JPH01213916A - 低インダクタンス往復導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は低インダクタンス往復導体に関するものであ
る。

〔従来の技術〕

第４図及び第５図は従来の低インダクタンス往復導体を
モデル化して示す概略図であり、図において、１，２は
一対の往復導体としてのブスバー、３は互に離間したブ
スバー１．２により形成された空間部、４はこの空間部
３内に設けられている導体の短絡環である。

一般に、高周波成分を扱う回路では、わずかなインダク
タンスによっても弊害が発生するおそれがあるため、こ
のような回路に布設する往復導体には特に注意する必要
がある。すなわち、低インダクタンス化を図るためには
、一対の往復導体をできるだけ相互に接近して布設し、
電流により生じる磁束を相殺することが望ましい。しか
し、構造上の理由により、やむを得ず一部の区間では、
それぞれの導体を離間させて、空間部を形成せざるを得
ない場合がある。このような一部の区間をそのままに放
置しておくと、この区間では逆向きの電流による磁束の
相殺がなされずインダクタンスが増大してしまう場合が
あるため、何らかの方策により低インダクタンス化を図
る必要がある。

第４図及び第５図に示した低インダクタンス往復導体は
このような場合に用いられるものである。

次に動作について説明する。ブスバー１．２は第４図の
左方から右方へ向けて電力を供給する往復導体であり、
それぞれの電流１＋、Ｉｚによる起磁力で空間部３に対
し垂直方向に磁束を貫通させ、これにより往復線路にイ
ンダクタンスを生じさせている。そして、電流１．、ｌ
、が急変した場合、空間部３を貫通する磁束の変化によ
りインダクタンスが増大しようとする。しかし、このと
き、短絡環４には相互誘導による逆向きの電流Ｉ。

が発生し、空間部３への起磁力を打消して磁束ができな
いよう作用しており、インダクタンスの増大が抑制され
る結果となっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

従来の低インダクタンス往復導体は以上のように構成さ
れているので、ブスバー１．２と短絡環４との磁気的結
合を完全に行なうのは困難であり、実際には第６図に示
すような漏れ磁束が発生し、これによるインダクタンス
がかなり残るという問題点があり、また、短絡環４にあ
まり径の大きな導体を用いるのは実用的でないという問
題点があった。

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、超電導膜を利用して漏れ磁束の発生を効果的
に抑制し、インダクタンスの低減を図ることができる低
インダクタンス往復導体を得ることを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明に係る低インダクタンス往復導体は、一部区間
で互に離間することにより形成されている、一対の往復
導体の空間部に、超電導膜を覆設するようにしたもので
ある。

〔作用〕

この考案における超電導膜は、超電導状態においては、
いわゆるマイスナー効果により磁力線の貫通を排斥する
。したがって、往復導体のそれぞれが互に離間すること
によって形成された空間部を通る磁束をゼロにすること
ができ、インダクタンスを低減させることができる。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において５は、ブスバー１．２が互に離間することに
より形成された空間部を覆設する超電導膜であり、その
周縁部には円筒部６が一体的に形成されている。

次に動作について説明する。従来例と同様に、ブスバー
１．２の電流が急変すると、相互誘導により円筒部６に
逆向きの電流が流れるが、このとき、円筒部６の抵抗値
はゼロであり、また、その幅寸法も第２図に示すように
、ブスバー１．２の幅寸法と略同−となっているため、
円筒部６とブスバー１，２との磁気的結合はほぼ完全な
ものになっている。

また、超電導膜５は、いわゆるマイスナー効果により磁
力線を排斥する作用があるため、ブスバー１．２に囲ま
れた空間部を貫通する磁束は存在しなくなるため、漏れ
インダクタンスを大幅に低減させることができる。

なお、上記実施例ではブスバー１．２により囲まれた空
間部すべてを超電導膜５で覆った例を示したが、ブスバ
ー１．　２からある程度離れた位置であれば、第３図に
示すように孔部７を設けるようにしても実用上の支障は
ない。これにより、障害物等を孔部７に貫通させること
ができ、設計上の自由度を増すことができると共に、超
電導材料を節約することもできる。

〔発明の効果〕

以上のように、この発明によれば、一部区間で互に離間
することにより形成されている、一対の往復導体の空間
部に超電導膜を覆設する構成としたので、漏れ磁束の発
生を効果的に抑制し、インダクタンスの低減を図ること
ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例による低インダクタンス往
復導体を示す断面図、第２図は第１図のｎ−ｎ線に沿う
断面図、第３図はこの発明の他の実施例を示す断面図、
第４図は従来の低インダクタンス往復導体を示す断面図
、第５図は第４図のＶ−Ｖ線に沿う断面図、第６図は従
来の低インダクタンス往復導体の作用を示す第５図の一
部拡大断面図である。 １．２は往復導体（ブスバー）、５は超電導膜である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 第１図　第２図 第３図 第４図　第５図 ９　第６図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 互に逆向きの電流方向を有すると共に、相互に接近して
   布設され、一部区間で互に離間することにより形成され
   た空間部を有する一対の低インダクタンス往復導体にお
   いて、前記空間部に覆設された超電導膜を備えたことを
   特徴とする低インダクタンス往復導体。