JPH01206699A - コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板Info
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- JPH01206699A JPH01206699A JP63031490A JP3149088A JPH01206699A JP H01206699 A JPH01206699 A JP H01206699A JP 63031490 A JP63031490 A JP 63031490A JP 3149088 A JP3149088 A JP 3149088A JP H01206699 A JPH01206699 A JP H01206699A
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- Japan
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- capacitor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本考案は複合部品に関し、特に、その内部にコンデンサ
を内蔵したセラミック多層絶縁基板に関する。
を内蔵したセラミック多層絶縁基板に関する。
［従来の技術］
従来、電子回路の高集積化のために種々の提案がなされ
ており、例えは大容量のコンデンサを利用する電子回路
を搭載する絶縁基板については、コンデンサを構成する
誘電体を絶縁基板内部の眉間に挟み込んだ、いわゆる複
合積層セラミ・ンク部品が開発され、ハイブリットＩＣ
等へ応用されている。
ており、例えは大容量のコンデンサを利用する電子回路
を搭載する絶縁基板については、コンデンサを構成する
誘電体を絶縁基板内部の眉間に挟み込んだ、いわゆる複
合積層セラミ・ンク部品が開発され、ハイブリットＩＣ
等へ応用されている。
この様な複合積層セラミック部品は、例えば一対のセラ
ミツフグ刀−ンシートの対向する表面上の一方に、下部
電極を形成するための導電ペーストを印刷し、さらにそ
の上ここ誘電体を形成するための誘電材料を印刷する。
ミツフグ刀−ンシートの対向する表面上の一方に、下部
電極を形成するための導電ペーストを印刷し、さらにそ
の上ここ誘電体を形成するための誘電材料を印刷する。
また、他方の表面上に上部電極を形成するための導電ペ
ーストを印刷し、これらを層内に内蔵するよう上記セラ
ミックグリーンシートを積層・圧着し、その後に焼成す
る。これによって、コンデンサを内蔵しＩた多層配線基
板が構成される。
ーストを印刷し、これらを層内に内蔵するよう上記セラ
ミックグリーンシートを積層・圧着し、その後に焼成す
る。これによって、コンデンサを内蔵しＩた多層配線基
板が構成される。
［考案が解決しようとする問題点］
しかしながら、上記の様なコンデンサ内蔵セラミック多
層絶縁基板では、セラミック絶縁基板の内部に形成され
たコンデンサが、セラミッフグリーンシートの積層、圧
着後の焼成時に、上記セラミックと誘電体層との間で成
分が拡散◆反応し、そのため、得られるコンデンサの電
気的な特性が変動するという問題点を有していた。具体
的には、電極層との間での相互の成分９拡散・反応によ
り、コンデンサの絶縁抵抗が低下したり、そのｔａｎδ
が悪化したり、さらにはその比誘電率が低下する。また
、上記セラミック絶縁基板もその特性、すなわちその絶
縁抵抗やその強度を低下してしまったりたりする。
層絶縁基板では、セラミック絶縁基板の内部に形成され
たコンデンサが、セラミッフグリーンシートの積層、圧
着後の焼成時に、上記セラミックと誘電体層との間で成
分が拡散◆反応し、そのため、得られるコンデンサの電
気的な特性が変動するという問題点を有していた。具体
的には、電極層との間での相互の成分９拡散・反応によ
り、コンデンサの絶縁抵抗が低下したり、そのｔａｎδ
が悪化したり、さらにはその比誘電率が低下する。また
、上記セラミック絶縁基板もその特性、すなわちその絶
縁抵抗やその強度を低下してしまったりたりする。
本考案は、上記従来技術における問題点に錫み、上記セ
ラミック絶縁基板の積層・圧着後の焼成時ζこ、セラミ
ック絶縁基板と上記コンデンサを形成する電極層及び誘
電体層との間での相互の成分の拡散・反応によって、電
気的な特性が劣化することのないコンデンサ内蔵セラミ
