JPH01208472A - プラズマ重合膜製造方法 - Google Patents
プラズマ重合膜製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/147—Cover layers
- G03G5/14704—Cover layers comprising inorganic material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/07—Polymeric photoconductive materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
【ILへ札l釈艷
本発明は成膜が常温近傍であり、かつ成膜速度が速い、
金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜の製造方法に
関する。
金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜の製造方法に
関する。
V Wおよびr罷仄
有機プラズマ重合膜はエチレンガス、ベンゼン、芳香族
シラン等のあらゆろ種類の有機化合物のガスから作製で
きること(例えば、ニー・ティ・ベル(A.T,Bel
l)、エム・シェア(M,shen)ら、[ジャーナル
・オプ・アブライド・ポリマー・サイエンスJ(Jou
rnal of Applied Polymer S
cic n c p )、f517巻、885−892
頁(1973年)等)が知られている。
シラン等のあらゆろ種類の有機化合物のガスから作製で
きること(例えば、ニー・ティ・ベル(A.T,Bel
l)、エム・シェア(M,shen)ら、[ジャーナル
・オプ・アブライド・ポリマー・サイエンスJ(Jou
rnal of Applied Polymer S
cic n c p )、f517巻、885−892
頁(1973年)等)が知られている。
しかし、プラズマ重合膜は、原料ガスの種類、製造条件
等により、成膜性、膜特性等が大きく異なる。一般に炭
化水素系有機化合物をプラズマ状態を年して分解・重合
してプラズマ重合し、高硬度で傷がつきにくく、かつ耐
環境性に優れた膜を得ようとすると基板材を高温に加熱
し、かつ高周波1 3.5 6MHz近傍で行なう必要
があった。
等により、成膜性、膜特性等が大きく異なる。一般に炭
化水素系有機化合物をプラズマ状態を年して分解・重合
してプラズマ重合し、高硬度で傷がつきにくく、かつ耐
環境性に優れた膜を得ようとすると基板材を高温に加熱
し、かつ高周波1 3.5 6MHz近傍で行なう必要
があった。
従って、プラズマ重合膜を被覆できる基板材料は自ずと
限られたものとなり、高温度で軟化、あるいは変形する
材料で構成された物品または、特性劣化をきたす各種デ
バイス等には、炭化水素系有機化合物のプラズマ重合法
の適用は困難であった。
限られたものとなり、高温度で軟化、あるいは変形する
材料で構成された物品または、特性劣化をきたす各種デ
バイス等には、炭化水素系有機化合物のプラズマ重合法
の適用は困難であった。
明が 1 しようとする−
本発明者らは、プラズマ重合について種々検討を重ねる
うちに、炭化水素の種類により、常温付近でプラズマ重
合膜が形成可能なものが存在することを見出した。特に
金属アルコキシV化合物を七ツマー化(気化)してプラ
ズマ重合を行い、多用途なプラズマ重合膜を得ることを
目的とする。
うちに、炭化水素の種類により、常温付近でプラズマ重
合膜が形成可能なものが存在することを見出した。特に
金属アルコキシV化合物を七ツマー化(気化)してプラ
ズマ重合を行い、多用途なプラズマ重合膜を得ることを
目的とする。
即ち、本発明の目的は、常温付近の低温度においても炭
化水素系有は化合物をプラズマ重合で形成可能な非晶質
水素化炭素膜の製造方法を提供することを見出した。
化水素系有は化合物をプラズマ重合で形成可能な非晶質
水素化炭素膜の製造方法を提供することを見出した。
課 を ゛するための
本発明は金属アルコキシド化合物をプラズマ状態を介し
て分解・重合することを特徴とする金属アルコキシV化
合物のプラズマ重合膜の製造方法に関する6尚、本願中
の金属アルコキシV化合物のプラズマ重合膜は、fr、
JAアルコキシド化合物をプラズマ状態を介して分解・
重合することにより形成された堆積膜を意味する。
て分解・重合することを特徴とする金属アルコキシV化
合物のプラズマ重合膜の製造方法に関する6尚、本願中
の金属アルコキシV化合物のプラズマ重合膜は、fr、
JAアルコキシド化合物をプラズマ状態を介して分解・
重合することにより形成された堆積膜を意味する。
本発明に使用できる金属アルコキシド化合物としては、
アルミニウムイソプロピレート、ハフニウムイソプロピ
レート、7ンチモンエチレート(I[IL タンタルエ
チレート、パナノルエチレート、バナノルターシャリー
ブチレート、ノルコニウムイソプロピレート、トリエト
キシアルミニウム、トリイソプロキシアルミニウム、ト
リエ)=Gシアンチモン、トン−n−ブトキシアンチモ
ン、テFラブドキシスズ、ベンタエ)キシタンタル、テ
トラエトキシノルコニウム、テトライソプロキシノルフ
ニウム、トリメトキシバナノウム、トリエトキシパナノ
ウム、トリー11−プトキシバナノウム、アルミニウム
トリエトキンド、アルミニウムトリイソプロポキシド、
アルミニウムトリーn−ブトキシド、チタニウムインプ
ロビレ−1、チタニウムブチレート、等があり、係る化
合物を使用することにより、グロー放電プラズマ分解・
重合法により、金属アルコキシド化合物のプラズマ重合
膜を低温(常温〜100℃)でプラズマ重合することが
できる。
アルミニウムイソプロピレート、ハフニウムイソプロピ
レート、7ンチモンエチレート(I[IL タンタルエ
チレート、パナノルエチレート、バナノルターシャリー
ブチレート、ノルコニウムイソプロピレート、トリエト
キシアルミニウム、トリイソプロキシアルミニウム、ト
リエ)=Gシアンチモン、トン−n−ブトキシアンチモ
ン、テFラブドキシスズ、ベンタエ)キシタンタル、テ
トラエトキシノルコニウム、テトライソプロキシノルフ
ニウム、トリメトキシバナノウム、トリエトキシパナノ
ウム、トリー11−プトキシバナノウム、アルミニウム
トリエトキンド、アルミニウムトリイソプロポキシド、
アルミニウムトリーn−ブトキシド、チタニウムインプ
ロビレ−1、チタニウムブチレート、等があり、係る化
合物を使用することにより、グロー放電プラズマ分解・
重合法により、金属アルコキシド化合物のプラズマ重合
膜を低温(常温〜100℃)でプラズマ重合することが
できる。
そのため、耐熱性のある各種セラミックス製品、金属製
品はもちろん耐熱性に乏しいポリメチルメタクリレート
等の!J4IIlfまたは、熱により特性劣化を受けや
すい各種デバイス等にも被覆することができるので、本
発明を多用途にIILrW4することができる。
品はもちろん耐熱性に乏しいポリメチルメタクリレート
等の!J4IIlfまたは、熱により特性劣化を受けや
すい各種デバイス等にも被覆することができるので、本
発明を多用途にIILrW4することができる。
本発明において用いられる金属アルコキシド化合物は単
独で用いてもよく、また混合して用いてもよい。さらに
、低温、低周波でのプラズマ重合を損なわない範囲で他
の炭化水素系有機化合物、例えば、アセチレン、イソブ
タン、インペンタン、エタン、エチレン、シクロプロパ
ン、ネオペンタン、ブタン、ペンタン、プロパン、メタ
ン等ヲ混合して用いてもよい。
独で用いてもよく、また混合して用いてもよい。さらに
、低温、低周波でのプラズマ重合を損なわない範囲で他
の炭化水素系有機化合物、例えば、アセチレン、イソブ
タン、インペンタン、エタン、エチレン、シクロプロパ
ン、ネオペンタン、ブタン、ペンタン、プロパン、メタ
ン等ヲ混合して用いてもよい。
また、本発明に適用しうる金属アルコキシド化合物の他
にさらにハロゲン原子等を含んでも良い。
