JPH0120512B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0120512B2
JPH0120512B2 JP20578182A JP20578182A JPH0120512B2 JP H0120512 B2 JPH0120512 B2 JP H0120512B2 JP 20578182 A JP20578182 A JP 20578182A JP 20578182 A JP20578182 A JP 20578182A JP H0120512 B2 JPH0120512 B2 JP H0120512B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
data
address
bits
latch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP20578182A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5996581A (en
Inventor
Kazuaki Sakurai
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokogawa Electric Corp
Original Assignee
Yokogawa Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokogawa Electric Corp filed Critical Yokogawa Electric Corp
Priority to JP57205781A priority Critical patent/JPS5996581A/en
Publication of JPS5996581A publication Critical patent/JPS5996581A/en
Publication of JPH0120512B2 publication Critical patent/JPH0120512B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store

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  • Debugging And Monitoring (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、メモリ装置に関するものであつて、
詳しくは、サンプルクロツクに従つてサンプルデ
ータをメモリに書き込むように構成された装置の
改良に関するものであり、メモリのメモリ領域を
有効に利用できるようにしたものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a memory device, and includes:
More particularly, the present invention relates to an improvement in an apparatus configured to write sample data to a memory in accordance with a sample clock, and to make effective use of the memory area of the memory.

第1図は、従来の装置の一例を示すブロツク図
であつて、ロジツクアナライザの一部を示したも
のであり、DL1はラツチ回路、SM1はメモリ、
PG1はパルス発生回路、AC1はアドレスカウンタ
である。ラツチ回路DL1は、サンプルクロツク
SCLの後縁によりサンプルデータDの全ビツトを
ラツチし、ラツチしたデータDをメモリSM1及び
他の制御系に送出する。パルス発生回路PG1は、
サンプルクロツクSCLに従つて書き込みパルス
WRを発生するものであつて、書き込みパルス
WRはメモリSM1及びアドレスカウンタAC1に送
出される。メモリSM1は、サンプルデータDのビ
ツト数に対応したデータ幅及びサンプルデータD
のサンプル数にタ十分なメモリ領域を有するもの
である。アドレスカウンタAC1は、メモリSM1
メモリアドレスAを送出するものであつて、1回
のサンプルデータDの書き込みが完了する毎にメ
モリアドレスAを更新する。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a conventional device, showing a part of a logic analyzer, in which DL 1 is a latch circuit, SM 1 is a memory,
PG 1 is a pulse generation circuit, and AC 1 is an address counter. Latch circuit DL 1 is the sample clock
All bits of the sample data D are latched by the trailing edge of SCL, and the latched data D is sent to the memory SM1 and other control systems. Pulse generation circuit PG 1 is
Write pulse according to sample clock SCL
A write pulse that generates WR.
WR is sent to memory SM1 and address counter AC1 . The memory SM 1 has a data width corresponding to the number of bits of the sample data D and a data width corresponding to the number of bits of the sample data D.
The memory area is sufficient for the number of samples. The address counter AC 1 sends the memory address A to the memory SM 1 , and updates the memory address A every time one write of the sample data D is completed.

第2図は、このような第1図の動作を示すタイ
ムチヤートであつて、aはサンプルクロツク
SCL、bはサンプルデータD、cは書き込みパル
スWR、dはメモリアドレスAである。サンプル
データDはサンプルクロツクSCLの後縁に対応し
た時刻t1にラツチ回路DL1にラツチされ、ラツチ
されたサンプルデータDは書き込みパルスWRの
後縁に対応した時刻t2にメモリアドレスAに従つ
てメモリSM1に書き込まれる。
FIG. 2 is a time chart showing the operation of FIG. 1, where a is the sample clock.
SCL, b is sample data D, c is write pulse WR, and d is memory address A. Sample data D is latched in latch circuit DL 1 at time t 1 corresponding to the trailing edge of sample clock SCL, and latched sample data D is transferred to memory address A at time t 2 corresponding to the trailing edge of write pulse WR. It is therefore written to memory SM 1 .

ところで、このような装置では、メモリSM1
してサンプルデータDの全ビツト数に対応したデ
ータ幅(例えば40ビツトの場合には4ビツト構成
のメモリを10個並列接続したもの)を準備しなけ
ればならないが、データサンプル数がメモリSM1
のアドレス数に比べて少ない場合(例えばデータ
サンプル数が最大256個に対してアドレス数が
1000個)にはメモリの利用効率は相当低い値にな
つてしまう。
By the way, in such a device, the memory SM 1 must have a data width corresponding to the total number of bits of the sample data D (for example, in the case of 40 bits, ten 4-bit memories are connected in parallel). However, the number of data samples is memory SM 1
If the number of addresses is small compared to the number of addresses (for example, the number of data samples is 256 maximum, but the number of addresses is
1000), the memory usage efficiency becomes a considerably low value.

