JPH01203492A - Ｌｕ―Ｇｄ―Ｙ系蛍光体及びその製造方法 - Google Patents
Ｌｕ―Ｇｄ―Ｙ系蛍光体及びその製造方法Info
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- JPH01203492A JPH01203492A JP63324734A JP32473488A JPH01203492A JP H01203492 A JPH01203492 A JP H01203492A JP 63324734 A JP63324734 A JP 63324734A JP 32473488 A JP32473488 A JP 32473488A JP H01203492 A JPH01203492 A JP H01203492A
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-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、硬（ｈａｒｄ）放射線を可視光へ変換するた
めの蛍光体（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）、その蛍光体を製造す
るための方法及び直接放射線写真のための変換スクリー
ンに前記蛍光体を使用することに関する。
めの蛍光体（ｐｈｏｓｐｈｏｒ）、その蛍光体を製造す
るための方法及び直接放射線写真のための変換スクリー
ンに前記蛍光体を使用することに関する。
元素イオン（賦活剤）で賦活された無機化合物（ホスト
）からなる成るルミネッセンス物質（／蛍光体Ｊ）は、
Ｘ線、陰極線、紫外線のような硬放射線又は高エネルギ
ー輻射線に露出すると光を発する（これは通常可視光で
あるが、赤外線であることもあり、一般に、軟又は低エ
ネルギー輻射線と呼ばれている）。
）からなる成るルミネッセンス物質（／蛍光体Ｊ）は、
Ｘ線、陰極線、紫外線のような硬放射線又は高エネルギ
ー輻射線に露出すると光を発する（これは通常可視光で
あるが、赤外線であることもあり、一般に、軟又は低エ
ネルギー輻射線と呼ばれている）。
軟輻射線放射は、直接放射、即ち蛍光体がまだ照射され
ている問に光を放出するか、又は光励起放射、即ち照射
された蛍光体が、適当な励起光によって励起された時、
光を放出することである。
ている問に光を放出するか、又は光励起放射、即ち照射
された蛍光体が、適当な励起光によって励起された時、
光を放出することである。
これらの蛍光体は種々の用途を有する。特に、陰極線管
（ＣＲＴ）、直接レントゲン写真のための変換スクリー
ン及びＵＶランプのための変換裏塗りには、直接放射蛍
光体が用いられる。デジタル放射線写真のための記憶パ
ネル及び線量計測には、光励起放射蛍光体が用いられる
。
（ＣＲＴ）、直接レントゲン写真のための変換スクリー
ン及びＵＶランプのための変換裏塗りには、直接放射蛍
光体が用いられる。デジタル放射線写真のための記憶パ
ネル及び線量計測には、光励起放射蛍光体が用いられる
。
蛍光体によって放出された軟輻射線の強度は、光スペク
トルの全体に亘って同じではない、各蛍光体は、それ自
身に特有の発光スペクトルを有し、それはその蛍光体に
典型的な一つ以上のピーク及び（又は）帯域を有する。
トルの全体に亘って同じではない、各蛍光体は、それ自
身に特有の発光スペクトルを有し、それはその蛍光体に
典型的な一つ以上のピーク及び（又は）帯域を有する。
蛍光体の性能は、放出された光の強度と硬放射線の強度
との比率であるそのルミネッセンスによって一般に評価
される。それは全ルミネッセンスとして（その場合には
光スペクトル全体に亘る発光強度が考慮される）、又は
帯域ルミネッセンスとして（この場合にはスペクトルの
、成る数の帯域で放出された光の強度が考慮される）評
価することができる。
との比率であるそのルミネッセンスによって一般に評価
される。それは全ルミネッセンスとして（その場合には
光スペクトル全体に亘る発光強度が考慮される）、又は