ック多層絶縁基板を提供することにある。
ラミック絶縁基板の積層・圧着後の焼成時ζこ、セラミ
ック絶縁基板と上記コンデンサを形成する電極層及び誘
電体層との間での相互の成分の拡散・反応によって、電
気的な特性が劣化することのないコンデンサ内蔵セラミ
ック多層絶縁基板を提供することにある。
［問題を解決するための手段］
上記本考案の目的は、複数のセラミック絶縁層を積層し
、積層されたセラミック絶縁層の対向する表面上に少な
くとも一対の電極層を形成し、その間に誘電体を挿入す
ることにより、内部にコンデンサを形成したコンデンサ
内蔵セラミック多層絶縁基板において、上記内部コンデ
ンサを形成する上記一対の電極層と上記セラミック絶縁
基板との間に絶縁性反応防止層を設けたことを特徴とす
るコンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板によって達成
される。
、積層されたセラミック絶縁層の対向する表面上に少な
くとも一対の電極層を形成し、その間に誘電体を挿入す
ることにより、内部にコンデンサを形成したコンデンサ
内蔵セラミック多層絶縁基板において、上記内部コンデ
ンサを形成する上記一対の電極層と上記セラミック絶縁
基板との間に絶縁性反応防止層を設けたことを特徴とす
るコンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板によって達成
される。
［作 用］
すなわち、上記のコンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基
板ここよれは、上記内部コンデンサを形成する一対の電
極層とセラミック絶縁層との間に設けられた上記絶縁性
反応防止層により、上記セラミック絶縁層と上記コンデ
ンサを形成する電極層及び誘電体層との間での相互の成
分の拡散・反応が抑えられる。もって、その電気的な特
性の劣化が防止される。
板ここよれは、上記内部コンデンサを形成する一対の電
極層とセラミック絶縁層との間に設けられた上記絶縁性
反応防止層により、上記セラミック絶縁層と上記コンデ
ンサを形成する電極層及び誘電体層との間での相互の成
分の拡散・反応が抑えられる。もって、その電気的な特
性の劣化が防止される。
［実 施 例］
以下、本考案の実施例について、添付の図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第」図ここ木考案乙こなるコンデンサ内蔵セラミック多
層絶縁基板１０の断面構造が示されており、４層のセラ
ミック絶縁層１を積層してセラミック多層絶縁基板１０
が形成されている。そして、図からも明らかなように、
絶縁基板１０の中央部、すなわち上記セラミック絶縁層
１の上側の２Ｍと下側の２層の対向する表面上の間に、
いわゆるシート状のコンデンサ２が形成されており、こ
のシート状のコンデンサ２の一対の端子は、いわゆるス
ルーホール３を介して上記セラミック多層絶縁基板１０
の上下表面上もこ形成された外部電極４に電気的ここ接
続されている。
層絶縁基板１０の断面構造が示されており、４層のセラ
ミック絶縁層１を積層してセラミック多層絶縁基板１０
が形成されている。そして、図からも明らかなように、
絶縁基板１０の中央部、すなわち上記セラミック絶縁層
１の上側の２Ｍと下側の２層の対向する表面上の間に、
いわゆるシート状のコンデンサ２が形成されており、こ
のシート状のコンデンサ２の一対の端子は、いわゆるス
ルーホール３を介して上記セラミック多層絶縁基板１０
の上下表面上もこ形成された外部電極４に電気的ここ接
続されている。
上記コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板１０ζこつ
いて、ざらに詳細に説明すると、上記絶縁基板１の中央
部に形成されたコンデンサ２は、コンデンサ上側電極層
２１とコンデンサ下側電極層２２、乙れら二つの電極層
２１．２２０間に挿入された誘電体層２３により構成さ
れており、さらに、このシート状コンデンサ２の一４＝ 周囲、具体的には、上記セラミック絶縁層１と上記コン
デンサ２の両側電極層２１．２２との間に、いわゆる絶
縁性反応防止層２４が形成されている。また、上記コン
デンサ２が形成されたセラミック絶縁層１のコンデンサ
電極層２１．２２の延長部分乞こは、上記のスルーホー
ル３が形成され、その内周面上に形成された導体層３１