にさらにハロゲン原子等を含んでも良い。
また本発明のプラズマ重合膜を大面積に均一に成膜する
為に、キャリアガスとして希ガス、N2、N2等を併用
しても良い。
為に、キャリアガスとして希ガス、N2、N2等を併用
しても良い。
ハロゲン原子を含んだ化合物としては、塩化ビニル、ク
ロロトリプルオロエチレン等が例示される。
ロロトリプルオロエチレン等が例示される。
これらの化合物は、単独であるいは前述した金属アルコ
キシド化合物と混合して使用され、本発摩耗性が向上し
、特に7ノ素では屈折率が小さくなり、反射防止効果が
現われる。
キシド化合物と混合して使用され、本発摩耗性が向上し
、特に7ノ素では屈折率が小さくなり、反射防止効果が
現われる。
係る金属アルフキシト化合物の場合は、常温近傍の低温
でプラズマ重合が可能であり、種々の分野に適応可能と
なるものである。
でプラズマ重合が可能であり、種々の分野に適応可能と
なるものである。
係る化合物を使用して形成した本発明の金属アルフキシ
ト化合物のプラズマ重合膜は水素含量が全構成原子に対
して慨ね10〜60 atomic%であり、以下のよ
うな特徴を有している。
ト化合物のプラズマ重合膜は水素含量が全構成原子に対
して慨ね10〜60 atomic%であり、以下のよ
うな特徴を有している。
(イ)高硬度である。JIS−に−5400の規格の鉛
筆硬度で3H以上のものが容易に得られ(ロ)あらゆる
種類の基材、デバイスに被覆でさ、かつ密着性にすぐれ
ている。
筆硬度で3H以上のものが容易に得られ(ロ)あらゆる
種類の基材、デバイスに被覆でさ、かつ密着性にすぐれ
ている。
(ハ)耐溶剤性に優れており、各種溶剤、酸、アルカリ
等に不溶である。
等に不溶である。
(ニ)等方的に均一に堆積され形成されている。
蒸着等でみちれるシャドウが無い。
(ホ)環境安定性にすぐれており、重合膜の緒特性が経
時的に変化を受けにくい。
時的に変化を受けにくい。
(へ)熱伝導性に優れており、IC等の発熱体に被覆し
ても内部に熱MffIが生じな(1゜(ト)透光性に優
れており、約0.1μ論の厚さの膜では、可視光の約9
0%以上が透過可能である。
ても内部に熱MffIが生じな(1゜(ト)透光性に優
れており、約0.1μ論の厚さの膜では、可視光の約9
0%以上が透過可能である。
(チ)耐摩耗性に優れている。高硬度であるが摩擦係数
が低いので耐摩耗性に優れている。
が低いので耐摩耗性に優れている。
(す)屈折率が約1.3〜1.9である。
(ヌ) イオン化ポテンシャルが約4.8〜6.5eV
である。
である。
プラズマ重合は、気相状態の分子を減圧下で放電分解し
、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種ある
いは荷電種を基板上に拡散、電気力、あるいは磁気力等
により誘導し、基板上での再結合反応により固相として
堆積させる、所謂グロー放電プラズマ重合反応から生成
され、周波数10kHz乃至1000kHzの低周波を
用いたグロー放電法により生成されるプラズマ状態を経
て形成する。前述した炭化水素系有機化合物は、常温近
傍の低温で、かつ高速に成膜される。
、発生したプラズマ雰囲気中に含まれる活性中性種ある
いは荷電種を基板上に拡散、電気力、あるいは磁気力等
により誘導し、基板上での再結合反応により固相として
堆積させる、所謂グロー放電プラズマ重合反応から生成
され、周波数10kHz乃至1000kHzの低周波を
用いたグロー放電法により生成されるプラズマ状態を経
て形成する。前述した炭化水素系有機化合物は、常温近
傍の低温で、かつ高速に成膜される。
プラズマ発生に1000kHz以上の高い周波数を用い
ると、プラズマにより発生した化合物のラジカル種或い
はイオン種の基板への到達数が減り、堆積速度が低下し
、その分、気相中での重合が進んでしまうため、油状化
、粉体化した重合物が形成されやすくなる。しかし、基
板温度を高温に保持することが可能であればエチレン等
などは1000kHz以上の周波数でプラズマ重合して
成膜することは可能であり、上記したような問題は生じ
ない。
ると、プラズマにより発生した化合物のラジカル種或い
はイオン種の基板への到達数が減り、堆積速度が低下し
、その分、気相中での重合が進んでしまうため、油状化
、粉体化した重合物が形成されやすくなる。しかし、基
板温度を高温に保持することが可能であればエチレン等
などは1000kHz以上の周波数でプラズマ重合して
成膜することは可能であり、上記したような問題は生じ
ない。
又、10kHz以下の周波数でプラズマを発生して、重
合を行なうと、発生したラジカル種又はイオン種の基板
への到達回数の増大に比較して、イオンダメージが増加
し、その結果、もろくて、荒れた、かつ基板との付着性
に乏しい膜が形成される。
合を行なうと、発生したラジカル種又はイオン種の基板
への到達回数の増大に比較して、イオンダメージが増加
し、その結果、もろくて、荒れた、かつ基板との付着性
に乏しい膜が形成される。
本発明の金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜は、
低周波グロー放電プラズマ分解・重合法の他にも、本発
明の目的の範囲内でイオン化蒸着法、イオンビーム蒸着
法、クラスタイオンビーム蒸着法、イオンブレーティン
グ法あるいはスパッタリング法等、プラズマ状!a(イ
オンも含む)を介して成る成膜手法を組み合わせて製造
してもよい。
低周波グロー放電プラズマ分解・重合法の他にも、本発
明の目的の範囲内でイオン化蒸着法、イオンビーム蒸着
法、クラスタイオンビーム蒸着法、イオンブレーティン
グ法あるいはスパッタリング法等、プラズマ状!a(イ
オンも含む)を介して成る成膜手法を組み合わせて製造
してもよい。
第1図および第2図は本発明の係る金属アルコキシド化
合物のプラズマ重合膜の製造装置で容量結合型グロー放
電プラズマ分解・重合vc置の1例を示す、第1図は平
行平板型グロー放電プラズマ分解・重合装置、第2図は
円筒型グロー放電プラズマ分解・重合装置を示す0両装
置は、第1図中においては電極板(22)、(25)お
よび基板(24)が平板型であり、第2図中においては
電極板(30)および基板(31)が円筒型であるとい
う点で相違している。また本発明においては、別に誘導
結合型グロー放電プラズマ分解・重合装置によっても作
製することができる0本発明の金属アルコキシド化合物
のプラズマ重合膜の製造法を平行平板型グロー放電プラ
ズマ分解・重合装置(第1図)を例にとり説明する1図
中(6)〜(10)は夫々、主原料である金属アルコキ
シド化合物、H2、He1Ar等のキャリアガス、その
他の添加化合物ガスが密閉された第1乃至第5タンクで
、夫々のタンク及びその配管は図示しない温調器で全体
に加熱、冷却が均一にされており、第1〜第5;1!!
整弁(11)〜(15)とマス70−コントローラー(
16)〜(20)に後続されている。これらのガスは主
管(21)を介して反応室(23)に送り込まれる。
合物のプラズマ重合膜の製造装置で容量結合型グロー放
電プラズマ分解・重合vc置の1例を示す、第1図は平
行平板型グロー放電プラズマ分解・重合装置、第2図は
円筒型グロー放電プラズマ分解・重合装置を示す0両装
置は、第1図中においては電極板(22)、(25)お
よび基板(24)が平板型であり、第2図中においては
電極板(30)および基板(31)が円筒型であるとい
う点で相違している。また本発明においては、別に誘導
結合型グロー放電プラズマ分解・重合装置によっても作
製することができる0本発明の金属アルコキシド化合物
のプラズマ重合膜の製造法を平行平板型グロー放電プラ
ズマ分解・重合装置(第1図)を例にとり説明する1図
中(6)〜(10)は夫々、主原料である金属アルコキ
シド化合物、H2、He1Ar等のキャリアガス、その
他の添加化合物ガスが密閉された第1乃至第5タンクで
、夫々のタンク及びその配管は図示しない温調器で全体
に加熱、冷却が均一にされており、第1〜第5;1!!