帯域ルミネッセンスとして（この場合にはスペクトルの
、成る数の帯域で放出された光の強度が考慮される）評
価することができる。
一般的に言って全ルミネッセンスは、ＣＲＴ用途にとっ
て重要な因子である。何故なら放出した光が人間の目で
検出できるからである。それに対し、放射線写真用とし
て適切なルミネッセンスは、放出された光を検出するた
めの蛍光体スクリーン又はパネルに結合された写真フィ
ルム（直接放射線写真）又は光検出器（デジタル放射線
写真）のいずれかの−層高い感度の帯域中にあるルミネ
ッセンスである。
て重要な因子である。何故なら放出した光が人間の目で
検出できるからである。それに対し、放射線写真用とし
て適切なルミネッセンスは、放出された光を検出するた
めの蛍光体スクリーン又はパネルに結合された写真フィ
ルム（直接放射線写真）又は光検出器（デジタル放射線
写真）のいずれかの−層高い感度の帯域中にあるルミネ
ッセンスである。
従って、この分野での一般的な仕事は、−層効率的な蛍
光体、即ち、あり得る最も高いルミネッセンスを有する
蛍光体を見出だすことである。
光体、即ち、あり得る最も高いルミネッセンスを有する
蛍光体を見出だすことである。
当分野で知られている直接放射蛍光体の中で最も効率的
なものは、テルビウム賦活ガドリニウムオキシ硫化物（
Ｇ ｄ２０２ Ｓ ： Ｔ ｂ）、ユーロピウム賦活バ
リウム フルオロクロライド（ＢａＦＣｌ：Ｅｕ）、タ
ングステン酸カルシウム（ＣａＷ Ｏ４）、ニオブ賦活
タンタル酸イツトリウム（Ｙ Ｔ ａｏ ４ ： Ｎ
ｂ）、テルビウム賦活タンタル酸ガドリニウム（Ｇ ｄ
Ｔ ５１０４ ：Ｔｂ）であると一般に考えられている
。
なものは、テルビウム賦活ガドリニウムオキシ硫化物（
Ｇ ｄ２０２ Ｓ ： Ｔ ｂ）、ユーロピウム賦活バ
リウム フルオロクロライド（ＢａＦＣｌ：Ｅｕ）、タ
ングステン酸カルシウム（ＣａＷ Ｏ４）、ニオブ賦活
タンタル酸イツトリウム（Ｙ Ｔ ａｏ ４ ： Ｎ
ｂ）、テルビウム賦活タンタル酸ガドリニウム（Ｇ ｄ
Ｔ ５１０４ ：Ｔｂ）であると一般に考えられている
。
これらの蛍光体は全て青又は青−緑の光の領域で特に発
光する。
光する。
次の原料を用いて（混合、敵側の添加、焼成、粉砕、洗
浄、乾燥、篩い分は等の後）得られた蛍光体の如き他の
直接放射蛍光体が特許文献から知られている：酸化イツ
トリウム、二酸化珪素、酸化テルビウム、酸化ジスプロ
シウム又は酸化プラセオジム、酸化バリウム（特願昭５
９−１９３９８３号明細書参照）；これらの蛍光体はイ
ツトリウム／ジスプロシウム又はイツトリウム／プラセ
オジム珪酸塩構造をもつはずであるが、このことは上記
特許出願には充分には明らかにされていない。
浄、乾燥、篩い分は等の後）得られた蛍光体の如き他の
直接放射蛍光体が特許文献から知られている：酸化イツ
トリウム、二酸化珪素、酸化テルビウム、酸化ジスプロ
シウム又は酸化プラセオジム、酸化バリウム（特願昭５
９−１９３９８３号明細書参照）；これらの蛍光体はイ
ツトリウム／ジスプロシウム又はイツトリウム／プラセ
オジム珪酸塩構造をもつはずであるが、このことは上記
特許出願には充分には明らかにされていない。
テルビウム及び（又は）セリウム賦活ルテチウム−ガド
リニウム−イットリウム珪酸塩から構成された蛍光体は
、硬放射線で励起すると高いルミネッセンスを示すこと
が見出だされた。
リニウム−イットリウム珪酸塩から構成された蛍光体は
、硬放射線で励起すると高いルミネッセンスを示すこと
が見出だされた。
本発明の蛍光体は、輻射線記録及び再生方法に有用であ
る。特に、本発明の蛍光体は、Ｘ線放射線像を記録及び
再生するための直接レントゲン写真法に有用である。
る。特に、本発明の蛍光体は、Ｘ線放射線像を記録及び
再生するための直接レントゲン写真法に有用である。
本発明は、テルビウム及び（又は）セリウム賦活三元系
ルテチウム−ガドリニウム−イットリウム珪酸塩である
ことを特徴とする蛍光体に関する。
ルテチウム−ガドリニウム−イットリウム珪酸塩である
ことを特徴とする蛍光体に関する。
