DE3840042A1 - Vorrichtung zum chemischen bedampfen mittels laser unter verwendung von lichtleitfasern - Google Patents
Vorrichtung zum chemischen bedampfen mittels laser unter verwendung von lichtleitfasernInfo
- Publication number
- DE3840042A1 DE3840042A1 DE3840042A DE3840042A DE3840042A1 DE 3840042 A1 DE3840042 A1 DE 3840042A1 DE 3840042 A DE3840042 A DE 3840042A DE 3840042 A DE3840042 A DE 3840042A DE 3840042 A1 DE3840042 A1 DE 3840042A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chamber
- workpiece
- laser beam
- gaseous
- gaseous reactant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 title description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 title description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims abstract description 139
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 60
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 16
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 14
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 11
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 6
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005479 Lucite® Polymers 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 argon ion Chemical class 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- QFXZANXYUCUTQH-UHFFFAOYSA-N ethynol Chemical group OC#C QFXZANXYUCUTQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N xenon monochloride Chemical compound [Xe]Cl HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/483—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using coherent light, UV to IR, e.g. lasers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/047—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using irradiation by energy or particles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf Systeme
zum chemischen Dampfabscheiden und mehr im besonderen auf eine
Technik zum chemischen Dampfabscheiden mittels Laser unter Ver
wendung von Lichtleitfasern zur Übertragung des Strahles.
Das übliche Verfahren zum chemischen Bedampfen (CVD) ist all
gemein ein Verfahren, bei dem ein gasförmiger chemischer Reak
tant auf einem Substratmaterial abgeschieden und mit diesem ver
bunden wird. Techniken zum Ausführen des üblichen CVD-Verfahrens
sind bekannt und werden erfolgreich bei der Herstellung von
Halbleiterchips angewendet, z.B. als Teil der VLSI-Mikrofabri
kation sowie in der Metallurgie, wo dieses Verfahren dazu be
nutzt wird, auf einem Substratmaterial eine Materialschicht
mit erwünschten Eigenschaften abzuscheiden. Beispielhaft für
eine solche metallurgische Anwendung ist die Abscheidung von
Oxiden oder Nitriden auf einem Stahl- oder Titansubstrat, um
dessen Oberflächeneigenschaften zu verbessern. Das chemische
Bedampfen mittels Laser (LCVD) ist ein Verfahren, bei dem ein
Laserstrahl das Abscheiden des chemischen Reaktanten auf dem
Substrat erleichtert, und auch dieses Verfahren ist an sich be
kannt.
Fig. 1 veranschaulicht ein LCVD-System 100, das beispielhaft
für die Techniken des Ausführens von LCVD nach dem Stande der
Technik ist. Ein Werkstück 102 wird innerhalb einer Reaktions
kammer 104 mit abgedichteter Umgebung angeordnet. Die Kammer
schließt eine Einlaßöffnung 106 für ein Reaktantengas sowie
eine Gas-Auslaßöffnung 108 und einen Druckmesser 110 zur An
zeige des Druckes innerhalb der Kammer ein. Weiter schließt
die Kammer ein Fenster 112 ein, das einen Laserstrahl durch
läßt sowie ein Beobachtungsfenster 114, um das Werkstück, das
dem LCVD-Verfahren unterworfen ist, zu beobachten. Ein Laser
116 erzeugt einen Laserstrahl 118, der durch eine nicht darge
stellte Einrichtung kollimiert wird. Den kollimierten Strahl
richtet man auf das Fenster 112 und fokussiert ihn mittels
einer geeigneten optischen Einrichtung, die diagrammartig durch
einen Spiegel 120 und eine Fokussierungslinse 122 dargestellt
ist. Der fokussierte Teil 124 des Laserstrahls wird auf das
Werkstück gerichtet. Beim Betrieb wird die Kammer 104 mittels
der Auslaßöffnung 108 evakuiert, und der gasförmige chemische
Reaktant, der auf der Oberfläche des Werkstückes 102 abge
schieden werden soll, wird danach durch den Einlaß 106 einge
führt. Üblicherweise wird ausreichend gasförmiger Reaktant in
die Kammer des LCVD-Systems eingeführt, um eine statische At
mosphäre ausreichender Konzentration zu erhalten, die das Ab
scheidungsverfahren unterstützt, wobei der an dem Meßgerät 110
angezeigte Druck eine Anzeige für die Konzentration des gasför
migen Reaktanten innerhalb der Kammer gibt. Der fokussierte
Laserstrahl 124 wird auf die Teile der Werkstückoberfläche (des
Substrates) gerichtet, wo es erwünscht ist, den gasförmigen
Reaktanten abzuscheiden. Die Umdirigierung des fokussierten
Laserstrahles auf verschiedene Teile des Substrates kann mit
tels Bewegung der optischen Komponenten, wie des Spiegels 120,
erfolgen. Wie bekannt erfolgt die Abscheidung auf das Substrat
entweder durch Photolyse, bei der der Laserstrahl die Moleküle
des gasförmigen Reaktanten dissoziieren und mit dem Substrat
material reagieren läßt oder durch Pyrolyse, bei dem der Laser
strahl das Substrat aufheizt und der gasförmige Reaktant direkt
damit reagiert.
Die Technik des LCVD nach dem Stande der Technik, die in Fig.
1 dargestellt und oben erläutert worden ist, leidet an einer
Anzahl von Nachteilen. Ein Hauptnachteil leitet sich davon ab,
daß man den fokussierten Laserstrahl durch das Fenster 112 ein
führen muß. Solche Fenster sind teuer, da sie aus einem Mate
rial hergestellt sein müssen, das sehr durchlässig für den an
gewendeten Laserstrahl ist, um eine möglichst geringe Strahl
schwächung zu erhalten. Außerdem muß das Fenster genügend Fe
stigkeit haben, um dem Druck (positiv oder negativ) innerhalb
der Kammer zu widerstehen.In der Praxis ist bekannt, daß sich
der chemische Reaktant auf solchen Fenstern abscheidet und da
durch die Durchlässigkeit des Fensters beeinträchtigt. Eine
im Stande der Technik bekannte Technik zur Minimierung einer
solchen Abscheidung auf dem Fenster besteht im Erhitzen des
Fensters. Es wurde jedoch festgestellt, daß ein solches Erhitzen
des Fensters zu dessen Verzerrung und somit zur Verzerrung des
durch das Fenster übertragenen fokussierten Laserstrahls führen
kann. Es wäre daher erwünscht, eine Vorrichtung zu schaffen,
mit der man das LCVD ausführen kann, ohne daß man zur Einfüh
rung des Laserstrahls in die Reaktionskammer ein Fenster benö
tigt.
Ein zweiter Hauptnachteil beim oben beschriebenen und dargestell
ten Verfahren zum LCVD nach dem Stande der Technik besteht in
der begrenzten Möglichkeit, die Konzentration des gasförmigen
Reaktanten nahe dem Substrat, auf dem er abgeschieden werden
soll, zu steuern. Sowohl die üblichen CVD- als auch LCVD-Tech
niken hängen bei der Kontrolle der Strömungsgeschwindigkeit
oder des Druckes des gasförmigen Reaktanten in der Reaktions
kammer von der Beeinflussung der Konzentration des Reaktanten
im Abscheidungsbereich ab. Solche Verfahren zum Kontrollieren
der Konzentration des gasförmigen Reaktanten innerhalb der Kam
mer sind von Natur aus ungenau, da sie nur dazu dienen, eine
mittlere Gaskonzentration innerhalb der Kammer als Ganzes auf
recht zu erhalten. Die genaue Kontrolle der Konzentration des
gasförmigen Reaktanten in der unmittelbaren Nähe des Abschei
dungsbereiches ist unter Anwendung solcher Verfahren sehr
schwierig. Es wäre daher erwünscht, eine Vorrichtung zum Aus
führen von LCVD zu schaffen, bei der die Konzentration des gas
förmigen Reaktanten im Abscheidungsbereich genau kontrolliert
werden kann.
Ein weiterer Nachteil der LCVD-Technik nach dem Stande der Tech
nik ist deren begrenzte Flexibilität bei der Umdirigierung des
fokussierten Laserstrahls auf verschiedene Teile des Substrates.
Eine solche Umdirigierung erfolgt bei der LCVD-Vorrichtung 100
nach dem Stande der Technik durch Manipulation der optischen
Einrichtung außerhalb der Kammer. Das Ausmaß eines solchen Um
dirigierens ist natürlich durch die Querschnittsfläche des Fen
sters 112 beschränkt sowie durch die Möglichkeit, den Laser
strahl auf verschiedenen Bereichen des Substrates wirksam zu
fokussieren. Es wäre daher außerdem erwünscht, eine LCVD-Vor
richtung zu schaffen, bei der eine beträchtliche relative Bewe
gung zwischen dem fokussierten Laserstrahl und dem Werkstück
möglich ist.
Ein weiterer Nachteil der LCVD-Technik nach dem Stande der Tech
nik leitet sich von dem nicht gleichmäßigen Intensitätsprofil
des fokussierten Fleckes des Laserstrahles ab. Eine solche
Nichtgleichförmigkeit des Intensitätsprofils kann Variationen
innerhalb des Laser-Resonators selbst zugeschrieben werden,
die sich aus Fluktuationen der Eingangsleistung, der Kühlwasser
strömung, der Vibration der optischen Elemente usw. ergeben.
Erfolgt das LCVD durch Pyrolyse, dann ergibt sich ein nicht
gleichmäßiges Erhitzen des Substratteiles, auf den der fokus
sierte Strahl gerichtet ist, und dies entspricht dem nicht
gleichmäßigen Intensitätsprofil des fokussierten Strahlfleckes.
Nachteiligerweise führt einsolches nichtgleichförmiges Erhitzen
zu Variationen bei der Reaktionsgeschwindigkeit innerhalb des
erhitzten Strahlfleckes und somit zu einer Nichtgleichförmig
keit der Dicke des auf dem Substrat abgeschiedenen Materials.