整弁(11)〜(15)とマス70−コントローラー(
16)〜(20)に後続されている。これらのガスは主
管(21)を介して反応室(23)に送り込まれる。
反応室(23)にはコンデンサを介して低周波型1n(
26)に接続される平板型電極板(22)と電気的に接
地されるとともに、平板型基@<24)等が載置される
平板型アース電極板(25)が対向配置して設けられて
いる。また上記平板型電極板(22)はコイル(27)
を介して直流電圧源(28)に接続されており、低周製
電[(26)からの電力印加に加え直流バイアス電圧が
上乗せ印加されるようになっている。また電極板(25
)上に載置される基板(24)等は必要であれば図示し
ない加熱手段によって、例えば室温〜100℃に加熱さ
れるようになっている。
26)に接続される平板型電極板(22)と電気的に接
地されるとともに、平板型基@<24)等が載置される
平板型アース電極板(25)が対向配置して設けられて
いる。また上記平板型電極板(22)はコイル(27)
を介して直流電圧源(28)に接続されており、低周製
電[(26)からの電力印加に加え直流バイアス電圧が
上乗せ印加されるようになっている。また電極板(25
)上に載置される基板(24)等は必要であれば図示し
ない加熱手段によって、例えば室温〜100℃に加熱さ
れるようになっている。
さらに、他の原子、例えばフッ素、塩素等のハロゲン原
子あるいは窒素、リン、ヒ素等のV族元素またはホウ素
、アルミニウム、ガリウムあるいはインジウム等の■族
元素を金属アルコキシドのプラズマ重合膜に添加するこ
とも可能で、そのためには、それらの元素を含む化合物
の蒸気を適宜タンクから反応室(23)に導入して金属
フルコキシド化合物とともにプラズマ重合すればよ(、
例えば、耐摩耗性、屈折率、極性等を調整することがで
きる。その他に、成膜後、上記ガスでボンバードするこ
とによっても他原子の添加は可能である。
子あるいは窒素、リン、ヒ素等のV族元素またはホウ素
、アルミニウム、ガリウムあるいはインジウム等の■族
元素を金属アルコキシドのプラズマ重合膜に添加するこ
とも可能で、そのためには、それらの元素を含む化合物
の蒸気を適宜タンクから反応室(23)に導入して金属
フルコキシド化合物とともにプラズマ重合すればよ(、
例えば、耐摩耗性、屈折率、極性等を調整することがで
きる。その他に、成膜後、上記ガスでボンバードするこ
とによっても他原子の添加は可能である。
本発明の金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜は出
発原料気化ガスおよび他の添加ガスの種類、原料ガスと
希釈ガス(H2、不活性ガス)比、放電パワー、圧力、
基板温度、DCバイアス電圧、アニール温度、放電周波
数等の製造条件を選択することにより、種々の膜特性に
7I4整可能である。
発原料気化ガスおよび他の添加ガスの種類、原料ガスと
希釈ガス(H2、不活性ガス)比、放電パワー、圧力、
基板温度、DCバイアス電圧、アニール温度、放電周波
数等の製造条件を選択することにより、種々の膜特性に
7I4整可能である。
従って、上記諸条件は、本発明の非晶質水素化炭素膜の
適用NgA物に応じ、所望の膜特性が得られるように適
宜設定すべきである。例えば、硬度、透光性等、調整可
能である。
適用NgA物に応じ、所望の膜特性が得られるように適
宜設定すべきである。例えば、硬度、透光性等、調整可
能である。
例えば、膜特性として該炭素膜を高硬度に形成したい場
合は、低周波電力を高くする、電力周波数を下げる本発
明の目的の範囲内で基板温度を上げる等、成膜条件を変
化することが有効である。
合は、低周波電力を高くする、電力周波数を下げる本発
明の目的の範囲内で基板温度を上げる等、成膜条件を変
化することが有効である。
膜の透光性を上げたい場合は上記条件と反対の繰作が有
効である。
効である。
耐摩耗性を必要とする場合は、金属フルコキシド化合物
のプラズマ重合膜中にハロゲン原子、特にフッ素原子を
含有させることが有効である。
のプラズマ重合膜中にハロゲン原子、特にフッ素原子を
含有させることが有効である。
含フツ素化合物としては、フッ素ガス、7ツ化メチル〃
ス、四7ツ化メタン〃ス、7ツ化エチレンガス、7フ化
エチリデンがス、パー70ロプロパンガス等を使用でき
る。フッ素原子を含有させたときは、膜の透光性が失な
われる傾向にあることに留意する必要がある。
ス、四7ツ化メタン〃ス、7ツ化エチレンガス、7フ化
エチリデンがス、パー70ロプロパンガス等を使用でき
る。フッ素原子を含有させたときは、膜の透光性が失な
われる傾向にあることに留意する必要がある。
屈折率の高い金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜
を得たい場合は、膜中にシリコン、アルミニウム等の原
子を添加する。
を得たい場合は、膜中にシリコン、アルミニウム等の原
子を添加する。
シリコン源としでは、SiHい5i2Haffス等:デ
ルマニウム源としてはGeHいG e 2 Hs If
ス等;を使用すればよい。
ルマニウム源としてはGeHいG e 2 Hs If
ス等;を使用すればよい。
導電性に関する極性制御が必要な場合は、前述した、■
族または■族原子を添加することが有効である。■族元
素およびV族元素の添加は、それぞれ膜の極性をp型お
よびn型にig可能である。
族または■族原子を添加することが有効である。■族元
素およびV族元素の添加は、それぞれ膜の極性をp型お
よびn型にig可能である。
■族元素としてはB、Al、Ga、In等が例示されB
を含む化合物としてはB (OC2Hs)*、B、H,
、BCl、、BBr3、BF、等が例示される。
を含む化合物としてはB (OC2Hs)*、B、H,
、BCl、、BBr3、BF、等が例示される。
AIを含む化合物としてはA I(Oi C、H7)
3、(CHy ) 3 A 1、(C2H% ) 3
A l、(i −C4Hs ) 、A I、A lc
1*¥?が例示される。
3、(CHy ) 3 A 1、(C2H% ) 3
A l、(i −C4Hs ) 、A I、A lc
1*¥?が例示される。
Gaを含む化合物としてはG a (Oi −C* H
7) 3、(CH,LGa、(C2H,)、Ga、G’
aC1,、GaBr。
7) 3、(CH,LGa、(C2H,)、Ga、G’
aC1,、GaBr。
等がある。
Inを含む化合物とてしはI n(Oi C=87)
3、(CzHs)、In等がある。
3、(CzHs)、In等がある。
■族元素としてはP、As、Sb等が例示され、Pを含
む化合物としテ1.t、PO(OCH,)、、(C2H
5)3P、 PH,、P F 5、 P OC
Is W : A sを含む化合物としてA
s113、ASCL、AsBr、等;Sbを含む化合物
としてS b(OC2H5)3.5bC1,、SbH,
等が例示される。
む化合物としテ1.t、PO(OCH,)、、(C2H
5)3P、 PH,、P F 5、 P OC
Is W : A sを含む化合物としてA
s113、ASCL、AsBr、等;Sbを含む化合物
としてS b(OC2H5)3.5bC1,、SbH,
等が例示される。
上記したハロゲン原子、■族原子、V族原子等の含有量
は、金属アルフキシト化合物のプラズマ重合膜の用途に
応じて適宜選定すべきであり、含有量の調整は、例えば
添加化合物の反応室(23)内への流量制御によって行
なうことができる。また、プラズマ重合膜中の原子の含
有量の測定は、赤外吸収スペクトル、III−NMR,
”c−NMR1有機元素分析、オーノエ分光分析(原子
吸光分析、炎色光反応、SIMS)等により可能である
。
は、金属アルフキシト化合物のプラズマ重合膜の用途に
応じて適宜選定すべきであり、含有量の調整は、例えば
添加化合物の反応室(23)内への流量制御によって行
なうことができる。また、プラズマ重合膜中の原子の含
有量の測定は、赤外吸収スペクトル、III−NMR,
”c−NMR1有機元素分析、オーノエ分光分析(原子
吸光分析、炎色光反応、SIMS)等により可能である
。
下記(a)〜(p)に示した各種基板を使用し、第1図
に示した製造装置を用い、表1中に示した5つの条件で
成膜を試みた(実施例1〜5)。
に示した製造装置を用い、表1中に示した5つの条件で
成膜を試みた(実施例1〜5)。
(基板種)
(a)ガラス(コーニング社製#7059)(I))
シリコンウェハ (c) アルミ板(A6063) (d) アルミ板(A5386) (e) ステンレス板 (f)アルミ蒸着ガラス板 (g) クロムスパッタガラス板 (h) 金蒸着ガラス板 (i) タングステン線 (j) 銅板 (k) As2Se、蒸Mフルミ板 (I) GD a Si堆積アルミ板(Ill)
ポリエステル用11′r(東洋紡社製V−200)塗布
アルミ板 (n) ポリカーボネー) 1flf脂(帝人化成社
製に−1300)塗布アルミ板 (o) メチルメタクリレ−) PMMA(三菱レー
ヨン社!l3R−85)塗布アルミ板 (p) ボリアリレート(ユニチカ社製U−4000
)塗布アルミ板 (成膜) 第1図に示すグロー放電プラズマ分解・重合装置におい
て、まず、反応室(23)の内部を1O−6T orr
程度の高真空にした後、第1および第2調節弁((11
)〜(12))を解放し、第1タンク(6)より原料〃
ス、第2タンク(7)よりH2〃スをマス70−コント
ローラ(16)〜(17)により、表1に示すガス量と
なるように調整して反応室(23)内へ流入した。夫々
の流量が安定した後に、反応室(23)の内圧が表1に
示した値となるように調整した。一方、基板(24)と
しては、萌期(a)〜(p)のものを使用し、表1中に
示した温度に予め加熱しておき、各〃入流量が安定し、
内圧が安定した状態で低周波電源(26)を投入し平板
型電極板(22)に表1中に示した周波数、電力を印加
して表1中に示した時間プラズマ重合を行ない、基板(
24)上に金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を
形成した。
シリコンウェハ (c) アルミ板(A6063) (d) アルミ板(A5386) (e) ステンレス板 (f)アルミ蒸着ガラス板 (g) クロムスパッタガラス板 (h) 金蒸着ガラス板 (i) タングステン線 (j) 銅板 (k) As2Se、蒸Mフルミ板 (I) GD a Si堆積アルミ板(Ill)
ポリエステル用11′r(東洋紡社製V−200)塗布
アルミ板 (n) ポリカーボネー) 1flf脂(帝人化成社
製に−1300)塗布アルミ板 (o) メチルメタクリレ−) PMMA(三菱レー
ヨン社!l3R−85)塗布アルミ板 (p) ボリアリレート(ユニチカ社製U−4000
)塗布アルミ板 (成膜) 第1図に示すグロー放電プラズマ分解・重合装置におい
て、まず、反応室(23)の内部を1O−6T orr
程度の高真空にした後、第1および第2調節弁((11
)〜(12))を解放し、第1タンク(6)より原料〃
ス、第2タンク(7)よりH2〃スをマス70−コント
ローラ(16)〜(17)により、表1に示すガス量と
なるように調整して反応室(23)内へ流入した。夫々
の流量が安定した後に、反応室(23)の内圧が表1に
示した値となるように調整した。一方、基板(24)と
しては、萌期(a)〜(p)のものを使用し、表1中に
示した温度に予め加熱しておき、各〃入流量が安定し、
内圧が安定した状態で低周波電源(26)を投入し平板
型電極板(22)に表1中に示した周波数、電力を印加
して表1中に示した時間プラズマ重合を行ない、基板(
24)上に金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を
形成した。
表1中に各種基板1こ対する成膜性を○お上り×で評価
した。OはJIS−に−5400の基盤目試験において
10点が得られr−接着性に優れた膜であることを、×
は油状化、粉体化あるいは上記試験において基盤からの
剥離が生じI&膜しにくいことを示す。
した。OはJIS−に−5400の基盤目試験において
10点が得られr−接着性に優れた膜であることを、×
は油状化、粉体化あるいは上記試験において基盤からの
剥離が生じI&膜しにくいことを示す。
火1」[す
上A鷹だW
ノスアゾ顔料として20ロノアンプルー(CDB)1.