通常珪酸塩として簡単に定義されるそれら化合物は、少
なくとも二つの異なった構造二所謂アパタイト型（ａｐ
ａｔｈｉｔｉｃ）構造と所謂オルト珪酸塩型構造：を有
することに注意することが重要である。
なくとも二つの異なった構造二所謂アパタイト型（ａｐ
ａｔｈｉｔｉｃ）構造と所謂オルト珪酸塩型構造：を有
することに注意することが重要である。
適当な慣用的な方法のいずれかによって認めることがで
きるそれら二つの構造は、異なった結晶構造（アパタイ
ト型は六方晶系、オルト珪酸塩型は単斜晶系）を有し、
元素の比率も異なっている。
きるそれら二つの構造は、異なった結晶構造（アパタイ
ト型は六方晶系、オルト珪酸塩型は単斜晶系）を有し、
元素の比率も異なっている。
従って、二つの構造をただ一つの式によって同定するこ
とは出来ないであろう１例えば、珪酸ガドリニウムの二
つの構造はＧｄ＋ 、ｓｓＳ ｉｏ ４．２３（アパタ
イト型）及びＧ ｄ２Ｓ ｉ Ｏｓ （オルト珪酸塩型
）として同定される。
とは出来ないであろう１例えば、珪酸ガドリニウムの二
つの構造はＧｄ＋ 、ｓｓＳ ｉｏ ４．２３（アパタ
イト型）及びＧ ｄ２Ｓ ｉ Ｏｓ （オルト珪酸塩型
）として同定される。
オルト珪酸塩型槽遺体は最も良い性能を示し、従って、
本発明にとって好ましいものである。以下の記載では、
本発明のその好ましい蛍光体を示すのに、オルト珪酸塩
と言う用語だけを用いるが、アパタイト型構造を有する
蛍光体が少量、例えば、２０％より少なく、好ましくは
１０％より少ない量でることにする。
本発明にとって好ましいものである。以下の記載では、
本発明のその好ましい蛍光体を示すのに、オルト珪酸塩
と言う用語だけを用いるが、アパタイト型構造を有する
蛍光体が少量、例えば、２０％より少なく、好ましくは
１０％より少ない量でることにする。
好ましくは、本発明は、 次の式：
％式％
（式中１．＋、＋、＝１．０＜、＜１、Ｏ＜、＜１．０
く、く１．０≦ａ≦０．３．０≦ｂ＜０．０１及びａ＋
ｂ≠０である） によって表される三元系ルテチウム−ガドリニウム−イ
ットリウム オルト珪酸塩がら選択された蛍光体に関す
る。
く、く１．０≦ａ≦０．３．０≦ｂ＜０．０１及びａ＋
ｂ≠０である） によって表される三元系ルテチウム−ガドリニウム−イ
ットリウム オルト珪酸塩がら選択された蛍光体に関す
る。
これら蛍光体の試料はＸ線照射により試験すると、３６
０〜４６０ｎＩｌ、４８（１−４９５ｎ−及び４９５〜
５６０ｎ−の範囲で三つのルミネッセンス帯域が測定さ
れており、それらは、夫々、紫ルミネッセンス、青ルミ
ネッセンス及び緑ルミネッセンスとして言及されるが、
又は紫、青及び緑Ｘ ＲＬ （Ｘ−Ｒａｙ Ｌｕｍ１ｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）として言及する。
０〜４６０ｎＩｌ、４８（１−４９５ｎ−及び４９５〜
５６０ｎ−の範囲で三つのルミネッセンス帯域が測定さ
れており、それらは、夫々、紫ルミネッセンス、青ルミ
ネッセンス及び緑ルミネッセンスとして言及されるが、
又は紫、青及び緑Ｘ ＲＬ （Ｘ−Ｒａｙ Ｌｕｍ１ｎ
ｅｓｃｅｎｃｅ）として言及する。
一般に、本発明の蛍光体の発光スペクトルは、約４５０
．４１６．３８７ｎ閤でのピーク（それらの振幅はテル
ビウムを添加することにより減少する）、約５４５．４
８フＩでのピーク（それらの振幅はテルビウムを添加す
ることにより急速に増大する）及び５５０ｉｍと３５０
ｎｍとの間の帯域（その振幅はセリウムを添加すること
により増大する）を示す、Ｔｂ及びＣｅの帯域及びピー
クは何等顕著な相互効果をもっことなく単に互いに重な
っていると思われる。
．４１６．３８７ｎ閤でのピーク（それらの振幅はテル
ビウムを添加することにより減少する）、約５４５．４
８フＩでのピーク（それらの振幅はテルビウムを添加す
ることにより急速に増大する）及び５５０ｉｍと３５０
ｎｍとの間の帯域（その振幅はセリウムを添加すること
により増大する）を示す、Ｔｂ及びＣｅの帯域及びピー
クは何等顕著な相互効果をもっことなく単に互いに重な