Wird zur Ausführung des LCVD ein gepulster Laserstrahl benutzt,
dann kann der Unterschied im Intensitätsprofil der aufeinander
folgenden Strahlimpulse zu entsprechenden Nichtgleichmäßigkei
ten im abgeschiedenen Material führen. Es wäre daher weiter
erwünscht, eine LCVD-Vorrichtung zu schaffen, bei der die
Nichtgleichförmigkeit des Intensitätsprofils des Strahles sowie
die Unterschiede des Intensitätsprofils zwischen aufeinander
folgenden Strahlimpulsen möglichst gering sind.
Es ist eine Hauptaufgabe der vorliegenden Erfindung, ein chemi
sches Bedampfungssystem mittels Laser (LCVD) sowie eine solche
Vorrichtung zu schaffen, die die obengenannten Probleme und
Nachteile nicht hat. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Er
findung ist die Schaffung eines LCVD-Systems und einer Vor
richtung dafür, die das Übertragen des Laserstrahles durch ein
Fenster in eine Reaktionskammer nicht erfordert. Weiter liegt
der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, LCVD-System
und Vorrichtung zu schaffen, bei denen die Konzentration des
gasförmigen Reaktanten nahe des Substrates, auf dem er abgeschie
den werden soll, genau kontrolliert werden kann.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Schaf
fung von LCVD-System und -Vorrichtung, die eine beträchtliche
Flexibilität bei der Umdirigierung des Laserstrahles über ver
schiedene Teile des Substrates, auf denen der gasförmige Reak
tant abgeschieden werden soll, aufweisen. Weiter liegt der
vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, LCVD-System und
-Vorrichtung zu schaffen, bei denen die Nichtgleichförmigkeit
des Intensitätsprofils im fokussierten Strahlfleck minimiert
ist. Und schließlich soll die Erfindung LCVD-System und -Vor
richtung schaffen, bei denen die Variationen des Intensitäts
profils in aufeinanderfolgenden Strahlimpulsen, die durch einen
gepulsten Laser erzeugt werden, minimiert sind.
Die vorgenannten Aufgaben der vorliegenden Erfindung werden ge
löst mittels eines neuen und verbesserten Systems, das eine
Vorrichtung zum chemischen Dampfabscheiden mittels Laser (LCVD)
einschließt, wobei ein gasförmiger Reaktant auf einem Werkstück
unter Anwendung eines Laserstrahles abgeschieden wird. Die
LCVD-Vorrichtung umfaßt eine Lichtleitfaser zum Übertragen des
Laserstrahles sowie geeignete optische Komponenten zum Injizie
ren des Laserstrahles in ein Eintrittsende der Lichtleitfaser,
um den Strahl durch die Faser zu übertragen. Die LCVD-Vorrich
tung umfaßt weiter eine Einrichtung zum Verteilen des gasförmi
gen Reaktanten in der Nähe eines vorbestimmten Bereiches des
Werkstückes, wo es erwünscht ist, den gasförmigen Reaktanten
abzuscheiden, und sie umfaßt einen Austrittskuppler zum Fokus
sieren des Laserstrahles, der von einem Austrittsende der Fa
ser emittiert wird.
Bei einer Ausführungsform, bei der das Abscheiden des gasförmi
gen Reaktanten mittels Pyrolyse erfolgt, wird der Strahl auf
mindestens einen Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstüc
kes fokussiert, so daß der gasförmige Reaktant darauf abge
schieden wird.
Bei einer anderen Ausführungsform, bei der es erwünscht ist,
den Reaktanten mittels Photolyse abzuscheiden, ist der Austritts
kuppler so orientiert, daß der Strahl auf einen Teil des gas
förmigen Reaktanten nahe dem vorbestimmten Bereich des Werk
stückes fokussiert wird.
In verschiedenen Ausführungsformen umfaßt die Einrichtung zum
Verteilen des Gases eine Düse, die mit dem Austrittskuppler ge
koppelt ist, um den gasförmigen Reaktanten in die unmittelbare
Nähe des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes strömen zu
lassen. Die Kontrolle der Strömung des gasförmigen Reaktanten
zur Düse gestattet die Kontrolle der Konzentration des abzu
scheidenden Reaktanten.
In verschiedenen dargestellten Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung umfaßt die Vorrichtung weiter eine Reaktionskam
mer mit abgedichteter Umgebung zur Aufnahme von Werkstück und
Austrittskuppler. Die Lichtleitfaser tritt durch eine erste
Öffnung durch eine Wandung in die Kammer, so daß Eintritts- und
Austrittsende der Faser außerhalb bzw. innerhalb der Kammer
liegen. Die erste Öffnung in der Wandung wird um die Lichtleit
faser herum abgedichtet, um die abgedichtete Umgebung innerhalb
der Kammer aufrecht zu erhalten. Die Kammer schließt eine zweite
Wandöffnung für die Einführung von gasförmigem Reaktanten sowie
eine dritte Wandungsöffnung zum Evakuieren der Kammer oder zum
Abziehen von gasförmigem Reaktanten daraus auf. Wo die Einrich
tung zum Verteilen des Gases die Düse umfaßt, benutzt man eine
Einrichtung, die Rohre, um den gasförmigen Reaktanten von der
zweiten Öffnung zur Düse zu führen, aufweist.
Bei einer Ausführungsform, bei der der Austrittskuppler, der
innerhalb der Kammer angeordnet ist, ohne Düse vorgesehen ist,
erhält man eine geeignete Konzentration des gasförmigen Reak
tanten in der Nähe des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes
nach dem Evakuieren der Kammer durch Strömenlassen des gasför
migen Reaktanten durch die dritte und vierte Wandungsöffnung
durch die Kammer oder durch Einrichten einer statischen At
mosphäre des Reaktanten durch Einführen des Reaktanten durch
die zweite Öffnung, während man die dritte Öffnung geschlossen
hält. Es ist bevorzugt, daß die erfindungsgemäße Vorrichtung
zusätzlich eine mechanische Einrichtung zum kontrollierbaren
Bewegen von Austrittskuppler und Werkstück mit Bezug aufein
ander umfaßt, so daß der gasförmige Reaktant gesteuert auf
verschiedenen Teilen der Werkstückoberfläche abgeschieden wer
den kann.
Bei einer weiteren veranschaulichten Ausführungsform der vor
liegenden Erfindung wird der Laserstrahl in einen ersten und
zweiten Strahl aufgespalten, die durch erste und zweite Licht
leitfasern zur ersten und zweiten Austrittskupplung innerhalb
der Reaktionskammer übertragen werden. Auf diese Weise kann das
LCVD-Verfahren gleichzeitig an zwei verschiedenen Stellen des
Werkstückes ausgeführt werden. Bei allen Ausführungsformen der
vorliegenden Erfindung vermeidet der Einsatz von Lichtleitfa
sern zur Übertragung des Laserstrahls in die Nähe des Werkstüc
kes die obengenannten Probleme des Standes der Technik, die
sich dort aus der Einführung des Strahles durch ein Fenster in
der Wandung der Reaktionskammer ergeben.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeich
nung näher erläutert. Im einzelnen zeigen:
Fig. 1 ein System zum chemischen Bedampfen mittels Laser
(abgekürzt "LCVD-System"), das beispielhaft für
die LCVD-Techniken nach dem Stande der Technik ist;
Fig. 2 ein LCVD-System gemäß einer ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 ein LCVD-System gemäß einer zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ein LCVD-System gemäß einer dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung und
Fig. 5 ein LCVD-System einer vierten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung.
Die Fig. 2 zeigt ein LCVD-System 200, das gemäß einer ersten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konstruiert ist.
Dieses System 200 ist besonders geeignet, das chemische Be
dampfen mittels Laser (LCVD) mittels Pyrolyse auszuführen, d.h.
durch Erhitzen des Substrates, auf dem der gasförmige Reaktant
abgeschieden werden soll. Das System 200 umfaßt einen Leistungs
laser 202 zum Erzeugen eines Laserstrahls 204, der LCVD ausfüh
ren kann. Leistungslaser, die Laserstrahlen mit einer mittleren
Leistung im Bereich von 5 bis 1500 Watt erzeugen können, sind
für solche Anwendungen im allgemeinen geeignet. Laser-Arten,
die zum Ausführen von LCVD geeignet sind, schließen Neodym:
Yttrium-Aluminium-Granat (Nd:YAG), Neodym-dotiertes Glas, Rubin,
Argonionen-Laser und einige Excimer-Laser, wie Xenonchlorid-
Exzimer-Laser. LCVD kann man sowohl nach dem Stande der Technik
als auch gemäß der vorliegenden Erfindung erfolgreich ausfüh
ren, indem man entweder einen gepulsten oder einen kontinuier
lichen Laser benutzt. Der Laserstrahl 204 wird durch eine nicht
dargestellte Vorrichtung innerhalb des Lasers 202 kollimiert.
Der Strahl 204 wird durch die Fokussierungslinse 206, die der
Deutlichkeit halber teilweise weggeschnitten dargestellt ist,
auf das Eingangsende 208 einer Lichtleitfaser 210 fokussiert.
Das Fokussieren des Strahles auf das Eingangsende der Faser
geschieht zum Injizieren des Strahles in die Faser, um den
Strahl durch die Faser zu übertragen. Das Eingangsende der
Lichtleitfaser wird mittels eines Fasereingangskupplers 212
in Ausrichtung mit dem fokussierten Laserstrahl gehalten. Der
Teil des Eingangskupplers 212, der die Faser tatsächlich hält,
ist vorzugsweise als gespaltener Block aus einem im wesentli
chen für den Laserstrahl transparenten Material konstruiert.
So sind z.B. Materialien wie Quarz oder LuciteR in geeigne
terweise transparent zur Verwendung mit einem Nd:YAG- oder
Neodym dotierten Glas-Laser. Der gespaltene Block wird vor
zugsweise in einer mechanisch anordnenden Vorrichtung derart
gehalten, daß er linear drei Grad und hinsichtlich der Neigung
zwei Grad Bewegungsfreiheit hat. Ein im Handel erhältlicher
Faserhalter, der geeignet ist zur Verwendung mit Nd:YAG-Lasern
wird hergestellt von der Melles-Grist Corporation, Irvine,
Kalifornien, als Modell Nr. 07-HFO-002.
