JPH01214086A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH01214086A JPH01214086A JP3985088A JP3985088A JPH01214086A JP H01214086 A JPH01214086 A JP H01214086A JP 3985088 A JP3985088 A JP 3985088A JP 3985088 A JP3985088 A JP 3985088A JP H01214086 A JPH01214086 A JP H01214086A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- films
- chip
- side surfaces
- laser chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 abstract 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関し、特に熱抵抗の低減化を図
った半導体レーザに関する。
った半導体レーザに関する。
従来の半導体レーザは第４図に示すように、発光領域と
なる活性層を内包する多層構造を半導体基板上に備えた
構造の半導体レーザチップ８をヒートリング９上に融着
した構成となっている。
なる活性層を内包する多層構造を半導体基板上に備えた
構造の半導体レーザチップ８をヒートリング９上に融着
した構成となっている。
上述した従来の半導体レーザは半導体レーザチップをヒ
ートシンク上に融着しているために、半導体レーザチッ
プの発光領域すなわち活性部で発生した熱は半導体レー
ザチップとヒートシンクの融着面からしか放射されない
。このため熱の放射量が少なく半導体レーザの熱抵抗が
高くなるという欠点がある。
ートシンク上に融着しているために、半導体レーザチッ
プの発光領域すなわち活性部で発生した熱は半導体レー
ザチップとヒートシンクの融着面からしか放射されない
。このため熱の放射量が少なく半導体レーザの熱抵抗が
高くなるという欠点がある。
本発明は上記欠点を解決して熱抵抗の小さい半導体レー
ザを提供しようとするものである。
ザを提供しようとするものである。
本発明の半導体レーザは半導体レーザチップとヒートシ
ンクの接合において、チップ側面に絶縁膜と金属膜又は
絶縁膜のみを被覆し、これらの面をヒートシンクに融着
した構造となっている。このことによりヒートシンクと
の融着面積を増加させることが可能となり、半導体レー
ザチップの熱放出面が増え発光領域で発生した熱を速や
かに放出することが可能となる。
ンクの接合において、チップ側面に絶縁膜と金属膜又は
絶縁膜のみを被覆し、これらの面をヒートシンクに融着
した構造となっている。このことによりヒートシンクと
の融着面積を増加させることが可能となり、半導体レー
ザチップの熱放出面が増え発光領域で発生した熱を速や
かに放出することが可能となる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の概略図である。半導体レー
ザチップ１は第２図のように多層構造を□ 形成してチ
ップ状に切り出した後チップ側面をまずＳ ｉ ０２等
絶縁膜３で被覆する。次にその上に合算金属膜４を蒸着
し、半導体レーザチップを作る。このチップ側面と下面
がソルダでヒートシンクに融着されている（第１図）。
ザチップ１は第２図のように多層構造を□ 形成してチ
ップ状に切り出した後チップ側面をまずＳ ｉ ０２等
絶縁膜３で被覆する。次にその上に合算金属膜４を蒸着
し、半導体レーザチップを作る。このチップ側面と下面
がソルダでヒートシンクに融着されている（第１図）。
なおここでヒートシンク２の中央部は半導体レーザチッ
プ１からの出力光を妨げないように一部溝状にしである
。
プ１からの出力光を妨げないように一部溝状にしである
。
半導体レーザチップの多層構造については説明しなかっ
たが、埋め込みへテロ構造等通常用いられているどのよ
うな構造を採用してもよい。
たが、埋め込みへテロ構造等通常用いられているどのよ
うな構造を採用してもよい。
第３図は本発明の実施例２である。１は半導体レーザチ
ップで、第２図の構造のものを用いた。
ップで、第２図の構造のものを用いた。
２はヒートシンクである。この実施例では、半導体レー
ザチップ１をヒートシンク２の半分まで埋め込んだ構造
をしている。この構造では、従来の構造に比べて熱抵抗
を小さくすることができるほか、ヒートシンクへのベレ
ットマウント作業性を改善することができる。
ザチップ１をヒートシンク２の半分まで埋め込んだ構造
をしている。この構造では、従来の構造に比べて熱抵抗
を小さくすることができるほか、ヒートシンクへのベレ
ットマウント作業性を改善することができる。
上記２つの実施例はいずれも半導体レーザチップ側面に
絶縁膜／金属膜の２層被膜を形成した例であるが、この
２層被膜の代りに熱伝導の良い絶縁膜のみ、例えばダイ
ヤモンド薄膜等を形成し、金属膜は形成しないチップ構
造とし、これを前述の実施例の如くヒートシンクに固着
した構造としてもよい。
絶縁膜／金属膜の２層被膜を形成した例であるが、この
２層被膜の代りに熱伝導の良い絶縁膜のみ、例えばダイ
ヤモンド薄膜等を形成し、金属膜は形成しないチップ構
造とし、これを前述の実施例の如くヒートシンクに固着
した構造としてもよい。
尚、この場合の絶縁膜は１層とは限らす多層構造として
もよい。
もよい。
以ｂ”＋Ｑ明したように、本発明は半導体レーザチップ
をヒートシンクに密着して埋込むことにより従来の熱の
放散構造に比べて半導体レーザからの熱の放散量を多く
することができ、半導体レーザの熱抵抗を小さくするこ
とができる効果がある。
をヒートシンクに密着して埋込むことにより従来の熱の
放散構造に比べて半導体レーザからの熱の放散量を多く
することができ、半導体レーザの熱抵抗を小さくするこ
とができる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の概略図で、第２図は半
導体レーザチップの構造を示す図、第３図は本発明の第
２の実施例を示す概略図、第４図は従来の半導体レーザ
の構造概略図を示す。 １．８・・・半導体レーザチップ、２，９・・・ヒート
シンク、３・・・絶縁膜、４・・・金属膜。
導体レーザチップの構造を示す図、第３図は本発明の第
２の実施例を示す概略図、第４図は従来の半導体レーザ
の構造概略図を示す。 １．８・・・半導体レーザチップ、２，９・・・ヒート
シンク、３・・・絶縁膜、４・・・金属膜。
Claims (1)
- 発光領域となる活性層を内包する多層構造を基板上に備
えた半導体レーザチップの側面に絶縁膜と金属膜から成
る２層膜あるいは熱伝導の良い絶縁膜を被膜し、この被
膜が施された側面と、チップ底面（又は上面）とをヒー
トシンクに接合したことを特徴とする半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3985088A JPH01214086A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3985088A JPH01214086A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214086A true JPH01214086A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12564440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3985088A Pending JPH01214086A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147556A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3985088A patent/JPH01214086A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008147556A (ja) * | 2006-12-13 | 2008-06-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03230552A (ja) | 半導体素子実装用接合材 | |
| US20030151139A1 (en) | Semiconductor device | |
| JPH05129733A (ja) | サブマウント型レーザ | |
| JPH0513820A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2000091638A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
| JP3377553B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH01214086A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP2828358B2 (ja) | 半導体放熱構造 | |
| JPS60227446A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0321090A (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JPH03104167A (ja) | 接着された接触を有する多層トランスデューサおよびその接着方法 | |
| JP2874819B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007157961A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザ装置 | |
| JPH06260723A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS60153188A (ja) | ヒ−トパイプを利用した半導体レ−ザ−出力装置 | |
| JPH0142832B2 (ja) | ||
| JPS5858785A (ja) | 半導体レ−ザ−装置 | |
| JPS6315430A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5851585A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH11111737A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0786281A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPS6083341A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0442989A (ja) | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
| JPS6190459A (ja) | 固体撮像素子のパツケ−ジ | |
| JPH01109790A (ja) | 光半導体素子用サブマウント |