本発明は、このような点に着目し、メモリへの
サンプルデータの書き込みを時分割で行うように
してメモリの利用効率を高めるようにしたもので
ある。
The present invention focuses on such points and improves memory usage efficiency by writing sample data into memory in a time-sharing manner.

以下、図面を用いて詳細説明する。 A detailed explanation will be given below with reference to the drawings.

第3図は、本発明の一実施例を示すブロツク図
であつて、ロジツクアナライザに適用した例を示
したものであり、DL2,DL3はラツチ回路、
MPXはマルチプレクサ、SM2はメモリ、PG2
パルス発生回路、AC2はアドレスカウンタであ
る。
FIG. 3 is a block diagram showing one embodiment of the present invention, and shows an example applied to a logic analyzer, in which DL 2 and DL 3 are latch circuits,
MPX is a multiplexer, SM 2 is a memory, PG 2 is a pulse generation circuit, and AC 2 is an address counter.

ラツチ回路DL2,DL3は、サンプルクロツク
SCLの後縁によりそれぞれに入力されるサンプル
データDa,Dbの全ビツトをラツチし、ラツチし
たデータDa,DbをマルチプレクサMPX及び他
の制御系に送出する。パルス発生回路PG2は、サ
ンプルクロツクSCLに従つて書き込みパルスWR
を発生するものであつて、本実施例の場合には連
続した2個のパルスを発生する。この書き込みパ
ルスWRは、メモリSM2及びアドレスカウンタ
AC2に送出される。マルチプレクサMPXは、各
ラツチ回路DL2,DL3にラツチされたデータDa,
Dbをラツチ回路単位で選択し、出力データDcと
してメモリSM2に送出するものである。メモリ
SM2は、データ幅として少なくともマルチプレク
サMPXから送出されるデータDcの最大ビツト数
に応じたビツト数を有し、アドレスとして少なく
ともデータサンプル数の2倍を有するメモリ領域
のものを用いる。例えば、サンプルデータDa,
Dbがそれぞれ20ビツト構成とすると、4ビツト
構成のメモリを5個並列接続したものを用いれば
よい。アドレスカウンタAC2は、メモリSM2にメ
モリアドレスAを送出すると共にマルチプレクサ
MPXに切換信号Scを送出するものである。本実
施例では、アドレスカウンタAC2のLSBを切換信
号Scとして用いると共にメモリアドレスAの切
換信号としても用いている。
Latch circuits DL 2 and DL 3 are sample clocks.
All bits of the sample data Da and Db inputted by the trailing edge of SCL are latched, and the latched data Da and Db are sent to the multiplexer MPX and other control systems. Pulse generator circuit PG 2 generates write pulse WR according to sample clock SCL.
In this embodiment, two consecutive pulses are generated. This write pulse WR is used for memory SM 2 and address counter
Sent to AC 2 . The multiplexer MPX outputs the data Da, latched in each latch circuit DL 2 , DL 3 .
Db is selected for each latch circuit and sent to the memory SM2 as output data Dc. memory
SM 2 has a data width corresponding to at least the maximum number of bits of the data Dc sent from the multiplexer MPX, and uses a memory area having at least twice the number of data samples as an address. For example, sample data Da,
If each Db has a 20-bit configuration, five 4-bit memories connected in parallel may be used. The address counter AC 2 sends the memory address A to the memory SM 2 and also sends the memory address A to the multiplexer.
It sends a switching signal Sc to the MPX. In this embodiment, the LSB of the address counter AC2 is used as the switching signal Sc, and is also used as the switching signal of the memory address A.

