JPH01203269A - 窒化珪素質焼結体用原料の予備処理方法 - Google Patents
窒化珪素質焼結体用原料の予備処理方法Info
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- JPH01203269A JPH01203269A JP63027795A JP2779588A JPH01203269A JP H01203269 A JPH01203269 A JP H01203269A JP 63027795 A JP63027795 A JP 63027795A JP 2779588 A JP2779588 A JP 2779588A JP H01203269 A JPH01203269 A JP H01203269A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、高温高強度窒化珪素質焼結体用原料のP@処
理方法に関するものである。
理方法に関するものである。
従来の技術
非酸化物系セラミックスの中でも窒化珪素質焼結体は、
高温強度に優れた材料であり、近年注目を集めている。
高温強度に優れた材料であり、近年注目を集めている。
しかし、市阪の窒化珪素質原料には、不純物としてSi
、 Ca、 Ti、 Fe、 Mn等の酸化物が含まれ
ている。この中で、シリカ(SiO7)は空気中の02
、H2O等によって窒化珪素粉末の表面層に容易に形成
され、通常、重量割合で1.3〜1.8%は含まれる。
、 Ca、 Ti、 Fe、 Mn等の酸化物が含まれ
ている。この中で、シリカ(SiO7)は空気中の02
、H2O等によって窒化珪素粉末の表面層に容易に形成
され、通常、重量割合で1.3〜1.8%は含まれる。
この不純物によって、低融点のガラス質が形成されて高
温強度が充分望めなかったり、窒化珪素焼結後の酸化物
を主成分とするガラス質の結晶化処理(ポストφシンタ
リング等)にコストと労力をかけていた。
温強度が充分望めなかったり、窒化珪素焼結後の酸化物
を主成分とするガラス質の結晶化処理(ポストφシンタ
リング等)にコストと労力をかけていた。
この欠点を改良するために、特公昭80−38351に
みられるようなカーボン添加によるC01C02ガスと
しての脱酸素処理方法が考案されたが、窒化珪素質粉末
の表面層の酸化物を除去した後に、大気との接触を遮断
したり、また混練するときの溶媒中の水分likを厳格
に規制する必要がある。従って、これを実行するための
装置や操作が簡便ではなく、工業的プロセスとしては、
なお改善が望まれている。
みられるようなカーボン添加によるC01C02ガスと
しての脱酸素処理方法が考案されたが、窒化珪素質粉末
の表面層の酸化物を除去した後に、大気との接触を遮断
したり、また混練するときの溶媒中の水分likを厳格
に規制する必要がある。従って、これを実行するための
装置や操作が簡便ではなく、工業的プロセスとしては、
なお改善が望まれている。
発明が解決しようとする課題
本発明は上記の問題点に鑑み、熱分解によりセラミック
ス化し得る有機金属高分子を窒化珪素表面にコーティン
グすることにより、高温強度を劣化させる酸化物層の再
生成を抑制し、高温強度の優れた窒化珪素質焼結体用原
料を提供することを目的とするものである。
ス化し得る有機金属高分子を窒化珪素表面にコーティン
グすることにより、高温強度を劣化させる酸化物層の再
生成を抑制し、高温強度の優れた窒化珪素質焼結体用原
料を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
すなわち1本発明は窒化珪素質粉末に対して5〜20重
量%の有機金属高分子を混合し、これを有機溶媒にてス
ラリーとなし、このスラリーを粉末とした後、これを成
形した成形体を、またはスラリーを直接鋳込み成形を行
なうことによって得られた成形体を、非酸化性雰囲気中
もしくは真空中で、1350〜1800℃、1時間以上
保持して熱処理することを特徴とする窒化珪素質焼結体
用原料の予備処理方法である。
量%の有機金属高分子を混合し、これを有機溶媒にてス
ラリーとなし、このスラリーを粉末とした後、これを成
形した成形体を、またはスラリーを直接鋳込み成形を行
なうことによって得られた成形体を、非酸化性雰囲気中
もしくは真空中で、1350〜1800℃、1時間以上
保持して熱処理することを特徴とする窒化珪素質焼結体
用原料の予備処理方法である。
作用
本発明者らは、焼成熱分解することによってセラミック
ス化しうる有機金属高分子を窒化珪素質粉末材料に対し
て5〜20重縫%混合した粉末を有機溶媒にてスラリー
となし、このスラリーを粉体とした後、成形する。粉体
化はスラリーを噴霧乾燥すれば微細な乾燥粉末(2次粒
子)が直接的に得られるので好ましいが、噴霧乾燥以外
の方法でスラリーを乾燥、粉砕して2次粒子を得てもよ
い。
ス化しうる有機金属高分子を窒化珪素質粉末材料に対し
て5〜20重縫%混合した粉末を有機溶媒にてスラリー
となし、このスラリーを粉体とした後、成形する。粉体
化はスラリーを噴霧乾燥すれば微細な乾燥粉末(2次粒
子)が直接的に得られるので好ましいが、噴霧乾燥以外
の方法でスラリーを乾燥、粉砕して2次粒子を得てもよ
い。
