JP3335969B2 - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置に
関し、特に、訂正可能エラー発生時に磁気ディスク装置
内の不揮発性メモリ上に訂正可能エラーに該当する論理
セクタアドレスと誤り訂正により訂正されたデータとを
登録しておくことにより、同一論理セクタ上で訂正不可
能エラーが発生した場合にもデータ消失を引き起こすこ
となく代替処理を行うことができる信頼性を向上させた
磁気ディスク装置に関する。
関し、特に、訂正可能エラー発生時に磁気ディスク装置
内の不揮発性メモリ上に訂正可能エラーに該当する論理
セクタアドレスと誤り訂正により訂正されたデータとを
登録しておくことにより、同一論理セクタ上で訂正不可
能エラーが発生した場合にもデータ消失を引き起こすこ
となく代替処理を行うことができる信頼性を向上させた
磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の磁気ディスク装置に於い
ては、磁気ディスク媒体内に代替セクタ、代替シリンダ
として代替領域を設け、不良セクタが発生した場合、こ
の不良セクタの代わりに代替領域を使用し、この代替領
域よりデータの読み出し及び書き込みを行っているが、
特開平３−００５９６７では、不良セクタ発生時に、上
位ホスト装置により、最も近接した代替領域に対し、代
替処理を行うことでデータアクセス時間を短縮する技術
が開示されている。
ては、磁気ディスク媒体内に代替セクタ、代替シリンダ
として代替領域を設け、不良セクタが発生した場合、こ
の不良セクタの代わりに代替領域を使用し、この代替領
域よりデータの読み出し及び書き込みを行っているが、
特開平３−００５９６７では、不良セクタ発生時に、上
位ホスト装置により、最も近接した代替領域に対し、代
替処理を行うことでデータアクセス時間を短縮する技術
が開示されている。
【０００３】また、特開昭６１−０６１２７３では、訂
正可能エラー発生時に、磁気ディスク媒体上の予め用意
された記憶位置に訂正データを保存しておき、訂正不可
能エラー発生時に上記記憶位置からデータを読み込むこ
とにより、データの消失を防ぐ技術が開示されている。
正可能エラー発生時に、磁気ディスク媒体上の予め用意
された記憶位置に訂正データを保存しておき、訂正不可
能エラー発生時に上記記憶位置からデータを読み込むこ
とにより、データの消失を防ぐ技術が開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述の、特開平３−０
０５９６７に開示されているような不良セクタ発生時
に、上位ホスト装置により、最も近接した代替領域に対
し、代替処理を行う技術では、訂正可能エラー発生時
に、上位ホスト装置による代替処理が行なわれていない
場合、その後、同一論理セクタで訂正不可能エラーが発
生した際に、該当論理セクタ上のデータが消失してしま
うという課題がある。
０５９６７に開示されているような不良セクタ発生時
に、上位ホスト装置により、最も近接した代替領域に対
し、代替処理を行う技術では、訂正可能エラー発生時
に、上位ホスト装置による代替処理が行なわれていない
場合、その後、同一論理セクタで訂正不可能エラーが発
生した際に、該当論理セクタ上のデータが消失してしま
うという課題がある。
【０００５】また、特開昭６１−０６１２７３に開示さ
れている技術では、訂正可能エラー発生時の訂正データ
の保存領域を磁気ディスク媒体上に設けているため、磁
気ディスク媒体の記憶容量に影響を与え、かつ、訂正デ
ータ保存エリアに保持されたデータをアクセス時、また
は、訂正可能エラー発生時の訂正データの保存時に磁気
ヘッドのシーク動作、及び回転待ち時間が入り、シーケ
ンシャルアクセス時に、磁気ディスク装置へのアクセス
性能が低下するという課題がある。
れている技術では、訂正可能エラー発生時の訂正データ
の保存領域を磁気ディスク媒体上に設けているため、磁
気ディスク媒体の記憶容量に影響を与え、かつ、訂正デ
ータ保存エリアに保持されたデータをアクセス時、また
は、訂正可能エラー発生時の訂正データの保存時に磁気
ヘッドのシーク動作、及び回転待ち時間が入り、シーケ
ンシャルアクセス時に、磁気ディスク装置へのアクセス
性能が低下するという課題がある。
【０００６】本発明の目的は、訂正可能エラー発生時に
磁気ディスク装置内の不揮発性メモリ上に該当論理セク
タアドレスと誤り訂正により訂正されたデータとを登録
しておくことにより、同一論理セクタ上で訂正不可能エ