、ポリエステルO(詣(東洋紡社製■−200)18、
及び、シクロヘキサノン98.の混合液をサンドプライ
ング−で12時間分散した。この分散液を直径8.OX
長さ330m+aの円筒状アルミニウム基板上にディッ
ピングにより乾燥後の膜厚が0.28μmとなるように
塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
、ポリエステルO(詣(東洋紡社製■−200)18、
及び、シクロヘキサノン98.の混合液をサンドプライ
ング−で12時間分散した。この分散液を直径8.OX
長さ330m+aの円筒状アルミニウム基板上にディッ
ピングにより乾燥後の膜厚が0.28μmとなるように
塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで、4−ノエチルアミ/ベンズアルデヒドーノフェ
ニルヒドラゾン(DEH)6g、及び、ポリカーボネー
ト(余人化成社製K 1300)5gをTI[F32
gに;8解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後の膜
厚が16μmとなるように塗布し、乾燥させて電荷輸送
層を形成し、有機系感光f本を作製した。
ニルヒドラゾン(DEH)6g、及び、ポリカーボネー
ト(余人化成社製K 1300)5gをTI[F32
gに;8解させ、この溶液を電荷発生層上に乾燥後の膜
厚が16μmとなるように塗布し、乾燥させて電荷輸送
層を形成し、有機系感光f本を作製した。
上記感光体表面にバナノエチレー)[VO(OC2HS
)3]を原料として、実施例3と同様に金属アルコキシ
ド化合物のプラズマ重合膜を保護層として形成した。成
膜条件は下記した。
)3]を原料として、実施例3と同様に金属アルコキシ
ド化合物のプラズマ重合膜を保護層として形成した。成
膜条件は下記した。
基板温度 50 ’Cパナジルエチレ
ー) 流1 7 secm水素流、1
50 secm電力
50W 電力周波数 200kHz放電時圧力
0.5Torr成膜時間
3分間 使用装置 第2図 特性を下に示した。
ー) 流1 7 secm水素流、1
50 secm電力
50W 電力周波数 200kHz放電時圧力
0.5Torr成膜時間
3分間 使用装置 第2図 特性を下に示した。
膜厚 0,3μ鴫
硬度 6H以上(ガラス上)可視光
透過率 90%以上 X線回折 ピーク無し 光学的バンドギャップ 2 、3 eV屈折率
1.45 イオン化ポテンシヤル 5.6 eV水素fJ
39 atomic%(0,C0層の全
構成原子に対し) 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有機感光
体にも金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
透過率 90%以上 X線回折 ピーク無し 光学的バンドギャップ 2 、3 eV屈折率
1.45 イオン化ポテンシヤル 5.6 eV水素fJ
39 atomic%(0,C0層の全
構成原子に対し) 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有機感光
体にも金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロ
ナ放電を用いて一600Vに帯電し、白色光半減露光量
(以下E1/2と称す)を測定したところ2 、2 f
ax−see、残留電位は一17Vであった。またJI
S−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したところ
約4H以上の硬度を有していた。
ナ放電を用いて一600Vに帯電し、白色光半減露光量
(以下E1/2と称す)を測定したところ2 、2 f
ax−see、残留電位は一17Vであった。またJI
S−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したところ
約4H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、′a察で
きるような膜厚減少は認められず、lW電時特性変化が
なかった。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も
認められなかった。
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、′a察で
きるような膜厚減少は認められず、lW電時特性変化が
なかった。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も
認められなかった。
比較のために表面保護層を設けない有機系感光層を常用
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一60
0Vに帯電し、E1/2を測定したところ、2 、1
eux−see、残留電位は一10Vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一60
0Vに帯電し、E1/2を測定したところ、2 、1
eux−see、残留電位は一10Vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約5千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚
減少が観察された。
ころ、A4複写紙約5千枚の耐刷試験にて1μmの膜厚
減少が観察された。
さらに比較のために、表面保護膜を、パナジルエチレー
Fの代わりにエタンを使用し、エタン流fi 60 s
ecm、基板温度50℃のもとで作製した。
Fの代わりにエタンを使用し、エタン流fi 60 s
ecm、基板温度50℃のもとで作製した。
この場合、膜は形成されず、膜厚は測定不能であり、粉
体が基板上、ペルジャー反応室内に堆積した。一方、基
板温度を200℃に上げて作製したところ、わずかに膜
生成が認められたが、E1/2が全く観測できない程に
感光層が劣化した。
体が基板上、ペルジャー反応室内に堆積した。一方、基
板温度を200℃に上げて作製したところ、わずかに膜
生成が認められたが、E1/2が全く観測できない程に
感光層が劣化した。
ジスアゾ顔料としてクロロソアンブルー(CI)B)1
重1部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製■−200)1
重量部、及びシクロヘキサ72100重量部の混合液を
サンドグライダ−で13時間分放した。この分散液を直
径80×長さ330mIIの円筒状アルミニウム基板上
にディッピングにより乾燥後の膜厚が0.3μWとなる
ように塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
重1部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製■−200)1
重量部、及びシクロヘキサ72100重量部の混合液を
サンドグライダ−で13時間分放した。この分散液を直
径80×長さ330mIIの円筒状アルミニウム基板上
にディッピングにより乾燥後の膜厚が0.3μWとなる
ように塗布し、乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで、4−ジ二チルアミノベンズアルデヒドーノフエ
ルニルヒドラゾン(DEH)1重1部、及び、ポリカー
ボネイト(帝人化成社51!に−1300)1重量部を
T HF 6重量部に溶解させ、この溶液を電荷発生層
上に乾燥後膜厚が15μmDとなるように塗布し、乾燥
させて電荷輸送層を形成し、有機系感光体を作製した。
ルニルヒドラゾン(DEH)1重1部、及び、ポリカー
ボネイト(帝人化成社51!に−1300)1重量部を
T HF 6重量部に溶解させ、この溶液を電荷発生層
上に乾燥後膜厚が15μmDとなるように塗布し、乾燥
させて電荷輸送層を形成し、有機系感光体を作製した。
上記感光体表面にチタニウムイソプロピレート[T i
(OiC3H7)−1を原料として実施例6と同様に金
属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を保護層として
形成した。成膜条件は下記した。
(OiC3H7)−1を原料として実施例6と同様に金
属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を保護層として
形成した。成膜条件は下記した。
基板温度 50℃
チタニ1ンムイソ 10sccI11プロピ
レート流呈 温調器温度 80℃ 電力 80W 電力周波数 200kHz放電時圧力
2.0Torr成膜時間
2分30秒使用装置 第2図 特性を下に示した。
レート流呈 温調器温度 80℃ 電力 80W 電力周波数 200kHz放電時圧力
2.0Torr成膜時間
2分30秒使用装置 第2図 特性を下に示した。
膜厚 0.25μ輪硬度
6H以上 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有R感光
体にも金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
6H以上 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有R感光
体にも金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロ
ナ放電を用いて一600vに帯電し、白色光半減露光量
(以下E1/2と称す)を測定したところ2 、O1u
x−sees残留電位は一5■であった。
ナ放電を用いて一600vに帯電し、白色光半減露光量
(以下E1/2と称す)を測定したところ2 、O1u
x−sees残留電位は一5■であった。
またJIS−に−5400規格による鉛1硬度を測定し
たところ約6H以上の硬度を有していた。
たところ約6H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、vL察で
きる上うな膜厚減少は認められず、靜電特性も変化がな
かった。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認
められなかった。
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、vL察で
きる上うな膜厚減少は認められず、靜電特性も変化がな
かった。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認
められなかった。
比較のために表面保護層を設けない有機系感光層を常用
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて−60