っていると思われる。
ルテチウム、ガドリニウム、イツトリウム、テルビウム
及びセリウムの量は、０．０５≦ｘ≦０．９．０．０５
≦ｘ≦０．９．０．０５５ｉ；、≦０．９．０．００１
≦ａ≦０．２．０≦ｂ≦０．０１の関係を満足するよう
な量であるのが好ましい。
及びセリウムの量は、０．０５≦ｘ≦０．９．０．０５
≦ｘ≦０．９．０．０５５ｉ；、≦０．９．０．００１
≦ａ≦０．２．０≦ｂ≦０．０１の関係を満足するよう
な量であるのが好ましい。
一層好ましくは、それらの量は、０．１５≦８≦０．４
５．０．１５≦ｘ≦０．４５．０．１５≦８≦０．４５
．０．０１≦ａ≦０．２．０．０００８≦ｂ≦０．００
１２の関係を満足するような量である。
５．０．１５≦ｘ≦０．４５．０．１５≦８≦０．４５
．０．０１≦ａ≦０．２．０．０００８≦ｂ≦０．００
１２の関係を満足するような量である。
この種類の蛍光体は実際に優れた紫ＸＲＬ及び良好な青
及びｊ！ＸＲＬを示すことが見出されている。
及びｊ！ＸＲＬを示すことが見出されている。
数値は実施例に与えられている。
ルテチウム、ガドリニウム及びイツトリウムの酸化物及
びテルビウム及び（又は）セリウムの酸化物を希硝酸に
溶解することにより溶液を調製した。
びテルビウム及び（又は）セリウムの酸化物を希硝酸に
溶解することにより溶液を調製した。
その溶液をテトラエチルオルトシリケート（ＴＥ０１）
及びアルコール（例えばエタノール）と−緒に完全に混
合した。
及びアルコール（例えばエタノール）と−緒に完全に混
合した。
次に、過剰の２５％希アンモニアを添加することにより
ゲルを形成させた。そのゲルを、約フＯ℃で数日間乾燥
し、（例えば適当なミル又はめのう乳鉢で粉砕した後）
耐熱性坩堝（例えばアルミナ又は石英坩堝）に入れて、
空気中、又は出来ればアルゴン、窒素、窒素・水素、又
は窒素・炭素酸化物の雰囲気中で徐々に温度を上昇させ
（１４００〜１６００℃まで）何回か加熱することによ
り最終的に焼成する。
ゲルを形成させた。そのゲルを、約フＯ℃で数日間乾燥
し、（例えば適当なミル又はめのう乳鉢で粉砕した後）
耐熱性坩堝（例えばアルミナ又は石英坩堝）に入れて、
空気中、又は出来ればアルゴン、窒素、窒素・水素、又
は窒素・炭素酸化物の雰囲気中で徐々に温度を上昇させ
（１４００〜１６００℃まで）何回か加熱することによ
り最終的に焼成する。
次の実施例に報告するように、異なった量の原料を用い
て異なった蛍光体を得た。
て異なった蛍光体を得た。
ゲル法により得られた珪酸塩は、主にオルト珪酸塩型構
造を持ち、アパタイト型構造の物は殆ど存在しないか、
又は非常に僅かな量でしか存在しないことが判明してい
る。
造を持ち、アパタイト型構造の物は殆ど存在しないか、
又は非常に僅かな量でしか存在しないことが判明してい
る。
良く知られた融剤法及び固相法のような他の方法を用い
ると、アパタイト型構造体の量が増大し、蛍光体の性能
が悪くなることが判明している。
ると、アパタイト型構造体の量が増大し、蛍光体の性能
が悪くなることが判明している。
更に別の態様として、本発明は、対象物のＸ線像から可
視像を得るための直接レントゲン写真法で、 ａ）対象物にＸ線放射線を通過させ、 ｂ）前記通過した放射線像を、放射線像を光の像へ変え
ることができる蛍光体スクリーンに上に集め、 Ｃ）前記光の像を、光の像によって撮影することができ
る写真フィルム上に集める、 ダニ程からなる直接レントゲン写真法において、前記蛍
光体が、テルビウム及び（又は）セリウム賦活ルテチウ
ム−ガドリニウム−イットリウム珪酸塩であり、好まし
くはその珪酸塩はオルト珪酸塩型構造を有することを特
徴とする直接レントゲン写真法に関する。
視像を得るための直接レントゲン写真法で、 ａ）対象物にＸ線放射線を通過させ、 ｂ）前記通過した放射線像を、放射線像を光の像へ変え
ることができる蛍光体スクリーンに上に集め、 Ｃ）前記光の像を、光の像によって撮影することができ
る写真フィルム上に集める、 ダニ程からなる直接レントゲン写真法において、前記蛍