Die Faser 210 wird vorzugsweise mit einem Quarzkern hergestellt
und kann einen Durchmesser von nur 0,2 mm haben. Die bevorzugte
Technik zum Einführen eines Leistungs-Laserstrahls in das Ein
gangsende einer Lichtleitfaser, um den Strahl durch die Faser
zu übermitteln, ist in den US-PSen 46 76 586 und 46 81 396
beschrieben. Obwohl die Strahl-Injektionstechniken, die in den
beiden vorgenannten US-PSen beschrieben sind, sich in erster
Linie auf die Injektion eines Hochleistungs-Laserstrahles
(mittlere Leistung 250 Watt oder mehr) richten, sind solche
Techniken jedoch gleichermaßen anwendbar, um die erfolgreiche
Injektion eines Laserstrahls geringerer Leistung in eine Licht
leitfaser zur Übertragung dadurch zu ermöglichen. Gemäß den
in den beiden vorgenannten US-PSen beschriebenen Techniken wird
davon ausgegangen, daß das Eingangsende 208 der Faser 210 für
die Strahlinjektion richtig vorbereitet ist, daß die Brennweite
der Linse 206 richtig ausgewählt ist, um einen Konuswinkel zu
erhalten, der geringer ist als das Doppelte der numerischen
Öffnung der Faser und daß die Größe des fokussierten Fleckes
des Laserstrahles 204 auf dem Eingangsende 208 der Faser einen
geringeren Durchmesser aufweist als der Faserkern.
Das LCVD-System 200 schließt weiter eine Reaktionskammer 214
ein, die konstruiert ist, um darin eine abgedichtete Umgebung
aufrecht zu erhalten. Innerhalb der Kammer 214 ist eine Stufe
216 zur Abstützung eines Werkstückes oder Substrates 214, auf
dessen eine Oberfläche 220 ein gasförmiger chemischer Reaktant
abgeschieden werden soll, angeordnet. Die Lichtleitfaser 210
erstreckt sich durch eine Öffnung 222 in der Wand in die Kammer
214, wobei die genannte Öffnung in geeigneterweise um die Fa
ser herum abgedichtet ist, um die abgedichtete Umgebung inner
halb der Kammer aufrecht zu erhalten. Es ist bevorzugt, den
Abschnitt der Lichtleitfaser, der sich innerhalb der Kammer be
findet, in einer schützenden Umhüllung (nicht dargestellt), wie
PolyflowR oder einem Kautschukrohr einzuschließen, um die Faser
vor potentiell beeinträchtigenden Wirkungen des gasförmigen
Reaktanten zu schützen. Ein Ausgangsende 224 der Lichtleitfaser
endet in einem Ausgangskuppler 226. Ein fokussierender Ab
schnitt 228 des Ausgangskupplers schließt einen Faserträger
block 230 zum Halten des Faser-Ausgangsendes in Ausrichtung
mit einer Linse 232 ein, die im Ausgangskuppler montiert ist,
um einen divergierenden Abschnitt 234 des Laserstrahls 204,
der aus dem Ausgangsende der Faser emittiert wird, zu kollimie
ren. Eine Linse 236 ist im Ausgangskuppler montiert und mit
Linse 232 und Faserende 224 ausgerichtet zur Aufnahme eines
kollimierten Abschnittes 238 des Laserstrahls und zum Fokussie
ren des kollimierten Abschnittes zu einem fokussierten Ab
schnitt 240. Der fokussierte Abschnitt kann so gerichtet wer
den, daß er auf einen Teil der Werkstückoberfläche 220 fällt,
wo der gasförmige Reaktant abgeschieden werden soll. Der Block
228 muß nur so konstruiert sein, daß er das Faserende starr
in Ausrichtung mit den Linsen 232 und 234 hält, braucht aber
nicht transparent für den Laserstrahl sein, wie es für den Ein
gangskuppler 212 bevorzugt war. Der fokussierende Abschnitt
228 ist konstruiert, um die Komponenten darin in starrer Aus
richtung zu halten, und er besteht aus einem Material, wie
korrosionsbeständigem Stahl oder Aluminium, das durch den auf
dem Werkstück abgeschiedenen gasförmigen Reaktanten nicht be
einträchtigt wird.
Der gasförmige Reaktant wird in der Nähe eines vorbestimmten
Bereiches der Werkstückoberfläche 220 freigesetzt, wo es er
wünscht ist, diesen gasförmigen Reaktanten abzuscheiden, wobei
die Freisetzung mittels eines Düsenabschnittes 242 des Ausgangs
kupplers 226 erfolgt. Der Düsenabschnitt 242 und der fokussie
rende Abschnitt 228 des Ausgangskupplers 226 kann als eine ein
zige Einheit oder in Form separater Einheiten konstruiert wer
den, die miteinander verschraubt werden können, wie in Fig. 2
dargestellt. Der Düsenabschnitt 242 empfängt den gasförmigen
Reaktanten über Rohrverbindungen, z.B. Kautschukrohre, die
durch Öffnungen in der Wandung der Kammer 214 verlaufen. Hin
sichtlich des Düsenabschnittes des Ausgangskupplers sind Düsen,
wie sie bei Standard-Schweißtechniken, wie dem Wolfram-Inertgas
(TIG)- und dem Oxyacetylen-Schweißen benutzt werden, zur Ver
wendung als Düsenabschnitt des Ausgangskupplers gut geeignet.
Während der gasförmige Reaktant aus irgendeiner Anzahl ver
schiedener Gase zusammengesetzt sein kann, wird im vorliegenden
Falle von zwei verschiedenen Gasen zur Bildung des gasförmigen
Reaktanten im dargestellten System 200 ausgegangen, so daß der
Düsenabschnitt 242 mit zwei Öffnungen 244 und 246 über flexible
Gaszuführungsrohre 248 und 250 verbunden ist. Die Gase werden
mittels Ventilen 252 und 254 an die Rohre abgegeben, damit man
die Strömungsgeschwindigkeit des über die Rohre an die Düse ab
gegebenen Gases und damit die Konzentration des gasförmigen
Reaktanten nahe der Oberfläche 220 steuern kann. Es wird darauf
hingewiesen, daß mehrere Gase außerhalb der Reaktionskammer
vorgemischt werden können, woraufhin man die Gasmischung durch
eines der Rohre einführt. Der Düsenteil ermöglicht somit das
Dirigieren des gasförmigen Reaktanten auf den Teil der Werk
stückoberfläche 220, auf den der fokussierte Laserstrahl ein
fällt.
Die Kammer 214 schließt außerdem eine Öffnung 256 ein, die durch
ein Ventil 258 gesteuert ist, um die Kammer zu evakuieren oder
gasförmige Reaktanten zu entfernen, die durch die Öffnungen
244 und 246 und den Düsenteil eingeführt worden sind. Pfeile
sind in Fig. 2 nahe den Öffnungen 244, 246 und 256 angegeben,
um die vorgesehene Strömungsrichtung des Gases jeder Öffnung
anzuzeigen. Ein Druckmesser 260 ist auf der Kammer 214 instal
liert, um den darin vorhandenen Druck zu messen und anzuzeigen.
Die Kammer 214 ist auch mit einer nicht dargestellten abgedich
teten Zugangstür versehen, um die Einführung/Entfernung eines
Werkstückes und des Ausgangskupplers 226 zu gestatten. Obwohl
in Fig. 2 nicht gezeigt, schließt das System 200 zusätzlich
eine Einrichtung zum gesteuerten mechanischen Bewegen von Aus
gangskuppler und Stufe mit Bezug zueinander ein. In Abhängig
keit von der Größe der Kammer 214 kann eine angemessene Bewe
gung dadurch erhalten werden, daß man den Ausgangskuppler be
wegt, während man die Stufe festhält.
Während des Betriebes wird die Kammer 214 anfänglich durch die
Öffnung 256 evakuiert, während die Ventile 252 und 254 ge
schlossen sind. Als nächstes erzeugt der Laser 202 den Laser
strahl 204, der in das Eingangsende der Lichtleitfaser 210
fokussiert und durch diese Faser übertragen wird. Der aus dem
Ausgangsende der Faser austretende divergierende Strahl wird
kollimiert und durch den fokussierenden Abschnitt des Ausgangs
kupplers fokussiert. Der Ausgangskuppler wird so angeordnet,
daß der fokussierte Strahl auf mindestens einen Teil des vorbe
stimmten Bereiches der Werkstückoberfläche 220 auftrifft, wo
der gasförmige Reaktant abgeschieden werden soll. Dieser gas
förmige Reaktant wird in der Nähe des vorbestimmten Bereiches
durch den Düsenteil 242 freigesetzt, der die den gasförmigen
Reaktanten zusammensetzenden Gase über die Ventile 252 und 254
durch die Kammerwandungen und die Gasrohre empfängt. Der Teil
der Werkstückoberfläche 220, auf die der fokussierte Laserstrahl
auftritt, wird ausreichend erhitzt, um zum Verbinden des gas
förmigen Reaktanten daran und damit seiner Abscheidung zu
führen. Die Möglichkeit, die Ventile 252 und 254 zu betätigen
sowie den gasförmigen Reaktanten in der Nähe des Brennpunktes
des Laserstrahles abzugeben, gestattet die genaue Kontrolle der
Konzentration des gasförmigen Reaktanten im vorbestimmten Be
reich der Werkstückoberfläche. Das Ventil 258 kann geschlossen
bleiben, um eine Konzentration des gasförmigen Reaktanten in
nerhalb der Kammer aufzubauen, oder man kann es öffnen, um den
Reaktanten zu entfernen, nachdem er durch den Düsenteil des
Ausgangskupplers eingeführt worden ist. Die Druckanzeige auf
dem Druckmesser 260 gibt eine Anzeige der Konzentration des
gasförmigen Reaktanten innerhalb der Kammer.