0V l:帯電し、E1/2を測定したところ、2 、
O1ux−see、残留電位は5■であった。また、J
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ、約5Bの表面硬度を有していた。
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて−60
0V l:帯電し、E1/2を測定したところ、2 、
O1ux−see、残留電位は5■であった。また、J
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ、約5Bの表面硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.0μ麹の
膜厚減少が観察された。
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.0μ麹の
膜厚減少が観察された。
表2−1に示されるジスアゾ化合物(G −1)2重1
部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−500)lff
l量部l量子ルエチルケトン100重量部をボールミル
で、24時間分散した。この分散液を直径80×長さ3
30I#I11の円筒状アルミニウム基板上にディッピ
ングにより乾燥後の膜厚が3000Aとなるように塗布
し、電荷発生層を形成した。
部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製V−500)lff
l量部l量子ルエチルケトン100重量部をボールミル
で、24時間分散した。この分散液を直径80×長さ3
30I#I11の円筒状アルミニウム基板上にディッピ
ングにより乾燥後の膜厚が3000Aとなるように塗布
し、電荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層上に表2−2に示されるヒドラ
ゾン化合物(T−1)10重量部、ポリカーボネイ)樹
脂(帝人化成社!に−1300)10重量部をテトラヒ
ドロ7ラン80重量部に溶解させた塗布液を乾燥後の膜
厚が20μ繭となるように塗布、乾燥して電荷輸送層を
形成し、有機系感光体を作製した。
ゾン化合物(T−1)10重量部、ポリカーボネイ)樹
脂(帝人化成社!に−1300)10重量部をテトラヒ
ドロ7ラン80重量部に溶解させた塗布液を乾燥後の膜
厚が20μ繭となるように塗布、乾燥して電荷輸送層を
形成し、有機系感光体を作製した。
上記感光体表面にチタニウムイソプロピレート[T +
(OiC3H?)4]を原料として実施例6と同様に金
属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を保護層としで
形成した。成膜条件は下記した。
(OiC3H?)4]を原料として実施例6と同様に金
属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を保護層としで
形成した。成膜条件は下記した。
基板温度 35℃
チタニウムイソ 25 secmプロピレ
ート流量 水素流jfL 120sec+n温
調器温度 150℃ 電力 100W電力周波数
100kHz放電時圧力
1.0Torr成膜時間 2分50
秒使用装置 Pt52図特性を下に示
した。
ート流量 水素流jfL 120sec+n温
調器温度 150℃ 電力 100W電力周波数
100kHz放電時圧力
1.0Torr成膜時間 2分50
秒使用装置 Pt52図特性を下に示
した。
膜厚 0.31μ曽硬度
6万以上 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有機感光
体にも金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
6万以上 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有機感光
体にも金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロ
ナ放電を用いて一600Vに帯電し、白色光半減露光量
(以下El、/2と称す)を測定したところ1.81u
x−sec、残留電位は一5Vであった。
ナ放電を用いて一600Vに帯電し、白色光半減露光量
(以下El、/2と称す)を測定したところ1.81u
x−sec、残留電位は一5Vであった。
またJIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定し
たところ約6H以上の硬度を有していた。
たところ約6H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写数に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、観察でき
るような膜厚減少は認められず、靜電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、観察でき
るような膜厚減少は認められず、靜電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
比較のために表面保w1層を設けない有機系感光層を常
用のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一6
00vに帯電し、El/2を測定したところ、1 、8
lux・5ee1残留電残留−5vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
用のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一6
00vに帯電し、El/2を測定したところ、1 、8
lux・5ee1残留電残留−5vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.0μ曽の
膜厚減少が観察された。
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.0μ曽の
膜厚減少が観察された。
表2−1に示されるジスアゾ化合物(G −2)2重量
部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製v−500)1重量
部、メチルエチルケシ2100重量部をボールミルで、
24時間分散した。この分散液を直径80×長さ330
16I@の円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
より乾燥後の膜厚が2500Aとなるように塗布し、電
荷発生層を形成した。
部、ポリエステル樹脂(東洋紡社製v−500)1重量
部、メチルエチルケシ2100重量部をボールミルで、
24時間分散した。この分散液を直径80×長さ330
16I@の円筒状アルミニウム基板上にディッピングに
より乾燥後の膜厚が2500Aとなるように塗布し、電
荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層上に表2−2に示されるスチル
ベン化合物(T−2)10重1部、ボリアリレート樹脂
(ユニチカ社製U−4000)10重ff1部をテトラ
ヒドロフラン85重量部に溶解させた塗布液を乾燥後の
膜厚が20μlとなるように塗布、乾燥して電荷輸送層
を形成し、有機系感光体を作製した。
ベン化合物(T−2)10重1部、ボリアリレート樹脂
(ユニチカ社製U−4000)10重ff1部をテトラ
ヒドロフラン85重量部に溶解させた塗布液を乾燥後の
膜厚が20μlとなるように塗布、乾燥して電荷輸送層
を形成し、有機系感光体を作製した。
上記感光体表面にチタニウムプチレー)[Ti(OC、
H、Mを原料として実施例6と同様に金属アルコキシド
化合物プラズマ重合膜を保護層として形成した。I&膜
条件は下記した。
H、Mを原料として実施例6と同様に金属アルコキシド
化合物プラズマ重合膜を保護層として形成した。I&膜
条件は下記した。
基板温度 40 ”Cチタニウムブ
チレート流量 10secI11温調器温度
120 ”Q電力
90W電力周波数 120kHz放電時
圧力 1.0Torr成膜時間
2分20秒使用装fiff
第2図特性を下に示した。
チレート流量 10secI11温調器温度
120 ”Q電力
90W電力周波数 120kHz放電時
圧力 1.0Torr成膜時間
2分20秒使用装fiff
第2図特性を下に示した。
膜厚 0.20μ−硬度
6H以上 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有機感光
体にも金属アルフキシV化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
6H以上 本発明を適用することにより、耐熱性に乏しい有機感光
体にも金属アルフキシV化合物のプラズマ重合膜を表面
保護層として設けることができる。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロ
ナ放電を用いて一600vに帯電し、白色光半減露光t
<以下El/2と称す)を測定したところ1 、01u
x−see、残留電位は一4vであった。
ナ放電を用いて一600vに帯電し、白色光半減露光t
<以下El/2と称す)を測定したところ1 、01u
x−see、残留電位は一4vであった。
またJIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定し
たところ約6H以上の硬度を有していた。
たところ約6H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、a寮でき
るような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、a寮でき
るような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
比較のために表面保護層を設けない有機系感光層を常用
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一60
0vに帯電し、E1/2を測定したところ、1 、 O
i’ux・5eC1残留電残留−4vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一60
0vに帯電し、E1/2を測定したところ、1 、 O
i’ux・5eC1残留電残留−4vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて1.8μm9
の膜厚減少が観察された。