光体が、テルビウム及び（又は）セリウム賦活ルテチウ
ム−ガドリニウム−イットリウム珪酸塩であり、好まし
くはその珪酸塩はオルト珪酸塩型構造を有することを特
徴とする直接レントゲン写真法に関する。
更に別な態様として、本発明は、結合剤と、その中に分
散させた、前記テルビウム及び〈又は）セリウム賦活ル
テチウム−イツトリウム−ガドリニウム珪酸塩の群から
選択された少なくとも一つの蛍光体とからなる蛍光層を
有する輻射線像変換スクリーンに関する。蛍光層は、結
合剤中に蛍光体を分散させ、被覆用分散物を調製し、次
にその被覆用分散物を慣用的被覆方法により適用して均
一な層を形成することにより製造される。もし蛍光層が
形の崩れないものであるならば、蛍光層自体を輻射線像
変換スクリーンにすることが出来るが、一般に支持基体
の上に蛍光層を付与して輻射線像変換スクリーンを形成
する。更に、蛍光層を物理的及び化学的に保護するため
に、蛍光層の表面上に通常保護層が与えられる。更に、
蛍光層を支持基体へ緊密に結合するために、蛍光層と支
持基体との間に時々下塗り層が付与される。
散させた、前記テルビウム及び〈又は）セリウム賦活ル
テチウム−イツトリウム−ガドリニウム珪酸塩の群から
選択された少なくとも一つの蛍光体とからなる蛍光層を
有する輻射線像変換スクリーンに関する。蛍光層は、結
合剤中に蛍光体を分散させ、被覆用分散物を調製し、次
にその被覆用分散物を慣用的被覆方法により適用して均
一な層を形成することにより製造される。もし蛍光層が
形の崩れないものであるならば、蛍光層自体を輻射線像
変換スクリーンにすることが出来るが、一般に支持基体
の上に蛍光層を付与して輻射線像変換スクリーンを形成
する。更に、蛍光層を物理的及び化学的に保護するため
に、蛍光層の表面上に通常保護層が与えられる。更に、
蛍光層を支持基体へ緊密に結合するために、蛍光層と支
持基体との間に時々下塗り層が付与される。
本発明の輻射線像変換スクリーンの蛍光層に用多糖類、
ポリビニルブチラル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロー
ス、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニル共
重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタク
リレート、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレ
タン、酢酸上一般に用いられている結合剤の一つにする
ことができる。
ポリビニルブチラル、ポリ酢酸ビニル、ニトロセルロー
ス、エチルセルロース、塩化ビニリデン・塩化ビニル共
重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタク
リレート、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリウレ
タン、酢酸上一般に用いられている結合剤の一つにする
ことができる。
一般に、結合剤は、上記ルテチウム−イツトリウム−ガ
ドリニウム珪酸塩蛍光体１重量部当たり０．０１〜１重
量部の量で用いられる。しかし、得られるスクリーンの
感度及び鮮明さの観点から、結合剤の量は少ないのが好
ましい、従って、スクリーンの感度及び鮮明さと同様被
覆用分散物の適用し易さをも考慮に入れて、結合剤は蛍
光体１重量部当たり０．０３〜０．２重量部の量で用い
られるのが好ましい、蛍光層の厚さは一般に、１０μｌ
〜１１の範囲内にある。
ドリニウム珪酸塩蛍光体１重量部当たり０．０１〜１重
量部の量で用いられる。しかし、得られるスクリーンの
感度及び鮮明さの観点から、結合剤の量は少ないのが好
ましい、従って、スクリーンの感度及び鮮明さと同様被
覆用分散物の適用し易さをも考慮に入れて、結合剤は蛍
光体１重量部当たり０．０３〜０．２重量部の量で用い
られるのが好ましい、蛍光層の厚さは一般に、１０μｌ
〜１１の範囲内にある。
本発明の輻射線像変換スクリーンでは、蛍光層は一般に
