JPH01211946A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH01211946A JPH01211946A JP3665588A JP3665588A JPH01211946A JP H01211946 A JPH01211946 A JP H01211946A JP 3665588 A JP3665588 A JP 3665588A JP 3665588 A JP3665588 A JP 3665588A JP H01211946 A JPH01211946 A JP H01211946A
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
[概要]
化合物半導体デバイスに設ける多層配線電極の形成方法
に関し、 配線間コンタクトの信頼性を高めて、且つ、上下配線間
の容量を増加させないようにすることを目的とし、 オーミック電極を設けた基板上に第1のポリイミド膜を
塗布して硬化させ、更に、該第1のポリイミド膜上に第
2のポリイミド膜を塗布して半硬化させる工程と、 次いで、該第2のポリイミド膜上に開口部を有するマス
クパターンを形成する工程と、 次いで、前記マスクパターンを利用して第1および第2
のポリイミド膜をエツチング除去して前記オーミック電
極部分を開口すると同時に該第2のポリイミド膜をサイ
ドエツチングして該開口部内にオーバハング形状を形成
する工程と、次いで、前記マスクパターン上から配線金
属膜を被着し、該マスクパターンおよび前記第2のポリ
イミド膜を除去するリフトオフ法によって前記オーミッ
ク電極上にのみ配線金属膜を残存させる工程と、 次いで、第3のポリイミド膜を塗布し硬化させて前記配
線金属膜の周囲間隙を埋める工程と、次いで、前記オー
ミック電極部分および配線部分を開口した第2のマスク
パターンを形成し、選択的に配線金属膜を鍍金して、前
記オーミック電極に接続する配線を形成する工程とが含
まれてなることを特徴とする。
に関し、 配線間コンタクトの信頼性を高めて、且つ、上下配線間
の容量を増加させないようにすることを目的とし、 オーミック電極を設けた基板上に第1のポリイミド膜を
塗布して硬化させ、更に、該第1のポリイミド膜上に第
2のポリイミド膜を塗布して半硬化させる工程と、 次いで、該第2のポリイミド膜上に開口部を有するマス
クパターンを形成する工程と、 次いで、前記マスクパターンを利用して第1および第2
のポリイミド膜をエツチング除去して前記オーミック電
極部分を開口すると同時に該第2のポリイミド膜をサイ
ドエツチングして該開口部内にオーバハング形状を形成
する工程と、次いで、前記マスクパターン上から配線金
属膜を被着し、該マスクパターンおよび前記第2のポリ
イミド膜を除去するリフトオフ法によって前記オーミッ
ク電極上にのみ配線金属膜を残存させる工程と、 次いで、第3のポリイミド膜を塗布し硬化させて前記配
線金属膜の周囲間隙を埋める工程と、次いで、前記オー
ミック電極部分および配線部分を開口した第2のマスク
パターンを形成し、選択的に配線金属膜を鍍金して、前
記オーミック電極に接続する配線を形成する工程とが含
まれてなることを特徴とする。
[産業上の利用分野]
本発明は半導体装置の製造方法のうち、特に、化合物半
導体デバイスに設ける多層配線電極の形成方法に関する
。
導体デバイスに設ける多層配線電極の形成方法に関する
。
最近、HEMT (高電子移動度トランジスタ)。
HET (ホントニレクロントランジスタ)、HBT(
ヘテロバイポーラトランジスタ)などの超高速な化合物
半導体デバイスが開発され、更に、その高集積化が検討
されているが、その際には、信頼性の高い多層配線を形
成することが極めて重要で、本発明はこのような多層配
線の形成方法に関する。
ヘテロバイポーラトランジスタ)などの超高速な化合物
半導体デバイスが開発され、更に、その高集積化が検討
されているが、その際には、信頼性の高い多層配線を形
成することが極めて重要で、本発明はこのような多層配
線の形成方法に関する。
[従来の技術]
GaAsなどの化合物半導体デバイスに設ける電極配線
は、デバイスがマイクロ波などの高周波用であるため、
Au系金属が用いられている。その従来の多層配線の形
成方法を第2図(al〜(f)に示す工程順断面図によ
って説明する。