を介して内部電極層４１に接続されている。
いて、ざらに詳細に説明すると、上記絶縁基板１の中央
部に形成されたコンデンサ２は、コンデンサ上側電極層
２１とコンデンサ下側電極層２２、乙れら二つの電極層
２１．２２０間に挿入された誘電体層２３により構成さ
れており、さらに、このシート状コンデンサ２の一４＝ 周囲、具体的には、上記セラミック絶縁層１と上記コン
デンサ２の両側電極層２１．２２との間に、いわゆる絶
縁性反応防止層２４が形成されている。また、上記コン
デンサ２が形成されたセラミック絶縁層１のコンデンサ
電極層２１．２２の延長部分乞こは、上記のスルーホー
ル３が形成され、その内周面上に形成された導体層３１
を介して内部電極層４１に接続されている。
そして、この内部電極層４１はさらに上記と同様の構造
を有するスルーホール３を介して上記セラミック多層絶
縁基板１００表面上に形成された外部電極４に電気的乞
こ接続されている。
を有するスルーホール３を介して上記セラミック多層絶
縁基板１００表面上に形成された外部電極４に電気的乞
こ接続されている。
次に、第２図により、上記コンデンサ内蔵セラミック多
層絶縁基板の製造方法乞こついて具体的に説明する。
層絶縁基板の製造方法乞こついて具体的に説明する。
まず、Ａ１２０３−３ ｉｍ２ Ｂ２Ｏ３ＣａＯ−Ｍｇ
Ｏ系からなる低温焼成の可能なセラミック粉末を、以下
の方法でセラミックグリーンシートにした。
Ｏ系からなる低温焼成の可能なセラミック粉末を、以下
の方法でセラミックグリーンシートにした。
すなわち、このセラミック粉末１０００ｇに、バインダ
ーとしてポリメチルメタクリレート樹脂粉末１００ｇ、
可塑剤としてジブチルフタレート２５ｇ、分散剤とじｌ
てオイレンＭ１５ｇ、 ’）容媒としてトルエン３
００ｇとイソプロピルアルコール２ （］ Ｏｇを加え
、これらの材料をボールミルで２４時間混合してスラリ
ーとした。次しこ、このスラリーを、例えはドクターブ
レード法により、厚さ約０．３ｍｍのセラミックグリー
ンシートにした。その後、第２図（ａ）に示すように、
このセラミックグリーンシートを打ち抜き加工によって
規定の大きさのに打ち抜き、定形のセラミックグリーン
シート１１を形成すると同時に、このシート１１の所定
の箇所にスルーホール３を形成した。
ーとしてポリメチルメタクリレート樹脂粉末１００ｇ、
可塑剤としてジブチルフタレート２５ｇ、分散剤とじｌ
てオイレンＭ１５ｇ、 ’）容媒としてトルエン３
００ｇとイソプロピルアルコール２ （］ Ｏｇを加え
、これらの材料をボールミルで２４時間混合してスラリ
ーとした。次しこ、このスラリーを、例えはドクターブ
レード法により、厚さ約０．３ｍｍのセラミックグリー
ンシートにした。その後、第２図（ａ）に示すように、
このセラミックグリーンシートを打ち抜き加工によって
規定の大きさのに打ち抜き、定形のセラミックグリーン
シート１１を形成すると同時に、このシート１１の所定
の箇所にスルーホール３を形成した。
この様にして形成したセラミックグリーンシート１１の
表面上に、第２図（ｂ）に示すように、絶縁性反応防止
層２４を形成するため、平均粒子径が３．５ＪＬｍのＡ
ｌ２Ｏ３ＢａＯ−Ｃａｏ−５ｉＯ２系で軟化点が８５０
℃のガラス粉末とビヒクルとからなる万ラスペーストを
スクリーン印刷した。
表面上に、第２図（ｂ）に示すように、絶縁性反応防止
層２４を形成するため、平均粒子径が３．５ＪＬｍのＡ
ｌ２Ｏ３ＢａＯ−Ｃａｏ−５ｉＯ２系で軟化点が８５０
℃のガラス粉末とビヒクルとからなる万ラスペーストを
スクリーン印刷した。
さらに、この上に内蔵コンデンサの下側電極層２２を形
成するため、第２図（Ｃ）に示すように、平均粒子径が
１．’２．ｕｍのＣＬｌ粉末とビヒクルから成るＣ ｕ
ペーストをスクリーン印刷した。図にも示されろように
、この下側電極層２２は、上記セラミックグリーンシー
ト１１の表面上で、上記絶縁性反応防止層２４を越えて
、さらに上記スルーホール３が形成された箇所ここまで
延長され、との部分がコンデンサ２の取出用端子を形成
する。そして、この上にコンデンサ２の誘電体層２３を
形成するため、平均粒子径０．３ノ１ｍのＢａＴｉ０ｑ
系の誘電体セラミック粉末とビヒクルからなる誘電体ペ
ーストをスクリーン印刷した。その後、第２図（ｄ）に
示すようここ、その上にコンデンサ２の上側電極層２１
とその取出用端子を形成するため、再び上記Ｃｕペース