支持基体の上に塗布されている。支持基る。スクリーン
を取り扱う観点から、支持基体は可撓性シート又はロー
ルに処理されるのが好ましい、これに関連して、支持基
体は、プラスチックフィルム（三酢酸セルロースフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレン テレフタレ
ートフましい、支持基体は、蛍光層を気密に保持するた
め、その上に塗布された下塗り層（その表面上に蛍光層
が与えられる）をもっていてもよい、下塗り層の材料と
して、通常の接着剤を用いることができる。支持基体の
上又は下塗り層の上に蛍光層を被覆するために、結合剤
中に上記ルテチウム−ガドリニウム−イットリウム珪酸
塩蛍光体を分散させたものからなる被覆用分散物を直接
基体又は下塗り層に適用してもよい。
支持基体の上に塗布されている。支持基る。スクリーン
を取り扱う観点から、支持基体は可撓性シート又はロー
ルに処理されるのが好ましい、これに関連して、支持基
体は、プラスチックフィルム（三酢酸セルロースフィル
ム、ポリエステルフィルム、ポリエチレン テレフタレ
ートフましい、支持基体は、蛍光層を気密に保持するた
め、その上に塗布された下塗り層（その表面上に蛍光層
が与えられる）をもっていてもよい、下塗り層の材料と
して、通常の接着剤を用いることができる。支持基体の
上又は下塗り層の上に蛍光層を被覆するために、結合剤
中に上記ルテチウム−ガドリニウム−イットリウム珪酸
塩蛍光体を分散させたものからなる被覆用分散物を直接
基体又は下塗り層に適用してもよい。
更に、本発明の輻射線像変換スクリーンの場合、蛍光層
を物理的及び化学的に保護するための保護層がそれ自体
形の崩れないものである場合には、保護層は蛍光層の両
面に与えてもよい、保護層は、蛍光層の上に直接に被覆
用分散物を適用してその上に保護層を形成することによ
り与えられてもよく、又は予め形成した保護層をそれに
結合することにより蛍光層の上に与えてもよい、保護層
の材料として、ニトロセルロース、エチルセルロース、
料を用いることができる。
を物理的及び化学的に保護するための保護層がそれ自体
形の崩れないものである場合には、保護層は蛍光層の両
面に与えてもよい、保護層は、蛍光層の上に直接に被覆
用分散物を適用してその上に保護層を形成することによ
り与えられてもよく、又は予め形成した保護層をそれに
結合することにより蛍光層の上に与えてもよい、保護層
の材料として、ニトロセルロース、エチルセルロース、
料を用いることができる。
本発明の輻射線像変換スクリーンは、染料で着色しても
よい、更に、本発明の輻射線像変換スクリーンの蛍光層
は、その中に分散された白色粉末を含んでいてもよい、
染料又は白色粉末を用いることにより、非常に鮮明な像
を与える輻射線像変換スクリーンを得ることができる。
よい、更に、本発明の輻射線像変換スクリーンの蛍光層
は、その中に分散された白色粉末を含んでいてもよい、
染料又は白色粉末を用いることにより、非常に鮮明な像
を与える輻射線像変換スクリーンを得ることができる。
本発明を次の実施例を参照して一層詳細に記述する。
実施例１
次の出発材料を用いた。
Ｌｕ２０ａ Ｏ，５フ５０ ｆＧ
ｄｚ Ｏ３１，４５００ｇ Ｙ ２０ ｓ １．０１６１ ｙＴｂｚＯ３，
ｓ Ｏ，０１８７ｇＣｅｏ ２ ０．００
１４ ｆＩＴＥＯ８ｚ、ｏｓａｏｇ 最初の五つの材料は、ＨｚＯとＨＮ Ｏ２との混合物に
溶解した。その溶液を撹拌しながら、同じ体積のエチル
アルコールとＴＥＯＳを添加した。
ｄｚ Ｏ３１，４５００ｇ Ｙ ２０ ｓ １．０１６１ ｙＴｂｚＯ３，
ｓ Ｏ，０１８７ｇＣｅｏ ２ ０．００
１４ ｆＩＴＥＯ８ｚ、ｏｓａｏｇ 最初の五つの材料は、ＨｚＯとＨＮ Ｏ２との混合物に
溶解した。その溶液を撹拌しながら、同じ体積のエチル
アルコールとＴＥＯＳを添加した。
ＮＨ，ＯＨを添加することによりゲルを沈澱させ、それ
を７０℃で３日間乾燥した１次に乾燥ゲルを２００℃で
２時間、３００℃で２時間、５００℃で２時間、７００
℃で２時間、１３００℃で１００時間及び１４００℃で
４時間処理した。 １３００℃で１００時間の間に、３
回室温へ冷却し、めのう乳鉢で均質化した。
を７０℃で３日間乾燥した１次に乾燥ゲルを２００℃で
２時間、３００℃で２時間、５００℃で２時間、７００
℃で２時間、１３００℃で１００時間及び１４００℃で
４時間処理した。 １３００℃で１００時間の間に、３
回室温へ冷却し、めのう乳鉢で均質化した。
最後に、材料を室温へ冷却した。
得られた蛍光体は次の式で表すことが出来る。
（Ｌ ｕｏ、＋５Ｇｄｏ、＜Ｙ ｏ、＜５）ｚｓ ｉｏ
ｓ：０、ＯＩＴ ｂ、Ｏ，０ＯＩＣｅ 実施例２ 次の出発材料を用いた。
ｓ：０、ＯＩＴ ｂ、Ｏ，０ＯＩＣｅ 実施例２ 次の出発材料を用いた。
Ｌ ｕ２０ ｓ １．１５００ ｇＱ ｄ ２
０３ １ 、４５００ ｇＹ、０３ ０．
６７７４ ｙ ＴｂｚＯｉ、ｓ Ｏ，１８７０ｇＣｅｏ ２
０．００１４ ｇ ＴＥＯ３２，０８３０ｇ 最初の五つの材料は、Ｈ２ＯとＨＮＯ，との混合物に溶
解した。その溶液を撹拌しながら同じ体積のエチルアル
コールとＴＥＯＳへ添加した。
０３ １ 、４５００ ｇＹ、０３ ０．
６７７４ ｙ ＴｂｚＯｉ、ｓ Ｏ，１８７０ｇＣｅｏ ２
０．００１４ ｇ ＴＥＯ３２，０８３０ｇ 最初の五つの材料は、Ｈ２ＯとＨＮＯ，との混合物に溶
解した。その溶液を撹拌しながら同じ体積のエチルアル
コールとＴＥＯＳへ添加した。
ＮＨ，ＯＨを添加することによりゲルを沈澱させ、それ
を７０℃で３日間乾燥した０次に乾燥ゲルを２００℃で
２時間、３００℃で２時間、５００℃で２時間、７００
℃で２時間、１３００℃で１００時間及び１４００℃で
４時間処理した。 １３００℃で１００時間の間で、３
回室温に冷却し、めのう乳鉢で均質化した。
を７０℃で３日間乾燥した０次に乾燥ゲルを２００℃で
２時間、３００℃で２時間、５００℃で２時間、７００
℃で２時間、１３００℃で１００時間及び１４００℃で
４時間処理した。 １３００℃で１００時間の間で、３
回室温に冷却し、めのう乳鉢で均質化した。
最後に、材料を室温へ冷却した。
得られた蛍光体は次の式で表すことが出来る。
（Ｌｕｏ、ｚＧｄｏ４Ｙｏ、３）ａｓ ｉｏ ｓ：０、
ＩＴｂ、Ｏ，０ＯＩＣｅ 実施例３ 次の出発材料を用いた。
ＩＴｂ、Ｏ，０ＯＩＣｅ 実施例３ 次の出発材料を用いた。
Ｌｕ２０３１．７２５０ ｇ
Ｇ ｄｚ Ｏｙ １．４５００１ＦＹ 、Ｑ
、 ０．３３８７ ｇＴｂ、Ｏ，、ｓ
Ｏ，０９３５ｇＣｅｏ ｔ Ｏ，００１４ｙ ＴＥＯ３２，０８３０ｙ 最初の五つの材料は、Ｈ，ＯとＨＮＯ３との混合物に溶
解した。その溶液を撹拌しながら、同じ体積のエチルア
ルコールとＴＥ０１を添加した。
、 ０．３３８７ ｇＴｂ、Ｏ，、ｓ
Ｏ，０９３５ｇＣｅｏ ｔ Ｏ，００１４ｙ ＴＥＯ３２，０８３０ｙ 最初の五つの材料は、Ｈ，ＯとＨＮＯ３との混合物に溶
解した。その溶液を撹拌しながら、同じ体積のエチルア
ルコールとＴＥ０１を添加した。
ＮＨ，ＯＨを添加することによりゲルを沈澱させ、それ
と７０℃で３日間乾燥した０次に乾燥ゲルを２００℃で
２時間、３００℃で２時間、５００℃で２時間、７００
℃で２時間、１３００℃で１００時間及び１４００℃で
４時間処理した。 １３００℃で１００時間の間に、３
回室温へ冷却し、めのう乳鉢で均質化した。
と７０℃で３日間乾燥した０次に乾燥ゲルを２００℃で
２時間、３００℃で２時間、５００℃で２時間、７００
℃で２時間、１３００℃で１００時間及び１４００℃で
４時間処理した。 １３００℃で１００時間の間に、３
回室温へ冷却し、めのう乳鉢で均質化した。
最後に、材料を室温へ冷却した。
得られた蛍光体は次の式で表すことが出来る。
（Ｌｕｏ、＜５Ｇｄｏ、４Ｙｏ、＋５）ｚＳ ｉｏｓ：
０．０５Ｔ ｂ＝ｏ、ｏｏｌｃ ｅ 実施例４ 蛍光体の粉末を７０ＫＶ、、３０ｓＡ Ｘ線放射線で
照射し、放出された光を３６０〜４６０ｎｍ（紫領域）
、４６０〜４９５ｎｍ（青領域）及び４９５〜５６０ｎ
ＩＩＩ（縁領域）のスペクトル範囲について５−２０型
ＥＭＩ光電子増倍管で集めた。各スペクトル範囲につい
