JPH01205960A - 半導体ウエハの位置合わせ装置 - Google Patents

半導体ウエハの位置合わせ装置

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JPH01205960A
JPH01205960A JP63031571A JP3157188A JPH01205960A JP H01205960 A JPH01205960 A JP H01205960A JP 63031571 A JP63031571 A JP 63031571A JP 3157188 A JP3157188 A JP 3157188A JP H01205960 A JPH01205960 A JP H01205960A
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JP
Japan
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image
semiconductor wafer
size
pattern
microscope
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Pending
Application number
JP63031571A
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English (en)
Inventor
Akira Ishihara
明 石原
Matsuro Kanehara
松郎 金原
Toshiyuki Sekido
関戸 俊之
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Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、半導体ウェハに対して何らかの作業を行う機
械系において、半導体ウェハに対する作業に先立ち、半
導体ウェハ全体に対するa vA系の二次元座標の位置
合わせをするのに、機械系に付随して設けられる撮像装
置が撮像した半導体ウェハの素子パターンのパターン認
識をもって行うようにした半導体ウェハの位置合わせ装
置に関する。
〈従来の技術〉 従来のこの種の半導体ウェハの位置合わせ装置において
は、撮像装置によって個々の素子パターンの各ドツトに
おける画像信号(サンプル画像信号)を2値化し、この
サンプル画像の2値データを、予めのティーチングによ
ってメモリに格納していた基準の素子パターンの各ドツ
トついて得られた基準画像の2値データと比較する作業
を多数のサンプル画像について行い、基準画像の2値デ
ータに対して最もよく一致する2値データを有するサン
プル画像を基にして、半導体ウェハ全体に対する機械系
の二次元座標の位置合わせを行っていた。
〈発明が解決しようとする課題〉 従来装置によれば、撮像装置の視野内に複数の素子が存
在する場合には、不適当な素子を基準の素子として選択
することがあり、その結果、位置合わせミスを起こすお
それがあった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、視野内に複数の素子が存在する場合でも、機械系と
半導体ウェハとの相対的位置合わせを正確に行うことが
できるようにすることを目的とする。
く課題を解決するための手段〉 本発明は、このような目的を達成するために、次のよう
な構成をとる。理解を助けるために、発明の構成の一例
を第1図に掲げ、それを参照しながら説明する。
本発明の半導体ウェハの位置合わせ装置は、半導体ウェ
ハ表面上の素子パターンの大きさを記憶する素子サイズ
記憶手段1と、 半導体ウェハ表面上の少なくとも2箇所の素子パターン
を撮像し、画像信号をA/D変換する撮像装r!12と
、 前記撮像装置2が撮像したサンプル画像の多値データを
記憶する第1記憶手段3と、 )!E準再画像多値データを記憶する第2記憶手段4と
、 前記第1記憶手段3から読み出したサンプル画像の多値
データと前記第2記憶手段4から読み出した基準画像の
多値データとを比較する比較手段5と、 複数のサンプル画像について前記のように比較した中で
、予め前記撮像装置の視野内の所定の位置に定められ前
記素子サイズ記憶手段1に記憶されている素子パターン
の大きさに対応して定められた所定の大きさの領域内に
あるサンプル画像であって最も基準画像の多値データと
近位する多値データをもつサンプル画像を判別する判別
手段6と、 この判別によって得られたサンプル画像と撮像装置との
相対的ずれ量について、半導体ウェハ表面に沿ったX方
向ずれ間Δx、Y方向ずれ■Δyおよび半導体ウェハ表
面に対して垂直な軸心まわりのずれ角度Δθを算出する
演3γ手段7と、撮像装置2と半導体ウェハとを、前記
のX方向ずれ量Δx、Y方向ずれ攪Δyおよびずれ角度
Δθだけ相対的に補正移動する位置補正手段8々を備え
たものである。
なお、撮像装置2は、半導体ウェハ表面上の少なくとも
2箇所の素子パターンを撮像するものであればよく、そ
の個数は問わない、すなわち、撮像装置2が1つだけで
、機械的または光学的に撮像位置を変更するものであっ
てもよいし、撮像装r12が複数あってその各々によっ
て別々の素子パターンを個別的に撮像するのでもよい。
また、この構成でいう「素子パターンの大きさ」は広義
のもので、素子パターンを囲む四角形のスクライブライ
ンの中心線を結ぶ四角形の大きさを意味するほか、素子
パターンそのものの面積と等しい大きさを意味したり、
あるいは、それらの大きさから多少の拡II変化をもっ
た大きさを意味する場合もある。
く作用〉 本発明の構成による作用は、次のとおりである。
撮像装置2により素子パターンを撮像し、その画像デー
タを第1記憶手段3に記憶し、比較手段5により第1記
憶手段3から読み出したサンプル画像の多値データと第
2記憶手段4から読み出した基準画像の多値データとを
比較し、判別手段6により、予め撮像装rl12の視野
内の所定の位置に定められ素子サイズ記憶手段1に記憶
されている素子パターンの大きさに対応して定められた
所定の大きさの領域内にあるサンプル画像であって最も
基準画像の多値データと近位する多値データをもつサン
プル画像を判別し、演算手段7によりそのサンプル画像
と撮像装置2との相対的ずれ量を演算し、位置補正手段
8によりそのずれ■を4i1i正する。
すなわち、サンプル画像と撮像装置とのずれ螢の演算の
もとになる基準画像と比較すべきサンプル画像の検索領
域として、視野内の所定の位置に定められ素子パターン
の大きさに対応して定められた所定の大きさの領域を設
定しているから、視野内に複数の素子が存在する場合で
あっても、機械系と半導体ウェハとの相対的な位置合わ