Fig. 3 zeigt ein LCVD-System 300, das gemäß einer zweiten Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung konstruiert ist, wo
die Abscheidung mittels Photolyse-Verfahren erfolgt. Die Vor
richtung des Systems 300 ist im allgemeinen identisch der des
Systems 200 und ist insoweit mit gleichen Bezugsziffern ver
sehen. Das System 300 unterscheidet sich vom System 200 in der
Orientierung des Ausgangskupplers 226 bezüglich der Oberfläche
220 des Werkstückes und in der Auswahl einer Fokussierungslinse
302 zum Einsatz im Ausgangskuppler, die eine größere Brennweite
hat als die Linse 236, die im Zusammenhang mit dem System 200
beschrieben wurde. Wie in Fig. 3 ersichtlich, ist der Ausgangs
kuppler so angeordnet, daß eine Achse 304 des fokussierten La
serstrahles nahezu parallel zur Oberfläche 220 verläuft. Wie
oben kurz beschrieben und im Stande der Technik bekannt, geht
das Abscheiden mittels Photolyse-Verfahren aus von der Disso
ziation der Moleküle, die den gasförmigen Reaktanten bilden.
Diese Dissoziation erfolgt aufgrund der Absorption von ausrei
chend Laser-Energie durch die Gasmoleküle, um deren Dissoziation
zu verursachen. Ausreichend Laser-Energie für eine solche mole
kulare Dissoziation ist am Brennpunkt des fokussierten Strahles
und in einem gewissen Abstand zu beiden Seiten längs der Achse
304 verfügbar, was von der Art des gasförmigen Reaktanten und
der Energie des Laserstrahles abhängt. Die Auswahl einer großen
Brennweite für die Linse 302 gestattet die Anordnung des Brenn
punktes des Strahles nahe einem größeren Teil der Werkstück
oberfläche 220.
Beim Betrieb des Systems 300 wird der gasförmige Reaktant nahe
dem Brennpunkt des Laserstrahles durch den Düsenteil des Aus
gangskupplers freigesetzt. Der gasförmige Reaktant absorbiert
ausreichend Energie in der Nähe des Brennpunktes des Strahles,
um zu dissoziieren. Ein gewisser Teil der dissoziierten Mole
küle verbindet sich mit dem nahe dazu gelegenen Teil der Werk
stückoberfläche 220. Indem man den Ausgangskuppler 226 über die
Oberfläche 220 bewegt, kann man die Abscheidung in einer ge
steuerten Weise vornehmen. Dem Fachmann ist bekannt, daß der
optimale Abstand des Brennpunktes des fokussierten Strahles von
der Werkstückoberfläche zur Unterstützung des Photolyse-Verfah
rens von der Art der ausgeführten Abscheidung abhängt, d.h. von
der Zusammensetzung des gasförmigen Reaktanten, dem Substrat
material, den Eigenschaften des Laserstrahles usw. Der Winkel,
in dem die Achse 304 des Strahles mit Bezug auf die Werkstück
oberfläche angeordnet werden kann, ist ebenfalls mit erfolgrei
chen Ergebnissen variierbar.
Fig. 4 zeigt ein LCVD-System 400, das gemäß einer dritten
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konstruiert ist, wo
bei der Düsenteil des optischen Kupplers weggelassen ist. Wie
im Falle des Systems 200 ist das System 400 geeignet zur Aus
führung des LCVD mittels Pyrolyse. Das System 400 schließt da
her die gleichen Elemente ein wie das System 200, die mit den
gleichen Bezugsziffern wie in Fig. 2 versehen sind, um den
Laserstrahl zu erzeugen und ihn mittels der Lichtleitfaser 210
zum Ausgangskuppler zu übertragen. Da der Ausgangskuppler nur
aus dem fokussierenden Teil besteht, ist dieser mit der Bezugs
ziffer 228 versehen. Der Ausgangskuppler ist in einer Reaktions
kammer 402 angeordnet, die ansonsten der Kammer 214 des LCVD-
Systems 200 identisch ist, ausgenommen daß anstatt der Öffnun
gen 244 und 246 die Kammer 402 mit einer Öffnung 404 versehen
ist, die vorzugsweise benachbart dem Werkstück 218 angeordnet
ist, das auf einer Stufe 216 montiert ist. Die Öffnung 404
ist mit einem Ventil 406 versehen, um die Strömung des gasför
migen Reaktanten in die Kammer 402 zu steuern.
Beim Betrieb des Systems 400 wird das Ventil 406 anfänglich
geschlossen und die Kammer 402 durch die Öffnung 256 über das
Ventil 258 evakuiert. Dann kann man das LCVD-System in einer
von zwei Weisen betreiben. In einer ersten Weise wird das Ven
til 258 geschlossen und bei geöffnetem Ventil 406 führt man
gasförmigen Reaktanten durch die Öffnung 404 in die Kammer ein,
bis eine statische Atmosphäre ausreichender Konzentration des
gasförmigen Reaktanten darin vorhanden ist, um die Abscheidung
zu unterstützen. Der Druckmesser 260 kann als Anzeige der rela
tiven Konzentration des gasförmigen Reaktanten innerhalb der
Kammer dienen. Durch nachfolgendes Fokussieren des Laserstrahles
auf dem vorbestimmten Bereich der Werkstückoberfläche 220 tritt
Abscheidung ein. Bei einem zweiten Betriebsmodus des Systems 400
wird der gasförmige Reaktant nach dem Evakuieren der Kammer 402
durch die Öffnung 404 eingeführt und gleichzeitig durch die Öff
nung 256 entfernt, so daß eine erzwungene Strömung des gasförmi
gen Reaktanten durch die Kammer eingerichtet ist. Durch geeig
netes Anordnen der Öffnungen 256 und 404 kann diese erzwungene
Strömung in der Nähe des vorbestimmten Bereiches der Werkstück
oberfläche 220 vorbeigeführt werden, wo der Reaktant abgeschie
den werden soll. Die Anordnung der Öffnung 404 benachbart dem
Werkstück in Fig. 4 soll schematisch einen geeigneten Ort für
die Einführung des gasförmigen Reaktanten darstellen, so daß
seine Strömung in geeigneter Weise über das Werkstück gerichtet
wird. Es wird mit Bezug auf das System 400 angenommen, daß Aus
gangskuppler und Stufe relativ zueinander bewegt werden können,
um eine Flexibilität beim gesteuerten Dirigieren des Laserstrah
les über die Werkstückoberfläche zu erhalten. Während im System
400 für die Einführung des gasförmigen Reaktanten eine Öffnung
404 vorgesehen ist, ist der Betrieb des Systems 400 nicht auf
die Einführung eines einzigen Gases als gasförmigem Reaktanten
beschränkt. Mehrere Gase, die zusammen den gasförmigen Reak
tanten bilden, können außerhalb der Öffnung 404 vor der Einfüh
rung kombiniert werden. Auch können andere Öffnungen nahe der
Öffnung 404 angeordnet werden, um die separate Einführung ande
rer Reaktanzgase zu ermöglichen.
Eine vierte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in
Fig. 5 gezeigt, bei der ein LCVD-System 500 einen Strahlspal
ter 502 benutzt, um einen kollimierten Laserstrahl 504, der von
einer Laser-Vorrichtung 506 erzeugt wird, aufzuspalten. Der
Strahl 504 wird dadurch in zwei Abschnitte 508 und 510 gespal
ten, die jeweils durch Fokussierungslinsen 512 und 514 in die
Eingangsenden von Lichtleitfasern 516 und 518 fokussiert wer
den, um die Strahlen durch die Fasern zu übermitteln. Die Ein
gangsenden der Fasern werden jeweils von Faser-Eingangskupp
lern 519 und 520 gehalten, die jeweils in gleicher Weise kon
struiert sind, wie der Block 212 des Systems 200. Die Fasern
516 und 518 treten durch Öffnungen 522 und 524 in eine abge
dichtete Reaktionskammer 521 ein, wobei diese Öffnungen um die
Fasern herum in geeigneter Weise abgedichtet sind, um die ab
gedichtete Umgebung in der Kammer aufrecht zu erhalten.
Innerhalb der Kammer ist ein Werkstück 526 auf einer Trägerstu
fe 528 montiert. Ein Ausgangsende jeder der Fasern 516 und 518
endet jeweils in einem Ausgangskuppler 530 und 532. Die Kon
struktion jedes der Ausgangskuppler 530, 532 ist im wesentli
chen identisch der des Ausgangskupplers 226 im System 200. Der
Ausgangskuppler 530 ist über die Gasausgaberohre 534 und 536
mit Öffnungen 538 und 540 in der Kammerwand verbunden, um gas
förmigen Reaktanten von dort zu erhalten. Ventile 542 und 544
steuern die Strömung des durch die Öffnungen 538 und 540 einge
führten Gases. In ähnlicher Weise ist der Ausgangskuppler 532
über Gasabgaberohre 550 und 552 mit Öffnungen 546 und 548 in
der Kammerwandung verbunden, um gasförmigen Reaktanten zu
empfangen. Ventile 554 und 556 steuern die Strömung des durch
die Öffnungen 546 und 548 eingeführten Gases. Eine zusätzliche
Öffnung 558, die mit einem Ventil 560 versehen ist, ist in der
Kammerwand vorgesehen, um die Evakuierung der Kammer und das
Entfernen des gasförmigen Reaktanten daraus zu ermöglichen.
Beim Betrieb des LCVD-Systems 500 wird nach der Evakuierung der
Kammer 521 der Strahl 504 in zwei Strahlen 508 und 510 aufge
spalten, die jeweils durch die Fasern 516 und 518 übertragen
werden, um auf vorbestimmte Bereiche einer Oberfläche 562 eines
Werkstückes 526 fokussiert zu werden. Mittels nicht dargestell
ter Einrichtungen können beide Ausgangskuppler unabhängig steuer
bar relativ zur Oberfläche 562 bewegt werden, so daß der gas
förmige Reaktant, der durch den Düsenteil des Ausgangskupplers
eingeführt wird, in einer kontrollierten Weise durch Pyrolyse
auf der Oberfläche abgeschieden wird. Obwohl in Fig. 5 nicht
gezeigt, kann einer oder können beide Ausgangskuppler relativ
zu vorbestimmten Bereichen des Werkstückes angeordnet werden,
um darauf durch Pyrolyse die Abscheidung zu verursachen.