ラーが発生した場合、データ消失を引き起こすことなく
代替処理を行うことができる信頼性を向上させた磁気デ
ィスク装置を提供することにある。
磁気ディスク装置内の不揮発性メモリ上に該当論理セク
タアドレスと誤り訂正により訂正されたデータとを登録
しておくことにより、同一論理セクタ上で訂正不可能エ
ラーが発生した場合、データ消失を引き起こすことなく
代替処理を行うことができる信頼性を向上させた磁気デ
ィスク装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ディスク装
置の第一の発明は、磁気ディスク媒体の先頭論理セクタ
から順次記録データを読み出す手段と、読み出した前記
論理セクタにて訂正可能エラーを検出した場合に誤り訂
正を行う手段と、不揮発性メモリ内に誤り訂正を行った
論理セクタのアドレスと訂正データとを登録する手段と
を有する磁気ディスク装置に於いて、上位ホスト装置か
らのリード要求により磁気ディスク媒体からのデータ読
み出し時に訂正不可能エラーを検出したとき、不揮発性
メモリを検索し訂正不可能エラーに該当する論理セクタ
のアドレスが登録されていた場合、不揮発性メモリ内の
データを上位ホスト装置に転送する手段と、論理セクタ
アドレスの代替処理を行い磁気ディスク媒体の代替領域
に不揮発性メモリ上のデータを書き込む手段とを有する
ことを特徴とする。
置の第一の発明は、磁気ディスク媒体の先頭論理セクタ
から順次記録データを読み出す手段と、読み出した前記
論理セクタにて訂正可能エラーを検出した場合に誤り訂
正を行う手段と、不揮発性メモリ内に誤り訂正を行った
論理セクタのアドレスと訂正データとを登録する手段と
を有する磁気ディスク装置に於いて、上位ホスト装置か
らのリード要求により磁気ディスク媒体からのデータ読
み出し時に訂正不可能エラーを検出したとき、不揮発性
メモリを検索し訂正不可能エラーに該当する論理セクタ
のアドレスが登録されていた場合、不揮発性メモリ内の
データを上位ホスト装置に転送する手段と、論理セクタ
アドレスの代替処理を行い磁気ディスク媒体の代替領域
に不揮発性メモリ上のデータを書き込む手段とを有する
ことを特徴とする。
【０００８】不揮発性メモリは、訂正可能エラー発生時
の論理セクタアドレスを格納する論理セクタアドレスエ
リアと論理セクタアドレスの訂正されたデータを格納す
るデータエリアとを有することを特徴とする。
の論理セクタアドレスを格納する論理セクタアドレスエ
リアと論理セクタアドレスの訂正されたデータを格納す
るデータエリアとを有することを特徴とする。
【０００９】本発明の磁気ディスク装置の第二の発明
は、上位ホスト装置と上位バスを介して接続され上位ホ
スト装置からのアクセス時に上位バスとのインタフェー
ス制御およびデータ転送の制御を行う上位インタフェー
スと、内部バスに接続され磁気ディスク媒体へのアクセ
ス時に磁気ディスク媒体の制御及びデータ転送の制御を
行う磁気ディスク制御回路と、内部バスに接続され磁気
ディスク媒体の訂正データおよび論理アドレスを記憶す
る不揮発性メモリと、内部バスに接続され内部バスを介
して不揮発性メモリ上のデータ管理と上位インタフェー
スおよび磁気ディスク制御回路の制御と磁気ディスク媒
体の管理とを行うマイクロプロセッサ回路と、内部バス
に接続されマイクロプロセッサ回路の作業エリアおよび
磁気ディスク媒体の論理セクタ・リード時のデータの一
時保存メモリとして使用されるＲＡＭとを有し、磁気デ
ィスク媒体は、ユーザデータが保存されるユーザ領域と
エラー発生時にユーザ領域を代替する代替領域とを有
し、不揮発性メモリは、訂正可能エラー発生時の論理セ
クタアドレスを格納する論理セクタアドレスエリアと論
理セクタアドレスの訂正されたデータを格納するデータ
エリアとを有することを特徴とする。
は、上位ホスト装置と上位バスを介して接続され上位ホ
スト装置からのアクセス時に上位バスとのインタフェー
ス制御およびデータ転送の制御を行う上位インタフェー
スと、内部バスに接続され磁気ディスク媒体へのアクセ
ス時に磁気ディスク媒体の制御及びデータ転送の制御を
行う磁気ディスク制御回路と、内部バスに接続され磁気
ディスク媒体の訂正データおよび論理アドレスを記憶す
る不揮発性メモリと、内部バスに接続され内部バスを介
して不揮発性メモリ上のデータ管理と上位インタフェー
スおよび磁気ディスク制御回路の制御と磁気ディスク媒
体の管理とを行うマイクロプロセッサ回路と、内部バス
に接続されマイクロプロセッサ回路の作業エリアおよび
