JPH01212770A - 光学繊維によるビーム伝送を用いたレーザ化学蒸着装置 - Google Patents

光学繊維によるビーム伝送を用いたレーザ化学蒸着装置

Info

Publication number
JPH01212770A
JPH01212770A JP63301143A JP30114388A JPH01212770A JP H01212770 A JPH01212770 A JP H01212770A JP 63301143 A JP63301143 A JP 63301143A JP 30114388 A JP30114388 A JP 30114388A JP H01212770 A JPH01212770 A JP H01212770A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser beam
reaction chamber
workpiece
gaseous reactant
optical fiber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63301143A
Other languages
English (en)
Inventor
Tushar Shashikant Chande
ツシャー・シャシカント・チャンデ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JPH01212770A publication Critical patent/JPH01212770A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • C23C16/483Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/047Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はレーザ化学蒸着装置に関するものであって、更
に詳しく言えば、光学繊維によるビーム伝送を用いてレ
ーザ化学蒸着を実施するための技術に関する。
発明の背景 通常の化学蒸着(CVD)法は、−収約に述べれば、気
体状の化学反応体を基体材料上に沈着結合させる方法で
ある。通常のCVD法を実施するための技術は公知であ
って、それらは半導体チップ製造業界において(たとえ
ばVLSIの微小製造技術の一部として)実用化されて
おり、また望ましい性質を有する物質の層を基体材料上
に蒸着させることが所望される冶金業界においても実用
化されている。後者のごとき冶金的用途の実例としては
、鋼製もしくはチタン製の基体上に酸化物または窒化物
を蒸着させてそれの表面特性を改善することが挙げられ
る。 また、レーザ化学蒸着(LCVD)法は基体上へ
の化学反応体の蒸着をレーザビームによって促進するよ
うな方法であって、これもまた当業界において公知であ
る。
第1図は、LCVD法を実施するための先行技術に基づ
(LCVD装置100を示している。詳しく述べれば、
加工物102が密閉環境の反応室104の内部に配置さ
れている。かかる反応室104は、気体入口106、気
体出口108、および反応室内の圧力を表示するための
圧力計110を有している。反応室104はまた、レー
ザビームを透過させるための窓112、およびLCVD
法を受けている加工物を観察するための観測窓114を
も有している。レーザ116から発生されたレーザビー
ム118は、適当な手段(図示せず〉によって平行化さ
れる。平行化されたレーザビームは、鏡120および集
束レンズ122として図式的に表わされた適当な光学手
段により、窓112に向けて導かれかつ窓112を通し
て集束される6レーザビームの集束部分124は加工物
102上に焦点を結ぶ。運転に際しては、反応室104
が出口108を通して排気され、次いで加工物102の
表面上に蒸着させるべき気体状反応体が入口106を通
して導入される0通例、蒸着過程を維持するのに十分な
濃度の静止雰囲気を生み出すのに足るだけの気体状反応
体がLCVD装置の反応室内に導入される。この場合、
圧力計110によって示される圧力が反応室内における
気体状反応体の濃度の指標となる。集束されたレーザビ
ーム124は、気体状反応体を蒸着させることが所望さ
れる加工物(基体)の表面部分に当てられる。かかる集
束レーザビームを基体の様々な部分に当てるためには、
鏡120のごとき光学部品を移動させればよい。基体上
への蒸着は、当業界において公知の通り、レーザビーム
が気体状反応体の分子を解離させて基体材料と反応させ
る光分解過程、あるいはレーザビームが基体を加熱して
それと気体状反応体とを直接に反応させる熱分解過程の
いずれかによって行われる。
第1図に示されかつ上記に記載された従来のLCVD技
術には幾つかの欠点がある。1つの大きな欠点は、窓1
12を通して集束レーザビームを導入しなければならな
いという制約に由来するものである。かかる窓は、レー
ザビームの減衰をできるだけ少なくするためレーザビー
ムに対して高度の透過性を持った材料から作製しなけれ
ばならないので高価である。その上、かかる窓は反応室
内の圧力(正圧または負圧)に耐え得るだけの強度を有
していなければならない。実際には、化学反応体はかか
る窓にも沈着し、それにより窓の透過性を低下させるこ
とが知られている。このような窓への沈着を抑制するた
めに役立つ、当業界において公知の技術は、窓を加熱す
ることである。
しかるに、このような窓の加熱は窓のゆがみを引起こし
、従ってそれを透過した集束レーザビームのゆがみをも
引起こす回部性のあることが判明している。それ故、反
応室内にレーザビームを導入するために上記のごとき窓
の使用を必要としないLCVD用の装置が得られれば望
ましいわけである。
上記に記載された従来のLCVD技術に関して見られる
もう1つの大きな欠点は、基体付近における気体状反応
体の濃度の調節可能性が制限されることである。従来の
CVDおよびLCVD技術に従えば、蒸着領域内におけ
る気体状反応体の濃度を変化させるために反応室内の気
体状反応体の流量または圧力が調節される0反応室内に
おける気体状反応体の濃度を調節するためのこのような
方法は本質的に不正確なものである。なぜなら、かかる
方法は反応室の内部全体にわたる平均値としての気体状
反応体濃度を維持するためにしか役立たないからである
。このような方法を用いて蒸着領域の近傍における気体
状反応体の濃度を精密に調節することは非常に困難であ
る。それ故、蒸着領域内における気体状反応体の濃度を
精密に調節し得るようなLCVD用の装置が得られれば
やはり望ましいわけである。
従来のLCVD技術の更にもう1つの欠点は、基体の様
々な部分に集束レーザビームを当てる際の自在性が制限
されることである。上記のごとく、従来のLCVD装置
100における集束レーザビームの移動は、反応室の外
部に位置する光学手段を操作することによって達成され