第4図は、このような第3図の動作を示すタイ
ムチヤートであつて、aはサンプルクロツク
SCL、bはサンプルデータDa,Db、cは書き込
みパルスWR、dはメモリアドレスAである。サ
ンプルデータDa,DbはサンプルクロツクSCLの
後縁に対応した時刻t1にそれぞれラツチ回路
DL2,DL3にラツチされ、これらラツチされたサ
ンプルデータDa,DbはマルチプレクサMPXを
介してラツチ回路単位でサンプルデータDcとし
てメモリSM2に送出される。そしてマルチサンプ
ルMPXから送出されるサンプルデータDcは、連
続した2個のパルスよりなる書き込みパルスWR
の後縁に対応した時刻t2,t3にそれぞれメモリア
ドレスAに従つてメモリSM2に書き込まれる。
FIG. 4 is a time chart showing the operation of FIG. 3, where a is the sample clock.
SCL, b is sample data Da, Db, c is write pulse WR, and d is memory address A. The sample data Da and Db are each set to the latch circuit at time t1 corresponding to the trailing edge of the sample clock SCL.
The latched sample data Da and Db are latched in DL 2 and DL 3 , and sent to the memory SM 2 as sample data Dc in units of latch circuits via the multiplexer MPX. The sample data Dc sent from the multi-sample MPX is a write pulse WR consisting of two consecutive pulses.
are written to the memory SM 2 according to the memory address A at times t 2 and t 3 corresponding to the trailing edge of .

このような構成によれば、従来の構成に比べて
メモリ領域の利用効率を2倍高めることができ、
メモリ数を減らすことができる。
According to such a configuration, the memory area usage efficiency can be doubled compared to the conventional configuration.
The number of memory can be reduced.

なお、上記実施例では、それぞれ20ビツトで構
成される2系列のデータを扱う例について説明し
たが、これに限るものではなく、異なるビツト構
成の複数m系列のデータを扱うこともできる。こ
の場合、ラツチ回路をm個設け、メモリとしては
少なくとも最大ビツト構成に対応したnビツトの
データ幅と少なくともデータサンプル数のm倍の
アドレスに対応したメモリ領域を有するものを用
い、マルチプレクサでラツチ回路単位で選択的に
ラツチされたデータをメモリに送出すればよい。
このような構成によれば、メモリの利用効率を従
来例に比べてm倍高めることができる。
In the above embodiment, an example was explained in which two series of data each consisting of 20 bits are handled, but the present invention is not limited to this, and it is also possible to handle a plurality of m series of data with different bit configurations. In this case, m latch circuits are provided, a memory having a data width of at least n bits corresponding to the maximum bit configuration and a memory area corresponding to at least m times the number of data samples is used, and a multiplexer is used to connect the latch circuits. It is sufficient to send the data selectively latched in units to the memory.
According to such a configuration, the memory usage efficiency can be increased by m times compared to the conventional example.

以上説明したように、本発明によれば、メモリ
の利用効率の高いメモリ装置が実現でき、各種の
電子機器のメモリ装置として実用上の効果は大き
い。
As described above, according to the present invention, a memory device with high memory utilization efficiency can be realized, and the practical effect is great as a memory device for various electronic devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の装置の一例を示すブロツク図、
第2図は第1図の動作を示すタイムチヤート、第
3図は本発明の一実施例を示すブロツク図、第4
図は第3図の動作を示すタイムチヤートである。 DL……ラツチ回路、MPX……マルチプレク
サ、PG……パルス発生回路、SM……メモリ、
AC……アドレスカウンタ。
FIG. 1 is a block diagram showing an example of a conventional device.
FIG. 2 is a time chart showing the operation of FIG. 1, FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG.
The figure is a time chart showing the operation of FIG. 3. DL...Latch circuit, MPX...Multiplexer, PG...Pulse generation circuit, SM...Memory,
AC...Address counter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 最大nビツトで構成される複数m系列のデー
タを共通のサンプルクロツクに従つて同時にラツ
チする複数m個のラツチ回路と、少なくともnビ
ツトのデータ幅を有し少なくともデータサンプル
数のm倍のアドレスに対応したメモリ領域を有す
るメモリと、各ラツチ回路にラツチされたデータ
をラツチ回路単位で選択的にメモリに送出するマ
ルチプレクサと、サンプルクロツク毎に複数m個
の連続した書き込みパルスを発生するパルス発生
回路と、書き込みパルスを計数してアドレス信号
を発生するアドレスカウンタとからなり、メモリ
への複数m系列のデータの書き込みを時分割で行
うことを特徴とするメモリ装置。
1 A plurality of m latch circuits that simultaneously latch a plurality of m sequences of data each consisting of a maximum of n bits according to a common sample clock, and a latch circuit that has a data width of at least n bits and is at least m times the number of data samples. A memory having a memory area corresponding to an address, a multiplexer that selectively sends the data latched in each latch circuit to the memory in latch circuit units, and a plurality of m continuous write pulses generated every sample clock. A memory device comprising a pulse generation circuit and an address counter that counts write pulses and generates an address signal, and writes a plurality of m sequences of data to a memory in a time-division manner.
JP57205781A 1982-11-24 1982-11-24 Memory device Granted JPS5996581A (en)

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