せが正確なものとなる。
〈実施例〉 以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
この実施例は機械系として、半導体ウェハを貼付けた粘
着テープに対してマウント用フレームを貼付ける装置に
適用した場合のものである。
第3回はマウント用フレームの貼付は装置の一部破断の
正面図、第4図はその一部の側面図、第5図は平面図で
ある。
これらの図に示すように、固定ベース11上に半導体ウ
ェハAの搬送方向であるX方向に沿って小距離だけ往復
移動するXテーブル12が配置され、Xテーブル12上
にX方向に対する水平な直角方向であるX方向に沿って
小距離だけ往復移動するYテーブル13が配置されてい
る。
固定ベース11の上面に複数のX方向レール14が固定
され、Xテーブル12の下面にはX方向レール14に係
合するレールガイド15が取り付けられている。
固定ベース11の下面にXテーブル駆動用パルスモータ
16が取り付けられているとともに一対の軸受17.1
8が取り付けられている。軸受17.18間にはスクリ
ュー軸19が軸支され、スクリュー軸19の一端はXテ
ーブル駆動用パルスモータ16の出力軸に連結されてい
る。
スクリュー軸19とともにボールネジを構成するナツト
(図示せず)を保持したナツトケーシング20が固定ベ
ース11に形成された貫通孔を上下に貫通し、その上端
がXテーブル12の下面に取り付けられている。
Xテーブル12上にX方向に沿った複数のX方向レール
21が固定されている。Yテーブル13の下面にはX方
向レール21に係合するレールガイド22が取り付けら
れている。
Xテーブル12の上面の端部にYテーブル駆動用パルス
モータ23が取り付けられているとともに軸受24が取
り付けられている。軸受24’4こはスクリュー軸25
が軸支され、スクリュー軸25の一端はYテーブル駆動
用パルスモータ23の出力軸に連結されている。
スクリュー軸25とともにボールネジを構成するナツト
(図示せず)を保持したナツトケーシング26がYテー
ブル13の上面に取り付けられている。
上面に半導体ウェハΔを載置固定するウェハ・チャック
テーブル27がYテーブル13およびXテーブル12を
貫通して固定ベース11に取り付けられている。
次に、2つのマイクロスコープ51.52およびフレー
ム・チャックテーブル29の昇降機ff130、旋回機
構31およびθ回動機措32について説明する。
まず、昇降機構30について説明する。
第3図に示すように、Yテーブル13の下面に昇降モー
タ33が取り付けられ、この昇降モーフ33は、Xテー
ブル12および固定ベース11に形成された貫通孔を通
して固定ベース】1の下方に突出し°ζいる。
Yテーブル13の上面に支柱34が立設され、この支柱
34の上端板と下端板とに縦方向のスクリュー軸35が
軸支され、このスクリュー軸35の下端が昇降モータ3
3の出力軸に連結されている。
スクリュー軸35とともにボールネジを構成するナツト
(図示せず)を保持したナツトケーシング36ニレール
ガイド37が取り付けられ、このレールガイド37を嵌
合して案内する縦レール38が支柱34に取り付けられ
ている。ナツトケーシング36に支持部材39が連設さ
れ、支持部材39に軸支された回転軸40に旋回部材4
1が固着連設されている。
第5図にも示すように、この旋回部材41に揺動環状枠
42が固定され、揺動環状枠42に回動自在に嵌合され
たθリング43の下面にフレーム・チャックテーブル2
9が固定されているとともに、上面に支柱44aを介し
てスコープステージ台44が固定されている。
次に、旋回機構31について説明すると、ナツトケーシ
ング36に連設された支持部材39の上面に旋回用エア
モータ45が取り付けられ、前記の回転軸40が旋回用
エアモータ45の出力軸に連結されている。
次に、θ回動機構32について説明する。
第5図に示すように、旋回部材41に縦軸まわりに揺動
自在に取り付けた揺動板46と、tL5動板46に軸支
されたスクリュー軸47と、揺動板46に取り付けられ
スクリュー軸47を回転する0回動用パルスモータ48
と、スクリュー軸47に螺合されたナツト49と、この
ナツト49をθリング43に連結する連結板50とから
構成されている。
スコープステージ台44には、Y方向に沿って所定間隔
隔てて第1.第2のマイクロスコープ51゜52が取り
付けられている。
次に、半導体ウェハの位置合わせ装置の要部に係る構成
を第2図のブロック図に示して説明する。
第1マイクロスコープ51の画像信号出力端子は、画像
信号を256階調にA/D変換して8ビット信号として
出力する第1A/D変換器53を介して制御コ四部54
におけるコントローラ55に接続されている。
第2マイクロスコープ52の画像信号出力端子は、画像
信号を256階調にA/D変換して8ビット信号として
出力する第2A/D変IA2′&56を介してコントロ
ーラ55に接続されている。
この第1.第2マイクロスコープ51.52と、第1、
第2のA/D変換器53.56が発明の構成にいう撮像
装置2に相当する。
コントローラ55は、素子パターンの大きさのデータを
予め格納している素子サイズメモリ57と、基準パター
ンについて予めティーチングして得られた基準画像の2
56階調の多値データを格納する基準パターンメモリ5
9と、第1マイクロスコープ51、第2マイクロスコー
プ52から得られるサンプル画像の256階調の多値デ
ータを格納するVRAM(ビデオRAM)60と、モニ
タ用デイスプレィ61と、マイクロコンピュータにおけ
るCPU62とに接続されている。
素子サイズメモリ57が発明の構成にいう素子サイズ記
憶手段1に相当し、VRAM60が発明の構成にいう第
1記憶手段3に相当し、基準パターンメモリ59が第2
記憶手段4に相当する。
制御n部54は、コントローラ55とCPtJ62とか
ら構成されている。CPU(i2は、1M63.RAM
64に接続されているとともに、Xテーブル駆動用パル
スモータ16を駆動するXテーブルドライバ65゜Yテ
ーブル駆動用パルスモータ23を駆動するYテーブルド
ライバ66.0回動用パルスモータ48を駆動するθリ
ングドライバ67および昇降モータ33を駆動するZ方
向ドライバ68に接続されている。
コントローラ55は、ラプラシアン処理部69とパター
ンマンチング部70とを有している。
コントローラ55とCPU62とからなる制御部54が
、発明の構成にいう比較手段51判別手段6゜演算手段
7を含んでいる。また、Xテーブルドライバ65.Yテ
ーブルドライバ66およびθリングドライバ67が発明
の構成にいう位置補正手段8に相当する。
次に、位置合わせの原理を説明する。
■里整 粗調整は半導体ウェハAのY方向スクライブラインSv
 (第7図参照)に対して、両マイクロスコープ51.