トを印刷した。さらここ、第２図（ｅ）に示すように、
ごの上側電極層２１の表面上に絶縁性反応防止層２４を
形成するため、再び上記のカラスペーストをスクリーン
印刷した。
成するため、第２図（Ｃ）に示すように、平均粒子径が
１．’２．ｕｍのＣＬｌ粉末とビヒクルから成るＣ ｕ
ペーストをスクリーン印刷した。図にも示されろように
、この下側電極層２２は、上記セラミックグリーンシー
ト１１の表面上で、上記絶縁性反応防止層２４を越えて
、さらに上記スルーホール３が形成された箇所ここまで
延長され、との部分がコンデンサ２の取出用端子を形成
する。そして、この上にコンデンサ２の誘電体層２３を
形成するため、平均粒子径０．３ノ１ｍのＢａＴｉ０ｑ
系の誘電体セラミック粉末とビヒクルからなる誘電体ペ
ーストをスクリーン印刷した。その後、第２図（ｄ）に
示すようここ、その上にコンデンサ２の上側電極層２１
とその取出用端子を形成するため、再び上記Ｃｕペース
トを印刷した。さらここ、第２図（ｅ）に示すように、
ごの上側電極層２１の表面上に絶縁性反応防止層２４を
形成するため、再び上記のカラスペーストをスクリーン
印刷した。
この様にしてシート状コンデンサを形成する各層を積層
印刷した後、第２図（ｆ）で示すように、所定の箇所に
導電ペーストが印刷された′スルーホール３か形成され
、さらしとは外部電極４及び内部電極層４１となる導電
ペーストを印刷した他のセラミックグリーンシートを、
上記セラミックグリーンシートの表面に２枚、裏面に１
枚ずつ積層する。この場合に、上記電極層２１．２２が
スルーホール３を介し“て所定の上記内部電極層４１及
び外部電極層４に接続されるようしこする。その後、第
２図（ｇ）に示すようζこ、これを圧着し、焼成し、上
記コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板１０を完成し
た。
印刷した後、第２図（ｆ）で示すように、所定の箇所に
導電ペーストが印刷された′スルーホール３か形成され
、さらしとは外部電極４及び内部電極層４１となる導電
ペーストを印刷した他のセラミックグリーンシートを、
上記セラミックグリーンシートの表面に２枚、裏面に１
枚ずつ積層する。この場合に、上記電極層２１．２２が
スルーホール３を介し“て所定の上記内部電極層４１及
び外部電極層４に接続されるようしこする。その後、第
２図（ｇ）に示すようζこ、これを圧着し、焼成し、上
記コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板１０を完成し
た。
上記の実施例ここおいて、コンデンサ内蔵セラミック多
層絶縁基板は、４層のセラシンク絶縁基板を積層したも
のについて説明したが、本考案はこれに限らず、異なる
層数を有する多層絶縁基板にも適用することができる。
層絶縁基板は、４層のセラシンク絶縁基板を積層したも
のについて説明したが、本考案はこれに限らず、異なる
層数を有する多層絶縁基板にも適用することができる。
また、上記の絶縁性反応防止層はカラスペーストをスラ
リ一ン印刷し・て形成しているが、これ乙こついても、
上記カラスペース［・たけに限らず、化学的に安定な絶
縁材料に代えることも可能である。
リ一ン印刷し・て形成しているが、これ乙こついても、
上記カラスペース［・たけに限らず、化学的に安定な絶
縁材料に代えることも可能である。
［考案の効果コ
以上の説明からも明らかなようしこ、本考案しこよるコ
ンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板によれは、内部コ
ンデンサを形成する一対の電極層とセラミック絶縁層と
の間に設けられた絶縁性反応防止層の働きここより、上
記絶縁層とコンデンサを構成する電極層及び誘電体層の
成分の、焼成時における相互拡散・反応か抑制される。
ンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板によれは、内部コ
ンデンサを形成する一対の電極層とセラミック絶縁層と
の間に設けられた絶縁性反応防止層の働きここより、上
記絶縁層とコンデンサを構成する電極層及び誘電体層の
成分の、焼成時における相互拡散・反応か抑制される。
もって特性の劣化を防止することができ、電気的な特性
□に優れたコンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板を安