磁気ディスク媒体の論理セクタ・リード時のデータの一
時保存メモリとして使用されるＲＡＭとを有し、磁気デ
ィスク媒体は、ユーザデータが保存されるユーザ領域と
エラー発生時にユーザ領域を代替する代替領域とを有
し、不揮発性メモリは、訂正可能エラー発生時の論理セ
クタアドレスを格納する論理セクタアドレスエリアと論
理セクタアドレスの訂正されたデータを格納するデータ
エリアとを有することを特徴とする。
【００１０】マイクロプロセッサ回路は、訂正可能エラ
ーが発生した論理セクタアドレス毎に順次論理セクタア
ドレスおよび訂正データを不揮発性メモリの論理セクタ
アドレスエリアおよびデータエリアに登録することを特
徴とする。
ーが発生した論理セクタアドレス毎に順次論理セクタア
ドレスおよび訂正データを不揮発性メモリの論理セクタ
アドレスエリアおよびデータエリアに登録することを特
徴とする。
【００１１】上位ホスト装置からデータのリード要求に
より磁気ディスク媒体からのデータ読み出し時に訂正不
可能エラーを検出した場合、不揮発性メモリを検索し、
訂正不可能エラーに該当する論理セクタアドレスが登録
されていた場合、不揮発性メモリ内のデータを上位ホス
ト装置に転送することを特徴とする。
より磁気ディスク媒体からのデータ読み出し時に訂正不
可能エラーを検出した場合、不揮発性メモリを検索し、
訂正不可能エラーに該当する論理セクタアドレスが登録
されていた場合、不揮発性メモリ内のデータを上位ホス
ト装置に転送することを特徴とする。
【００１２】上位ホスト装置からデータのリード要求に
より磁気ディスク媒体からのデータ読み出し時に訂正不
可能エラーを検出した場合、不揮発性メモリを検索し、
訂正不可能エラーに該当する論理セクタアドレスが登録
されていた場合、論理セクタアドレスの代替処理を行
い、磁気ディスク媒体の代替領域に不揮発性メモリ上の
データを書き込むことを特徴とする。
より磁気ディスク媒体からのデータ読み出し時に訂正不
可能エラーを検出した場合、不揮発性メモリを検索し、
訂正不可能エラーに該当する論理セクタアドレスが登録
されていた場合、論理セクタアドレスの代替処理を行
い、磁気ディスク媒体の代替領域に不揮発性メモリ上の
データを書き込むことを特徴とする。
【００１３】磁気ディスク媒体は、論理セクタ単位でデ
ータが保存されることを特徴とする。
ータが保存されることを特徴とする。
【００１４】論理セクタは、データとデータ誤り発生時
に訂正を行うための訂正コードとから構成されることを
特徴とする。
に訂正を行うための訂正コードとから構成されることを
特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】次に本発明の一実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１６】図１は、本発明の磁気ディスク装置１００
の構成ブロック図、図２は、図１における不揮発性メモ
リ５０のデータ格納方式を示す図、図３は、図１におけ
る論理セクタ３３の構成を示す図である。
の構成ブロック図、図２は、図１における不揮発性メモ
リ５０のデータ格納方式を示す図、図３は、図１におけ
る論理セクタ３３の構成を示す図である。
【００１７】図１、図２、および図３を参照すると、本
発明の磁気ディスク装置１００は、上位ホスト装置３０
０と上位バス２００を介して接続され上位ホスト装置３
００からのアクセス時に上位バス２００とのインタフェ
ース制御およびデータ転送の制御を行う上位インタフェ
ース２０と、内部バス１に接続され磁気ディスク媒体３
０へのアクセス時に磁気ディスク媒体３０の制御及びデ
ータ転送の制御を行う磁気ディスク制御回路４０と、内
部バス１に接続され磁気ディスク媒体３０の訂正データ
および論理アドレスを記憶する不揮発性メモリ５０と、
内部バス１に接続され内部バス１を介して不揮発性メモ
リ５０上のデータ管理と上位インタフェース２０および
磁気ディスク制御回路４０の制御と磁気ディスク媒体３
０の管理とを行うマイクロプロセッサ回路１０と、内部
バス１に接続されマイクロプロセッサ回路１０の作業エ
リアおよび磁気ディスク媒体３０の論理セクタ３３・リ
ード時のデータの一時保存メモリとして使用されるＲＡ
Ｍ６０とから構成され、磁気ディスク媒体３０は、デー
タ８１とデータ誤り発生時に訂正を行うための訂正コー
ド８２とからなる論理セクタ３３単位でデータ８１が保
存され、ユーザデータが保存されるユーザ領域３１とエ