52の視野中心どうしを結ぶ直線に対し水平な直角方向
の基準Y方向ラインL、がほぼ平行となるようにθリン
グ43を回動する調整であり、この才■調整は、ラプラ
シアン処理と回転ずれ星検出処理との2段階の処理で行
われる。
■ ラプラシアン処理 マイクロスコープによって撮像して得られたすンプル画
像について局所的微分操作を行うと、画像のエツジのみ
がシャープになる。第6図に一例を挙げる。
図の(A)は原画像■1を示し、(B)はラプラシアン
処理が施された後の2値ラプラシアン画像■2を示す。
エツジは白線eとなってモニタ用デイスプレィ61に映
し出され、その他の部分は全面点になっている(図(A
)、(B)では、都合上、白と黒とを反転して図示しで
ある)。
このラプラシアン処理は、第1マイクロスコープ51に
よる第1ティーチング画面入力位五P1(第9図参照)
での処理と、第2マイクロスコープ52による第2ティ
ーチング画面入力位置P2での処理とを個別的に行う。
■ 回転ずれ量検出処理 これは、■のラプラシアン処理で求めた2値ラプラシア
ン画像を基にして回転ずれ計を検出する処理である。半
導体ウェハAについての2値ラプラシアン画像の一例を
第7図に示す。
まず、角度θ1のサーチラインと2値ラプラシアン画像
の白線eとの交点、すなわち、白のドツトをカウントし
、白点数を得る。
電子的にサーチラインをX方向に1ドツトすらすbW引
を行い、そのサーチラインでの同し角度θ1における白
点数を得る。
以下、同様にしてサーチラインをX方向に1ドツトずつ
1M引し、同じ角度θ1での白点数を順次的に得る。そ
して、角度θ1で得られた複数の白点数のうち最大白点
数Q、を求める。
次いで、電子的にサーチラインを微小なピッチ角Δφだ
けずらしθ2に切り換える。この角度θ2においても前
述と同様の操作を行い、角度θ2での最大白点数Q2を
求める。
以下、順次ピッチ角Δφずつずらし、個々の角度におけ
るサーチラインの掃引を行って、各角度θk (k=1
,2.・・・n)での最大白点数Qkを求める。そして
、最大白点数Q、、Q2.−Q。
のうちの極大値Q11mMを得たときのサーチラインの
角度θ、□を求める。
この極大白点数角度θ□8が、半導体ウェハAのY方向
スクライブラインS、に対するマイクロスコープ側の基
準Y方向ラインL、vのずれ角度である。
この回転ずれ量検出処理も、第1マイクロスコープ51
による第1ティーチング画面入力位gl P +での処
理と、第2マイクロスコープ52による第2ティーチン
グ画面入力位置P2での処理とを個別的に行う。
童叫整 この微調整は、例えば256階調等の多値データを用い
たマツチング法により、予めティーチングされている基
準画像の多値データとサンプル画像の多値データとのマ
ツチングを行い、最もマツチングする位置を求めるもの
である。この微調整は、パターンマツチングと、ずれf
f13γ出と、各ドライバ駆動とからなる。このうち、
パターンマツチングとずれffl算出について説明する
■ パターンマツチング 予め基準パターンメモリ59に格納されている基XVパ
ターン(テンプレートともいう)とサンプルパターンと
の照合を行う、ティーチングによって格納される基準パ
ターンとしては、第8図<B)に示すように、ユニーク
な素子パターンが集中していることの多いスクライプラ
インの交差点に望む4つのIC千ノブの角隅部分のパタ
ーンを選ぶことが多い。この基準パターンの大きさを、
例えばX方向に32ドツト、X方向にも32ドツトとす
る。
第8図(A)に示すように、マツチング画面入力位置の
近傍において、32ドツト×32ドントの大きさの任意
の位置のサンプルパターン画面領域SPについてそのI
ドツトごとの256NffjJUの値と基準パターンに
おける対応した1ドツトごとの256階調の値との差分
を求める。
すなわち、第8図(B)に示す32ドア)X32ドント
の大きさの基<12パターンの構成画素の値をマトリク
ス的に表して、ao、。+aO+1 ・・・ao、31
゜aIIOl aII−…a1.311 ……………a
3■、oIa)L+1・・・a31+31 とする。
また、第8図(A)に示すモニタ用デイスプレィ61に
映し出された画像のうち角隅がらX方向にiドツト、X
方向にjドツトの座標点(i、j)から始まる32ドツ
ト×32ドツトのサンプルパターン画面領域SPの構成
画素の値を7トリクス的に、b(i、j)。、。、  
b(i、j)。1・・・b(i、j)。1,1゜b (
i、j) l+。、  b(i、j)t、t・・・b 
(Lj) l+ 31+ ・・・・・・b (i、j)
 ff++。+  b (t+J) ffl+ 1・・
・b (Lj) 31+ s+とする。そして、位置が
互いに対応するドツトのサンプル画像の多値データと基
準画像の多値データとの差分の絶対値をとり、その差分
の絶対値の合計をする。つまり、マツチング度α(i、
j)として、 を計算する。
例えば、画像の点(i、j)から始まる32ドツト×3
2ドツトの大きさのサンプルパターンのマツチング度α
(i+D は、 α(i、j) = I ao+o −b(Lj) ll
+D  I+ l a 6. +   b (i+3)
 o、+  l +”’十I ao、x+  b(1+
j) o、x+ l+ l  al+o  −b(Lj
)  l+ll  l+ l  a量、+   b(i