る。明らかに、集束レーザビームの移動の自由度は窓1
12の断面積によって制限されると共に、基体の様々な
区域にレーザビームを効果的に集束し得る能力によって
制限されるのである。それ故、集束レーザビームと加工
物との相対的な移動が実質的に自由であるようなLCV
D装置が得られれば一層望ましいわけである。
従来のLCVD技術の更にもう1つの欠点は、レーザビ
ームの集束スポット内に見られる不均一な強度分布に由
来するものである。このような強度分布の不均一性は、
入力電力や冷却水流量の変化に原因するレーザ共振器内
部の変動、光学要素の振動などに帰因させることができ
る。上記のごとき熱分解機構によってLCVDが進行す
る場合には、集束スポット内の不均一な強度分布に対応
して集束レーザビームの当たる基体部分が不均等な加熱
を受けることになる。かかる不均等な加熱は集束スポッ
ト内における反応速度の変動を生じ、その結果として基
体上に蒸着する材料の厚さが不均一となるので望ましく
ない。更にまた、パルス状のレーザビームを用いてLC
VDを実施する場合には、相次ぐレーザビームパルス間
の強度分布の差に対応して蒸着した材料中にむらが生じ
ることもある。それ故、レーザビームの強度分布の不均
一性および相次ぐレーザビームパルス間における強度分
布の差が低減されたようなLCVD装置が得られればな
お一層望ましいわけである。
発明の目的 本発明の主たる目的は、上記のごとき問題および欠点を
解消するようなレーザ化学蒸着(LCVD)システムお
よび装置を提供することにある。
また、窓を通して反応室内にレーザビームを伝送する必
要のないようなLCVDシステムおよび装置を提供する
ことも本発明の目的の1つである。
更にまた、気体状反応体を蒸着させるべき基体の近傍に
おける基体状反応体の濃度を精密に調節し得るようなL
CVDシステムおよび装置を提供することも本発明の目
的の1つである。
更にまた、気体状反応体を蒸着させるべき基体の様々な
部分にレーザビームを当てるための実質的な自在性を示
すようなLCVDシステムおよび装置を提供することも
本発明の目的の1つである。
更にまた、レーザビームの集束スポット内における強度
分布の不均一性が低減されたようなLCVDシステムお
よび装置を提供することも本発明の目的の1つである。
更にまた、パルス式レーザによって発生された相次ぐレ
ーザビームパルス間に見られる強度分布の変動が低減さ
れたようなLCVDシステムおよび装置を提供すること
も本発明の目的の1つである。
発明の要約 本発明の上記の目的は、レーザビームを用いて加工物上
への気体状化学反応体のレーザ化学蒸着(LCVD)を
実施するための装置を含む新規で改良されたシステムに
よって達成される。本発明のLCVD装置は、レーザビ
ームを伝送するための光学繊維、およびレーザビーム伝
送用の光学繊維の入力端にレーザビームを注入するため
の適当な光学部品を含んでいる8本発明のLCVD装置
はまた、気体状反応体を蒸着させるべき加工物の所定区
域の近傍に気体状反応体を展開させるための手段、およ
び光学繊維の出力端から放出されたレーザビームを集束
するための出力カプラをも含んでいる。気体状反応体の
蒸着が熱分解過程によって進行するような実施の態様に
おいては、加工物の所定区域上に気体状反応体を蒸着さ
せるため、加工物の所定区域の少なくとも一部分に向け
てレーザビームが集束される。光分解過程によって気体
状反応体を蒸着させることが所望される別の実施の態様
においては、加工物の所定区域の近傍に位置する気体状
反応体の一部分に向けてレーザビームを集束するように
出力カプラが配置される。
幾つかの実施の態様においては、気体展開手段は出力カ
プラに結合されかつ加工物の所定区域の近傍に気体状反
応体を流すために役立つノズルを含んでいる。ノズルへ
の気体状反応体の流量を調節することにより、蒸着させ
るべき気体状反応体の濃度を調節することができる。
本発明の装置はまた、例示される幾つかの実施の態様に
おいては、加工物および出力カプラを収容するために役
立つ密閉環境の反応室をも含んでいる0反応室の第1の
開口によって光学繊維が反応室の外壁を貫通している結
果、光学繊維の入力端および出力端は反応室の外側およ
び内側にそれぞれ位置することになる。反応室の密閉環
境を維持するため、外壁に設けられた第1の開口は光学
繊維の周囲において封止されている。反応室の外壁には
また、気体状反応体を導入するための第2の開口、およ
び反応室を排気するため、あるいは反応室から気体状反
応体を除去するための第3の開ロアも設けられている。
気体展開手段がノズルから成る場合には、第2の開口か
らノズルまで気体状反応体を導くためにチューブのごと
き手段が設けられる。反応室内に配置された出力カプラ
にノズルが設けられていないような実施の態様において
は、反応室の排気後において加工物の所定区域の近傍に
適当な濃度の気体状反応体を供給するため、第2および
第3の開口を通して反応室内に気体状反応体を流すか、
あるいは第3の開口を閉鎖しながら第2の開口を通して
気体状反応体を導入することによって気体状反応体の静
止雰囲気を形成すればよい。本発明の装置はまた、気体
状反応体を加工物表面の様々な部分に制御可能に蒸着さ
せるため、出力カプラおよび加工物を制御下で相対的に
移動させるための機械的手段をも含むことが好ましい。
本発明の更に別の実施の態様においては、レーザビーム
が第1および第2のレーザビームに分割される。かかる
第1および第2のレーザビームは、それぞれ第1および
第2の光学繊維により、反応室内に位置する第1および
第2の出力カプラのそれぞれに伝送される。このように
すれば、加工物上の2つの相異なる位置においてLCV
D操作を同時に実施することができる。本発明のいずれ
の実施の態様においても、光学繊維を用いて加工物の近
傍にレーザビームを伝送することは、反応室の外壁に設
けられた窓を通してレーザビームを導入する先行技術に
おいて見られる上記のごとき諸問題を解消するのに役立
つことが認められよう。
新規なものと見なされる本発明の特徴は前記特許請求の
範囲中に明記されているとは言え、本発明の内容は添付
の図面を参照しながら以下の説明を考察することによっ
て一層良く理解されるものと信じられる。
発明の詳細な説明 図面を参照しながら説明すれば、第2図は本発明の第1
の実施の態様に従って構成されたレーザ化学蒸着(LC
VD)システム200を示している。図示されたシステ
ム200は、熱分解過程、すなわち気体状反応体を蒸着
させるべき基体の加熱によってLCVDを実施するため
に特に良く適合したものである。システム200は、L
CVDの実施に適したレーザビーム204を発生させる
ためのパワーレーザ202を含んでいる。ががる用途の
ためには、5〜1500ワツトの範囲内の平均出力を持
ったレーザビームを発生するパワーレーザが一般に適し
ている。LCVDの実施に適したレーザの種類としては