Bezüglich jeder Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die
oben beschrieben und in der Zeichnung dargestellt ist, führt
man den zur Ausführung des LCVD benutzten Laserstrahl mittels
einer Lichtleitfaser in die Reaktionskammer ein. Die vorliegen
de Erfindung erfordert daher keine Einführung des Laserstrahls
durch ein Fenster in der Kammer, wie dies bei der oben beschrie
benen LCVD-Technik nach dem Stande der Technik erforderlich ist,
und somit leidet die vorliegende Erfindung auch nicht an den
oben beschriebenen Problemen, die mit der Verwendung eines sol
chen Fensters verbunden sind. Die Ausführungsformen der vorlie
genden Erfindung, die den Düsenteil des Ausgangskupplers be
nutzen, können genau die Bereitstellung und Konzentration des
gasförmigen Reaktanten nahe dem Teil des Substrates kontrollie
ren, auf dem der Reaktant abgeschieden werden soll. Hinsichtlich
aller Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung, die in der
vorliegenden Anmeldung offenbart sind, gestattet die Möglich
keit, den Ausgangskuppler mit Bezug auf das Werkstück innerhalb
der Kammer zu bewegen, eine beträchtliche Flexibilität bei der
Dirigierung des fokussierten Laserstrahles über verschiedene
Bereiche der Werkstückoberfläche. Eine solche Bewegung kann man
erreichen, indem man in geeigneter Weise den Brennpunkt des
Strahles in einer erwünschten Orientierung mit Bezug auf die
Werkstückoberfläche hält. Diese Flexibilität bei der Dirigie
rung des fokussierten Strahles stellt eine beträchtliche Ver
besserung gegenüber dem oben beschriebenen LCVD-System nach dem
Stande der Technik dar, bei dem das Fenster und die außerhalb
der Reaktionskammer angeordnete Optik das Dirigieren des Laser
strahles über die Werkstückoberfläche stark einschränken.
Wie oben angegeben, ist ein Problem bei den LCVD-Systemen nach
dem Stande der Technik die ungleichmäßige Abscheidung des gas
förmigen Reaktanten aufgrund eines nicht gleichförmigen Inten
sitätsprofils, das in dem fokussierten Strahlfleck auftritt.
Als Ergebnis der übertragung durch eine Lichtleitfaser ist das
Intensitätsprofil eines Strahles beträchtlich gleichmäßiger.
Bei einem gepulsten Laserstrahl können Unterschiede bei dem In
tensitätsprofil von Impuls zu Impuls zu einer nichtgleichför
migen Abscheidung führen. Mittels übertragung durch eine Licht
leitfaser werden solche Unterschiede beim Intensitätsprofil von
Impuls zu Impuls minimiert.
Die Auswirkungen der Strahlübertragung durch Lichtleitfaser auf
die Gleichförmigkeit des Intensitätsprofils im fokussierten
Strahlfleck und auf die Unterschiede beim Intensitätsprofil von
Impuls zu Impuls sind in einem Aufsatz dargelegt, der "Observed
Intensity Profiles of a 400 Watt Nd:YAG Laser Beam Transmitted
Through an Optical Fiber" von T. Chande et al., Proceedings of
the 1987 International Congress on the Application of Lasers
and Electro-Optics, 9.-11.November 1987, veröffentlicht vom
Laser Institute of America, dargelegt. Bei allen Ausführungs
formen der vorliegenden Erfindung werden aufgrund der Übertra
gung des Laserstrahles durch Lichtleitfaser diese Probleme
hinsichtlich des Intensitätsprofiles des Strahles, wie sie beim
Stande der Technik auftreten, vermieden.
Obwohl der Ausgangskuppler, der in der oben beschriebenen LCVD-
Vorrichtung benutzt wird, schematisch als einfache plan-konvexe
Linsen zum Kollimieren und Fokussieren des Laserstrahles, der
von der Lichtleitfaser emittiert wird, umfassend dargestellt
ist, ist die vorliegende Erfindung darauf jedoch nicht be
schränkt. Der Ausgangskuppler kann mit anderen Arten und Kom
binationen von Linsen konstruiert werden, wie sie im Stande der
Technik bekannt sind, die geeignet sind zum Kollimieren und
Fokussieren eines aus einer Faser emittierten Strahles. Weiter
können solche Linsen ausgewählt werden, um einen fokussierten
Strahlfleck einer vorbestimmten Gestalt zu bilden, der für eine
besondere LCVD-Anwendung geeignet ist.
Während der Betrieb des Austrittskupplers in den in der vorlie
genden Anmeldung dargestellten und beschriebenen LCVD-Systemen
200, 300 und 500 innerhalb einer Reaktionskammer ausgeführt
wird, ist die Erfindung nicht darauf beschränkt. Eine ausrei
chende Strömung des gasförmigen Reaktanten kann durch den Dü
senteil des Austrittskupplers eingeführt werden, um den Raum
nahe dem vorbestimmten Bereich des Werkstückes von anderen
gasförmigen Elementen zu reinigen. Die Abscheidung des gasför
migen Reaktanten auf dem vorbestimmten Bereich des Werkstückes
kann daher außerhalb der abgedichteten Umgebung einer Reaktions
kammer ausgeführt werden. Eine solche Ausführung der vorliegen
den Erfindung außerhalb einer Reaktionskammer kann durch Ein
satz eines Düsenteiles am Austrittskuppler gefördert werden,
der die Einführung eines inerten Abschirmungsgases, wie es bei
üblichen Schweißtechniken benutzt wird, ermöglicht. Ein sol
cher Düsenteil würde den gasförmigen Reaktanten nahe dem vorbe
stimmten Bereich des Werkstückes strömen lassen, während gleich
zeitig ein Abschirmungsgas um den gasförmigen Reaktanten herum
strömt und ihn dadurch von Verunreinigung durch die äußere
Atmosphäre schützt. Eine Beschränkung bei der Durchführung von
LCVD ohne Reaktionskammer ist die Giftigkeit einiger gasförmi
ger Reaktanten.
Das in der vorliegenden Anmeldung dargestellte und beschriebene
LCVD-System 300 der vorliegenden Erfindung mittels Photolyse
verwendet einen Austrittskuppler mit Düsenteil. Doch ist die
Erfindung darauf nicht beschränkt. Die Ausführung des LCVD
mittels Photolyse gemäß der vorliegenden Erfindung kann auch
mit nur dem fokussierenden Teil des Austrittskupplers ausgeführt
werden. In einem solchen Falle würde der gasförmige Reaktant in
der Nähe des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes entweder
mittels einer statischen Atmosphäre des Reaktanten innerhalb
der Reaktionskammer oder durch eine erzwungene Strömung des
gasförmigen Reaktanten durch die Kammer verteilt werden, wie
oben im Zusammenhang mit dem Betrieb des Systems 400 ausgeführt.
Das LCVD-System 500, wie es in der vorliegenden Anmeldung dar
gestellt und beschrieben ist, umfaßt einen Strahlaufspalter zum
Aufspalten des mittels eines einzelnen Lasers erzeugten Laser
strahls. Doch ist die Erfindung darauf nicht beschränkt. An
stelle des einzelnen Lasers und des Strahlaufspalters können
zwei separate Laser benutzt werden, um Laserstrahlen zur Injek
tion in die Lichtleitfasern 516 und 518 zu erzeugen. In einem
solchen Falle können die Laser ausgewählt werden, um Laserstrah
len mit Wellenlängen zu erzeugen, die die Durchführung des je
weils ausgeführten Abscheidungsverfahrens, d.h. der Pyrolyse
oder der Photolyse, erleichtern. Allgemeiner kann man durch
den Einsatz mehrerer Laser, Strahlaufspalter und Lichtleitfa
sern eine Vielzahl von Kombinationen zur Durchführung von LCVD
benutzen.
Claims (19)
1. Vorrichtung zum chemischen Dampfabscheiden eines gasför
migen Reaktanten auf einem Werkstück unter Verwendung
eines durch einen Laser erzeugten Laserstrahles,
gekennzeichnet durch:
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrah les;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eingangsende der Lichtleitfaser zur Über tragung dadurch;
eine Einrichtung zum Ausbreiten des gasförmigen Reak tanten in der Nähe eines vorbestimmten Bereiches des Werkstückes, wo der gasförmige Reaktant abgeschieden werden soll und
eine Ausgangs-Kuppeleinrichtung zum Fokussieren des La serstrahles, der an einem Ausgangsende der Faser auf mindestens einen Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes emittiert wird, so daß der gasförmige Reak tant darauf abgeschieden wird.
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrah les;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eingangsende der Lichtleitfaser zur Über tragung dadurch;
eine Einrichtung zum Ausbreiten des gasförmigen Reak tanten in der Nähe eines vorbestimmten Bereiches des Werkstückes, wo der gasförmige Reaktant abgeschieden werden soll und
eine Ausgangs-Kuppeleinrichtung zum Fokussieren des La serstrahles, der an einem Ausgangsende der Faser auf mindestens einen Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes emittiert wird, so daß der gasförmige Reak tant darauf abgeschieden wird.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, worin die Einrichtung zum
Ausbreiten des Gases eine Einrichtung zur Gaszufuhr um
faßt, die mit der Ausgangs- Kupplungseinrichtung gekop
pelt ist, um den gasförmigen Reaktanten auf den Teil
des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes strömen zu
lassen, wo der fokussierte Laserstrahl einfällt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, weiter einschließend eine
Reaktionskammer, die konstruiert ist, um eine abgedich
tete Umgebung darin aufrecht zu erhalten,
die Lichtleitfaser durch eine erste Öffnung in einer Wandung der Kammer eintritt, so daß sich ein Ende der Faser außerhalb und das andere innerhalb der Kammer be finden und die erste Öffnung um die Faser herum abge dichtet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kammer aufrecht zu erhalten und
die Einrichtung zum Ausbreiten des Gases eine Einrich tung zum Einführen des gasförmigen Reaktanten in die Kammer umfaßt, so daß die Ausgangs-Kupplungseinrich tung innerhalb der Kammer angeordnet werden kann, um den Laserstrahl auf den vorbestimmten Bereich des Werkstüc kes zu fokussieren.