+j)  I+I  l +−+ l  a量、x+ 
  b(i+j)  +、ff+ I +−−−十l 
a s量、 o−b (i+3) 21+。1+ I 
a31+l  b(iJ)  x+、+ 1 +−+ 
l  a31+31   b(i+j)  s++x+
  Iとなる。
サンプルパターン画面911域SPをX方向に1ドツト
ずつ掃引していき、それぞれのマツチング度α(i、j
)+α(i+1.3)、α(i+2.j)・・・α(i
+χ正、j)を求める。これらはX方向で1ドツト目の
マツチング度である。
次いで、サンプルパターン画面領域SPをX方向に1ド
ツトずらした状態でX方向に1ドツトずつ掃引していき
、それぞれのマツチング度α(i、j+1)、α(i+
1.j+1)、α(i+2.j+1)・・・α(i+X
t 、j+1)を求める。これらはX方向で2ドツト目
のマツチング度である。
以降、同様に掃引していき、マツチング度α(LJ+ち
 )、α(i+1.j+Y、  L  α(i+2.j
+YJ )  ・・・α(i+X1 、j十ち)を求め
る。これらはX方向でYJドツト目のマツチング度であ
る。
これらのマツチング度α(=)+α(i+1.j)。
α(i+2.j)−a<:+Xt +j) +  cr
(i、j+1)。
α(i+1.j+1)、α(i+2.j+1)−crc
r+Xt  、j+1)  =・−−−・、  (r(
i、j+YJ)、α(i+14+Y、 )、α(i+2
.3+Yj)・・・α(i+Xt 、j+Yj)のうち
最も小さいマツチング度α(1?、S)を求める。
この最小のマツチング度α(R,S)に対応して画像の
一番角隅の点(0,0)からX方向にRドツト。
X方向にSドツト隔てた点(R,S)から始まる32ド
ツト×32ドツトのサンプルパターン画面領域SPのパ
ターンが基準パターンと最も近似している。
もし、マツチング度α(R,S)がOであれば、完全に
基準パターンと一致している。
第1ティーチング画面入力位置Plにおいて第1マイク
ロスコープ51で撮像した基準パターンの画像データを
基準パターンメモリ59に記)αするときに、その第1
ティーチング画面の視野中心のX方向、X方向での座標
データをも記憶しておく。
同様に、第2ティーチング画面入力位置P!において第
2マイクロスコープ52で撮像した基準パターンの画像
データを基準パターンメモリ59に記憶するときに、そ
の第2ティーチング画面の視野中心のX方向、X方向で
の座標データをも記憶しておく。
そして、第1ティーチング画面入力位置P1においてパ
ターンマツチングを行うときには、第1マイクロスコー
プ51を、その視野中心が先に記憶しておいた第1ティ
ーチング画面の視野中心と一致するように位置制御し、
第2ティーチング画面人力位置P2においてパターンマ
ツチングを行うときには、第2マイクロスコープ52を
、その視野中心が先に記憶しておいた第2ティーチング
画面の視野中心と一致するように位置制御する。
加えて、パターンマツチングを行うときには、基準パタ
ーンの位置が第8図(A)においてWlで示されるよう
に、その位ffW1の中心が視野中心と位置するような
関係でパターンマツチングが行われ、その際、素子パタ
ーンの大きさを示す領域W2もその中心が視野中心と位
置するような関係でパターンマツチングが行われる。
したがって、上記の’+  Jの範囲は、第1マイクロ
スコープ51による画像データに対しては、であり、第
2マイクロスコープ52による画像データに対しては、 である。ただし、Vx、Vv、CX、Cvは、第8図(
A)に示すように、それぞれ視野のX方向の大きさ、視
野のX方向の大きさ、素子パターンのX方向の大きさ、
素子パターンのX方向の大きさであり(ただし、素子パ
ターンを囲む四角形のスクライブラインの中心線を結ぶ
四角形の大きさ)、X、、Y、は、それぞれ第1マイク
ロスコープ51による画像データに対してα(11,S
)が最小となる32ドツト×32ドツトのサンプルパタ
ーン画面領域SPの中心と視野中心とのX方向、X方向
のずれ量である。
以上のことから、パターンマツチングのための検索領域
は、最初の32ドツト×32ドツトのサンプルパターン
画面領域SPでの開始点と最終の32ドツト×32ドツ
トのサンプルパターン画面領域SPでの開始点とを結ん
だ線が対角線となるような第8図(A)で−点鎖線で示
した四角形の領域〜v3となる。この四角形の検索領域
W3は素子パターンの大きさ(ただし、素子パターンを
囲む四角形のスクライプラインの中心線を結ぶ四角形の
大きさ)に対応する領域W2とほぼ一致している。
素子パターンの大きさに対応する検索領域w3でのみマ
ツチング度を演算し、最小のマツチング度に対応するサ
ンプルパターン画面領域SPを求めるようにしであるた
め、第8図(C)に例示したように、視野内に複数の素
子E、、E、、・・・・・・El&が存在し、基準パタ
ーンと近似した複数の領域al +  at l ・・
・・・・+a9が存在する場合でも、画面中央付近の領
域a、を基準パターンと一致するサンプルパターン画面
領域SPとして判断することができ、それ以外の領域を
検索することはない。その結果、半導体ウェハAに対す
る機械系(マウント用フレーム貼付は装置)の位置合わ
せを正確に行うことができる。
このようなパターンマツチングの処理は、第1マイクロ
スコープ51による第1テイーチング画面入力位置P、