ラー発生時にユーザ領域３１を代替する代替領域３２と
からなり、不揮発性メモリ５０は、訂正可能エラー発生
時の論理セクタアドレスを格納する論理セクタアドレス
エリア７１と論理セクタアドレスの訂正されたデータを
格納するデータエリア７２とを有する構成となってい
る。
発明の磁気ディスク装置１００は、上位ホスト装置３０
０と上位バス２００を介して接続され上位ホスト装置３
００からのアクセス時に上位バス２００とのインタフェ
ース制御およびデータ転送の制御を行う上位インタフェ
ース２０と、内部バス１に接続され磁気ディスク媒体３
０へのアクセス時に磁気ディスク媒体３０の制御及びデ
ータ転送の制御を行う磁気ディスク制御回路４０と、内
部バス１に接続され磁気ディスク媒体３０の訂正データ
および論理アドレスを記憶する不揮発性メモリ５０と、
内部バス１に接続され内部バス１を介して不揮発性メモ
リ５０上のデータ管理と上位インタフェース２０および
磁気ディスク制御回路４０の制御と磁気ディスク媒体３
０の管理とを行うマイクロプロセッサ回路１０と、内部
バス１に接続されマイクロプロセッサ回路１０の作業エ
リアおよび磁気ディスク媒体３０の論理セクタ３３・リ
ード時のデータの一時保存メモリとして使用されるＲＡ
Ｍ６０とから構成され、磁気ディスク媒体３０は、デー
タ８１とデータ誤り発生時に訂正を行うための訂正コー
ド８２とからなる論理セクタ３３単位でデータ８１が保
存され、ユーザデータが保存されるユーザ領域３１とエ
ラー発生時にユーザ領域３１を代替する代替領域３２と
からなり、不揮発性メモリ５０は、訂正可能エラー発生
時の論理セクタアドレスを格納する論理セクタアドレス
エリア７１と論理セクタアドレスの訂正されたデータを
格納するデータエリア７２とを有する構成となってい
る。
【００１８】また、マイクロプロセッサ回路１０は、訂
正可能エラーが発生した論理セクタアドレス毎に順次論
理セクタアドレスおよび訂正データを不揮発性メモリ５
０の論理セクタアドレスエリア７１およびデータエリア
７２に登録するよう構成されている。
正可能エラーが発生した論理セクタアドレス毎に順次論
理セクタアドレスおよび訂正データを不揮発性メモリ５
０の論理セクタアドレスエリア７１およびデータエリア
７２に登録するよう構成されている。
【００１９】次に、上述のように構成された磁気ディス
ク装置１００の動作について説明する。
ク装置１００の動作について説明する。
【００２０】図１〜図３を参照すると、マイクロプロセ
ッサ回路１０は、磁気ディスク装置１００に対して上位
ホスト装置３００からのアクセスが一定時間無いことを
認識した場合、磁気ディスク制御回路４０を制御し、磁
気ディスク媒体３０のユーザ領域３１の先頭から論理セ
クタ３３単位でＲＡＭ６０上に読み込む。
ッサ回路１０は、磁気ディスク装置１００に対して上位
ホスト装置３００からのアクセスが一定時間無いことを
認識した場合、磁気ディスク制御回路４０を制御し、磁
気ディスク媒体３０のユーザ領域３１の先頭から論理セ
クタ３３単位でＲＡＭ６０上に読み込む。
【００２１】ＲＡＭ６０上に読み込んだデータに誤りが
ない場合、マイクロプロセッサ回路１０は、磁気ディス
ク制御回路４０を制御し、磁気ディスク媒体３０上から
次の論理セクタ３３を読み込むという誤り検出処理を継
続して行う。
ない場合、マイクロプロセッサ回路１０は、磁気ディス
ク制御回路４０を制御し、磁気ディスク媒体３０上から
次の論理セクタ３３を読み込むという誤り検出処理を継
続して行う。
【００２２】ＲＡＭ６０上に読み込んだデータに誤りが
あった場合は、マイクロプロセッサ回路１０は誤り訂正
を行うが、マイクロプロセッサ回路１０は、データ誤り
を検出した場合、ＲＡＭ６０に読み込まれた論理セクタ
データの内、訂正コード８２を使用して誤りのあったデ
ータ８１を訂正する（図３参照）。
あった場合は、マイクロプロセッサ回路１０は誤り訂正
を行うが、マイクロプロセッサ回路１０は、データ誤り
を検出した場合、ＲＡＭ６０に読み込まれた論理セクタ
データの内、訂正コード８２を使用して誤りのあったデ
ータ８１を訂正する（図３参照）。
【００２３】誤り訂正に成功した場合、マイクロプロセ
ッサ回路１０は、不揮発性メモリ５０に誤り訂正を行っ
た論理セクタアドレスおよび訂正後のデータを保存する
が、不揮発性メモリ５０の論理セクタアドレスエリア７
１に誤り訂正を行った論理セクタアドレスを、データエ
リア７２に誤り訂正を行った論理セクタ３３の訂正後の
データををそれぞれ保存する（図２参照）。
ッサ回路１０は、不揮発性メモリ５０に誤り訂正を行っ