は、デバイスがマイクロ波などの高周波用であるため、
Au系金属が用いられている。その従来の多層配線の形
成方法を第2図(al〜(f)に示す工程順断面図によ
って説明する。
第2図(al参照;化合物半導体基板1に設けたオーミ
ック電極2上に化学気相成長(CV D)法によって絶
縁膜3(膜厚1μm程度)を被着し、フォトプロセスを
用いてレジスト膜パターン4を形成し、絶縁膜3をパタ
ーンニングして電極窓(スルーホール)を開口する。オ
ーミック電極2はAu/Ni/AuGe (上側/中央
/下側)からなるへU系金属電極で、絶縁膜3は例えば
、5i02 (酸化シリコン)膜/Si3 N4
(窒化シリコン)膜(上層/下層)から構成した膜であ
る。
ック電極2上に化学気相成長(CV D)法によって絶
縁膜3(膜厚1μm程度)を被着し、フォトプロセスを
用いてレジスト膜パターン4を形成し、絶縁膜3をパタ
ーンニングして電極窓(スルーホール)を開口する。オ
ーミック電極2はAu/Ni/AuGe (上側/中央
/下側)からなるへU系金属電極で、絶縁膜3は例えば
、5i02 (酸化シリコン)膜/Si3 N4
(窒化シリコン)膜(上層/下層)から構成した膜であ
る。
第2図(b)参照;次いで、その上面にスパッタ法によ
ってWSix (タングステンシリサイド)膜5(膜
厚1000人)を被着し、その上にTi (チタン)膜
6 (膜厚50人)を蒸着し、更に、その上にAu (
金)膜7 (膜厚1000人)を蒸着した後、表面に電
極配線部分を開口したレジスト膜パターン8 (膜厚1
μm程度)を形成する。なお、ここに、Ti膜6は絶縁
膜3とAu膜7との密着を良くするためのものである。
ってWSix (タングステンシリサイド)膜5(膜
厚1000人)を被着し、その上にTi (チタン)膜
6 (膜厚50人)を蒸着し、更に、その上にAu (
金)膜7 (膜厚1000人)を蒸着した後、表面に電
極配線部分を開口したレジスト膜パターン8 (膜厚1
μm程度)を形成する。なお、ここに、Ti膜6は絶縁
膜3とAu膜7との密着を良くするためのものである。
第2図(C1参照;次いで、全面に被着したAu/Ti
/ W S i xをメツキ電極にして、配線部分にA
u膜9(1μm程度;以下にメツキAu膜と呼ぶ)を鍍
金する。
/ W S i xをメツキ電極にして、配線部分にA
u膜9(1μm程度;以下にメツキAu膜と呼ぶ)を鍍
金する。
第2図+di参照;次いで、レジスト膜パターン8を除
去し、更に、メツキAu膜9以外に露出したAu膜7.
Ti膜6.WSix膜5を除去して、第1層目の配線を
完成する。
去し、更に、メツキAu膜9以外に露出したAu膜7.
Ti膜6.WSix膜5を除去して、第1層目の配線を
完成する。
第2図(el参照;次いで、再びCVD法により絶縁膜
13(層間絶縁膜)を被着し、フォトプロセスを用いて
レジスト膜パターン14を形成し、絶縁膜13ヲパター
ンニングして電極窓(スルーホール)を開口する。
13(層間絶縁膜)を被着し、フォトプロセスを用いて
レジスト膜パターン14を形成し、絶縁膜13ヲパター
ンニングして電極窓(スルーホール)を開口する。
第2図(f)参照;しかる後、上記と同様にして、WS
ix膜15. Ti膜16. Au膜17を被着し、更
に、選択的に配線部分にメツキAu膜19を鍍金して、
第2層目の配線を完成する。
ix膜15. Ti膜16. Au膜17を被着し、更
に、選択的に配線部分にメツキAu膜19を鍍金して、
第2層目の配線を完成する。
以上が従来からおこなわれている2層配線の形成方法の
例である。
例である。
[発明が解決しようとする課題]
ところが、上記のような形成方法を用いて形成する場合
、2層、3層と多層配線の上層になる程、スルーホール
における段差が大きくなるために、眉間絶縁膜を被着し
、レジスト膜パターンをマス −りにして電極窓を開口
した際(第2図(e)工程参照)、スルーホールの底部
表面に絶縁膜が残存したり(第2図(e)に××で示す
)、あるいは、レジスト膜が残ったりして、電極部の接
続が不完全になると云う問題が起こる。この問題はデバ
イスが微細化されて電極窓が小さくなる程、その傾向が
強くなり、また、多層配線の上層になる程、段差が激し
くなって、このようなスルーホール接続の信頼性が低下
する。
、2層、3層と多層配線の上層になる程、スルーホール
における段差が大きくなるために、眉間絶縁膜を被着し