での処理と、第2マイクロスコープ52による第2ティ
ーチング画面入力位置P2での処理とを個別的に行う。
■ ずれ量算出 最小のマツチング度α(11,3)が0でない場合には
、基準パターンに対するサンプルパターンのX方向での
ずれ量Δx、Y方向でのずれ量Δy、回転方向でのずれ
角度Δθを正確に求める。
第9図に示すように、第1ティーチング画面入力位置P
1において求めた最小マツチング度α。
(R,S)に相当する座標点T、と第1マイクロスコー
プ51の視野中心[J、とのX方向、X方向でのずれ星
をΔX++  Δy1 とする。また、第2ティーチン
グ画面入力位置P2において求めた最小マツチング度α
z (R,S)に相当する座標点T!と第2マイクロス
コープ52の視野中心U2とのX 方向。
X方向でのずれ量をΔXZ+ Δy2とする。
θリング43の中心Oまわりに第1.第2マイクロスコ
ープ51.52を一体としてθリング43とともにΔθ
だけ回転したときの第1.第2マイクロスコープ51.
52の視野中心をそれぞれU、’、U、’とする。次い
で、第1.第2マイクロスコープ51゜52を一体とし
てX方向にΔXだけ移動し、かつ、X方向にΔyだけ移
動すると、第1.第2マイクロスコープ51.52の視
野中心U、、U2はそれぞれ最小マツチング度α、 (
R,S) 、  α、 (p、s)に相当する座標点T
 I、 T zと一致することになる。
Δθ、ΔX、Δyはそれぞれ次の式によって求めること
ができる。
r++rz ΔX””AX+   (r+   r+ CQS Δθ
)・・・・・・(b)Δy=Δy、−resin Δθ
 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・(C)次に、
制御部54の動作を第1θ図のフローチャートに基づい
て説明する。
Xテーブル12.Xテーブル13およびθリング43は
その原点位置に復帰して停止している。予め粘、着テー
プBに貼付けられた半導体ウェハAが前段装置からX方
向に沿って送られてきて、ウェハ・チャックテーブル2
7上で停止し、吸着保持されている。
第1.第2マイクロスコープ51.52による基準パタ
ーンのティーチングがすでに終了しており、それぞれの
基準画像の多値データが基準パターンメモリ59に格納
され、素子パターンの大きさが素子サイズメモリ57に
格納されているとする。
また、フレーム・チャックテーブル29にはマウント用
フレームFが吸着保持され、そのフレーム・チャックテ
ーブル29がθリング43とともにウェハ・チャックテ
ーブル27の真上に位置しているとする。なお、マウン
ト用フレームFの吸着は、旋回機(1ζ31および昇降
機構30の動作によって他所において行われる。
スタート信号によって動作を開始し、ステップS1で、
Z方向ドライバ68を駆動して第1.第2マイクロスコ
ープ51.52を半導体ウェハAに対する合焦位置まで
下降させて停止する。
その下降は、昇降機構30における昇降モータ33を駆
動しスクリュー軸35の回φLに伴うナツトケーシング
36を縦レール38に案内させながら下降さゼることに
より行う、すなわち、ナツトケーシング36が下降する
と、旋回機構31とともに11動環状枠42、θリング
43.θ回動機構32.フレーム・チャックテーブル2
9と一体となって第1.第2マイクロスコープ51.5
2が下降する。
ステップ32〜S23は粗調整のための動作である。
ステップS2で、作業者がモニタ用デイスプレィ61を
見なからXテーブルドライバ65.Xテーブルドライバ
66を駆動して第1マイクロスコープ51をX、X方向
に移動させ、視野が第1ティーチング画面入力位置PI
にくるように操作する。
その移動は次のように行われる。すなわち、Xテーブル
駆動用パルスモータ16を駆動すると、Xテーブル12
がX方向レール14に案内されてX方向に移動する。こ
のときXテーブル13およびXテーブル13上の昇降機
構30.旋回機+g31.  θ回動機構32、θリン
グ43.フレーム・チャックテーブル29゜第2マイク
ロスコープ52とともに第1マイクロスコープ51が移
動する。
また、Xテーブル駆動用パルスモータ23を駆動すると
、Xテーブル13がX方向レール21に案内されてX方
向に移動する。このときも昇降機構30゜旋回機構31
.  θ回動機横32.0リング43.フレーム・チャ
ックテーブル29.第2マイクロスコープ52とともに
第1マイクロスコープ51が移動する。
なお、ウェハ・チャックテーブル27は固定ベース11
に固定されているため、移動せず、半導体ウェハAも一
定位置に保たれる。
ステップS3で、第1テイーチング画面入力位置P、に
おいて第1マイクロスコープ51によりサンプルパター
ンの画像信号を入力し、そのデータに対してラプラシア
ン処理を施して画像のエツジをシャープにする。
ステップ34〜S9は、第1ティーチング画面入力位’
TI P +においての11調整のための回転ずれ星検
出処理である。
ステップS4で、サーチラインのステップ数として角度
0.に対応して“1″をレジスタKにセットする。ステ
ップS5で、サーチラインをX方向に1ドツトずつ掃引
して角度θk (最初はθ1)でのサーチラインについ
ての最大白点数Q−F+初はQ、)を割り出す。
ステップS6で、サーチライン角度θアで得られた最大
白点数Q、が最大かどうかを判断する。
最初は比較するものがないため、最大となり、ステップ