die Lichtleitfaser durch eine erste Öffnung in einer Wandung der Kammer eintritt, so daß sich ein Ende der Faser außerhalb und das andere innerhalb der Kammer be finden und die erste Öffnung um die Faser herum abge dichtet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kammer aufrecht zu erhalten und
die Einrichtung zum Ausbreiten des Gases eine Einrich tung zum Einführen des gasförmigen Reaktanten in die Kammer umfaßt, so daß die Ausgangs-Kupplungseinrich tung innerhalb der Kammer angeordnet werden kann, um den Laserstrahl auf den vorbestimmten Bereich des Werkstüc kes zu fokussieren.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, worin der gasförmige Reak
tant in die Kammer eingeführt wird, um eine statische
Atmosphäre davon in der Nähe des vorbestimmten Bereiches
des Werkstückes zu bilden.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3, worin die Einrichtung zum
Einführen von Gas umfaßt:
eine zweite Öffnung in der Kammerwandung zur Einführung des gasförmigen Reaktanten und
eine dritte Öffnung in der Kammerwandung zum Entfernen des gasförmigen Reaktanten, der durch die zweite Wand öffnung eingeführt worden ist, so daß durch gleichzeitiges Einführen und Entfernen des gasförmigen Reaktanten durch die zweite bzw. dritte Wandöffnung eine erzwungene Strömung des gasförmigen Reaktanten durch die Kammer in der Nähe des vorbestimm ten Bereiches des Werkstückes eingerichtet werden kann.
eine zweite Öffnung in der Kammerwandung zur Einführung des gasförmigen Reaktanten und
eine dritte Öffnung in der Kammerwandung zum Entfernen des gasförmigen Reaktanten, der durch die zweite Wand öffnung eingeführt worden ist, so daß durch gleichzeitiges Einführen und Entfernen des gasförmigen Reaktanten durch die zweite bzw. dritte Wandöffnung eine erzwungene Strömung des gasförmigen Reaktanten durch die Kammer in der Nähe des vorbestimm ten Bereiches des Werkstückes eingerichtet werden kann.
6. Vorrichtung nach Anspruch 3, worin die Einrichtung zum
Ausbreiten von Gas eine Düseneinrichtung umfaßt, die
mit der Ausgangs-Kuppeleinrichtung gekoppelt ist, um
den gasförmigen Reaktanten auf den Teil des vorbestimm
ten Bereiches des Werkstückes strömen zu lassen, auf den
der fokussierte Laserstrahl fällt,
wobei die Vorrichtung weiter eine zweite Öffnung in der
Kammerwandung zur Einführung des gasförmigen Reaktanten
und
eine Einrichtung zum Dirigieren des gasförmigen Reak tanten, der durch die zweite Wandöffnung eingeführt worden ist, zu der Düseneinrichtung umfaßt.
eine Einrichtung zum Dirigieren des gasförmigen Reak tanten, der durch die zweite Wandöffnung eingeführt worden ist, zu der Düseneinrichtung umfaßt.
7. Vorrichtung nach Anspruch 3, weiter einschließend eine
Einrichtung zum kontrollierbaren Bewegen der Ausgangs-
Kupplungseinrichtung und des Werkstückes relativ zuein
ander, so daß der fokussierte Laserstrahl auf verschie
dene Teile des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes
dirigiert werden kann.
8. Vorrichtung zum chemischen Aufdampfen eines gasförmigen
chemischen Reaktanten auf ein Werkstück unter Verwendung
eines durch einen Laser erzeugten Laserstrahles, um
fassend:
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrahles;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eintrittsende der Lichtleitfaser zur Übertragung des Laserstrahles durch die Faser;
eine Einrichtung zum Ausbreiten des gasförmigen Reak tanten in der Nähe eines vorbestimmten Bereiches des Werkstückes, wo man den gasförmigen Reaktanten abschei den möchte und
eine Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussieren des Laserstrahles, der an einem zweiten Austrittsende der Faser emittiert wird, auf einem Teil des gasförmigen Reaktanten nahe dem vorbestimmten Bereich des Werkstük kes, so daß der gasförmige Reaktant darauf durch Photo lyse abgeschieden wird.
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrahles;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eintrittsende der Lichtleitfaser zur Übertragung des Laserstrahles durch die Faser;
eine Einrichtung zum Ausbreiten des gasförmigen Reak tanten in der Nähe eines vorbestimmten Bereiches des Werkstückes, wo man den gasförmigen Reaktanten abschei den möchte und
eine Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussieren des Laserstrahles, der an einem zweiten Austrittsende der Faser emittiert wird, auf einem Teil des gasförmigen Reaktanten nahe dem vorbestimmten Bereich des Werkstük kes, so daß der gasförmige Reaktant darauf durch Photo lyse abgeschieden wird.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8, worin die Einrichtung zum
Ausbreiten von Gas eine Düseneinrichtung umfaßt, die
mit der Austritts-Kupplungseinrichtung gekoppelt ist,
um den gasförmigen Reaktanten in die Nähe des Brenn
punktes des fokussierten Laserstrahles strömen zu las
sen.
10. Vorrichtung nach Anspruch 8, weiter einschließend eine
Reaktionskammer, die konstruiert ist, um eine abgedich
tete Umgebung darin aufrecht zu erhalten;
die Lichtleitfaser durch eine erste Öffnung in einer
Wand der Kammer tritt, so daß das erste und zweite Faser
ende außerhalb bzw. innerhalb der Kammer angeordnet
sind und die erste Öffnung um die Faser herum abgedich
tet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kam
mer aufrecht zu erhalten,
wobei die gasausbreitende Einrichtung eine Einrichtung
zum Einführen des gasförmigen Reaktanten in die Kammer
umfaßt, so daß die Austritts-Kupplungseinrichtung inner
halb der Kammer angeordnet werden kann, um den Laser
strahl auf dem Teil des gasförmigen Reaktanten nahe des
vorbestimmten Bereiches des Werkstückes zu fokussieren.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, worin der gasförmige Reak
tant in die Kammer eingeführt wird, um eine statische
Atmosphäre davon in der Nähe des vorbestimmten Bereiches
des Werkstückes einzurichten.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10, worin die Einrichtung zum
Einführen von Gas umfaßt
eine zweite Öffnung in der Kammerwandung zum Einführen des gasförmigen Reaktanten und
eine dritte Öffnung in der Kammerwandung zum Entfernen des gasförmigen Reaktanten, der durch die zweite Wan dungsöffnung eingeführt worden ist, so daß durch gleich zeitiges Einführen und Entfernen des gasförmigen Reak tanten durch die zweite bzw. dritte Wandöffnung eine erzwungene Strömung des gasförmigen Reaktanten durch die Kammer in der Nähe des vorbestimmten Bereiches des Werk stückes eingerichtet werden kann.
eine zweite Öffnung in der Kammerwandung zum Einführen des gasförmigen Reaktanten und
eine dritte Öffnung in der Kammerwandung zum Entfernen des gasförmigen Reaktanten, der durch die zweite Wan dungsöffnung eingeführt worden ist, so daß durch gleich zeitiges Einführen und Entfernen des gasförmigen Reak tanten durch die zweite bzw. dritte Wandöffnung eine erzwungene Strömung des gasförmigen Reaktanten durch die Kammer in der Nähe des vorbestimmten Bereiches des Werk stückes eingerichtet werden kann.
13. Vorrichtung nach Anspruch 10, worin die gasausbreitende
Einrichtung eine Düseneinrichtung umfaßt, die mit der
Austritts-Kupplungseinrichtung gekoppelt ist, um den
gasförmigen Reaktanten in die Nähe eines Brennpunktes
des fokussierten Laserstrahles strömen zu lassen;
wobei die Vorrichtung weiter umfaßt eine zweite Öffnung
in der Kammerwandung zur Einführung des gasförmigen Reak
tanten und
eine Einrichtung zum Dirigieren des gasförmigen Reaktan
ten, der durch die zweite Wandöffnung eingeführt worden
ist, zu der Düseneinrichtung.
14. Vorrichtung nach Anspruch 10, weiter einschließend eine
Einrichtung zum kontrollierten Bewegen der Austritts-
Kupplungseinrichtung und des Werkstückes relativ zuein
ander, so daß der fokussierte Laserstrahl auf verschie
dene Teile des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes
dirigiert werden kann.
15. Vorrichtung zum chemischen Bedampfen eines Werkstückes
mit einem gasförmigen chemischen Reaktanten unter Ver
wendung eines durch einen Laser erzeugten Laserstrahles,
umfassend:
eine Reaktionskammer, die zur Aufrechterhaltung einer abgedichteten Umgebung darin konstruiert ist;
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrahles;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eintrittsende der Lichtleitfaser zur Übertragung des Strahles durch die Faser;
eine Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussieren des Laserstrahles, der am zweiten Ende der Faser emittiert wird;
wobei die Lichtleitfaser durch eine Öffnung in einer Wandung in die Kammer eintritt, so daß das erste bzw. zweite Faserende außerhalb bzw. innerhalb der Kammer an geordnet ist und die Öffnung um die Faser herum abge dichtet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kammer aufrecht zu erhalten;
eine Einrichtung zum Tragen des Werkstückes innerhalb der Kammer, wobei die Austritts-Kupplungseinrichtung innerhalb der Kammer so angeordnet ist, daß der fokus sierte Laserstrahl auf mindestens einen Teil eines vor bestimmten Bereiches des Werkstückes auftrifft, wo der gasförmige Reaktant abgeschieden werden soll;
eine Düseneinrichtung, die mit der Austritts-Kupplungs einrichtung gekoppelt ist, um den gasförmigen Reaktanten auf den Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes strömen zu lassen, auf den der fokussierte Laserstrahl auftrifft, so daß der gasförmige Reaktant darauf abge schieden wird;
eine Einrichtung zum Einführen des gasförmigen Reaktanten durch eine zweite Öffnung in der Kammerwandung und zum Dirigieren des eingeführten gasförmigen Reaktanten zu der Düseneinrichtung sowie
eine Einrichtung zum kontrollierbaren Bewegen der Aus tritts-Kupplungseinrichtung des Werkstückes relativ zu einander, so daß der fokussierte Laserstrahl auf ver schiedene Teile des vorbestimmten Bereiches des Werkstük kes dirigiert werden kann.