、レジスト膜パターンをマス −りにして電極窓を開口
した際(第2図(e)工程参照)、スルーホールの底部
表面に絶縁膜が残存したり(第2図(e)に××で示す
)、あるいは、レジスト膜が残ったりして、電極部の接
続が不完全になると云う問題が起こる。この問題はデバ
イスが微細化されて電極窓が小さくなる程、その傾向が
強くなり、また、多層配線の上層になる程、段差が激し
くなって、このようなスルーホール接続の信頼性が低下
する。
一方、この段差を緩和するために、層間絶縁膜の膜厚を
薄くすれば絶縁膜やレジスト膜が除去され易いが、その
場合は、配線間の容量が大きくなってて、デバイス特性
が害されることになり、従って、層間絶縁膜の膜厚を薄
くすることは困難である。
薄くすれば絶縁膜やレジスト膜が除去され易いが、その
場合は、配線間の容量が大きくなってて、デバイス特性
が害されることになり、従って、層間絶縁膜の膜厚を薄
くすることは困難である。
本発明はこのような問題点を解消させ、配線間コンタク
トの信頼性を高めて、且つ、上下配線間の容量を増加さ
せないようにすることを目的とした多層配線の形成方法
を提案するものである。
トの信頼性を高めて、且つ、上下配線間の容量を増加さ
せないようにすることを目的とした多層配線の形成方法
を提案するものである。
[課題を解決するための手段]
その目的は、オーミック電極を設けた基板上に第1のポ
リイミド膜を塗布して硬化させ、更に、該第1のポリイ
ミド膜上に第2のポリイミド膜を塗布して半硬化させる
工程と、 次いで、該第2のポリイミド膜上に開口部を有するマス
クパターンを形成する工程と、 次いで、前記マスクパターンを利用して第1および第2
のポリイミド膜をエツチング除去して前記オーミック電
極部分を開口すると同時に該第2のポリイミド膜をサイ
ドエツチングして該開口部内にオーバハング形状を形成
する工程と、次いで、前記マスクパターン上から配線金
属膜を被着し、該マスクパターンおよび前記第2のポリ
イミド膜を除去するリフトオフ法によって前記オーミッ
ク電極上にのみ配線金属膜を残存させる工程と、 次いで、第3のポリイミド膜を塗布し硬化させて前記配
線金属膜の周囲間隙を埋める工程と、次いで、オーミッ
ク電極部分および配線部分を開口した第2のマスクパタ
ーンを形成し、選択的に配線金属膜を鍍金して、前記オ
ーミック電極に接続する配線を形成する1工程とが含ま
れる製造方法によって達成される。
リイミド膜を塗布して硬化させ、更に、該第1のポリイ
ミド膜上に第2のポリイミド膜を塗布して半硬化させる
工程と、 次いで、該第2のポリイミド膜上に開口部を有するマス
クパターンを形成する工程と、 次いで、前記マスクパターンを利用して第1および第2
のポリイミド膜をエツチング除去して前記オーミック電
極部分を開口すると同時に該第2のポリイミド膜をサイ
ドエツチングして該開口部内にオーバハング形状を形成
する工程と、次いで、前記マスクパターン上から配線金
属膜を被着し、該マスクパターンおよび前記第2のポリ
イミド膜を除去するリフトオフ法によって前記オーミッ
ク電極上にのみ配線金属膜を残存させる工程と、 次いで、第3のポリイミド膜を塗布し硬化させて前記配
線金属膜の周囲間隙を埋める工程と、次いで、オーミッ
ク電極部分および配線部分を開口した第2のマスクパタ
ーンを形成し、選択的に配線金属膜を鍍金して、前記オ
ーミック電極に接続する配線を形成する1工程とが含ま
れる製造方法によって達成される。
[作用]
即ち、本発明は、絶縁膜としてポリイミド膜を用いて眉
間絶縁膜を平坦に形成し、且つ、リフトオフ法を利用し
て予め電極窓に配線金属膜を埋めた後、従来と同様にし
て配線金属膜を選択的に鍍金する。
間絶縁膜を平坦に形成し、且つ、リフトオフ法を利用し
て予め電極窓に配線金属膜を埋めた後、従来と同様にし
て配線金属膜を選択的に鍍金する。
そうすれば、オーミック電極部分に絶縁膜やレジスト膜
の残りがなくなって、多層配線の信頼性が向上する。
の残りがなくなって、多層配線の信頼性が向上する。
[実施例]
以下、図面を参照して実施例によって詳細に説明する。
第1図(a)〜(f)は本発明にかかる形成方法の工程
順断面図を示しており、以下に順を追って説明する。
順断面図を示しており、以下に順を追って説明する。
第1図(a):化合物半導体基板1のオーミック電極2
を含む面上に、CVD法によってSi3N4膜(膜厚1