S7に進んでそのときのサーチライン角度θ、での最大
白点数QkをレジスタR1にストアする。
ステップS8で、サーチライン角度のステップ数が所定
値kに達したかどうかを判断し、達していないときはス
テップS9に進んでサーチライン角度のステップ数をプ
ラス1(+1)してレジスタKにストアし、ステップS
5にリターンする。
以降、サーチライン角度のステップ数が所定値kに達す
るまで同様の動作を繰り返す。これによって、各角度θ
、(k=1.2.・・・n)での最大白点数Q、、Q、
、・・・Q6のうちの極大値Qsm+t+を割り出し、
最終的にその極大白点数QIIAX+をレジスタR1に
ストアすることとなる@ QmlX+にサフィクション
の°1°を付したのは、第1ティーチング画面入力位置
P1についてのものだからである。
以上のステップS2〜S9は、第1テイーチング画面人
力位置P、でのin 調整に関しての動作であるが、こ
れと同様の第2ティーチング画面入力位置P2での粗調
整に関する動作を次のステップ310〜S17で行う。
これによって、第2ティーチング画面入力位置P2につ
いての各角度θk  (k=1.2.・・・n)でのI
υ大白点IQ、、Q2.・・・Q、、のうちの)瓶大値
Qヨmx2を割り出し、最終的にその極大白点数Q、□
2をレジスタR2にストアすることとなる。
次のステップ51Bで、レジスタR1の内容とレジスタ
R2の内容とを比較する。すなわち、第1ティーチング
画面入力位置P+での極大白点数Qas□と第2テイー
チング画面入力位T1.P2での極大白点数Qii&X
xとを比較し、大きい方を最終的な極大白点数QMAX
としてレジスタR3にストアする(ステップ519. 
520)。
この最終的な極大白点数Q、□に相当するサーチライン
角度θMAXが、半導体ウェハAにおけるY方向のスク
ライプラインSvに対するマイクロスコープ51.52
側の基準Y方向ラインLvのずれ角度である。
次いで、ステップS21で、最終的な極大白点数QMA
xが所定値以上かどうかを判断し、それより小さいとき
は判断ミスとしてエラー信号を出力してステップS1に
リターンする。
所定値以上のときは、ステップS22に進んで最終的な
極大白点数角度θ□つだけθリング43の角度を1m正
するために0回動用パルスモータ48を駆動制御する。
すなわち、θ回動R措32における0回動用パルスモー
タ48が駆動されてスクリュー軸47が回転するのに伴
ってナツト49が移動する。ナツト49の移動によって
連結板50を介してθリング43がその中心0まわりに
θ□8だけ補正回動される。同時に、第1.第2マイク
ロスコープ51.52とフレーム・チャックテーブル2
9もθリング43と一体的に同一角度だけ回動される。
ステップS23で、補正回転後のX方向、Y方向を新し
いX軸、Y軸として設定する。
ステップS24以降は微調整のための動作である。
ステップS24で、Xテーブルドライバ65.Yテーブ
ルドライバ66を駆動してXテーブル駆動用パルスモー
タ16.  Xテーブル駆動用パルスモータ23により
第1マイクロスコープ51をX、Y方向に移動させ、視
野が第1ティーチング画面入力位置P。
にくるように制flllする。
ステップS25で、第1マイクロスコープ51でサンプ
ルパターンを糧像し、その画像信号を第1A/D変換器
53で256階調の多値データ(8ビツト)に変換し、
その多値データをVRAM60に格納する。
ステップS26で、Xテーブルドライバ65.Yテーブ
ルドライバ66を駆動して第2マイクロスコープ52を
X、Y方向に移動させ、視野が第2ティーチング画面人
力位置P2にくるように制御する。
ステップS27で、第2マイクロスコープ52でサンプ
ルパターンを損保し、その画像信号を第2A/D変換器
56で256階調の多値データ(8ビツト)に変換し、
その多値データをVRAM60に格納する。
次いで、ステップ328で、第1マイクロスコープ51
でIH>られVRAM60に格納しているサンプルパタ
ーンの多値データと基準パターンメモリ59に格納して
いる基串画像の多値データとのマツチングをとり、α1
(Lj)のうち最も小さいマンチング度α+ (R,S
)を求め、第1ティーチング画面入力位置P1でのこの
最小のマツチング度α+ (R,S)に対応した座標点
T、をRAM64に登録する。
ステップS29で最小マツチング度α+ (a、S)が
所定値未満かどうかを判断し、所定値以上であればマツ
チングミスとしてエラー信号を出力する。
所定値未満であればステップS30に進み、第2マイク
ロスコープ52で得られVRAMGOに格納しているサ
ンプルパターンの多値データと3 iB ハターンメモ
リ59に格納している基準画像の多値データとのマツチ
ングをとり、前述と同様に最も小さいマツチング度αz
 (RlS)を求め、第2テイーチング画面入力位置P
、でのこの最小のマツチング度αZ (R,S)に対応
した座標点T2をRAM64に登録する。
ステップ531で最小マツチング度αz (R,S)が
所定値未満かどうかを判断し、所定値以上であればマツ
チングミスとしてエラー信号を出力する。
所定値未満であればステップS32に進む。
ステップS32で、最小マツチング度α+ (R,S)
に対応する座標点T、と第1マイクロスコープ51の視
野中心U、とのX方向、Y方向でのずれ量をΔxl+ 
 Δylを算出する。また、ステップS33で、最小マ
ツチング度α、 (R,S)に対応する座標点T2と第
2マイクロスコープ52の視野中心UtとのX方向、Y
方向でのずれ量をΔx2+ Δy2を算出する。
ステップS34で、ずれ量ΔX++ Δy1およびΔx
2.Δy2から、前述の式(a)、(ロ)、(C)に基
づいて補正すべきずれ量ΔX、Δyおよびずれ角度Δ0
を算出する。
そして、ステップS35で、θ回仙用パルスモータ48
.Xテーブル駆動用パルスモータ16.  Yテーブル
駆動用パルスモータ23を駆動制御してΔθ。
ΔX、Δyの補正移動を行う。
ずなわら、θリング43の中心Oまわりに第1゜第2マ
イクロスコープ51.52およびフレーム・チャックテ
ーブル29を一体としてθリング43とともにΔθだけ
回転するとともに、Xテーブル12をΔXだけ移動し、
かつ、Yテーブル13をΔyだけ移動する。これによっ
て、第1.第2マイクロスコープ51.52の視野中心
U量、UKがそれぞれ最小マツチング度αl (I7.
S) 、  αz (p、s)に対応した座標点T+ 
、Tzと一致することになる。
以上で、半導体ウェハAに対するフレーム・チャックテ
ーブル29の高精度な位置合わせが完了する。
なお、その後、2方向ドライバ68を駆動してフレーム
・チャックテーブル29を下降させ、半導体ウェハAを
貼付けた状態でウェハ・チャックテーブル27に載置さ
れている粘着テープBに対してマウント用フレームFを
貼付ける。これによって、マウント用フレームFが半導
体ウェハAと高精度に位置合わせされた状態でともに粘
着テープBに貼付けられることとなる。
なお、例えば、第11図に示すように、第1ティーチン
グ画面入力位ffPIの視野中心と第2ティーチング画
面入力位置P2の視野中心との距離2が9On+m、第
7図で行ったサーチラインのピッチ角Δφが±0.26
8° とすると、第1ティーチング画面入力位置PIに
おいて最小のマツチング度αI (It、S)をもつ座
標点M1に対する第2ティーチング画面人力位vylp
2において最小のマツチング度αz (R,S)をもつ
座標点MgのY方向のずれ量ΔYMを求めると、 ΔYML−,90xtan(±0.268°)勾±0.
421 mmとなる。したがって、素子パターンの大き
さが1、0 ll1IX 1. Ommであれば、α+
 (RIS)をもつ座標点M1のY座標を含む領域を第
2ティーチング画面入力位置P2でサンプルパターン画
面領域SPとして選択しても、その領域にはα2 (R
,S)をもつ座標点M2が必ず存在することとなる。す
なわち、素子パターンの大きさ力月、0+maX1.O
mmと非常に小さくても、IIl調整による0回動補正
によってθ方向でのピッチずれは含まれないことになり
、充分に対応することができるのである。
なお、上記実施例では、撮像装置2として2つのマイク
ロスコープ51.52を有するものを採用しているが、
本発明は、ティーチング画面入力位置(パターンマツチ
ング位置)が複数あるようにずればよく、したがって、
例えば、単一のマイクロスコープを用いてこれを第1テ
イーチング画面入力位置P、と第2ティーチング画面入
力位置P2との間で移動させるように構成してもよいし
、あるいは、単一のマイクロスコープの位置は固定とし
、第1テイーチング画面入力位置P、の画像がそのマイ
クロスコープに導かれる状態と、第2ティーチング画面
入力位置P2の画像がそのマイクロスコープに導かれる
状態とを光学的に切り換えるように構成してもよい。
また、上記実施例では、発明の構成にいう「予め撮像装
置の視野内の所定の位置に定められ素子サイズ記憶手段
に記憶されている素子パターンの大きさに対応して定め
られた所定の大きさの領域」として、基準パターンの中
心が視野中心に一致し、素子パターンの中心も視野中心
に一致するような関係で定めてあったが、本発明はこれ
に限定するものではなく、視野の全領域における適当な
任意の範囲を設定することができる。
また、上記実施例は、半導体ウェハAを貼付けた粘着テ
ープBに対してマウント用フレームFを貼付けるに当た
って、半導体ウェハAの素子パターンの位置および方向
とマウント用フレームFとの位置および方向とを正確に
位置合わせするものであったが、本発明は、これに限る
ものではない。
例えば、粘着テープBは無関係で半導体ウェハAを単独
で任意の機械系(例えば、スクライブ装置のグイシング
カック)との位置合わせを行うようにしたものも本発明
の実施例である。
また、上記実施例は、半導体ウェハAを貼付けた粘着テ
ープBに対してマウント用フレームFを貼付けるために
半導体ウェハAの方を動かずことがむずかしいので、第
1.第2マイクロスコープ51、 ulと一体的なフレ
ーム・チャックテーブル29をθリング43とともに微
調整移動させたが、第鳳第2マイクロスコープ51.5
2、フレーム・チャックテーブル29を固定式とし、ウ
ェハ・チャックテーブル27をΔX、Δy、Δθだけ微
調整移動させるように構成してもよいことはいうまでも
ない。
さらに、上記実施例では、微調整の前に粗調整を行った
が、そのt■調整に相当する状態が既に得られている半
導体ウェハAに対しては、粗調整を省略してもよい。し
たがって、微調整のみを行うようにしたものも本発明の
実施例である。
〈発明の効果〉 本発明によれば、次の効果が発揮される。
サンプル画像と撮像装置とのずれ量の演1γのもとにな
る基準画像と比較すべきサンプル画像の検索領域として
、視野内の所定の位置に定められ素子パターンの大きさ
に対応して定められた所定の大きさの領域を設定してい
るから、視野内に複数の素子が存在する場合であっても
、機械系と半導体ウェハとの相対的な位置合わせを正確
に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の構成の一例を示すブロック図である。 第2図ないし第11図は本発明の実施例に係り、第2図
は半導体ウェハの位置合ね一任装置の要部に係る構成を
示すブロック図、第3図はマウント用フレームの貼付は
装置の一部破断の正面図、第・1図はその一部の側面図
、第5図は平面図、第6図はラプラシアン処理の説明図
、第7図は半導体ウェハについての2値ラプラシアン画
像の一例を示す圓、第8図の(A)はティーチング画面
を示す図、(B)は基準パターンを示す図、(C)は複
数の素子が視野内に存在するマツチング画面を示す図、
第9図は基準パターンに対するサンプルパターンのX方
向ずれ量、X方向ずれ■および回転方向でのずれ角度の
求め方の説明図、第10図は動作説明に供するフローチ
ャート、第11図は素子パターンの大きさが非常に小さ
い場合であっても第1ティーチング画面で求めたパター
ンマツチングの領域が、第2ティーチング画面における
パターンマツチングの領域と一致することを示す説明図
である。 1・・・素子サイズ記憶手段 2・・・撮像装置 3・・・第1記憶手段 4・・・第2記憶手段 5・・・比較手段 6・・・判別手段 7・・・演算手段 8・・・位置補正手段 12・・・Xテーブル 13・・・Xテーブル 16・・・Xテーブル駆動用パルスモータ23・・・X
テーブル駆動用パルスモータ43・・・θリング 48・・・0回動用パルスモータ 51・・・m1マイクロスコープ 52・・・第2マイクロスコープ 53・・・第1A/D変換器 54・・・制御部 55・・・コントローラ 56・・・第2A/D変換器 57・・・素子サイズメモリ 59・・・基率パターンメモリ 60・V RA M 62・・・CPU 65・・・Xテーブルドライバ 66・・・Xテーブルドライバ 67・・・θリングドライバ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体ウェハ表面上の素子パターンの大きさを記
    憶する素子サイズ記憶手段と、 半導体ウェハ表面上の少なくとも2箇所の素子パターン
    を撮像し、画像信号をA/D変換する撮像装置と、 前記撮像装置が撮像したサンプル画像の多値データを記
    憶する第1記憶手段と、 基準画像の多値データを記憶する第2記憶手段と、 前記第1記憶手段から読み出したサンプル画像の多値デ
    ータと前記第2記憶手段から読み出した基準画像の多値
    データとを比較する比較手段と、複数のサンプル画像に
    ついて前記のように比較した中で、予め前記撮像装置の
    視野内の所定の位置に定められ前記素子サイズ記憶手段
    に記憶されている素子パターンの大きさに対応して定め
    られた所定の大きさの領域内にあるサンプル画像であっ
    て最も基準画像の多値データと近似する多値データをも
    つサンプル画像を判別する判別手段と、この判別によっ
    て得られたサンプル画像と撮像装置との相対的ずれ量に
    ついて、半導体ウェハ表面に沿ったX方向ずれ量、Y方
    向ずれ量および半導体ウェハ表面に対して垂直な軸心ま
    わりのずれ角度を算出する演算手段と、 撮像装置と半導体ウェハとを、前記のX方向ずれ量、Y
    方向ずれ量およびずれ角度だけ相対的に補正移動する位
    置補正手段 とを備えた半導体ウェハの位置合わせ装置。
JP63031571A 1988-02-12 1988-02-12 半導体ウエハの位置合わせ装置 Pending JPH01205960A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384948A (ja) * 1989-08-29 1991-04-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd アライメント方法並びにその装置
JP2007214388A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Shimadzu Corp 結晶化装置、および位置決めステージ
JP2018006618A (ja) * 2016-07-05 2018-01-11 株式会社ディスコ 拡張装置及び拡張方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0384948A (ja) * 1989-08-29 1991-04-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd アライメント方法並びにその装置
JP2007214388A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Shimadzu Corp 結晶化装置、および位置決めステージ
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