た論理セクタアドレスおよび訂正後のデータを保存する
が、不揮発性メモリ５０の論理セクタアドレスエリア７
１に誤り訂正を行った論理セクタアドレスを、データエ
リア７２に誤り訂正を行った論理セクタ３３の訂正後の
データををそれぞれ保存する（図２参照）。
【００２４】マイクロプロセッサ回路１０は、更に誤り
訂正を行った論理セクタが発生した場合、同様の形式で
不揮発性メモリ５０に追加登録する。
訂正を行った論理セクタが発生した場合、同様の形式で
不揮発性メモリ５０に追加登録する。
【００２５】なお、誤り検出処理中に上位ホスト装置３
００からのアクセスが発生した場合は、マイクロプロセ
ッサ回路１０は誤り検出処理を中断し、上位ホスト装置
３００からのアクセスに対する処理を行い、アクセスに
対する処理が終了した時点で誤り検出処理を再開する。
マイクロプロセッサ回路１０は、磁気ディスク媒体３０
のユーザ領域３１上の最終の論理セクタ３３まで上記誤
り検出処理を行い、これを一定時間間隔で繰り返して行
う。
００からのアクセスが発生した場合は、マイクロプロセ
ッサ回路１０は誤り検出処理を中断し、上位ホスト装置
３００からのアクセスに対する処理を行い、アクセスに
対する処理が終了した時点で誤り検出処理を再開する。
マイクロプロセッサ回路１０は、磁気ディスク媒体３０
のユーザ領域３１上の最終の論理セクタ３３まで上記誤
り検出処理を行い、これを一定時間間隔で繰り返して行
う。
【００２６】上位ホスト装置３００よりライトアクセス
が発生した場合、マイクロプロセッサ回路１０は、磁気
ディスク制御回路４０を制御し、磁気ディスク媒体３０
のユーザ領域３１上の指定された論理セクタ３３上にデ
ータを書き込むとともに、不揮発性メモリ５０をチェッ
クし、上位ホスト装置３００より指定された論理セクタ
アドレスが不揮発性メモリ５０上の論理セクタアドレス
エリア７１に登録されていた場合、不揮発性メモリ５０
上の対応するデータエリア７２にデータを書き込む。こ
のように、マイクロプロセッサ回路１０は、不揮発性メ
モリ５０上の論理セクタアドレスエリア７１を順次検索
し、上位ホスト装置３００より指定された論理セクタア
ドレスが登録されていた場合、対応するデータエリア７
２にデータを書き込む。
が発生した場合、マイクロプロセッサ回路１０は、磁気
ディスク制御回路４０を制御し、磁気ディスク媒体３０
のユーザ領域３１上の指定された論理セクタ３３上にデ
ータを書き込むとともに、不揮発性メモリ５０をチェッ
クし、上位ホスト装置３００より指定された論理セクタ
アドレスが不揮発性メモリ５０上の論理セクタアドレス
エリア７１に登録されていた場合、不揮発性メモリ５０
上の対応するデータエリア７２にデータを書き込む。こ
のように、マイクロプロセッサ回路１０は、不揮発性メ
モリ５０上の論理セクタアドレスエリア７１を順次検索
し、上位ホスト装置３００より指定された論理セクタア
ドレスが登録されていた場合、対応するデータエリア７
２にデータを書き込む。
【００２７】上位ホスト装置３００よりリードアクセス
が発生した場合、マイクロプロセッサ回路１０は、磁気
ディスク制御回路４０を制御し、磁気ディスク媒体３０
のユーザ領域３１上からデータを読み込み、上位インタ
フェース２０を制御して、上位ホスト装置３００にデー
タを転送する。
が発生した場合、マイクロプロセッサ回路１０は、磁気
ディスク制御回路４０を制御し、磁気ディスク媒体３０
のユーザ領域３１上からデータを読み込み、上位インタ
フェース２０を制御して、上位ホスト装置３００にデー
タを転送する。
【００２８】磁気ディスク媒体３０のユーザ領域３１上
からの読み込み時、訂正不可能エラーが発生した場合、
マイクロプロセッサ回路１０は、不揮発性メモリ５０を
チェックし、訂正不可能エラーが発生した論理セクタア
ドレスが登録されているかどうかを確認し、不揮発性メ
モリ５０上の論理セクタアドレスエリア７１に発生した
訂正不可能エラーに該当する論理セクタアドレスが登録
されている場合、不揮発性メモリ５０上のデータエリア
７２に登録されている該当論理セクタ３３のデータを上
位インタフェース２０を制御して上位ホスト装置３００
に転送する。このように、マイクロプロセッサ回路１０
は、不揮発性メモリ５０上の論理セクタアドレスエリア
７１を順次検索し、訂正不可能エラーが発生した論理セ
クタアドレスが登録されていた場合、対応するデータエ
リア７２よりデータを読み込む。
からの読み込み時、訂正不可能エラーが発生した場合、