、ネオジム:イツトリウム・アルミニウム・ガーネット
(Nd:YAG)レーザ、ネオジム・不純物添加ガラス
レーザ、ルビーレーザ、アルゴン・イオンレーザおよび
ある種のエキシマ−レーザ(たとえば塩化キセノンエキ
シマ−レーザ)が挙げられる。先行技術の場合と同様に
本発明においても、パルス式レーザまたは連続波レーザ
のいずれを用いてもLCVDを有効に実施することがで
きる。レーザビーム204はレーザ202内の装置(図
示せず)によって平行化される。次いでレーザビーム2
04は、(図解の都合上から部分的に切欠いて図示され
た)集束レンズ206により、光学繊維210の入力端
208に集束される。このようにレーザビーム204を
光学繊維の入力端208に集束するのは、レーザビーム
204を光学繊維中に注入して伝送するためである。光
学繊維の入力端208は、光学繊維入力カプラ212に
より、集束されたレーザビーム204と整列した状態に
保持されている。
入力カプラ212のうちで光学繊維を実際に保持する部
分は、光学繊維の入力端208に集束されるレーザビー
ム204に対して実質的に透明な材料から成る割りブロ
ックとして構成されることが好ましい。たとえば、N 
d:Y A Gレーザまたはネオジム・不純物添加ガラ
スレーザと共に使用するのに適した透明な材料としては
石英およびルーサイトO(Lucite■)が挙げられ
る。かかる割りブロックは、3つの直線運動自由度およ
び2つの傾斜自由度を持った機械的位置決め装置内に保
持されていることが好ましい。N d:Y A Gレー
ザと共に使用するのに適した市販の光学繊維ホルダの実
例としては、アメリカ合衆国カリフォルニア州アービン
市所在のメレス・グリスト社(Melles−Gris
tCorporation)製のモデルNo、07−H
FO−002が挙げられる。
光学繊維210は石英心材を用いて形成されていること
が好ましく、また0、2mmという小さい直径を有する
ものであってよい。レーザビーム伝送用の光学繊維の入
力端に高出力レーザビームを注入するための好適な技術
は、いずれも本発明の場合と同じ譲受人に譲渡されたジ
ョーンズ(Jones)等の米国特許第46765.8
6号およびジョーンズ(Jones)の同第46813
96号明細書中に開示されている。上記のごときジョー
ンズ等およびジョーンズの米国特許明細書中に開示され
たビーム注入技術は主として(平均出力250ワット以
上の)高出力レーザビームの注入を対象とするものであ
るが、それらの技術は伝送用の光学繊維中に低出力のレ
ーザビームを注入するためにも等しく適用することがで
きる。上記のごときジョーンズ等およびジョーンズの米
国特許明細書中に開示された技術に従えば、光学繊維2
10の入力端208にはビーム注入用の適当な前処理が
施され、レンズ206の焦点距離は光学繊維の開口数の
2倍より小さい円錐角を与えるよう適宜に還定され、か
つ光学繊維の入力端208におけるレーザビーム204
の集束スポットの直径は光学繊維の心材の直径より小さ
くすることが要求される。
LCVDシステム200はまた、内部に密閉環境を維持
するように構成された反応室214をも含んでいる。反
応室214の内部には、気体状反応体を蒸着させるべき
表面220を持った加工物(または基体)218を支持
するための支持台216が配置されている。光学繊維2
10は開口222によって反応室214の外壁を貫通し
ており、また開口222は反応室内の密閉環境を維持す
るため光学繊維の周囲において適宜に封止されている。
なお、光学繊維が気体状反応体の劣化作用を受けるのを
防止するため、反応室内に位置する部分の光学繊維をポ
リフロー■(Polyflow■)チューブまたはゴム
チューブのごとき保護外被(図示せず)によって包囲す
ることが好ましい。光学繊維の出力端224には出力カ
プラ226が装備されている。かかる出力カプラの集束
部分228は、光学繊維の出力端224から放出された
レーザビームの発散部分234を平行化するため出力カ
プラ226内に装着されたレンズ232と整列した状態
で光学繊維の出力端224を保持するための光学繊維支
持ブロック230を含んでいる。出力カプラ226内に
はまた、レンズ232および光学繊維の出力端224と
整列した状態でレンズ236が装着されている。かかる
レンズ236は、レーザビームの平行化部分238を集
束して集束部分240を得るために役立つ、かかる集束
部分240は、気体状反応体を蒸着させるべき加工物表
面220の一部分に入射させることができる。
光学繊維支持ブロック230は光学繊維の出力端224
をレンズ232および236と整列した状態で強固に保
持し得るように形成されていればよいのであって、入力
カプラ212の場合のようにレーザビームに対して透明
である必要はない、出力カプラ226の集束部分228
は内部の部品を整列した状態に維持するように構成され
ており、かつ加工物上に蒸着させるべき気体状反応体に
よる劣化を受けない材料(たとえば、ステンレス鋼また
はアルミニウム)で作製されている。
気体状反応体は、出力カプラ226のノズル部分242
により、気体状反応体を蒸着させるべき加工物表面22
0の所定区域の近傍に展開される。
出力カプラ226のノズル部分2j2および集束部分2
28は単一の部品として構成してもよいし、あるいは第
2図に示されるごとくねじによって合体される独立の部
品として構成してもよい。ノズル部分242には、反応
室214の外壁に設けられた開口に連結されたチューブ
(たとえばゴムチューブ)を通して気体状反応体が供給
される。出力カプラのノズル部分242としては、タン
グステン不活性ガス溶接法(TIG溶接法)や酸素アセ
チレン溶接法のごとき標準溶接技術において使用される
ノズルを容易に改造して使用することができる。気体状
反応体は任意の数の気体から成り得るが、図示されたシ
ステム200においては気体状反応体が2種の気体から
成るものと仮定されている。それ故にノズル部分242
は、柔軟な気体配送チューブ248および250により
、反応室の外壁に設けられた2個の開口244および2
46に連結されている。2種の気体は弁252および2
54を介してそれらのチューブに供給される。これらの
弁252および254は、チューブを通してノズル部分
に供給される各気体の流量を調節することを可能にし、
従って加工物表面220の近傍における気体状反応体の
濃度を調節することをも可能にする。なお、複数の種類
の気体を反応室の外部において予め混合し、そして得ら
れた気体混合物を1本のチューブにより導入してもよい
ことは言うまでもない。このようにして、ノズル部分2
42は加工物表面220のうちで集束されたレーザビー
ムが入射する部分に気体状反応体を供給することができ
るのである。
反応室274はまた、反応室を排気するため、あるいは
開口244および246を通してノズル部分に導入され
た気体状反応体を除去するための(弁258を具備した
)開口256をも有している。第2図中の開口244.
246および256の付近に示された矢印は、それぞれ
の開口における気体の流れ方向を表わしている。反応室
214上にはまた、内部の圧力を測定表示するための圧
力計260が設置されている0反応室214にはまた、
必然的に、加工物および出力カプラ226の挿入並びに
取出しのために役立つ密閉可能な出入口(図示せず)も
装備されている。第2図には示されていないが、システ
ム200はまた、出力カプラ226および支持台216
を制御下で相対的に移動させるための機械的手段をも含
んでいる。
反応室214の大きさによっては、固定された支持台2
16に対して出力カプラ226のみを動かすことによっ
て十分な移動を達成することができる。
運転に際しては、先ず最初に、弁252および254を
閉鎖しながら開口256を通して反応室214が排気さ
れる。次に、レーザ202によって発生されたレーザビ
ーム204が光学繊維210の入力端に集束され、そし
て光学繊維210によって伝送される。光学繊維210
の出力端から放出された発散性のレーザビームは出力カ
プラ226の集束部分によって平行化されかつ集束され
る。出力カプラ226は、集束されたレーザビームが気
体状反応体を蒸着させるべき加工物表面220の所定区
域の少なくとも一部分に入射するように配置される。気
体状反応体を構成する気体が弁252および254を介
して気体配送チューブによりノズル部分242に供給さ
れる結果、気体状反応体は加工物表面220の所定区域
の近傍に展開される。加工物表面220のうちで集束さ
れたレーザビームが入射する部分は、気体状反応体の結
合および蒸着をもたらすのに十分な温度にまで加熱され
る。弁252および254が操作可能であると共に、レ
ーザビームの焦点の近傍に気体状反応体が供給される結
果として、加工物表面220の所定区域における気体状
反応体の濃度を精密に調節することが可能となる。弁2
58は、反応室内に一定濃度の気体状反応体を蓄積させ
るため閉鎖しておいてもよいし、あるいは出力カプラの
ノズル部分を通して導入された気体状反応体を除去する
ために開放してもよい、なお、圧力計260の読みは反
応室内における気体状反応体の濃度の指標となる。
次の第3図は、光分解過程によって蒸着が行われるよう
な本発明の第2の実施の態様に従って構成されたLCV
Dシステム300を示している。
システム300を構成する装置は全般的に見ればシステ
ム200の場合と同じものであり、従ってそれの構成要
素には同じ参照番号が付けられている。システム300
がシステム200と異なる点は、加工物表面220に対
する出力カプラ226の方位にある。それに伴い、出力
カプラ226内において使用される集束レンズ302は
システム200に関連して上記に記載されたレンズ23
6よりも長い焦点距離を有している。第3図に見られる
ごとく、出力カプラ226は集束されたレーザビームの
軸線304が加工物表面220に対してほぼ平行となる
ように配置されている。上記に略述されかつ当業界にお
いて公知の通り、光分解過程による蒸着は気体状反応体
を構成する分子の解離に基づいて進行する。このような
解離は、気体分子がかかる解離を引起こすのに十分なレ
ーザエネルギーを吸収することによって起こる。気体分
子の解離を引起こすのに十分なレーザエネルギーは、気
体状反応体の性質およびレーザビームの出力に応じ、レ
ーザビームの焦点および軸線304に沿ってそれの両側
の一定範囲内において得ることができる。長い焦点距離
を持ったレンズ302を使用すれば、レーザビームの焦
点を加工物表面220のより広い部分の近傍に配置する
ことが可能となるのである。
システム300の運転に際しては、出力カプラ226の
ノズル部分を通してレーザビームの焦点の近傍に気体状
反応体が展開される。かかる気体状反応体は、レーザビ
ームの焦点の近傍において十分なエネルギーを吸収して
解離する。解離した分子の一部は加工物表面220の近
接部分に結合する。その場合、加工物表面220に沿っ
て出力カプラ226を移動させれば、かかる蒸着過程を
制御下で進行させることができる。当業者にとっては自
明のごとく、光分解過程を維持するために最適であるレ
ーザビームの焦点と加工物表面との距離は、実施すべき
蒸着の性質、すなわち気体状反応体の組成、基体材料の
種類、レーザビームの特性などに依存する。やはり蒸着
2性質に応じ、加工物表面に対するレーザビームの軸線
304の角度を変化させて満足すべき結果を得ることも
できる。
次の第4図は、出力カプラのノズル部分を省いた本発明
の第3の実施の態様に従って構成されたLCVDシステ
ム400を示している。システム200の場合と同じく
、システム400は熱分解過程によってLCVDを実施
するために適している。すなわち、システム400はレ
ーザビームを発生しかつそれを光学繊維210によって
出力力ブラに伝送するシステム200の場合と同じ構成
要素を含んでいて、それらの構成要素には第2図の場合
と同じ参照番号が付けられている。出力力プラは集束部
分のみから成っているので、それには参照番号228が
付けられている。出力カプラ228は反応室402内に
配置されているが、この反応室402は開口244およ
び246の代りに(好ましくは支持台216上に配置さ
れた加工物に隣接して位置する)開口404が設けられ
ている点を除けばLCVDシステム200の反応室21
4と同じものである。開口404には、それを通して反
応室402内に供給される気体状反応体の流量を調節す
るための弁406が装備されている。
システム400の運転に際しては、先ず弁406を閉鎖
した後、弁258を開放しながら開口256を通して反
応室402が排気される0次いで、2つのモードのいず
れかに従ってシステム400が運転される。第1の運転
モードにおいては、弁258を閉鎖すると共に弁406
を開放することにより、開口404を通して気体状反応
体が反応室402内に導入される。それにより、蒸着を
維持するのに十分な濃度の気体状反応体から成る静止雰
囲気が反応室内に形成される。その場合、圧力計260
の読みは反応室内における気体状反応体の相対濃度の指
標として役立つ。次いで、加工物表面220の所定区域
上にレーザビームを当てれば蒸着が起こる。システム4
00の第2の運転モードにおいては、反応室402の排
気後、開口404を通して気体状反応体を導入すると同
時に開口256を通してそれを除去することにより、反
応室内に気体状反応体の強制流れが形成される。
開口256および404の位置を適宜に決定すれば、気
体状反応体を蒸着させるべき加工物表面220の所定区
域の近傍に上記の強制流れを導くことができる。第4図
に示されるごとく加工物に隣接して設けられた開口40
4の位置は、加工物に沿って気体状反応体の適当な流れ
を生じるように気体状反応体を導入するための適当な位
置の一例を示すものである。システム400においては
、加工物表面の全域に制御下でレーザビームを当てる際
の自在性を確保するため、出力カプラおよび支持台を相
対的に移動させ得ることが要求される。
なお、システム400においては気体状反応体を導入す
るために1個の開口404が設けられているが、システ
ム400の運転は気体状反応体としてただ1種の気体を
導入する場合のみに限定されるわけでないことは言うま
でもない。気体状反応体を構成する複数の種類の気体を
外部で混合した後、開口404を通して導入することも
できる。
あるいはまた、開口404に近接して他の開口を設ける
ことにより、他種の気体状反応体を独立に導入すること
も可能である。
次の第5図には、本発明の第4の実施の態様に基づ<L
CVDシステム500が示されている。
このシステム500においては、レーザ506によって
発生された平行化レーザビーム504を分割するための
ビーム分割器502が使用されている。それによってレ
ーザビーム504は、2つの部分508および510に
分割され、そしてそれらは集束レンズ512および51
4によってレーザビーム伝送用の光学繊維516および
518の入力端にそれぞれ集束される。光学繊維516
および518の入力端は、システム200の入力力プラ
212と同様に構成された光学繊維入力カプラ519お
よび520によってそれぞれ保持されている。光学繊維
516および518は開口522および524を通して
密閉反応室521の外壁を貫通しており、またそれらの
開口は反応室内の密閉環境を維持するため光学繊維の周
囲において適宜に封止されている。
反応室内においては、加工物526は支持台528上に
配置されている。光学繊維516および518の各々の
出力端には、出力カプラ530および532がそれぞれ
装備されている。出力カプラ530および532の構成
は、システム200の出力カプラ226の構成と実質的
に同じである。
出力カプラ530は、気体状反応体の供給を受けるため
、気体配送チューブ534および536によって反応室
外壁の開口538および540のそれぞれに連結されて
いる。開口538および540を通して導入される気体
の流量は弁542および544によってそれぞれ調節さ
れる。同様に出力カプラ532は、気体状反応体の供給
を受けるため、気体配送チューブ550および552に
よって反応室外壁の開口546および548のそれぞれ
に連結されている。開口546および548を通して導
入される気体の流量は弁554および556によってそ
れぞれ調節される。反応室の外壁にはまた、反応室の排
気および気体状反応体の除去を可能にするため、弁56
0を具備した追加の開口558が設けられている。
LCVDシステム500の運転に際しては、反応室52
1の排気後、レーザビーム504が2つの部分508お
よび510に分割される。それらのレーザビーム部分5
08および510はそれぞれ光学繊維516および51
8を通して伝送された後、加工物526の表面562の
2つの所定区域に向けて集束される。図示されていない
手段により、両方の出力カプラを表面562に対して制
御下で独立に移動させることができる結果、各出力カプ
ラのノズル部分を通して導入された気体状反応体は熱分
解過程により制御下で表面562上に蒸着することにな
る。第5図には示されていないが、一方または両方の出
力カプラを加工物の所定区域に対して適当な方位をもっ
て配置することにより、光分解過程に基づく蒸着を行う
こともできる。
上記に例示された本発明の実施の態様のいずれにおいて
も、LCVDを実施するために使用されるレーザビーム
は光学繊維によって反応室内に導入される。その結果と
して本発明は、前述のごとき従来のLCVD技術におい
て要求されるように反応室の窓を通してレーザビームを
導入する必要がなく、従ってかかる窓に付随する前述の
ごとき諸問題を生じることがない。出力カプラのノズル
部分を使用する本発明の実施の態様においては、気体状
反応体を蒸着させるべき基体部分の近傍における気体状
反応体の配置および濃度を精密に調節することができる
。上記に記載された本発明の実施の態様のいずれにおい
ても、反応室内の加工物に対して出力カプラを移動させ
ることが可能である結果、集束レーザビームを加工物表
面の様々な区域に当てるための実質的な自在性が確保さ
れる。かかる移動は、集束レーザビームが加工物表面に
対して所望の方位をもって配置された状態を維持しなが
ら達成することができる。このような集束レーザビーム
の移動の自在性は、加工物表面に沿ってのレーザビーム
の移動可能性が窓および外部の光学部品によって大幅に
制限される前述のごとき従来のLCVDシステムに比べ
て大きな改良を成すものである。
従来のLCVDシステムにおいて見られる問題の1つは
、前述の通り、レーザビームの集束スポット内における
不均一な強度分布のための気体状反応体の不均等な蒸着
が起こることである。光学繊維による伝送の結果として
、レーザビームの強度分布は実質的に均一なものとなる
。やはり前述の通り、パルス状レーザビームを使用した
場合には、パルス間における強度分布の差が不均等な蒸
着をもたらすことがある。このようなパルス間における
強度分布の差が低減することもまた、光学繊維による伝
送の特性の1つである。なお、レーザビームの集束スポ
ット内における不均一な強度分布およびパルス間におけ
る強度分布の差に対して光学繊維によるレーザビーム伝
送が及ぼす効果は、米国レーザ学会から刊行されたレー
ザおよび電気光学の応用に関する1987年度国際会議
(1987年11月9〜11日)の議事録中に収載され
ているティー・チャンド(T、 Chande)等の論
文「光学繊維を通して伝送された400ワットNd:Y
AGレーザビームの観測された強度分布J中に開示され
ている。このように、上記に記載された本発明の実施の
態様のいずれにおいても、光学繊維によるレーザビーム
の伝送はレーザビームの強度分布に間する従来の問題を
解消するために役立つのである。
上記のごときLCVD装置において使用される出力カプ
ラは、光学繊維から放出されるレーザビームを平行化し
かつ集束するために単純な平凸レンズを含むものとして
示されているが、本発明はそれのみに限定されるわけで
はない。かがる出力カプラは、当業界において公知のご
とく、光学繊維から放出されるレーザビームを平行化し
かつ集束するために有用な他種のレンズや組合せレンズ
を用いて構成することもできる。ががるレンズはまた、
レーザビームが特定のLCVD用途において有用な所定
の形状を持った集束スポットを形成するように選定する
こともできる。
上記に記載されたLCVDシステム200.300およ
び500における出力カプラの動作は反応室内において
行われるが、本発明はそれのみに限定されるわけではな
い、出力カプラのノズル部分を通して十分な量の気体状
反応体の流れを供給すれば、加工物の所定区域の近傍を
占める空間から他の気体元素を排除することが可能であ
る。その結果、加工物の所定区域上への気体状反応体の
蒸着を反応室の密閉環境の外部において進行させること
もできる、このような反応室の外部における本発明の実
施に際しては、通常の溶接技術において使用されるよう
な不活性遮蔽ガスの導入を可能にするノズル部分を出力
カプラ上に使用すれば一層好都合である。かかるノズル
部分は、加工物の所定区域の近傍に気体状反応体を流す
と共に、気体状反応体を包囲するように遮蔽ガスを流す
ことにより、外部環境による気体状反応体の汚染を防止
するのである。このように反応室を使用しなある。
光分解過程によるLCVDの実施用として上記に記載さ
れた本発明のLCVDシステム300においては、使用
される出力カプラがノズル部分を有している。しかしな
がら、本発明はそれのみに限定されるわけではない。本
発明に従って光分解過程によるLCVDを実施する際に
は、出力カプラの集束部分のみを用いることも可能であ
る。このような場合には、システム400の運転に関連
して上記に記載されたごとく、反応室内に気体状反応体
の静止雰囲気を形成するか、あるいは反応室内に気体状
反応体の強制流れを形成することにより、加工物の所定
区域の近傍に気体状反応体を展開すればよい。
上記に記載されたLCVDシステム500は、単一のレ
ーザによって発生されたレーザビームを分割するための
ビーム分割器を含んでいる。しかしながら、本発明はそ
れのみに限定されるわけではない。単一のレーザとビー
ム分割器とを併用する代りに、光学繊維516および5
18に注入すべきレーザビームを発生させるために2台
の独立したレーザを使用することもできる。このような
場合には、それらのレーザは実施すべき種類の蒸着(す
なわち、熱分解過程または光分解過程による蒸着)を促
進するような波長のレーザビームを発生するように選定
すればよい。更に一般的に述べれば、複数のレーザ、ビ
ーム分割器および光学繊維の使用によって、様々な組合
せのLCVDを実施し得ることが当業者にとって理解さ
れよう。
以上、好適な実施の態様に関連して本発明を記載したが
、本発明の精神および範囲がら逸脱することなしにそれ
らの全体または一部に対して各種の変更、変形、改変、
置換および代替を施し得るるものと理解すべきである。
【図面の簡単な説明】
図中、200はLcVDシステム、202はパワーレー
ザ、204はレーザビーム、206は集束レンズ、20
8は入力端、210は光学Ill維、212は光学繊維
入力カプラ、214は反応室、216は支持台、218
は加工物または基体、220は表面、222は開口、2
24は出力端、226は出力カプラ、228は集束部分
、230は光学繊維支持ブロック、232および236
はレンズ、242はノズル部分、244および246は
開口、248および250は気体配送チューブ、252
および254は弁、256は開口、258は弁、260
は圧力計、3ooはLcVDシステム、302は集束レ
ンズ、304は軸線、400はLCVDシステム、40
2は反応室、404は開口、406は弁、50oはLc
VDシステム、502はビーム分割器、504はレーザ
ビーム、506はレーザ、508および510はレーザ
ビーム部分、512および514は集束レンズ、516
および518は光学繊維、519および520は光学繊
維入力カプラ、521は反応室、522および524は
開口、526は加工物、528は支持台、530および
532は出力カプラ、534および536は気体配送チ
ューブ、538および540は開口、542および54
4は弁、546および548は開口、550および55
2は気体配送チューブ、554および556は弁、55
8は開口、そして560は弁を表わす。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、レーザによって発生されるレーザビームを用いて加
    工物上への気体状化学反応体のレーザ化学蒸着を実施す
    るための装置において、(a)前記レーザビームを伝送
    するための光学繊維、(b)レーザビーム伝送用の前記
    光学繊維の入力端に前記レーザビームを注入するための
    手段、(c)前記気体状反応体を蒸着させるべき前記加
    工物の所定区域の近傍に前記気体状反応体を展開させる
    ための手段、および(d)前記加工物の前記所定区域上
    に前記気体状反応体を蒸着させるため、前記光学繊維の
    出力端から放出された前記レーザビームを前記加工物の
    前記所定区域の少なくとも一部分に向けて集束するため
    の出力カプラ手段の諸要素を有することを特徴とする装
    置。 2、前記気体展開手段が、前記出力カプラ手段に結合さ
    れかつ前記加工物の前記所定区域のうちで集束された前
    記レーザビームが入射する前記部分上に前記気体状反応
    体を流すために役立つ気体配送手段から成る請求項1記
    載の装置。 3、内部に密閉環境を維持するように構成された反応室
    が設けられていて、前記光学繊維が前記反応室の第1の
    開口により前記反応室の外壁を貫通している結果として
    前記入力端および前記出力端は前記反応室の外側および
    内側にそれぞれ位置しており、前記第1の開口は前記反
    応室内の密閉環境を維持するため前記光学繊維の周囲に
    おいて封止されており、かつ前記気体展開手段が前記反
    応室内に前記気体状反応体を導入するための手段を有す
    る結果、前記加工物の前記所定区域に向けて前記レーザ
    ビームを集束するために前記出力カプラ手段を前記反応
    室の内部に配置することができる請求項1記載の装置。 4、前記気体状反応体を前記反応室内に導入することに
    よつて前記加工物の前記所定区域の近傍に前記気体状反
    応体の静止雰囲気が形成される請求項3記載の装置。 5、前記気体導入手段が、前記気体状反応体を導入する
    ため前記反応室の外壁に設けられた第2の開口、および
    前記第2の開口を通して導入された前記気体状反応体を
    除去するため前記反応室の外壁に設けられた第3の開口
    から成る結果、前記第2および第3の開口を通して前記
    気体状反応体をそれぞれ導入および除去することにより
    、前記加工物の前記所定区域の近傍に前記気体状反応体
    の強制流れを形成することができる請求項3記載の装置
    。 6、前記気体展開手段が、前記出力カプラ手段に結合さ
    れかつ前記加工物の前記所定区域のうちで集束された前
    記レーザビームが入射する前記部分上に前記気体状反応
    体を流すために役立つノズル手段、前記反応室内に前記
    気体状反応体を導入するため前記反応室の外壁に設けら
    れた第2の開口、および前記第2の開口を通して導入さ
    れた前記気体状反応体を前記ノズル手段に導くための手
    段から成る請求項3記載の装置。 7、集束された前記レーザビームを前記加工物の前記所
    定区域の様々な部分に当てるために前記出力カプラ手段
    および前記加工物を制御下で相対的に移動させるための
    手段が設けられている請求項3記載の装置。 8、レーザによって発生されるレーザビームを用いて加
    工物上への気体状化学反応体のレーザ化学蒸着を実施す
    るための装置において、(a)前記レーザビームを伝送
    するための光学繊維、(b)レーザビーム伝送用の前記
    光学繊維の入力端に前記レーザビームを注入するための
    手段、(c)前記気体状反応体を蒸着させるべき前記加
    工物の所定区域の近傍に前記気体状反応体を展開させる
    ための手段、および(d)前記気体状反応体を光分解過
    程によつて前記加工物の前記所定区域上に蒸着させるた
    め、前記光学繊維の出力端から放出された前記レーザビ
    ームを前記加工物の前記所定区域の近傍に位置する前記
    気体状反応体の一部分に向けて集束するための出力カプ
    ラ手段の諸要素を有することを特徴とする装置。 9、前記気体展開手段が、前記出力カプラ手段に結合さ
    れかつ集束された前記レーザビームの焦点の近傍に前記
    気体状反応体を流すために役立つノズル手段から成る請
    求項8記載の装置。 10、内部に密閉環境を維持するように構成された反応
    室が設けられていて、前記光学繊維が前記反応室の第1
    の開口により前記反応室の外壁を貫通している結果とし
    て前記入力端および前記出力端は前記反応室の外側およ
    び内側にそれぞれ位置しており、前記第1の開口は前記
    反応室内の密閉環境を維持するため前記光学繊維の周囲
    において封止されており、かつ前記気体展開手段が前記
    反応室内に前記気体状反応体を導入するための手段を有
    する結果、前記加工物の前記所定区域の近傍に位置する
    前記気体状反応体の前記部分に向けて前記レーザビーム
    を集束するために前記出力カプラ手段を前記反応室の内
    部に配置することができる請求項8記載の装置。 11、前記気体状反応体を前記反応室内に導入すること
    によつて前記加工物の前記所定区域の近傍に前記気体状
    反応体の静止雰囲気が形成される請求項10記載の装置
    。 12、前記気体導入手段が、前記気体状反応体を導入す
    るため前記反応室の外壁に設けられた第2の開口、およ
    び前記第2の開口を通して導入された前記気体状反応体
    を除去するため前記反応室の外壁に設けられた第3の開
    口から成る結果、前記第2および第3の開口を通して前
    記気体状反応体をそれぞれ導入および除去することによ
    り、前記加工物の前記所定区域の近傍に前記気体状反応
    体の強制流れを形成することができる請求項10記載の
    装置。 13、前記気体展開手段が、前記出力カプラ手段に結合
    されかつ集束された前記レーザビームの焦点の近傍に前
    記気体状反応体を流すために役立つノズル手段、前記反
    応室内に前記気体状反応体を導入するため前記反応室の
    外壁に設けられた第2の開口および前記第2の開口を通
    して導入された前記気体状反応体を前記ノズル手段に導
    くための手段から成る請求項10記載の装置。 14、集束された前記レーザビームを前記加工物の前記
    所定区域の様々な部分に当てるために前記出力カプラ手
    段および前記加工物を制御下で相対的に移動させるため
    の手段が設けられている請求項10記載の装置。 15、レーザによって発生されるレーザビームを用いて
    加工物上への気体状化学反応体のレーザ化学蒸着を実施
    するための装置において、(a)内部に密閉環境を維持
    するように構成された反応室、(b)前記レーザビーム
    を伝送するための光学繊維、(c)レーザビーム伝送用
    の前記光学繊維の入力端に前記レーザビームを注入する
    ための手段、(d)前記光学繊維の出力端から放出され
    た前記レーザビームを集束するために役立ち、かつ集束
    された前記レーザビームが前記気体状反応体を蒸着させ
    るべき前記加工物の所定区域の少なくとも一部分に入射
    するようにして前記反応室内に配置された出力カプラ手
    段、(e)前記反応室内に前記加工物を支持するための
    手段、(f)前記出力カプラ手段に結合されかつ前記加
    工物の前記所定区域のうちで前記気体状反応体の蒸着の
    ために集束された前記レーザビームが入射する前記部分
    上に前記気体状反応体を流すために役立つノズル手段、
    (g)前記反応室の外壁に設けられた第1の開口を通し
    て前記気体状反応体を導入しかつ導入された前記気体状
    反応体を前記ノズル手段に導くための手段、並びに(h
    )集束された前記レーザビームを前記加工物の前記所定
    区域の様々な部分に当てるために前記出力カプラ手段お
    よび前記加工物を制御下で相対的に移動させるための手
    段の諸要素をそなえていて、前記光学繊維が前記反応室
    の第2の開口により前記反応室の外壁を貫通している結
    果として前記入力端および前記出力端は前記反応室の外
    側および内側にそれぞれ位置しており、かつ前記第2の
    開口は前記反応室内の密閉環境を維持するため前記光学
    繊維の周囲において封止されていることを特徴とする装
    置。 16、加工物上に気体状化学反応体を蒸着させるための
    レーザ化学蒸着システムにおいて、(a)レーザ化学蒸
    着を実施するのに適したレーザビームを発生するレーザ
    、(b)内部に密閉環境を維持するように構成された反
    応室、(c)前記レーザビームを伝送するための光学繊
    維、(d)レーザビーム伝送用の前記光学繊維の入力端
    に前記レーザビームを注入するための手段、(e)前記
    光学繊維の出力端から放出された前記レーザビームを集
    束するために役立ち、かつ集束された前記レーザビーム
    が前記気体状反応体を蒸着させるべき前記加工物の所定
    区域の少なくとも一部分に入射するようにして前記反応
    室内に配置された出力カプラ手段、(f)前記反応室内
    に前記加工物を支持するための手段、(g)前記出力カ
    プラ手段に結合されかつ前記加工物の前記所定区域のう
    ちで前記気体状反応体の蒸着のために集束された前記レ
    ーザビームが入射する前記部分上に前記気体状反応体を
    流すために役立つノズル手段、(h)前記反応室の外壁
    に設けられた第2の開口を通して前記気体状反応体を導
    入しかつ導入された前記気体状反応体を前記ノズル手段
    に導くための手段、並びに(i)集束された前記レーザ
    ビームを前記加工物の前記所定区域の様々な部分に当て
    るために前記出力カプラ手段および前記加工物を制御下
    で相対的に移動させるための手段の諸要素をそなえてい
    て、前記光学繊維が前記反応室の第2の開口により前記
    反応室の外壁を貫通している結果として前記入力端およ
    び前記出力端は前記反応室の外側および内側にそれぞれ
    位置しており、かつ前記第2の開口は前記反応室内の密
    閉環境を維持するため前記光学繊維の周囲において封止
    されていることを特徴とするシステム。 17、少なくとも2本のレーザビームを用いて加工物上
    への気体状化学反応体のレーザ化学蒸着を実施するため
    の装置において、(a)内部に密閉環境を維持するよう
    に構成された反応室、(b)第1のレーザビームを伝送
    するための第1の光学繊維、(c)第2のレーザビーム
    を伝送するための第2の光学繊維、(d)レーザビーム
    伝送用の前記第1の光学繊維の入力端に前記第1のレー
    ザビームを注入するための第1の注入手段、(e)レー
    ザビーム伝送用の前記第2の光学繊維の入力端に前記第
    2のレーザビームを注入するための第2の注入手段、(
    f)前記第1の光学繊維の出力端から放出された前記第
    1のレーザビームを集束するための第1の出力カプラ手
    段、(g)前記第2の光学繊維の出力端から放出された
    前記第2のレーザビームを集束するための第2の出力カ
    プラ手段、(h)前記気体状反応体を蒸着させるべき前
    記加工物の2つの所定区域の近傍に前記気体状反応体を
    展開させるための手段、並びに(i)前記反応室内に前
    記加工物を支持するための手段の諸要素をそなえていて
    、前記第1および第2の光学繊維が前記反応室の外壁を
    貫通している結果として前記第1および第2の光学繊維
    の各々の前記入力端および前記出力端は前記反応室の外
    側および内側にそれぞれ位置しており、前記第1および
    第2の光学繊維は前記反応室内の密閉環境を維持するよ
    うにして前記反応室の外壁を貫通しており、かつ前記第
    1および第2の出力カプラ手段は集束された前記第1お
    よび第2のレーザビームのそれぞれが前記加工物の前記
    2つの所定区域に対し所定の方位をもつて入射して前記
    気体状反応体の蒸着をもたらすように配置されているこ
    とを特徴とする装置。 18、前記第1および第2のレーザビームがそれぞれ第
    1および第2のレーザにより発生されかつ第1および第
    2の相異なる波長を有するものであり、前記第1の出力
    カプラ手段は集束された前記第1のレーザビームを前記
    加工物の前記2つの所定区域の一方に入射させて熱分解
    過程による前記気体状反応体の蒸着をもたらすように配
    置されており、前記第2の出力カプラ手段は集束された
    前記第2のレーザビームを前記加工物の前記2つの所定
    区域の他方の近傍に位置する前記気体状反応体の一部分
    に当てて光分解過程による前記気体状反応体の蒸着をも
    たらすように配置されており、かつ前記第1および第2
    のレーザビームの波長が前記熱分解過程および前記光分
    解過程をそれぞれ促進するように選ばれる請求項17記
    載の装置。 19、1本のレーザビームを2本のレーザビームに分割
    するための手段が設けられていて、レーザによって発生
    された第3のレーザビームが前記ビーム分割手段によっ
    て前記第1および第2のレーザビームに分割される請求
    項17記載の装置。
JP63301143A 1987-11-30 1988-11-30 光学繊維によるビーム伝送を用いたレーザ化学蒸着装置 Pending JPH01212770A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12698887A 1987-11-30 1987-11-30
US126,988 1987-11-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01212770A true JPH01212770A (ja) 1989-08-25

Family

ID=22427741

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63301143A Pending JPH01212770A (ja) 1987-11-30 1988-11-30 光学繊維によるビーム伝送を用いたレーザ化学蒸着装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPH01212770A (ja)
DE (1) DE3840042A1 (ja)
FR (1) FR2623820A1 (ja)
GB (1) GB2212819A (ja)
IT (1) IT1227653B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100622934B1 (ko) * 2002-09-30 2006-09-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 레이저장치

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3926023A1 (de) * 1988-09-06 1990-03-15 Schott Glaswerke Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
GB2231587B (en) * 1989-05-11 1993-07-28 Mitsubishi Electric Corp Thin film vacuum evaporation device
HU203585B (en) * 1989-08-07 1991-08-28 Mta Koezponti Fiz Kutato Intez Process for laser-activated chemical gas-phase precipitation on carier
GB2250751B (en) * 1990-08-24 1995-04-12 Kawasaki Heavy Ind Ltd Process for the production of dielectric thin films
FR2685127B1 (fr) * 1991-12-13 1994-02-04 Christian Licoppe Photonanographe a gaz pour la fabrication et l'analyse optique de motifs a l'echelle nanometrique.
FR2709763B1 (fr) * 1993-09-08 1995-10-13 Commissariat Energie Atomique Dispositif de traitement d'un matériau, à tête photo-ionique miniaturisée.
JP3268443B2 (ja) * 1998-09-11 2002-03-25 科学技術振興事業団 レーザ加熱装置
US20090227093A1 (en) * 2006-02-17 2009-09-10 Cornell Research Foundation, Inc Patterning During Film Growth
US10208377B2 (en) * 2012-04-23 2019-02-19 Lawrence Livermore National Security, Llc Localized atmospheric laser chemical vapor deposition
US10179948B2 (en) * 2014-04-24 2019-01-15 United Technologies Corporation Method and system for controlling coating in non-line-of-sight locations
US10865477B2 (en) * 2016-02-08 2020-12-15 Illinois Tool Works Inc. Method and system for the localized deposit of metal on a surface

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4676586A (en) * 1982-12-20 1987-06-30 General Electric Company Apparatus and method for performing laser material processing through a fiber optic
DE3300449A1 (de) * 1983-01-08 1984-07-12 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer eine hochdruckgasentladungslampe
FR2548218B1 (fr) * 1983-06-29 1987-03-06 Pauleau Yves Procede de depot de couches minces par reaction chimique en phase gazeuse utilisant deux rayonnements differents
JPS6066896A (ja) * 1983-09-16 1985-04-17 インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション 基体に金属銅を付着するための方法
CA1245726A (en) * 1984-01-19 1988-11-29 Francis A. L'esperance Laser incisional device
US4581248A (en) * 1984-03-07 1986-04-08 Roche Gregory A Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition
GB2155357B (en) * 1984-03-10 1987-09-09 Standard Telephones Cables Ltd Optical fibres
JPS60260125A (ja) * 1984-06-06 1985-12-23 Hitachi Ltd 半導体基板の選択的加工方法
US4681396A (en) * 1984-10-09 1987-07-21 General Electric Company High power laser energy delivery system
US4782787A (en) * 1986-01-08 1988-11-08 Roche Gregory A Apparatus for laser-induced chemical vapor deposition
GB2185494B (en) * 1986-01-18 1989-11-15 Stc Plc Vapour phase deposition process
US4748045A (en) * 1986-04-09 1988-05-31 Massachusetts Institute Of Technology Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100622934B1 (ko) * 2002-09-30 2006-09-18 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 레이저장치

Also Published As

Publication number Publication date
IT8822803A0 (it) 1988-11-30
DE3840042A1 (de) 1989-06-08
GB8827836D0 (en) 1988-12-29
FR2623820A1 (fr) 1989-06-02
GB2212819A (en) 1989-08-02
IT1227653B (it) 1991-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7069380B2 (ja) レーザ生成プラズマ光源向けのドロップレット生成装置
JPH01212770A (ja) 光学繊維によるビーム伝送を用いたレーザ化学蒸着装置
JP5161445B2 (ja) 熱成形システムおよび能動冷却プロセス
US8278591B2 (en) Cutting method using a laser having at least one ytterbium-based fiber, in which at least the power of the laser source, the diameter of the focused beam and the beam quality factor are controlled
EP0406062B1 (en) Method and apparatus for in situ cleaning of excimer laser optics
CN102149508A (zh) 利用通过衍射光学部件修改激光束品质因子的装置的激光切割方法和设备
CN102481665A (zh) 采用具有至少5mm 的边缘厚度的ZnS 透镜的激光聚焦头和激光切割装置以及使用这样的聚焦头的方法
US5654998A (en) Laser-excited X-ray source
US7211300B2 (en) Method and apparatus for performing laser CVD
US7404983B1 (en) Method and apparatus for open-air coating by laser-induced chemical vapor deposition
WO2022052334A1 (zh) 一种基于激光热-力效应的常温态渗氮工艺及加工装置
JP2009099917A (ja) レーザーアニール装置
CA1189576A (en) Laser cutting apparatus and method
US20020139781A1 (en) Method and apparatus for brazing and thermal processing
US4726320A (en) Laser CVD device
US7265314B2 (en) Method and apparatus for laser welding using a CW laser beam combined with a pulsed laser beam
JPS60260125A (ja) 半導体基板の選択的加工方法
JPS60241219A (ja) レ−ザ利用薄膜形成方法
DK149266B (da) Skaerehoved til bearbejdning ved hjaelp af en laserstraale
RU2009820C1 (ru) Объектив лазера для газолазерной резки материалов и способ центрирования объектива лазера
JPS62183111A (ja) レ−ザcvd装置
JPH03161187A (ja) レーザ加工法
US5058967A (en) Apparatus for manipulating laser beams, particularly power laser beams for use by robots
JPH11197871A (ja) 可視パルスレーザー加工方法及びその装置
Hugenschmidt Experimental studies of high-average-power pulsed CO2-laser-induced thermomechanical processes