eine Reaktionskammer, die zur Aufrechterhaltung einer abgedichteten Umgebung darin konstruiert ist;
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrahles;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eintrittsende der Lichtleitfaser zur Übertragung des Strahles durch die Faser;
eine Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussieren des Laserstrahles, der am zweiten Ende der Faser emittiert wird;
wobei die Lichtleitfaser durch eine Öffnung in einer Wandung in die Kammer eintritt, so daß das erste bzw. zweite Faserende außerhalb bzw. innerhalb der Kammer an geordnet ist und die Öffnung um die Faser herum abge dichtet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kammer aufrecht zu erhalten;
eine Einrichtung zum Tragen des Werkstückes innerhalb der Kammer, wobei die Austritts-Kupplungseinrichtung innerhalb der Kammer so angeordnet ist, daß der fokus sierte Laserstrahl auf mindestens einen Teil eines vor bestimmten Bereiches des Werkstückes auftrifft, wo der gasförmige Reaktant abgeschieden werden soll;
eine Düseneinrichtung, die mit der Austritts-Kupplungs einrichtung gekoppelt ist, um den gasförmigen Reaktanten auf den Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes strömen zu lassen, auf den der fokussierte Laserstrahl auftrifft, so daß der gasförmige Reaktant darauf abge schieden wird;
eine Einrichtung zum Einführen des gasförmigen Reaktanten durch eine zweite Öffnung in der Kammerwandung und zum Dirigieren des eingeführten gasförmigen Reaktanten zu der Düseneinrichtung sowie
eine Einrichtung zum kontrollierbaren Bewegen der Aus tritts-Kupplungseinrichtung des Werkstückes relativ zu einander, so daß der fokussierte Laserstrahl auf ver schiedene Teile des vorbestimmten Bereiches des Werkstük kes dirigiert werden kann.
16. Chemisches Bedampfungssystem mittels Laser (LCVD) zum
Abscheiden eines gasförmigen chemischen Reaktanten auf
einem Werkstück, umfassend:
einen Laser zum Erzeugen eines Laserstrahles, der zur Ausführung des LCVD geeignet ist;
eine Reaktionskammer, die zum Aufrechterhalten einer ab gedichteten Umgebung darin konstruiert ist;
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrahles;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eintrittsende der Lichtleitfaser, um den Strahl durch die Faser zu übertragen;
eine Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussieren des Laserstrahles, der an einem zweiten Ende der Faser emit tiert wird;
wobei die Lichtleitfaser durch eine Öffnung eine Wand der Kammer durchdringt, so daß das erste bzw. zweite Faserende außerhalb bzw. innerhalb der Kammer angeordnet ist und die Öffnung um die Faser herum abgedichtet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kammer auf recht zu erhalten;
eine Einrichtung zum Tragen des Werkstückes innerhalb der Kammer, wobei die Austritts-Kupplungseinrichtung inner halb der Kammer so angeordnet ist, daß der fokussierte Laserstrahl auf mindestens einen Teil eines vorbestimm ten Bereiches des Werkstückes auftrifft, wo es erwünscht ist, den gasförmigen Reaktanten abzuscheiden;
eine Düseneinrichtung, die mit der Austritts-Kupplungs einrichtung gekoppelt ist, um den gasförmigen Reaktanten auf den Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes strömen zu lassen, auf den der fokussierte Laserstrahl auftrifft, so daß der gasförmige Reaktant darauf abge schieden wird;
eine Einrichtung zum Einführen des gasförmigen Reaktan ten durch eine zweite Öffnung in der Kammerwandung und zum Dirigieren des eingeführten gasförmigen Reaktanten zu der Düseneinrichtung und
eine Einrichtung zum kontrollierbaren Bewegen der Aus tritts-Kupplungseinrichtung und des Werkstückes relativ zueinander, so daß der fokussierte Laserstrahl auf ver schiedene Teile des vorbestimmten Bereiches des Werk stückes dirigiert werden kann.
einen Laser zum Erzeugen eines Laserstrahles, der zur Ausführung des LCVD geeignet ist;
eine Reaktionskammer, die zum Aufrechterhalten einer ab gedichteten Umgebung darin konstruiert ist;
eine Lichtleitfaser zum Übertragen des Laserstrahles;
eine Einrichtung zum Injizieren des Laserstrahles in ein erstes Eintrittsende der Lichtleitfaser, um den Strahl durch die Faser zu übertragen;
eine Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussieren des Laserstrahles, der an einem zweiten Ende der Faser emit tiert wird;
wobei die Lichtleitfaser durch eine Öffnung eine Wand der Kammer durchdringt, so daß das erste bzw. zweite Faserende außerhalb bzw. innerhalb der Kammer angeordnet ist und die Öffnung um die Faser herum abgedichtet ist, um die abgedichtete Umgebung innerhalb der Kammer auf recht zu erhalten;
eine Einrichtung zum Tragen des Werkstückes innerhalb der Kammer, wobei die Austritts-Kupplungseinrichtung inner halb der Kammer so angeordnet ist, daß der fokussierte Laserstrahl auf mindestens einen Teil eines vorbestimm ten Bereiches des Werkstückes auftrifft, wo es erwünscht ist, den gasförmigen Reaktanten abzuscheiden;
eine Düseneinrichtung, die mit der Austritts-Kupplungs einrichtung gekoppelt ist, um den gasförmigen Reaktanten auf den Teil des vorbestimmten Bereiches des Werkstückes strömen zu lassen, auf den der fokussierte Laserstrahl auftrifft, so daß der gasförmige Reaktant darauf abge schieden wird;
eine Einrichtung zum Einführen des gasförmigen Reaktan ten durch eine zweite Öffnung in der Kammerwandung und zum Dirigieren des eingeführten gasförmigen Reaktanten zu der Düseneinrichtung und
eine Einrichtung zum kontrollierbaren Bewegen der Aus tritts-Kupplungseinrichtung und des Werkstückes relativ zueinander, so daß der fokussierte Laserstrahl auf ver schiedene Teile des vorbestimmten Bereiches des Werk stückes dirigiert werden kann.
17. Vorrichtung zum chemischen Aufdampfen eines gasförmigen
chemischen Reaktanten auf ein Werkstück unter Verwendung
von mindestens zwei Laserstrahlen, umfassend:
eine Reaktionskammer, die zur Aufrechterhaltung einer abgedichteten Umgebung darin konstruiert ist;
eine erste Lichtleitfaser zum übertragen eines ersten der Laserstrahlen;
eine zweite Lichtleitfaser zum Übertragen eines zweiten der Laserstrahlen;
eine erste Injektionseinrichtung zum Einführen des ersten Laserstrahls in ein Eintrittsende der ersten Lichtleit faser, um den Strahl durch die Faser zu übertragen;
eine zweite Injektionseinrichtung zum Injizieren des zweiten Laserstrahls in ein Eintrittsende der zweiten Lichtleitfaser, um den Strahl durch die Faser zu über tragen;
eine erste Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussie ren des ersten Laserstrahles, der an einem Austrittsende der ersten Lichtleitfaser emittiert wird,
eine zweite Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussie ren des zweiten Laserstrahles, der an einem Austrittsen - de der zweiten Lichtleitfaser emittiert wird;
wobei die erste und zweite Lichtleitfaser durch eine Wandung der Kammer in diese eintritt, so daß die Ein tritts- bzw. Austrittsenden der ersten und zweiten Licht leitfaser außerhalb bzw. innerhalb der Kammer angeord net sind und der Durchtritt der beiden Lichtleitfasern in die Kammer derart erfolgt, daß die abgedichtete Um gebung innerhalb der Kammer aufrechterhalten wird;
eine Einrichtung zum Verteilen des gasförmigen Reaktan ten in der Nähe vorbestimmter Bereiche des Werkstückes, wo das Abscheiden des gasförmigen Reaktanten erwünscht ist und
eine Einrichtung zum Tragen des Werkstückes innerhalb der Kammer, wobei die erste und zweite Austritts-Kupplungs einrichtung derart in der Kammer angeordnet sind, daß der fokussierte erste und zweite Laserstrahl in vorbe stimmten Orientierungen mit Bezug auf die vorbestimmten Bereiche des Werkstückes dirigiert werden, so daß das Abscheiden des gasförmigen Reaktanten darauf erfolgt.
eine Reaktionskammer, die zur Aufrechterhaltung einer abgedichteten Umgebung darin konstruiert ist;
eine erste Lichtleitfaser zum übertragen eines ersten der Laserstrahlen;
eine zweite Lichtleitfaser zum Übertragen eines zweiten der Laserstrahlen;
eine erste Injektionseinrichtung zum Einführen des ersten Laserstrahls in ein Eintrittsende der ersten Lichtleit faser, um den Strahl durch die Faser zu übertragen;
eine zweite Injektionseinrichtung zum Injizieren des zweiten Laserstrahls in ein Eintrittsende der zweiten Lichtleitfaser, um den Strahl durch die Faser zu über tragen;
eine erste Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussie ren des ersten Laserstrahles, der an einem Austrittsende der ersten Lichtleitfaser emittiert wird,
eine zweite Austritts-Kupplungseinrichtung zum Fokussie ren des zweiten Laserstrahles, der an einem Austrittsen - de der zweiten Lichtleitfaser emittiert wird;
wobei die erste und zweite Lichtleitfaser durch eine Wandung der Kammer in diese eintritt, so daß die Ein tritts- bzw. Austrittsenden der ersten und zweiten Licht leitfaser außerhalb bzw. innerhalb der Kammer angeord net sind und der Durchtritt der beiden Lichtleitfasern in die Kammer derart erfolgt, daß die abgedichtete Um gebung innerhalb der Kammer aufrechterhalten wird;
eine Einrichtung zum Verteilen des gasförmigen Reaktan ten in der Nähe vorbestimmter Bereiche des Werkstückes, wo das Abscheiden des gasförmigen Reaktanten erwünscht ist und
eine Einrichtung zum Tragen des Werkstückes innerhalb der Kammer, wobei die erste und zweite Austritts-Kupplungs einrichtung derart in der Kammer angeordnet sind, daß der fokussierte erste und zweite Laserstrahl in vorbe stimmten Orientierungen mit Bezug auf die vorbestimmten Bereiche des Werkstückes dirigiert werden, so daß das Abscheiden des gasförmigen Reaktanten darauf erfolgt.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, worin der erste und zweite
Laserstrahl durch erste und zweite Laser mit unterschied
lichen ersten und zweiten Wellenlängen erzeugt werden;
die erste Austritts-Kupplungseinrichtung so angeordnet ist, daß der erste fokussierte Strahl auf vorbestimmte Bereiche des Werkstückes auftrifft und zur Abscheidung des gasförmigen Reaktanten darauf durch Pyrolyse führt;
die zweite Austritts-Kupplungseinrichtung so angeordnet ist, daß der zweite fokussierte Strahl auf einen Teil des gasförmigen Reaktanten in der Nähe eines der vorbe stimmten Bereiche des Werkstückes dirigiert wird und zur Abscheidung des gasförmigen Reaktanten darauf durch Pyrolyse führt und
die Wellenlängen des ersten und zweiten Laserstrahles so ausgewählt sind, daß Pyrolyse und Photolyse erleichtert werden.