000人)21を被着し、第1のポリイミド膜22(耐
熱性有機樹脂膜; polyimide )を塗布し、
350℃で熱処理して硬化(cure ;キュア)し、
更に、その上に第2のポリイミド膜23を塗布し、14
0℃で熱処理して半硬化(以降、半硬化ポリイミド膜2
3と呼ぶ)する。この時、第1のポリイミド膜22の膜
厚を1μm程度にし、第2の半硬化ポリイミド膜23の
膜厚を3000人程度変型る。なお、Si3 N4膜2
1は化合物半導体基板1表面を保護するための膜である
。
を含む面上に、CVD法によってSi3N4膜(膜厚1
000人)21を被着し、第1のポリイミド膜22(耐
熱性有機樹脂膜; polyimide )を塗布し、
350℃で熱処理して硬化(cure ;キュア)し、
更に、その上に第2のポリイミド膜23を塗布し、14
0℃で熱処理して半硬化(以降、半硬化ポリイミド膜2
3と呼ぶ)する。この時、第1のポリイミド膜22の膜
厚を1μm程度にし、第2の半硬化ポリイミド膜23の
膜厚を3000人程度変型る。なお、Si3 N4膜2
1は化合物半導体基板1表面を保護するための膜である
。
第1図(b)二次いで、上面にレジスト膜パターン24
(膜厚1,5〜1.7 μm;マスクパターン)を形成
して電極窓(スルーホール)部分の第1のポリイミド膜
22までを開口する。その時、第2の半硬化ポリイミド
膜23はレジスト膜パターン24をパターンニングする
現像液でエツチング除去され、且つ、アンダーカントが
入る。また、第1のポリイミド膜22は酸素(02)を
用いた異方性プラズマエツチング(所謂、リアクティブ
イオンエツチング(RI E))によって垂直にエツチ
ングする。
(膜厚1,5〜1.7 μm;マスクパターン)を形成
して電極窓(スルーホール)部分の第1のポリイミド膜
22までを開口する。その時、第2の半硬化ポリイミド
膜23はレジスト膜パターン24をパターンニングする
現像液でエツチング除去され、且つ、アンダーカントが
入る。また、第1のポリイミド膜22は酸素(02)を
用いた異方性プラズマエツチング(所謂、リアクティブ
イオンエツチング(RI E))によって垂直にエツチ
ングする。
第1図(C)8更に、酸素プラズマエツチングを続行し
、その等方性エツチングによってレジスト膜パターン2
4および第1のポリイミド膜22のスルーホール部分を
サイドエツチングし、次に、Si3 N4膜21をCF
4と02とを用いたドライエツチングによってエツチン
グしてスルーホールを開口した後、蒸着法によってAu
膜25(膜厚1μm程度)を被着する。この時の開口部
の拡大は、次工程のリフトオフ法を容易にするためであ
り、また、レジスト膜パターン24もポリイミド膜22
を除去する酸素プラズマでエツチングされるが、エツチ
ング量は第1のポリイミド膜22より少ない。
、その等方性エツチングによってレジスト膜パターン2
4および第1のポリイミド膜22のスルーホール部分を
サイドエツチングし、次に、Si3 N4膜21をCF
4と02とを用いたドライエツチングによってエツチン
グしてスルーホールを開口した後、蒸着法によってAu
膜25(膜厚1μm程度)を被着する。この時の開口部
の拡大は、次工程のリフトオフ法を容易にするためであ
り、また、レジスト膜パターン24もポリイミド膜22
を除去する酸素プラズマでエツチングされるが、エツチ
ング量は第1のポリイミド膜22より少ない。
第1図(d)二次いで、リフトオフ法によってレジスト
膜パターン24を溶解除去して、レジスト膜パターン上
のAu膜25を除去し、オーミック電極2上にのみAu
膜25を残存させる。その時、第2の半硬化ポリイミド
膜23も除去される。
膜パターン24を溶解除去して、レジスト膜パターン上
のAu膜25を除去し、オーミック電極2上にのみAu
膜25を残存させる。その時、第2の半硬化ポリイミド
膜23も除去される。
第1図(e)二次いで、第3のポリイミド膜26(膜厚
3000人程度変型塗布し、350℃で熱処理し硬化し
て、オーミック電極2の周囲間隙を埋め、次に、フォト
プロセスによってAu膜25の上面を開口する。
3000人程度変型塗布し、350℃で熱処理し硬化し
て、オーミック電極2の周囲間隙を埋め、次に、フォト
プロセスによってAu膜25の上面を開口する。
第1図(f):次いで、その上面にスパッタ法によって
W S i x膜27(I]!厚1000人)を被着し
、その上にTi膜28(膜厚50人)、Au膜29(膜
厚1000人)。
W S i x膜27(I]!厚1000人)を被着し
、その上にTi膜28(膜厚50人)、Au膜29(膜
厚1000人)。
Ti膜30(膜厚50人)を蒸着し、次に、電極配線部
分を開口した第2のレジスト膜パターン31 (膜厚1
.7μm程度;第2のマスクパターン)を形成し、開口
部分のTi膜30を除去した後、全面に被着したTi/
Au/Ti/WSixをメツキ電極にして、電極配線部
分にメツキAu膜32 (0,8μm程度)を鍍金する
。
分を開口した第2のレジスト膜パターン31 (膜厚1
.7μm程度;第2のマスクパターン)を形成し、開口
部分のTi膜30を除去した後、全面に被着したTi/
Au/Ti/WSixをメツキ電極にして、電極配線部
分にメツキAu膜32 (0,8μm程度)を鍍金する
。
第1図(g)参照;次いで、レジスト膜パターン31を
除去し、更に、メツキAu膜32以外に露出したTi膜
30.Au膜29. Ti膜28+ WSix膜27を
除去して、第1層目の配線を完成する。TRI莫30.
2BおよびWSix膜27の除去はCF4+02ガスを
用いたドライエツチング、 Au膜29の除去はアルゴ
ンイオンを用いたイオンミリング法によっておこなう。
除去し、更に、メツキAu膜32以外に露出したTi膜
30.Au膜29. Ti膜28+ WSix膜27を
除去して、第1層目の配線を完成する。TRI莫30.
2BおよびWSix膜27の除去はCF4+02ガスを
用いたドライエツチング、 Au膜29の除去はアルゴ
ンイオンを用いたイオンミリング法によっておこなう。
第1図(h)参照;次いで、上記と同様にして、ポリイ
ミド膜33(層間絶縁膜)を形成し、これをフォトプロ
セスによりパターンニングして電極窓(スルーホール)
を開け、以降は第2層目の配線を形成する。
ミド膜33(層間絶縁膜)を形成し、これをフォトプロ
セスによりパターンニングして電極窓(スルーホール)
を開け、以降は第2層目の配線を形成する。
上記が本発明にかかる配線の形成方法で、このように、
ポリイミド膜からなる絶縁膜面を平坦に形成し、且つ、
リフトオフ法によって予めスルーホールをAu膜26で
埋めておけば、段差が減少し、また、スルーホール部分
の絶縁膜などの残こりがなくなって、多層電極配線の信
頼性が向上する。
ポリイミド膜からなる絶縁膜面を平坦に形成し、且つ、
リフトオフ法によって予めスルーホールをAu膜26で
埋めておけば、段差が減少し、また、スルーホール部分
の絶縁膜などの残こりがなくなって、多層電極配線の信
頼性が向上する。
且つ、本発明を適用すれば、眉間絶縁膜を難しい作製手
法を用いずに厚く形成できて配線間容量を低減させるこ
とも可能である。
法を用いずに厚く形成できて配線間容量を低減させるこ
とも可能である。
[発明の効果]
以上の実施例の説明から明らかなように、本発明によれ
ば多層配線の信頼性が向上し、ICにおける配線遅延も
減少して、GaAsなど化合物半導体装置の高集積化、
高性能化に大きく役立つものである。
ば多層配線の信頼性が向上し、ICにおける配線遅延も
減少して、GaAsなど化合物半導体装置の高集積化、
高性能化に大きく役立つものである。
第1図(al〜(h)は本発明にかかる多層配線の形成
方法の工程順断面図、 第2図は(al〜(f)は従来の多層配線の形成方法の
工程順断面図である。 図において、 lは化合物半導体基板、 2はオーミック電極、 3.13は絶縁膜、 4.8.14はレジスト膜パターン、 5、15.27はWSix膜、 6、16.28.30はTi膜、 7、17.25.29はAu膜、 9.32はメツキAu膜、 21はSi3 N4膜、 22は第1のポリイミド膜、 23は第2のポリイミド膜、 26は第3のポリイミド膜、 24はレジスト膜パターン、 31は第2のレジスト膜パターン、 33はポリイミド膜(層間絶縁膜) を示している。 23f2/1ノーフイ、!■興 4」でθ月l晦かけ層nど9窮/1升多F\2「話り丁
オ!1ソ勇ttim第1図(外の11 、;1−づイぢ1j用;カ、〃・I層内び知f多ト)(
ラ「返d1腓呈−ンσ断iα)Cン】第1図いの2) ?カ癖トy7ン呵ig)υ1乏7うfシメ\゛ブ「ンづ
ヒ・りニオi+ゾθdシ1σiJ第2図(う憎)
方法の工程順断面図、 第2図は(al〜(f)は従来の多層配線の形成方法の
工程順断面図である。 図において、 lは化合物半導体基板、 2はオーミック電極、 3.13は絶縁膜、 4.8.14はレジスト膜パターン、 5、15.27はWSix膜、 6、16.28.30はTi膜、 7、17.25.29はAu膜、 9.32はメツキAu膜、 21はSi3 N4膜、 22は第1のポリイミド膜、 23は第2のポリイミド膜、 26は第3のポリイミド膜、 24はレジスト膜パターン、 31は第2のレジスト膜パターン、 33はポリイミド膜(層間絶縁膜) を示している。 23f2/1ノーフイ、!■興 4」でθ月l晦かけ層nど9窮/1升多F\2「話り丁
オ!1ソ勇ttim第1図(外の11 、;1−づイぢ1j用;カ、〃・I層内び知f多ト)(
ラ「返d1腓呈−ンσ断iα)Cン】第1図いの2) ?カ癖トy7ン呵ig)υ1乏7うfシメ\゛ブ「ンづ
ヒ・りニオi+ゾθdシ1σiJ第2図(う憎)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 オーミック電極を設けた基板上に第1のポリイミド膜
を塗布して硬化させ、更に、該第1のポリイミド膜上に
第2のポリイミド膜を塗布して半硬化させる工程と、 次いで、該第2のポリイミド膜上に開口部を有するマス
クパターンを形成する工程と、 次いで、前記マスクパターンを利用して第1および第2
のポリイミド膜をエッチング除去して前記オーミック電
極部分を開口すると同時に該第2のポリイミド膜をサイ
ドエッチングして該開口部内にオーバハング形状を形成
する工程と、 次いで、前記マスクパターン上から配線金属膜を被着し
、該マスクパターンおよび前記第2のポリイミド膜を除
去するリフトオフ法によって前記オーミック電極上にの
み配線金属膜を残存させる工程と、 次いで、第3のポリイミド膜を塗布し硬化させて前記配
線金属膜の周囲間隙を埋める工程と、次いで、オーミッ
ク電極部分および配線部分を開口した第2のマスクパタ
ーンを形成し、選択的に配線金属膜を鍍金して、前記オ
ーミック電極に接続する配線を形成する工程とが含まれ
てなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3665588A JPH01211946A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3665588A JPH01211946A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01211946A true JPH01211946A (ja) | 1989-08-25 |
Family
ID=12475873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3665588A Pending JPH01211946A (ja) | 1988-02-18 | 1988-02-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01211946A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02168625A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-06-28 | Nec Corp | 多層配線構造体の製造方法 |
JPH03296222A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
-
1988
- 1988-02-18 JP JP3665588A patent/JPH01211946A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02168625A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-06-28 | Nec Corp | 多層配線構造体の製造方法 |
JPH03296222A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Nec Corp | 半導体装置とその製造方法 |
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