て粉末試料から放出された光の積分強度と、対照Ｇｄ、
５ｉＯｓ：０．０１Ｔｂ、０．００１Ｃｅ蛍光体Ａのそ
れとの比を決定した〔その比はＸ ＲＬ Ｅ （Ｘ−Ｒ
ａｙ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅｌＪｆ １ｅｉｅｎｅ
ｙ）、即ちＸ線発光効率として示されてＥ値を報告した
ものである。
０．０５Ｔ ｂ＝ｏ、ｏｏｌｃ ｅ 実施例４ 蛍光体の粉末を７０ＫＶ、、３０ｓＡ Ｘ線放射線で
照射し、放出された光を３６０〜４６０ｎｍ（紫領域）
、４６０〜４９５ｎｍ（青領域）及び４９５〜５６０ｎ
ＩＩＩ（縁領域）のスペクトル範囲について５−２０型
ＥＭＩ光電子増倍管で集めた。各スペクトル範囲につい
て粉末試料から放出された光の積分強度と、対照Ｇｄ、
５ｉＯｓ：０．０１Ｔｂ、０．００１Ｃｅ蛍光体Ａのそ
れとの比を決定した〔その比はＸ ＲＬ Ｅ （Ｘ−Ｒ
ａｙ Ｌｕｍ１ｎｅｓｃｅｎｃｅｌＪｆ １ｅｉｅｎｅ
ｙ）、即ちＸ線発光効率として示されてＥ値を報告した
ものである。
表１
蛍光体 ＸＲＬＥ
（Ｌｕ−Ｇ（ＬＹ−）ｉｓ ｉｏｓ：ａＴｂ、ｂＣｅ
紫 青 緑 ｂ
紫 青 緑 ｂ
Claims (10)
- （１） テルビウム及び（又は）セリウム賦活三元系ル
テチウム−ガドリニウム−イットリウム珪酸塩であるこ
とを特徴とする蛍光体。 - （２） 三元系珪酸塩がオルト珪酸塩型構造をもつ請求
項１に記載の蛍光体。 - （３） 次の式： （Ｌｕ＿ｘＧｄ＿ｙＹ＿ｚ）＿２ＳｉＯ＿５：ａＴｂ、
ｂＣｅ（式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜
１、０＜ｚ＜１、０≦ａ≦０．３、０≦ｂ＜０．０１及
びａ＋ｂ≠０である） によって表される群から選択されることを特徴とする請
求項１に記載の蛍光体。 - （４） ０．１５≦ｘ≦０．４５、０．１５≦ｙ≦０．
４５、０．１５≦ｚ≦０．４５、０．０１≦ａ≦０．２
、０．０００８≦ｂ≦０．００１２であることを特徴と
する請求項３に記載の蛍光体。 - （５） −ルテチウム、ガドリニウム及びイットリウム
の酸化物及び、テルビウム及び（又は）セリウムの酸化
物を希硝酸に溶解することにより溶液を調製し、 −テトラエチルオルトシリケート及びアルコールを添加
し、 −過剰なアンモニアを添加することによりゲルを形成し
、 −前記ゲルを約７０℃に３〜４日間維持することにより
乾燥し、 −それを数期間に亙って次第に上昇する温度で１４００
〜１６００℃まで焼成する、工程からなることを特徴と
する請求項１〜４のいずれか１項に記載の蛍光体を製造
する方法。 - （６） 融剤を、乾燥ゲルを粉砕した後でそれを焼成す
る前に、添加することを特徴とする請求項５に記載の方
法。 - （７） ゲルを空気中で焼成することを特徴とする請求
項５に記載の方法。 - （８） ゲルをアルゴン、窒素、窒素−水素又は窒素−
炭素酸化物の雰囲気中で焼成することを特徴とする請求
項５に記載の方法。 - （９） 対象物のＸ線像からレントゲン写真を得るため
の直接レントゲン写真法で、 ａ） 対象物にＸ線放射線を通過させ、 ｂ） 前記通過した放射線像を、放射線像を光の像へ変
換することができる蛍光体スクリーン上に集め、 ｃ） 前記光の像を、光の像によって撮影することがで
きる写真フイルム上に集める、 工程からなる直接レントゲン写真法において、前記蛍光
体が、請求項１〜４のいずれか１項に記載のテルビウム
及び（又は）セリウム賦活三元系ルテチウム−ガドリニ
ウム−イットリウム オルト珪酸塩蛍光体であることを
更に特徴とする直接レントゲン写真法。 - （１０） 結合剤と、その中に分散させた蛍光体とから
なる蛍光層を有するＸ線放射線像変換スクリーンにおい
て、前記蛍光体が、請求項１〜４のいずれか１項に記載
のテルビウム及び（又は）セリウム賦活三元系ルテチウ
ム−ガドリニウム−イットリウム珪酸塩蛍光体であるこ
とを特徴とするスクリーン。
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