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて1.8μm9
の膜厚減少が観察された。
Σ]劃側
表2−1に示されるノスアゾ化合物(G −3)2重量
部、ポリエステルt3(脂(東洋紡社製V−500)1
重量部、メチルエチルケトン100flii部をボール
ミルで、24時間分散した。この分散液を直径80×良
さ330組麿0円筒状アルミニウム基板上にディッピン
グにより乾燥後の膜厚が3000Aとなるように塗布し
、電荷発生層を形成した。
部、ポリエステルt3(脂(東洋紡社製V−500)1
重量部、メチルエチルケトン100flii部をボール
ミルで、24時間分散した。この分散液を直径80×良
さ330組麿0円筒状アルミニウム基板上にディッピン
グにより乾燥後の膜厚が3000Aとなるように塗布し
、電荷発生層を形成した。
次いで、この電荷発生層上に表2−2に示されるスチル
ベン化合物(T−3)10重1部、メチルメタクリレー
ト樹脂(三菱レーヨン社!B R−85)10重USを
テトラヒトo 7 ラン80 flllmに溶解させた
塗布液を乾燥後の膜厚が20μ−となるように塗布、乾
燥して電荷輸送層を形成し、有機系感光体を作製した。
ベン化合物(T−3)10重1部、メチルメタクリレー
ト樹脂(三菱レーヨン社!B R−85)10重USを
テトラヒトo 7 ラン80 flllmに溶解させた
塗布液を乾燥後の膜厚が20μ−となるように塗布、乾
燥して電荷輸送層を形成し、有機系感光体を作製した。
上記感光体表面にチタニウムプチレー)[Ti(OC,
H9L1を原料として実施例6と同様に金属アルコキシ
ド化合物プラズマ重合膜を保護層として形成した。成膜
条件は下記した。
H9L1を原料として実施例6と同様に金属アルコキシ
ド化合物プラズマ重合膜を保護層として形成した。成膜
条件は下記した。
基板温度 50℃
チタニウムイソ 20 secmプロピレ
ート流量 水素流i1305ec11+ 温調器温度 150℃ 電力 100W電力周波数
200kHz放電時圧力
0.5Torr成膜時間 70秒 使用装置 第2図 特性を下に示した。
ート流量 水素流i1305ec11+ 温調器温度 150℃ 電力 100W電力周波数
200kHz放電時圧力
0.5Torr成膜時間 70秒 使用装置 第2図 特性を下に示した。
膜厚 0.15μm硬度
6H以上本発明を適用することにより
、耐熱性に乏しい有機感光体にも金属アルコキシド化合
物のプラズマ重合膜を表面保i層として設けることがで
きる。
6H以上本発明を適用することにより
、耐熱性に乏しい有機感光体にも金属アルコキシド化合
物のプラズマ重合膜を表面保i層として設けることがで
きる。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロ
ナ放電を用いて一600■に帯電し、白色光半減露光風
(以下El/2と称す)を測定したところ2 、11u
x−sec、残留電位は一7Vであった。
ナ放電を用いて一600■に帯電し、白色光半減露光風
(以下El/2と称す)を測定したところ2 、11u
x−sec、残留電位は一7Vであった。
またJ Is−に−5400規格による鉛筆硬度を測定
したところ約6日以上の硬度を、有していた。
したところ約6日以上の硬度を、有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複″ff、紙約10万枚の耐刷試験でも、観
察できるような膜厚減少は認められず、静電特性も変化
がなかった。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生
ら認められなかった。
ころ、A4複″ff、紙約10万枚の耐刷試験でも、観
察できるような膜厚減少は認められず、静電特性も変化
がなかった。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生
ら認められなかった。
比較のために表面保護層を設けない有機系感光層を常用
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一〇0
0Vに帯電し、E1/2を測定したところ、2 、1
(lux−see、残留電位は一7Vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一〇0
0Vに帯電し、E1/2を測定したところ、2 、1
(lux−see、残留電位は一7Vであった。また、
JIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したと
ころ、約5Bの表面硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.2μ輸の
膜厚減少が観察された。
ころ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.2μ輸の
膜厚減少が観察された。
チタニル7タロシアニン(TiOPc)を抵抗加熱法を
用いてボート温度400℃ないし500℃、真空度10
−4ないし10−6のもとで真空蒸着し、厚さ250O
AのTi0Pcの蒸着膜を電荷発生層として形成した。
用いてボート温度400℃ないし500℃、真空度10
−4ないし10−6のもとで真空蒸着し、厚さ250O
AのTi0Pcの蒸着膜を電荷発生層として形成した。
次いで、特開昭62−30255号公報記載の枯造式〔
12〕に示されるp+ 1)−ビスノエチルアミノテト
ラ7ヱニルブタノエン1fflffi部、及び、ポリカ
ーボ木イト(余人化成社製に−1300)1重量部をT
HF6重1部に溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾
燥後膜厚が15μmとなるように塗布し、乾燥させて電
荷輸送層を形成し、有機系感光体を作製した。
12〕に示されるp+ 1)−ビスノエチルアミノテト
ラ7ヱニルブタノエン1fflffi部、及び、ポリカ
ーボ木イト(余人化成社製に−1300)1重量部をT
HF6重1部に溶解させ、この溶液を電荷発生層上に乾
燥後膜厚が15μmとなるように塗布し、乾燥させて電
荷輸送層を形成し、有機系感光体を作製した。
上記感光体表面−二チタニウムイソプロピレート[T
i(OiC:187>41を原料として実施例6と同様
に金属アルフキシト化合物のプラズマ重合膜を保護層と
して形成した。成膜条件は下記した。
i(OiC:187>41を原料として実施例6と同様
に金属アルフキシト化合物のプラズマ重合膜を保護層と
して形成した。成膜条件は下記した。
基板温度 30℃
チタニウムイソ 30secm+プロビレ
ー)流量 温1!4器温度 150°C電力
80W電力周波数
50kl−1z放電時圧力 1,
0Torr成膜時間 45秒 使用装置 第2図 特性を下に示した。
ー)流量 温1!4器温度 150°C電力
80W電力周波数
50kl−1z放電時圧力 1,
0Torr成膜時間 45秒 使用装置 第2図 特性を下に示した。
膜厚 0.10μ偽硬度
61−1以上本発明を適用すること
により、耐熱性に乏しい有機感光体にも金属アルコキシ
ド化合物のプラズマ重合膜を表面保護層として設けるこ
とができる。
61−1以上本発明を適用すること
により、耐熱性に乏しい有機感光体にも金属アルコキシ
ド化合物のプラズマ重合膜を表面保護層として設けるこ
とができる。
得られた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロ
ナ放電を用いて一〇00Vに帯電し、レーザー半減露光
量(以下E1/2と称す)を測定したところ4 、9
erg/ cm”、残留電位は一5Vであった。またJ
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ約6H以上の硬度を有していた。
ナ放電を用いて一〇00Vに帯電し、レーザー半減露光
量(以下E1/2と称す)を測定したところ4 、9
erg/ cm”、残留電位は一5Vであった。またJ
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ約6H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、観察でき
るような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、観察でき
るような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
比較のために表面保護層を設けない有機系感光層を常用
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一60
0Vに帯電し、E1/2を測定したところ、4.9 e
rB/ cm”、残留電位は一5■であった。また、J
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ、約5Bの表面硬度を有していた。
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用いて一60
0Vに帯電し、E1/2を測定したところ、4.9 e
rB/ cm”、残留電位は一5■であった。また、J
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ、約5Bの表面硬度を有していた。
さらに、実際の複″IfRに搭載して耐刷試験を行なっ
たところ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.0μ
I11の膜厚減少が観察された。
たところ、A4複写紙約1万枚の耐刷試験にて2.0μ
I11の膜厚減少が観察された。
実施例12
1五工2.:冒しくへ友亜ス11工坦卒」■ユ本実施例
においては、対摩耗性に加え、リン原子添加による表面
電荷注入防止効果の付与も同時に試みた。
においては、対摩耗性に加え、リン原子添加による表面
電荷注入防止効果の付与も同時に試みた。
即ち、下記組成物;
銅7タロシアニン(東洋インキ社製)25重量部樹
脂 車1 50重量部電荷輸送剤
*2 25重量部本1アクリルム(脂(
A405;大日本インキ社製)とメラミンム(脂(ニー
パン20H3;三井東圧社りの混合物からなる熱硬化性
樹脂。
脂 車1 50重量部電荷輸送剤
*2 25重量部本1アクリルム(脂(
A405;大日本インキ社製)とメラミンム(脂(ニー
パン20H3;三井東圧社りの混合物からなる熱硬化性
樹脂。
本2下記構造式;
1式中、XおよびYはそれぞれ独立して、水素、低級ア
ルキル基、メトキシ基、またはエトキシ基、Zは低級ア
ルキル基、ペンシル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基またはベンジルオキシ基、Z゛は水素、アルキル基ま
たはアルコキシ基、Rは低級アルキル基、置換基を有し
てもよいアリール基、またはベンシル基を示す。]から
なる化合物。
ルキル基、メトキシ基、またはエトキシ基、Zは低級ア
ルキル基、ペンシル基、低級アルコキシ基、フェノキシ
基またはベンジルオキシ基、Z゛は水素、アルキル基ま
たはアルコキシ基、Rは低級アルキル基、置換基を有し
てもよいアリール基、またはベンシル基を示す。]から
なる化合物。
上記組成物をボールミルにて15時間粉砕混合し、スプ
レー塗布により、直径80×長さ330+11111の
円筒形アルミ基板に、110°C11時間焼付は後の膜
厚が16μ鴎となるように塗布し、焼付けて、正帯電用
有機感光体を作製した。
レー塗布により、直径80×長さ330+11111の
円筒形アルミ基板に、110°C11時間焼付は後の膜
厚が16μ鴎となるように塗布し、焼付けて、正帯電用
有機感光体を作製した。
上記感光体表面にアルミニウムイソプbピレート[Ai
!(Oic3H,Mを原料トL、、(、実施例1と同様
に金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を保護層と
しで形成した。なお、本実施例においてはリン原子をさ
らに含有させた。成膜条件は下記した。
!(Oic3H,Mを原料トL、、(、実施例1と同様
に金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜を保護層と
しで形成した。なお、本実施例においてはリン原子をさ
らに含有させた。成膜条件は下記した。
基板温度 80℃
アルミニウムイソ 5 see輸プロピレ
ート流量 ヘリウム流量 50 sec+aホスフ
ィン(PH,)流量250secl。
ート流量 ヘリウム流量 50 sec+aホスフ
ィン(PH,)流量250secl。
(H2で10%希釈)
電力 SOW周波数
30kHz圧力
0.6Torr成膜時間 3分間 使用装置 第2図 得られた表面保護膜の特性は犬の通りである。
30kHz圧力
0.6Torr成膜時間 3分間 使用装置 第2図 得られた表面保護膜の特性は犬の通りである。
膜厚 0.25μ硬度
6万以上(ffラス上)可視光透過率
90%以上 Xa回折 ピーク無し 組成(H: P)”(35: 4)atomic%得ら
れた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロナ放
電を用いて+600vに帯電し、E1/2を測定したと
ころ4 、7 (lux−sees残留電位は+10■
であった。またJIS−に−5400規格による鉛筆硬
度を測定したところ約5H以上の硬度を有していた。
6万以上(ffラス上)可視光透過率
90%以上 Xa回折 ピーク無し 組成(H: P)”(35: 4)atomic%得ら
れた感光体を常用のカールソンプロセスの中でコロナ放
電を用いて+600vに帯電し、E1/2を測定したと
ころ4 、7 (lux−sees残留電位は+10■
であった。またJIS−に−5400規格による鉛筆硬
度を測定したところ約5H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約5万枚の耐刷試験でも、観察できる
ような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなかっ
た。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認めら
れなかった。
ころ、A4複写紙約5万枚の耐刷試験でも、観察できる
ような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなかっ
た。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認めら
れなかった。
比較のために表面保護層を設けない有機系感光層を常用
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用い□て+6
00Vに帯電し、E1/2を測定したところ、4 、7
1ux−sees残留電位は+7vであった。また、J
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ、約B−Hの表面硬度を有していた。
のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用い□て+6
00Vに帯電し、E1/2を測定したところ、4 、7
1ux−sees残留電位は+7vであった。また、J
IS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定したとこ
ろ、約B−Hの表面硬度を有していた。
さζ)に、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なった
ところ、A4複写紙約6千枚の耐刷試験にて1μmの膜
厚減少が観察された。
ところ、A4複写紙約6千枚の耐刷試験にて1μmの膜
厚減少が観察された。
真空蒸着の常法によQ A 92 S e−合金感光体
(53μ輸厚)を作製した。
(53μ輸厚)を作製した。
この上に実施例2と同様に金属アルコキシド化合物のプ
ラズマ重合膜を保i層として形成した。
ラズマ重合膜を保i層として形成した。
成膜条件は下記した。
基板温度 60°Cアンチモンエチ
レー) 10sec請(I[[)流量 ホスフィン(P H、)流量 250 secm水
素流ffi50secm 電力 SOW周波数
50kHz放電時圧力
0.3Torr約2分間 装置 第2図 I!X厚 0.19得られた感光
体を常用のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用い
て+600■に帯電し、E1/2を測定したところ1
、31ux−see、残留電位は+10■であった。ま
たJIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定した
ところ約6H以上の硬度を有していた。
レー) 10sec請(I[[)流量 ホスフィン(P H、)流量 250 secm水
素流ffi50secm 電力 SOW周波数
50kHz放電時圧力
0.3Torr約2分間 装置 第2図 I!X厚 0.19得られた感光
体を常用のカールソンプロセスの中でコロナ放電を用い
て+600■に帯電し、E1/2を測定したところ1
、31ux−see、残留電位は+10■であった。ま
たJIS−に−5400規格による鉛筆硬度を測定した
ところ約6H以上の硬度を有していた。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、観察でき
るような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
ころ、A4複写紙約10万枚の耐刷試験でも、観察でき
るような膜厚減少は認められず、静電特性も変化がなか
った。また、高湿時画像流れ、フィルミング発生も認め
られなかった。
比較のために表面保護層を設けないA s2S e3合
全感光層を常用のカールソンプロセスの中でコロナ放電
を用いて+600vに帯電し、白色光半減光量を測定し
たところ、1.2 fux−9eex残留電残留子6■
であった。また、JIS−に−5400規格による鉛筆
硬度を測定したところ、杓■]の表面硬度を有していた
。
全感光層を常用のカールソンプロセスの中でコロナ放電
を用いて+600vに帯電し、白色光半減光量を測定し
たところ、1.2 fux−9eex残留電残留子6■
であった。また、JIS−に−5400規格による鉛筆
硬度を測定したところ、杓■]の表面硬度を有していた
。
さらに、実際の複写機に搭載して耐刷試験を行なったと
ころ、A4複写紙約5万枚の耐刷試験にてフィルミング
の発生に伴う感度低下(1,81ux・See )、お
よび表面損傷による画像ノイズが発生した。
ころ、A4複写紙約5万枚の耐刷試験にてフィルミング
の発生に伴う感度低下(1,81ux・See )、お
よび表面損傷による画像ノイズが発生した。
ポリメチルメタクリレート(PMMA)からなるプラス
チックレンズ(耐熱性70℃)の表面に実施例4と同様
にスズターシャリ−ブチレートのプラズマ重合膜を設け
た。成膜条件は下記した。
チックレンズ(耐熱性70℃)の表面に実施例4と同様
にスズターシャリ−ブチレートのプラズマ重合膜を設け
た。成膜条件は下記した。
基板温度 40℃
スズターシャリ−15scc+*
ブチレート流量
水素流1G Oseem
電力 70W周波数
200kHz放電時圧力
ITorr時間 1分10秒
間装fi!? PIS1図得られ
た保護膜の厚さは3000Aであった。
200kHz放電時圧力
ITorr時間 1分10秒
間装fi!? PIS1図得られ
た保護膜の厚さは3000Aであった。
レンズの透光性、明るさ(F値)、面精度は初期の状態
から変化がなく、良好であった。
から変化がなく、良好であった。
表面硬度は3Bから4Hに向上し、表面をエーテルで拭
いてもPMMAの溶出はなかった。
いてもPMMAの溶出はなかった。
発熱体として窒化タンタルを用いたサーマルヘッドの表
面に、実施例1と同様にアルミニウムイソプロピレート
のプラズマ重合膜を設けた。成膜条件を下記した。
面に、実施例1と同様にアルミニウムイソプロピレート
のプラズマ重合膜を設けた。成膜条件を下記した。
基板温度 50℃
アルミニウムイソ 5 secmプロピレー
ト流量 水素流量 60sce論電力
50W 周波数 80kHz放電時圧力
0.5Torr時間
10分15秒間装置 第1図 得られた保護膜の厚さは1μ鴎であった。
ト流量 水素流量 60sce論電力
50W 周波数 80kHz放電時圧力
0.5Torr時間
10分15秒間装置 第1図 得られた保護膜の厚さは1μ鴎であった。
得られたサーマルヘッドは放熱性にすぐれ、従来のS
io2あるいはA1.O,を表面保護層に有するサーマ
ルヘッドより画像のニジミが少なく、耐久性に優れてい
た。
io2あるいはA1.O,を表面保護層に有するサーマ
ルヘッドより画像のニジミが少なく、耐久性に優れてい
た。
メタンガス中でTeターゲットをスパッタリングして作
vAされた光ディスクを第1図に示した本発明に係る金
属アルフキシト化合物のプラズマ重合膜の製造装置にお
ける電極板(22)、(25)の間に中空に浮かせた状
態で実施例5と同様にアンチモン/、ンプロビレートの
プラズマ重合を行ない、光ディスクの全面に保護層を設
けた。成膜条件は下記した。
vAされた光ディスクを第1図に示した本発明に係る金
属アルフキシト化合物のプラズマ重合膜の製造装置にお
ける電極板(22)、(25)の間に中空に浮かせた状
態で実施例5と同様にアンチモン/、ンプロビレートの