マイクロプロセッサ回路１０は、不揮発性メモリ５０を
チェックし、訂正不可能エラーが発生した論理セクタア
ドレスが登録されているかどうかを確認し、不揮発性メ
モリ５０上の論理セクタアドレスエリア７１に発生した
訂正不可能エラーに該当する論理セクタアドレスが登録
されている場合、不揮発性メモリ５０上のデータエリア
７２に登録されている該当論理セクタ３３のデータを上
位インタフェース２０を制御して上位ホスト装置３００
に転送する。このように、マイクロプロセッサ回路１０
は、不揮発性メモリ５０上の論理セクタアドレスエリア
７１を順次検索し、訂正不可能エラーが発生した論理セ
クタアドレスが登録されていた場合、対応するデータエ
リア７２よりデータを読み込む。
【００２９】転送完了後、マイクロプロセッサ回路１０
は、磁気ディスク制御回路４０を制御し、訂正不可能エ
ラーが発生した論理セクタ３３の磁気ディスク媒体３０
の代替領域３２への代替処理を実行する。代替処理後、
マイクロプロセッサ回路１０は、不揮発性メモリ５０上
に登録されている訂正不可能エラーが発生した論理セク
タアドレスのデータを、磁気ディスク制御回路４０を制
御し、磁気ディスク媒体３０の代替領域３２に書き込
む。
は、磁気ディスク制御回路４０を制御し、訂正不可能エ
ラーが発生した論理セクタ３３の磁気ディスク媒体３０
の代替領域３２への代替処理を実行する。代替処理後、
マイクロプロセッサ回路１０は、不揮発性メモリ５０上
に登録されている訂正不可能エラーが発生した論理セク
タアドレスのデータを、磁気ディスク制御回路４０を制
御し、磁気ディスク媒体３０の代替領域３２に書き込
む。
【００３０】上記磁気ディスク媒体３０の代替領域３２
に書き込む処理が終了後、マイクロプロセッサ回路１０
は、不揮発性メモリ５０上の該当論理セクタアドレスが
登録されている論理アドレスエリア７１およびデータエ
リア７２の内容を削除する。
に書き込む処理が終了後、マイクロプロセッサ回路１０
は、不揮発性メモリ５０上の該当論理セクタアドレスが
登録されている論理アドレスエリア７１およびデータエ
リア７２の内容を削除する。
【００３１】なお、上記実施の形態では、マイクロプロ
セッサ回路１０は、上位ホスト装置３００からのアクセ
スが一定時間無いことを認識した場合に、磁気ディスク
媒体３０のユーザ領域３１上の論理セクタ３３を順次読
み込み、誤り検出処理を実施しているが、磁気ディスク
装置１００自体の負荷の状況だけでなく上位ホスト装置
３００により管理されるシステム全体の負荷が低い場合
には、マイクロプロセッサ回路１０は、上位ホスト装置
３００からのアクセスの状態を監視することなく上位ホ
スト装置３００より誤り検出処理開始の指示が発生した
ときに磁気ディスク媒体３０のユーザ領域３１の誤り検
出処理を開始することも可能であり、本願発明に含まれ
ることはいうまでもない。
セッサ回路１０は、上位ホスト装置３００からのアクセ
スが一定時間無いことを認識した場合に、磁気ディスク
媒体３０のユーザ領域３１上の論理セクタ３３を順次読
み込み、誤り検出処理を実施しているが、磁気ディスク
装置１００自体の負荷の状況だけでなく上位ホスト装置
３００により管理されるシステム全体の負荷が低い場合
には、マイクロプロセッサ回路１０は、上位ホスト装置
３００からのアクセスの状態を監視することなく上位ホ
スト装置３００より誤り検出処理開始の指示が発生した
ときに磁気ディスク媒体３０のユーザ領域３１の誤り検
出処理を開始することも可能であり、本願発明に含まれ
ることはいうまでもない。
【００３２】以上説明したように、訂正可能エラー発生
時に磁気ディスク装置１００内の不揮発性メモリ５０上
に該当論理セクタアドレスと誤り訂正により訂正された
データを登録しておくことにより、磁気ディスク媒体３
０の同一論理セクタ３３上で訂正不可能エラーが発生し
た場合、不揮発性メモリ５０に登録されたデータを使用
することにより、訂正不可能エラーによるデータ消失を
引き起こすことなく代替処理を行うことができ、磁気デ
ィスク装置１００の信頼性を向上することができるとい
う効果がある。
時に磁気ディスク装置１００内の不揮発性メモリ５０上
に該当論理セクタアドレスと誤り訂正により訂正された
データを登録しておくことにより、磁気ディスク媒体３
０の同一論理セクタ３３上で訂正不可能エラーが発生し
た場合、不揮発性メモリ５０に登録されたデータを使用
することにより、訂正不可能エラーによるデータ消失を
引き起こすことなく代替処理を行うことができ、磁気デ