die erste Austritts-Kupplungseinrichtung so angeordnet ist, daß der erste fokussierte Strahl auf vorbestimmte Bereiche des Werkstückes auftrifft und zur Abscheidung des gasförmigen Reaktanten darauf durch Pyrolyse führt;
die zweite Austritts-Kupplungseinrichtung so angeordnet ist, daß der zweite fokussierte Strahl auf einen Teil des gasförmigen Reaktanten in der Nähe eines der vorbe stimmten Bereiche des Werkstückes dirigiert wird und zur Abscheidung des gasförmigen Reaktanten darauf durch Pyrolyse führt und
die Wellenlängen des ersten und zweiten Laserstrahles so ausgewählt sind, daß Pyrolyse und Photolyse erleichtert werden.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17, weiter einschließend eine
Einrichtung zum Aufspalten eines Laserstrahles in zwei
Laserstrahlen,
wobei diese Aufspaltungseinrichtung einen durch einen
Laser erzeugten dritten Laserstrahl in erste und zweite
Laserstrahlen aufspaltet.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12698887A | 1987-11-30 | 1987-11-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3840042A1 true DE3840042A1 (de) | 1989-06-08 |
Family
ID=22427741
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3840042A Withdrawn DE3840042A1 (de) | 1987-11-30 | 1988-11-27 | Vorrichtung zum chemischen bedampfen mittels laser unter verwendung von lichtleitfasern |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01212770A (de) |
DE (1) | DE3840042A1 (de) |
FR (1) | FR2623820A1 (de) |
GB (1) | GB2212819A (de) |
IT (1) | IT1227653B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991002107A1 (en) * | 1989-08-07 | 1991-02-21 | Magyar Tudományos Akadémia Központi Fizikai Kutató Intézete | Method for laser induced chemical vapor deposition on a substrate |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3926023A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Schott Glaswerke | Cvd-beschichtungsverfahren zur herstellung von schichten und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens |
GB2231587B (en) * | 1989-05-11 | 1993-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film vacuum evaporation device |
GB2250751B (en) * | 1990-08-24 | 1995-04-12 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | Process for the production of dielectric thin films |
FR2685127B1 (fr) * | 1991-12-13 | 1994-02-04 | Christian Licoppe | Photonanographe a gaz pour la fabrication et l'analyse optique de motifs a l'echelle nanometrique. |
FR2709763B1 (fr) * | 1993-09-08 | 1995-10-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de traitement d'un matériau, à tête photo-ionique miniaturisée. |
JP3268443B2 (ja) * | 1998-09-11 | 2002-03-25 | 科学技術振興事業団 | レーザ加熱装置 |
JP4274409B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-06-10 | 富士フイルム株式会社 | レーザ装置 |
US20090227093A1 (en) * | 2006-02-17 | 2009-09-10 | Cornell Research Foundation, Inc | Patterning During Film Growth |
WO2013163040A1 (en) * | 2012-04-23 | 2013-10-31 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Localized atmospheric laser chemical vapor deposition |
US10179948B2 (en) * | 2014-04-24 | 2019-01-15 | United Technologies Corporation | Method and system for controlling coating in non-line-of-sight locations |
US10865477B2 (en) * | 2016-02-08 | 2020-12-15 | Illinois Tool Works Inc. | Method and system for the localized deposit of metal on a surface |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4676586A (en) * | 1982-12-20 | 1987-06-30 | General Electric Company | Apparatus and method for performing laser material processing through a fiber optic |
DE3300449A1 (de) * | 1983-01-08 | 1984-07-12 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | Verfahren zur herstellung einer elektrode fuer eine hochdruckgasentladungslampe |
FR2548218B1 (fr) * | 1983-06-29 | 1987-03-06 | Pauleau Yves | Procede de depot de couches minces par reaction chimique en phase gazeuse utilisant deux rayonnements differents |
JPS6066896A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-17 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 基体に金属銅を付着するための方法 |
CA1245726A (en) * | 1984-01-19 | 1988-11-29 | Francis A. L'esperance | Laser incisional device |
US4581248A (en) * | 1984-03-07 | 1986-04-08 | Roche Gregory A | Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
GB2155357B (en) * | 1984-03-10 | 1987-09-09 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical fibres |
JPS60260125A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-23 | Hitachi Ltd | 半導体基板の選択的加工方法 |
US4681396A (en) * | 1984-10-09 | 1987-07-21 | General Electric Company | High power laser energy delivery system |
US4782787A (en) * | 1986-01-08 | 1988-11-08 | Roche Gregory A | Apparatus for laser-induced chemical vapor deposition |
GB2185494B (en) * | 1986-01-18 | 1989-11-15 | Stc Plc | Vapour phase deposition process |
US4748045A (en) * | 1986-04-09 | 1988-05-31 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for photodeposition of films on surfaces |
-
1988
- 1988-11-10 FR FR8814683A patent/FR2623820A1/fr not_active Withdrawn
- 1988-11-27 DE DE3840042A patent/DE3840042A1/de not_active Withdrawn
- 1988-11-29 GB GB8827836A patent/GB2212819A/en not_active Withdrawn
- 1988-11-30 IT IT8822803A patent/IT1227653B/it active
- 1988-11-30 JP JP63301143A patent/JPH01212770A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991002107A1 (en) * | 1989-08-07 | 1991-02-21 | Magyar Tudományos Akadémia Központi Fizikai Kutató Intézete | Method for laser induced chemical vapor deposition on a substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB8827836D0 (en) | 1988-12-29 |
FR2623820A1 (fr) | 1989-06-02 |
GB2212819A (en) | 1989-08-02 |
IT8822803A0 (it) | 1988-11-30 |
IT1227653B (it) | 1991-04-23 |
JPH01212770A (ja) | 1989-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0679325B1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur handhabung, bearbeitung und beobachtung kleiner teilchen, insbesondere biologischer teilchen | |
EP0582899B1 (de) | Zahnärztliches Instrument zur Behandlung von Zähnen mittels Laserstrahlen | |
DE69619671T2 (de) | Mehrkanal-totalreflexionsoptik mit steuerbarer divergenz | |
DE3840042A1 (de) | Vorrichtung zum chemischen bedampfen mittels laser unter verwendung von lichtleitfasern | |
DE4335643C1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Einleiten von Gasen in Metallschmelzen | |
DE2522032A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von reflektierenden flaechen bei lasern | |
DE2610444A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur beschichtung von traegermaterialien, insbesondere durch zerstaeuben von kathodenmaterial | |
DE3942049A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen von einspeisungsmaterialstroemen mittels transversallaserstrahlduesen | |
DE69208161T2 (de) | Verfahren zum Arbeiten mit Laser in kontaminiertem Gebiet einer Kernkraftanlage und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE10143377B4 (de) | Mikrowellenreaktor und Verfahren zur Steuerung von Reaktionen von aktivierten Molekülen | |
DE4218903C2 (de) | Laser-Härtungsvorrichtung | |
DE10226359A1 (de) | Laserbearbeitungskopf zur Bearbeitung, insbesondere zum Schneiden eines Werkstücks mittels Laserstrahl | |
DE2827304A1 (de) | Brenner | |
DE69422227T2 (de) | Verfahren zur Untersuchung einer festen Probe | |
DD297586A5 (de) | Vorrichtung und verfahren zum schweissen von metallteilen mittels laserstrahl | |
EP0847525A1 (de) | Fernmessung von uran bzw. plutonium in gläsern | |
DE102019214742A1 (de) | Baugruppe einer Laser-Ablationsvorrichtung sowie Laser-Ablationsvorrichtung einer derartigen Baugruppe | |
DE2509635A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur laserschweissung | |
DE4001091C2 (de) | ||
EP3746259B1 (de) | Gaszufuhrvorrichtung sowie laserbearbeitungskopf mit derselben | |
DE4018940C2 (de) | Vorrichtung zum kontinuierlichen gleichmäßigen Überziehen von Endlosfaserbündeln und Verwendung dieser Vorrichtung zum kontinuierlichen, gleichmäßigen Überziehen von Endlosfaserbündeln | |
DE8900453U1 (de) | Bearbeitungsvorrichtung | |
DE102018124313A1 (de) | Verfahren und Spannvorrichtung zur Herstellung einer Schweißnaht an einer Stoßstelle zwischen zwei Werkstücken mit einem Laserstrahl | |
DE69009300T2 (de) | Gerät zur Behandlung von Laserstrahlen, insbesondere Leistungslaserstrahlen zur Verwendung für Roboter. | |
DE3332741C2 (de) | Vorrichtung zur Beleuchtung der Probe und Probenhalterung sowie des Kühlbads an einer Einrichtung zur Immersions-Kryofixation |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |