリッドフラッグ１１は、その内容が
「０」であれば、対応するデータ領域４３内のデータが
無効であることを示し、「１」であれば有効であること
を示すものである。

【００１９】コヒーレンシーフラッグ１２は、その内容
が「０」であれば、対応するデータ領域４３内のデータ
が磁気ディスク装置のデータと一致することを示し、
「１」であれば不一致であることを示すものである。

【００２０】交替処理フラッグ１３は、その内容が
「０」であれば、対応するデータ領域４３キャッシュメ
モリとして使用されていることを示し、「１」であれば
磁気ディスク装置の交替エリアとして使用されているこ
とを示すものである。

【００２１】これらのフラッグ１１，１２，１３の組合
せとデータエリア４３内のデータの状態の関係を図４に
示す。

【００２２】一方、ＴＡＧ１４には、データが磁気ディ
スク装置上のどこに格納されているかを示すアドレス情
報が格納されるが、１データエリアのデータに対して、
１つのＴＡＧ１４及び３ビットのフラッグ１１，１２，
１３がある。

【００２３】図５〜図７はプロセッサ５の動作を示すフ
ローチャートである。以下、これらのフローチャートに
従って実施例の動作を説明する。

【００２４】まず、プロセッサ５はホストインタフェー
ス１を通してホストプロセッサから磁気ディスク装置に
対する何等かのコマンドを受信した場合、電源制御部７
に電源投入コマンドを発行し、磁気ディスク装置の電源
を投入させる（ステップ５１，５２）。この後、コマン
ドの処理を行なう（ステップ５３）。

【００２５】受信したコマンドが書き込み処理の場合
は、図６のフローチャートに従って処理を行ない、読出
し処理の場合は、図７のフローチャートに従って処理を
行なう。

【００２６】しかし、コマンドが送られてきていない場
合は、キャッシュメモリ４の中のフラッグ１１，１２，
１３をチェックし、データが磁気ディスク装置内のデー
タと異なるブロックを検索する。すなわち、図４の「状
態Ｃ」のデータエリア４３を検索し（ステップ５４）、
「状態Ｃ」のデータエリア４３が見つかった場合は図８
のフローチャートに従い、当該エリアのデータを磁気デ
ィスク装置に書き込む（ステップ５５）。

【００２７】しかし、キャッシュメモリ４内のデータと
磁気ディスク装置内のデータが異なるブロックが存在し
ない場合は、電源制御部１５に電源切断コマンドを発行
し、磁気ディスク装置の電源を切断し（ステップ５
６）、ホストプロセッサから送られてくる次のコマンド
を待つ。

【００２８】次に、ホストプロセッサから書き込みコマ
ンドが送られてきた場合の処理について図６のフローチ
ャートに従って説明する。

【００２９】プロセッサ５は、書き込みコマンドをホス
トプロセッサから受け取ったならば、まず、キャッシュ
メモリ４内に書き込みを行なうデータエリア４３が存在
するか検索する。この結果、ＴＡＧ１４に格納されたア
ドレスが書き込みアドレスと一致し、バリッドフラッグ
１１または交替処理フラッグ１３がセットされているデ
ータエリア４３が存在する場合は、キャッシュヒットと
してそのデータエリア４３に書き込みを行なう（ステッ
プ６１，６７）。

【００３０】キャッシュヒットしていない場合は、キャ
ッシュメモリ４内のデータが無効なデータエリア４３ま
たはキャッシュメモリ４内のデータと磁気ディスク装置
内のデータが一致するデータエリアを検索する（ステッ
プ６２）。この結果、バリッドフラッグ１１と交替処理
フラッグ１３がともにリセットされているデータエリア
４３（Ａ状態のデータエリア）が存在する場合は、その
データエリア４３に対して書き込みを行なう（ステップ
６７）。

【００３１】データが無効なデータエリアが存在しない
場合は、キャッシュメモリ４内のデータと磁気ディスク
装置内のデータが一致するデータエリア４３を検索す
る。

【００３２】この結果、バリッドフラッグ１１がセット
され、コヒーレンシーフラッグ１２がリセットされてい
るデータエリア４３（Ｂ状態のデータエリア）が存在す
る場合、その中で最も早い時期にアクセスされたデータ
エリア４３に対して書き込みを行なう（ステップ６
７）。

【００３３】しかし、データが一致するデータエリア４
３が存在しない場合は、キャッシュメモリ４内のデータ
と磁気ディスク装置内のデータが不一致のデータエリア
４３（Ｃ状態のデータエリア）を検索する（ステップ６
３）。この結果、コヒーレンシーフラッグ１２がセット
され、交替処理フラッグ１３がリセットされているデー
タエリア４３が存在する場合は、その中で最も早い時期
にアクセスされたデータエリア４３内のデータを図８の
処理フローに従って磁気ディスク装置に書き込み（ステ
ップ６４）、交替処理を行なわなかった場合は、そのデ
ータエリア４３に対して書き込みを行なう。

【００３４】交替処理を行なった場合は、データが不一
致となっている他のデータエリア４３を検索し、同様の
処理を行なう。データが不一致のデータエリア４３が存
在しない場合は、キャッシュメモリ４はすべて交替エリ
アとして使用していると判断し、ホストプロセッサから
送られてくるデータは磁気ディスク装置に書き込む（ス
テップ６９）。

【００３５】キャッシュメモリ４にデータを書き込むと
きは、まず、バリッドフラッグ１１とコヒーレンシーフ
ラッグ１２をリセットし、データを書き込む（ステップ
６６，６７）。次にアドレスをＴＡＧ１４に書き込み、
最後にバリッドフラッグ１１とコヒーレンシーフラッグ
１２をセットする（ステップ６８）。

【００３６】各データエリア４３に対してこの処理を繰
返し、ホストプロセッサから送られてくる全データエリ
ア４３のデータをキャッシュメモリ４に書き込んだ後、
ホストプロセッサに対して終了報告を行なう。

【００３７】このようにすることにより、磁気ディスク
装置が準備中であるかないかに関わらず、ホストプロセ
ッサの書き込み処理時間を短くすることができる。

【００３８】キャッシュメモリ４への書き込み途中で電
源断などの異常が発生した場合は、バリッドフラッグ１
１がリセットされたままになっているため、そのデータ
エリア４３のデータは無効となる。

【００３９】次に、ホストプロセッサから読出しコマン
ドが送られてきた場合は、書き込みの場合と同様に、ま
ず、キャッシュメモリ４内に読出しを行なうデータエリ
ア４３が存在するか検索する（ステップ７０）。この結
果、ＴＡＧ１４に格納されたアドレスが読出しアドレス
と一致し、バリッドフラッグ１１または交替処理フラッ
グ１３がセットされているデータエリア４３が存在する
場合は、キャッシュヒットとしてそのデータエリア４３
のデータをホストに転送する（ステップ７６）。

【００４０】しかし、キャッシュヒットしていない場合
は、磁気ディスク装置から該当データを読み出さなけれ
ばならないので、まず、その読出しデータを格納するデ
ータエリアがあるかどうかを検索する。具体的には、キ
ャッシュメモリ４内のデータが無効なデータエリア４３
（Ａ状態のデータエリア）またはキャッシュメモリ４内
のデータと磁気ディスク装置内のデータが一致するデー
タエリア４３（Ｂ状態のデータエリア）を検索する（ス
テップ７１）。

【００４１】この結果、バリッドフラッグ１１と交替処
理フラッグ１３がともにリセットされているデータエリ
ア４３が存在する場合は、磁気ディスク装置から読出し
たデータをそのデータエリア４３に書き込むと同時に、
ホストプロセッサに転送する（ステップ７２）。

【００４２】しかし、データが無効なデータエリア４３
が存在しない場合は、キャッシュメモリ４内のデータと
磁気ディスク装置内のデータが一致するデータエリアを
検索する。この結果、バリッドフラッグ１１がセットさ
れ、コヒーレンシーフラッグ１２がリセットされている
データエリア４３が存在する場合、その中で最も早い時
期にアクセスされたデータエリア４３に対して磁気ディ
スク装置から読出したデータを書き込むと同時に、ホス
トプロセッサに転送する（ステップ７２）。

【００４３】データが一致するデータエリア４３が存在
しない場合は、キャッシュメモリ４を使用せず、磁気デ
ィスクから読出しデータをホストプロセッサに転送す
る。

【００４４】磁気ディスク装置から読出したデータをキ
ャッシュメモリ４に書き込むときは、まず、バリッドフ
ラッグ１１をリセットしてデータを書き込む（ステップ
７３，７４）。次に、アドレスをＴＡＧ１４に書き込
み、最後にバリッドフラッグ１１をセットする（ステッ
プ７５）。

【００４５】各データエリアに対してこの処理を繰返
し、磁気ディスク装置から読出したデータをキャッシュ
メモリ４に書き込む。

【００４６】キャッシュメモリ４への書き込み途中で電
源断などの異常が発生した場合は、バリッドフラッグ１
１がリセットされているため、そのデータエリア４３の
データは無効となる。

【００４７】次に、キャッシュメモリ４から磁気ディス
ク装置への書き込みは、キャッシュメモリ４内のデータ
と磁気ディスク装置内のデータが不一致で、キャッシュ
メモリ４を交替エリアとして使用していないデータエリ
ア４３の中で、最も早い時期にアクセスされたデータエ
リア４３から行なう（ステップ８０）。

【００４８】この場合、該当のデータエリア４３と連続
するデータエリア４３で磁気ディスク内のデータと不一
致のデータエリア４３が存在する場合は、まとめて書き
込み処理を行なう。この場合、磁気ディスク装置に対す
る書き込みは、回転待ち及びシーク時間が短くなる順番
で行なうことによりアクセスタイムをさらに短くするこ
とができる。

【００４９】次に、書き込み終了後は書き込み前のデー
タと書き込み後のデータとのベリファイを行ない（ステ
ップ８１）、正常に書き込まれたことを確認した後、コ
ヒーレンシーフラッグ１１をリセットする（ステップ８
２，８５）。もし、ベリファイ処理で異常が検出された
場合は、書き込み処理から繰り返す（ステップ８３）。
そして、予め設定された回数まで書き込みを行なって
も、正常に書き込めない場合は、エラーが発生するデー
タエリア４３の交替処理フラッグ１３をセットし、キャ
ッシュメモリ４を交替エリアとして使用する。

【００５０】一方、書き込み途中で電源が切断された場
合は、コヒーレンシーフラッグ１１がセットされたまま
になっているので、電源再投入後に書き込まれる。

【００５１】以上のように本実施例においては、ホスト
プロセッサから磁気ディスク装置へのデータ書き込み時
には、データは不揮発性半導体キャッシュメモリ４にま
ず書き込まれる。そして、ホストプロセッサに対して終
了報告を行なった後、そのデータが磁気ディスク装ク装
置に転送されて書き込まれる。

【００５２】したがって、ホストプロセッサ側から見た
磁気ディスク装置に対する書き込み処理時間を短くする
ことができる。

【００５３】また、電源投入直後の処理が不揮発性半導
体キャッシュメモリ４への書き込み処理または不揮発性
半導体キャッシュメモリ４に保持しているデータの読出
し処理の場合は、磁気ディスク装置の準備完了前に不揮
発性半導体キャッシュメモリ４とホストプロセッサとの
間でデータ転送を開始する。このため、システムの電源
の投入及び切断を頻繁に行なう場合においても、キャッ
シュメモリ４の利用効果を十分に発揮させることができ
る。

【００５４】また、キャッシュメモリ４を不揮発性と
し、磁気ディスク装置に対する書き込み時はキャッシュ
メモリ４に書き込んだ時点で終了報告し、その後に磁気
ディスク装置に書き込むため、書き込みの順番を最適と
なるように入れ替えることが可能となる。従って、磁気
ディスク装置に対する書き込みは、回転待ち及びシーク
時間が短くなる順番で行なうことにより、アクセスタイ
ムをさらに短くすることができる。

【００５５】また、書き込み処理と読出し処理が不規則
に発生した場合は、磁気ディスク装置からの読出し処理
を優先して行ない、読出し処理がないときにキャッシュ
メモリ４から磁気ディスクへの書き込みをまとめて行な
うことが可能となる。

【００５６】さらに、磁気ディスク装置に対する書き込
み途中で電源が切断された場合、電源投入後にホストプ
ロセッサからのアクセス要求が無い時に再度キャッシュ
メモリ４の内容を書き込むことにより、データを保証
し、信頼性を高めることができる。

【００５７】また、プロセッサ５が書き込み処理後にベ
リファイ、リトライ及び交替処理を実行するため、ホス
トプロセッサの処理を増やすことなく信頼性を向上させ
ることができる。

【００５８】さらに、磁気ディスク装置の不良が発生し
た場合、データが保存されているキャッシュメモリ４を
交替エリアとして使用するため、ホストプロセッサに対
して終了報告を行なった後にエラーが発生することはな
い。また、磁気ディスク装置に交替エリアがなくても交
替処理が可能となる。交替処理を行なったセクタを含む
連続セクタのアクセス時は、交替エリアをアクセスする
ための余分なシークが発生しないため、交替処理を行な
っていない場合と同様の速度での処理が可能となる。ま
た、交替エリアがなくなった場合は、キャッシュメモリ
４の空きエリアがなくなるため、磁気ディスク装置に直
接書き込みが行われる。従って、エラーがある場合は、
書き込み時間が延びるので、このことによってエラーの
有無を確認することができる。

【００５９】また、磁気ディスク装置をアクセスしない
場合は、電源を切断することにより、消費電力を節約す
ることができる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
キャッシュメモリを不揮発性とし、かつ磁気ディスク装
置に対するデータの書き込み要求発生時は、不揮発性の
キャッシュメモリにデータを書き込んだ後にホストプロ
セッサに対して終了報告を行い、その後に磁気ディスク
装置に書き込むため、ホストプロセッサから磁気ディス
ク装置に対する書き込み処理時間を大幅に短縮すること
ができる。

【００６１】また、電源投入直後の処理が不揮発性のキ
ャッシュメモリの書き込み処理または不揮発性のキャッ
シュメモリに保持しているデータの読出し処理の場合
は、磁気ディスク装置の準備完了前に不揮発性のキャッ
シュメモリとホストプロセッサとの間でデータ転送を開
始するため、システムの電源の投入及び切断を頻繁に行
なう場合においても、キャッシュメモリの利用効果を十
分に発揮させることができる。

【００６２】さらに、不揮発性のキャッシュメモリに書
き込んだ時点で終了報告し、その後に磁気ディスク装置
に書き込むため、書き込みの順番を最適となるように入
れ替えることが可能となる。従って、磁気ディスク装置
に対する書き込みを、回転待ち及びシーク時間が短くな
る順番で行なうことにより、アクセスタイムをさらに短
くすることができる。

【００６３】さらに、磁気ディスク装置に対する書き込
み途中で電源が切断された場合、電源投入後にホストプ
ロセッサからのアクセス要求が無い時に再度キャッシュ
メモリの内容を書き込むため、データを保証し、信頼性
を高めることができる。

【００６４】また、書き込み処理後にベリファイ、リト
ライ及び交替処理を実行するため、ホストプロセッサの
処理を増やすことなく信頼性を向上させることができ
る。

【００６５】また、磁気ディスク装置に交替エリアがな
くても交替処理が可能となり、データを保証することが
できる。そして、交替処理を行なったセクタを含む連続
セクタのアクセス時は、交替エリアをアクセスするため
の余分なシークが発生しないため、交替処理を行なって
いない場合と同様の速度で処理が可能となる。

【００６６】さらに、磁気ディスク装置をアクセスしな
い場合は、その電源を切断するため、消費電力が低下す
るなどの効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すブロック構成図であ
る。

【図２】不揮発性半導体キャッシュメモリのデータ格納
構造を示す構成図である。

【図３】フラッグ／ＴＡＧの詳細構成図である。

【図４】フラッグとデータの状態との対応関係を示す説
明図である。

【図５】プロセッサの処理の概要を示すフローチャート
である。

【図６】ホストからの書き込み要求に対する処理のフロ
ーチャートである。

【図７】ホストからの読出し要求に対する処理のフロー
チャートである。

【図８】キャッシュメモリからディスク装置への書き込
み処理を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１…ホストインタフェース、２…ディスクインタフェー
ス、３…バックアップ電源、４…キャッシュメモリ、５
…プロセッサ。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホストプロセッサとその外部記憶である
   磁気ディスク装置との間に介在するディスクキャッシュ
   装置であって、バッテリーでバックアップされた不揮発
   性半導体キャッシュメモリと、ホストプロセッサからの
   コマンドを解読し、ホストプロセッサから磁気ディスク
   装置へのデータ書き込み時には、前記不揮発性半導体キ
   ャッシュメモリに書き込み、ホストプロセッサに対して
   終了報告を行なった後、そのデータを磁気ディスク装置
   に書き込む転送制御を行う制御手段とを設けたことを特
   徴とするディスクキャッシュ装置。
2. 【請求項２】 前記制御手段は、電源投入直後の処理が
   不揮発性半導体キャッシュメモリへの書き込み処理また
   は不揮発性半導体キャッシュメモリに保持しているデー
   タの読出し処理の場合は、磁気ディスク装置の準備完了
   前に不揮発性半導体キャッシュメモリとホストプロセッ
   サとの間でデータ転送を開始することを特徴とする請求
   項１記載のディスクキャッシュ装置。
3. 【請求項３】 前記制御手段は、不揮発性半導体キャッ
   シュメモリから磁気ディスク装置への書き込みをホスト
   プロセッサからのアクセスがない時に処理時間が短くな
   る順番で行なうことを特徴とする請求項１記載のディス
   クキャッシュ装置。
4. 【請求項４】 前記制御手段は、不揮発性半導体キャッ
   シュメモリから磁気ディスク装置への書き込みを行なう
   前に電源が切断された場合は、電源の再投入後に磁気デ
   ィスク装置に書き込みを行なうことを特徴とする請求項
   １記載のディスクキャッシュ装置。
5. 【請求項５】 前記制御手段は、不揮発性半導体キャッ
   シュメモリ内のデータを、キャッシュフラッシュ要求及
   び当該不揮発性半導体キャッシュメモリに対する書き込
   み途中に電源が切れた場合のみ無効とすることを特徴と
   する請求項１記載のディスクキャッシュ装置。
6. 【請求項６】 前記制御手段は、不揮発性半導体キャッ
   シュメモリのデータを磁気ディスク装置に書き込んだ
   後、書き込んだデータと書き込み前のデータとの照合を
   行ない、不一致の場合は再書き込みを繰返し、予め設定
   した回数だけ再書き込みを行なっても不一致となる場合
   は交替処理を行うことを特徴とする請求項１記載のディ
   スクキャッシュ装置。
7. 【請求項７】 前記制御手段は、不揮発性半導体キャッ
   シュメモリ内のデータを磁気ディスク装置に書き込む
   時、磁気ディスク装置の不良を検出した場合は不揮発性
   半導体キャッシュメモリ内の書き込みを行なおうとした
   データが入っていたエリアを前記不良の領域の交替エリ
   アとして使用することを特徴とする請求項６記載のディ
   スクキャッシュ装置。
8. 【請求項８】 磁気ディスク装置に対してアクセスを行
   わない場合は、電源を切断する電源制御手段をさらに設
   けたことを特徴とする請求項１ないし７に記載のいずれ
   かのディスクキャッシュ装置。