ィスク装置１００の信頼性を向上することができるとい
う効果がある。
【００３３】また、磁気ディスク媒体３０上の論理セク
タ３３の誤り検出およびび代替処理を磁気ディスク装置
１００にて行うため、上位ホスト装置３００の負荷を軽
減できるという効果がある。
タ３３の誤り検出およびび代替処理を磁気ディスク装置
１００にて行うため、上位ホスト装置３００の負荷を軽
減できるという効果がある。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気ディ
スク装置は、磁気ディスク媒体のユーザ領域の誤り検出
処理を実施し、訂正可能エラー発生時の論理セクタアド
レスと訂正されたデータとを不揮発性メモリに保存して
おくことにより、訂正可能エラーの発生した論理セクタ
でその後に発生が予想される訂正不可能エラー発生時の
データ消失を防止することができ、信頼性を向上するこ
とができるという効果がある。
スク装置は、磁気ディスク媒体のユーザ領域の誤り検出
処理を実施し、訂正可能エラー発生時の論理セクタアド
レスと訂正されたデータとを不揮発性メモリに保存して
おくことにより、訂正可能エラーの発生した論理セクタ
でその後に発生が予想される訂正不可能エラー発生時の
データ消失を防止することができ、信頼性を向上するこ
とができるという効果がある。
【００３５】また、訂正不可能エラー発生時に磁気ディ
スク装置内部にて代替処理を実施することにより、上位
ホスト装置の負荷を軽減できるという効果がある。
スク装置内部にて代替処理を実施することにより、上位
ホスト装置の負荷を軽減できるという効果がある。
【図１】本発明の磁気ディスク装置の構成を示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図２】図１における不揮発性メモリのデータ格納方式
を示す図である。
を示す図である。
【図３】図３は、図１における論理セクタの構成を示す
図である。
図である。
１ 内部バス １０ マイクロプロセッサ回路 ２０ 上位インタフェース ３０ 磁気ディスク媒体 ３１ ユーザ領域 ３２ 代替領域 ３３ 論理セクタ ４０ 磁気ディスク制御回路 ５０ 不揮発性メモリ ６０ ＲＡＭ ７１ 論理セクタアドレスエリア ７２ データエリア ８１ データ ８２ 訂正コード １００ 磁気ディスク装置 ２００ 上位バス ３００ 上位ホスト装置
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 20/18 G06F 3/06 305
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気ディスク媒体の先頭論理セクタから
順次記録データを読み出す手段と、読み出した前記論理
セクタにて訂正可能エラーを検出した場合に誤り訂正を
行う手段と、不揮発性メモリ内に誤り訂正を行った前記
論理セクタのアドレスと訂正データとを登録する手段と
を有する磁気ディスク装置に於いて、上位ホスト装置か
らのリード要求により前記磁気ディスク媒体からのデー
タ読み出し時に訂正不可能エラーを検出したとき、前記
不揮発性メモリを検索し訂正不可能エラーに該当する前
記論理セクタのアドレスが登録されていた場合、前記不
揮発性メモリ内のデータを前記上位ホスト装置に転送す
る手段と、論理セクタアドレスの代替処理を行い前記磁
気ディスク媒体の代替領域に前記不揮発性メモリ上のデ
ータを書き込む手段とを有することを特徴とする磁気デ
ィスク装置。 - 【請求項２】 前記不揮発性メモリは、訂正可能エラー
発生時の論理セクタアドレスを格納する論理セクタアド
レスエリアと前記論理セクタアドレスの訂正されたデー
タを格納するデータエリアとを有することを特徴とする
請求項１記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項３】 上位ホスト装置と上位バスを介して接続
され前記上位ホスト装置からのアクセス時に前記上位バ
スとのインタフェース制御およびデータ転送の制御を行
う上位インタフェースと、内部バスに接続され磁気ディ
スク媒体へのアクセス時に前記磁気ディスク媒体の制御
及びデータ転送の制御を行う磁気ディスク制御回路と、
前記内部バスに接続され前記磁気ディスク媒体の訂正デ
ータおよび論理アドレスを記憶する不揮発性メモリと、
前記内部バスに接続され前記内部バスを介して前記不揮
発性メモリ上のデータ管理と前記上位インタフェースお
よび前記磁気ディスク制御回路の制御と前記磁気ディス
ク媒体の管理とを行うマイクロプロセッサ回路と、前記
内部バスに接続され前記マイクロプロセッサ回路の作業
エリアおよび前記磁気ディスク媒体の論理セクタ・リー
ド時のデータの一時保存メモリとして使用されるＲＡＭ
とを有し、前記磁気ディスク媒体は、ユーザデータが保
存されるユーザ領域とエラー発生時にユーザ領域を代替
する代替領域とを有し、前記不揮発性メモリは、訂正可
能エラー発生時の論理セクタアドレスを格納する論理セ
クタアドレスエリアと前記論理セクタアドレスの訂正さ
れたデータを格納するデータエリアとを有することを特
徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項４】 前記マイクロプロセッサ回路は、訂正可
能エラーが発生した前記論理セクタアドレス毎に順次前
記論理セクタアドレスおよび訂正データを前記不揮発性
メモリの前記論理セクタアドレスエリアおよび前記デー
タエリアに登録することを特徴とする請求項３記載の磁
気ディスク装置。 - 【請求項５】 前記上位ホスト装置からデータのリード
要求により前記磁気ディスク媒体からのデータ読み出し
時に訂正不可能エラーを検出した場合、前記不揮発性メ
モリを検索し、訂正不可能エラーに該当する前記論理セ
クタアドレスが登録されていた場合、前記不揮発性メモ
リ内のデータを前記上位ホスト装置に転送することを特
徴とする請求項３または４記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項６】 前記上位ホスト装置からデータのリード
要求により前記磁気ディスク媒体からのデータ読み出し
時に訂正不可能エラーを検出した場合、前記不揮発性メ
モリを検索し、訂正不可能エラーに該当する前記論理セ
クタアドレスが登録されていた場合、前記論理セクタア
ドレスの代替処理を行い、前記磁気ディスク媒体の前記
代替領域に前記不揮発性メモリ上のデータを書き込むこ
とを特徴とする請求項３または４記載の磁気ディスク装
置。 - 【請求項７】 前記磁気ディスク媒体は、前記論理セク
タ単位でデータが保存されることを特徴とする請求項
３、４、５、６の何れか１項記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項８】 前記論理セクタは、データとデータ誤り
発生時に訂正を行うための訂正コードとから構成される
ことを特徴とする請求項３、４、５、６、７の何れか１
項記載の磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33403199A JP3335969B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33403199A JP3335969B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 磁気ディスク装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001155444A JP2001155444A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3335969B2 true JP3335969B2 (ja) | 2002-10-21 |
Family
ID=18272739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33403199A Expired - Fee Related JP3335969B2 (ja) | 1999-11-25 | 1999-11-25 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3335969B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021140835A (ja) * | 2020-03-02 | 2021-09-16 | 株式会社東芝 | 磁気ディスク装置 |
-
1999
- 1999-11-25 JP JP33403199A patent/JP3335969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001155444A (ja) | 2001-06-08 |
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