定かつ確実に製造することが可能になるという優れた効
果を発揮する。
□に優れたコンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板を安
定かつ確実に製造することが可能になるという優れた効
果を発揮する。
第１図は、本考案のコンデンサ内蔵セラミック多層絶縁
基板の詳細な断面構造を示す一部断面図、そして第２図
（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び
＜ｇ＞は、上記コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板
の製造方法を示すための製造工程図である。
基板の詳細な断面構造を示す一部断面図、そして第２図
（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）及び
＜ｇ＞は、上記コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板
の製造方法を示すための製造工程図である。
Claims (1)
- 複数のセラミック絶縁層が積層され、上記積層されたセ
ラミック絶縁層の対向する表面上に形成された少なくと
も一対の電極層の間に誘電体を設けることにより、その
内部にコンデンサを形成したコンデンサ内蔵セラミック
多層絶縁基板において、上記内部コンデンサを形成する
上記一対の電極層と上記セラミック絶縁層との間に絶縁
性反応防止層を設けたことを特徴とするコンデンサ内蔵
セラミック多層絶縁基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031490A JPH01206699A (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63031490A JPH01206699A (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01206699A true JPH01206699A (ja) | 1989-08-18 |
Family
ID=12332704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63031490A Pending JPH01206699A (ja) | 1988-02-13 | 1988-02-13 | コンデンサ内蔵セラミック多層絶縁基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01206699A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0732713A2 (en) * | 1995-03-15 | 1996-09-18 | Omron Corporation | Thin film capacitor and hybrid circuit board, and methods of producing same |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188472A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-19 | Fujitsu Ltd | Ceramic printing board |
| JPS59194493A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-05 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ内蔵型セラミツク多層配線基板 |
| JPS6089995A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-20 | 日本電気株式会社 | 複合積層セラミツク部品 |
-
1988
- 1988-02-13 JP JP63031490A patent/JPH01206699A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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