プラズマ重合を行ない、光ディスクの全面に保護層を設
けた。成膜条件は下記した。
基板温度 50 ”Cアンチモンイ
ソ 258cc閣プロピレート流量 水素流量60 secm 電力 70W周波数
700kHz放電時圧力
0.8Torr時間 8分15
秒問装置 第1図 得られた保護膜の厚さは0.8μmであった。
ソ 258cc閣プロピレート流量 水素流量60 secm 電力 70W周波数
700kHz放電時圧力
0.8Torr時間 8分15
秒問装置 第1図 得られた保護膜の厚さは0.8μmであった。
得られた光ディスクは、基板の反りが減り、読み取りエ
ラーの発生防止に効果があった。
ラーの発生防止に効果があった。
ポリカーボネート基板上にTbFeCoのスパッタリン
グ膜からなる磁性膜を設けた光磁気ディスク表面に、実
施例11と同様の方法よおび条件で、金属アルコキシド
化合物のプラズマ重合膜を保護層として形成した。
グ膜からなる磁性膜を設けた光磁気ディスク表面に、実
施例11と同様の方法よおび条件で、金属アルコキシド
化合物のプラズマ重合膜を保護層として形成した。
得られた光磁気ディスクは耐湿性並びに酸化性が改善さ
れ、長寿命化が成された。
れ、長寿命化が成された。
A1基板上にコバルト−ニッケルークロムから成る磁性
層をスパッタリングにより設けたハードディスクを作製
した0表面を実施例6と同様のパナジルエチレート膜で
表面保護した。
層をスパッタリングにより設けたハードディスクを作製
した0表面を実施例6と同様のパナジルエチレート膜で
表面保護した。
磁気ヘッドを用いた耐摩耗性試験の結果、保護を設ける
前は105回接触にて一部に傷が入っていたちのが、保
護層を設けることにより、傷が入らなくなった。また耐
酸化性も向上し、寿命の向上が認められた。
前は105回接触にて一部に傷が入っていたちのが、保
護層を設けることにより、傷が入らなくなった。また耐
酸化性も向上し、寿命の向上が認められた。
また、フッ素原子添加により、ヘッドとのすベリ摩擦力
の低減も認められた。
の低減も認められた。
第1図の装置をそのまま用いて、pin型a−3i太陽
電池を試作した。AN基板側がら1層、1層、0層を積
層した。
電池を試作した。AN基板側がら1層、1層、0層を積
層した。
以下余白
この積層膜の上にITO電極を設け、変換率2.1%(
光源AM−1)の太陽電池を得た。
光源AM−1)の太陽電池を得た。
上記で得られた太陽電池の表面に実施例1と同様に下記
の条件でアルミニウムイソプロピレートをプラズマ重合
して保護膜を形成した。
の条件でアルミニウムイソプロピレートをプラズマ重合
して保護膜を形成した。
基板温度 90℃
アルミニウムイソ 5 secmプロピレ
ート流量 水素流T1 30secm電力
50W周波数
100kHz放電時圧力 0.5
Torr時l111 2分45秒
間装r!i 第1図 得られた保護膜の厚さは2500Aであり、屈折率は1
.49であった。その結果、変換効率が3.0%に向上
し、反射防止用の窓材として有効であることが哩W#さ
れた。
ート流量 水素流T1 30secm電力
50W周波数
100kHz放電時圧力 0.5
Torr時l111 2分45秒
間装r!i 第1図 得られた保護膜の厚さは2500Aであり、屈折率は1
.49であった。その結果、変換効率が3.0%に向上
し、反射防止用の窓材として有効であることが哩W#さ
れた。
Al基板上にアルミニウムクロロ7タロシアニン9oラ
イ)’(AiICi!PC((1り)の蒸着膜を50O
A設け、その上に実施例7で使用しr:、電荷輸送剤を
使用して電荷輸送層を塗付して、感光体を作製した。
イ)’(AiICi!PC((1り)の蒸着膜を50O
A設け、その上に実施例7で使用しr:、電荷輸送剤を
使用して電荷輸送層を塗付して、感光体を作製した。
このまま、レーザービームプリンターを用いて反転現像
を行な)と、蒸着膜とAeとの界面に生じた欠陥から、
電荷注入が発生し、いわゆる黒点状画像ノイズが発生す
る。
を行な)と、蒸着膜とAeとの界面に生じた欠陥から、
電荷注入が発生し、いわゆる黒点状画像ノイズが発生す
る。
そこで蒸着の前に実施例11と同様に金属アルコキシド
化合物のプラズマ重合膜を基板上に形成したところ、反
転現像での黒点は無くなり、基板からの注入阻止層とし
て有効であることが理解された。
化合物のプラズマ重合膜を基板上に形成したところ、反
転現像での黒点は無くなり、基板からの注入阻止層とし
て有効であることが理解された。
アルミニウム基板上にA lc IP c(CI)の蒸
着膜を2000A設は電荷発生層とした。
着膜を2000A設は電荷発生層とした。
その上に、実施例3と同様にしてバナンウムエチレ−F
のプラズマで重合膜(ホウ素添加)を形成した。成膜条
件は下記した。
のプラズマで重合膜(ホウ素添加)を形成した。成膜条
件は下記した。
基板温度 60″Cバナジウム
7 secmエチレート流量 ヘリウム流fi 100sec輪B
2H、(水素で10%に希釈) 120secm電力
50W周波数
600kHz放電時圧力 0
.5Torr時間 45分間 装置 第2図 得られた電荷輸送層の厚さは13μ−であり、膜組成は
H原子が全vt戊元素原子に対して32゜5 (ato
+*ic%)であった。
7 secmエチレート流量 ヘリウム流fi 100sec輪B
2H、(水素で10%に希釈) 120secm電力
50W周波数
600kHz放電時圧力 0
.5Torr時間 45分間 装置 第2図 得られた電荷輸送層の厚さは13μ−であり、膜組成は
H原子が全vt戊元素原子に対して32゜5 (ato
+*ic%)であった。
感光体の特性としては、初期帯電電位−600■、白色
光半減露光量4.91uに・Seeが観察された。膜硬
度は6u以上であった。
光半減露光量4.91uに・Seeが観察された。膜硬
度は6u以上であった。
ICの保1層を実施例11と同様に形成した。
ICは熱M積もなく良好に作動した。
密着型イメーノセンサーに実施例10と同様に保護層を
設けた。
設けた。
対摩耗性が良好で耐久性が向上した。
l乳立廟1
本発明の金属アルコキシド化合物のプラズマ重合膜の製
造法は、低温(常温〜100℃)で成膜が可能であり、
高温で変形あるいは軟化する材料からなる物品にも適用
でき、応用範囲が広い。
造法は、低温(常温〜100℃)で成膜が可能であり、
高温で変形あるいは軟化する材料からなる物品にも適用
でき、応用範囲が広い。
本発明の製造法は、膜の堆積速度が速く、かつ大面積化
が可能である。
が可能である。
本発明により得られた金属アルコキシド化合物のプラズ
マ重合膜は、硬度、耐環境性に優れかつ所望により他原
子等を添加して、種々の特性を付与できる。
マ重合膜は、硬度、耐環境性に優れかつ所望により他原
子等を添加して、種々の特性を付与できる。
第1図および第2図は本発明を実施するための装置の1
例を示す図である。 (6)〜(10)・・・タンク、 (11)〜(15)・・・調節弁、 (16)〜(20)・・・マス70−コントローラー、
(21)・・・主管、 (22)・・・平板型
電極板、(23)・・・反応室、 (24)・・・
平板型基板、(25)・・・平板型アース電極板、 (26)・・・低周波電源、 (27)・・・コイル、
(28)・・・直流電圧源、 (29)・・・真空ポン
プ、(30)・・・円筒型電極板、(31)・・・円筒
型基板、出願人: ミノルタカメラ株式会社 ト)
例を示す図である。 (6)〜(10)・・・タンク、 (11)〜(15)・・・調節弁、 (16)〜(20)・・・マス70−コントローラー、
(21)・・・主管、 (22)・・・平板型
電極板、(23)・・・反応室、 (24)・・・
平板型基板、(25)・・・平板型アース電極板、 (26)・・・低周波電源、 (27)・・・コイル、
(28)・・・直流電圧源、 (29)・・・真空ポン
プ、(30)・・・円筒型電極板、(31)・・・円筒
型基板、出願人: ミノルタカメラ株式会社 ト)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上に金属アルコキシド化合物をプラズマ状態を
介して分解・重合することを特徴とするプラズマ重合膜
製造方法。 2、プラズマ状態をグロー放電プラズマ分解・重合法に
より発生させる請求項1、記載のプラズマ重合膜製造方
法。 3、基板温度を100℃以下に保ち、放電周波数10k
H_2乃至1000kH_2であることを特徴とする請
求項2、記載のプラズマ重合膜製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63034893A JPH01208472A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | プラズマ重合膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63034893A JPH01208472A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | プラズマ重合膜製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01208472A true JPH01208472A (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=12426846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63034893A Pending JPH01208472A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | プラズマ重合膜製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01208472A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001337201A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Konica Corp | 光学用フィルム及び液晶ディスプレイ |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63034893A patent/JPH01208472A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001337201A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-12-07 | Konica Corp | 光学用フィルム及び液晶ディスプレイ |
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