成形は、セラミックスの通常の成形を用いればよいが、
スラリーから直接鋳込み成形を行ってもよい。
スラリーから直接鋳込み成形を行ってもよい。
上記粉体化、成形、及び後記する熱処理の過程で窒化珪
素質粉末はその表面を有機金属高分子によって被覆(コ
ーティング)されたことになり、窒化珪素質粉末の耐酸
化性が確保される。さらに、後記する熱処理後に残炭す
るカーボンによっても、酸化物が除かれる。
素質粉末はその表面を有機金属高分子によって被覆(コ
ーティング)されたことになり、窒化珪素質粉末の耐酸
化性が確保される。さらに、後記する熱処理後に残炭す
るカーボンによっても、酸化物が除かれる。
このことによって、高温強度劣化のもとと考えられる酸
化物(シリカ)が容易に除かれ、その上有機金属高分子
はバインダーとしても機能することによって成形・焼結
の後段の処理が極めて簡便となる。
化物(シリカ)が容易に除かれ、その上有機金属高分子
はバインダーとしても機能することによって成形・焼結
の後段の処理が極めて簡便となる。
ここで本発明の窒化珪素質粉末とは、重版の窒化珪素粉
末あるいは窒化珪素粉末に各種焼結助剤を添加されたも
のである。各種焼結助剤としては、イツトリウム、アル
ミニウム、チタン、ジルコニウム、セリウム、等の酸化
物あるいは窒化物あるいは珪化物から選ばれる少なくと
も1種の物質が挙げられる。
末あるいは窒化珪素粉末に各種焼結助剤を添加されたも
のである。各種焼結助剤としては、イツトリウム、アル
ミニウム、チタン、ジルコニウム、セリウム、等の酸化
物あるいは窒化物あるいは珪化物から選ばれる少なくと
も1種の物質が挙げられる。
有機金属高分子としては、−Si(G■3)H−NH−
を主骨格にもつポリサイラゼンを用いる。その使用量は
、窒化珪素質粉末に対して5〜20重量%が望ましい、
たとえば、0.31Lmの平均粒径をもつSi3N4粉
末を直接大気にふれさせないように被覆(コーティング
)し、かつ平均粒径20〜30pm程度に造粒すること
によって、比表面積を小さくすることで再酸化を防ぐた
めには、この場がふされしい、その配合駿が20重量%
を超えても窒化珪素質粉末の酸化防止効果が飽和してし
まい、また、5上置%未溝の場合は、酸化防止効果が小
さくなり高温強度の改善に寄与しなくなるためである。
を主骨格にもつポリサイラゼンを用いる。その使用量は
、窒化珪素質粉末に対して5〜20重量%が望ましい、
たとえば、0.31Lmの平均粒径をもつSi3N4粉
末を直接大気にふれさせないように被覆(コーティング
)し、かつ平均粒径20〜30pm程度に造粒すること
によって、比表面積を小さくすることで再酸化を防ぐた
めには、この場がふされしい、その配合駿が20重量%
を超えても窒化珪素質粉末の酸化防止効果が飽和してし
まい、また、5上置%未溝の場合は、酸化防止効果が小
さくなり高温強度の改善に寄与しなくなるためである。
有機溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン、酢酸、オレイン酸、ステアリン酸、メタノール、
エタノール、プロパツール、アセトン、エチルメチルケ
トン、ベンゼン、トルエン、キシレンより選ばれる1種
もしくは2種以上を用いる。スラリーの濃度は混線時の
粘度を上げ過ぎなくするため、 50wt%以下が好ま
しい、スラリー製造のための混線は、たとえば密閉式の
ポットを用い、酸素・水分の入らないように留意する。
ラン、酢酸、オレイン酸、ステアリン酸、メタノール、
エタノール、プロパツール、アセトン、エチルメチルケ
トン、ベンゼン、トルエン、キシレンより選ばれる1種
もしくは2種以上を用いる。スラリーの濃度は混線時の
粘度を上げ過ぎなくするため、 50wt%以下が好ま
しい、スラリー製造のための混線は、たとえば密閉式の
ポットを用い、酸素・水分の入らないように留意する。
噴霧熱乾燥については、酸素濃度の低い状態で行ない、
粉体密度の高い、粉の凝集が少ないことが好ましい。
粉体密度の高い、粉の凝集が少ないことが好ましい。
熱処理は、非酸化性雰囲気、たとえば窒素、アルゴン雰
囲気、水素ガスを含む還元性雰囲気、又は5 X 10
= 〜l X 1G−5Torrの範囲の真空中で行う
。さらに、熱処理温度としては、1350〜1800°
C1好ましくは1400〜1600℃の温度範囲で行な
う、 1350℃より低いと脱酸の効果が少なく、18
00℃より高いと窒化珪素自体が相転移あるいは分解し
てしまうため、好ましくない、熱処理時間は、ト記温度
域で有機金属高分子が分解して生成した無定形セラミッ
クスが結晶化するためには1時間以上が必要である。無
定形のままでは酸化され易く、焼成時の寸法変化が不安
定になるので、結晶化させることが必要である。
囲気、水素ガスを含む還元性雰囲気、又は5 X 10
= 〜l X 1G−5Torrの範囲の真空中で行う
。さらに、熱処理温度としては、1350〜1800°
C1好ましくは1400〜1600℃の温度範囲で行な
う、 1350℃より低いと脱酸の効果が少なく、18
00℃より高いと窒化珪素自体が相転移あるいは分解し
てしまうため、好ましくない、熱処理時間は、ト記温度
域で有機金属高分子が分解して生成した無定形セラミッ
クスが結晶化するためには1時間以上が必要である。無
定形のままでは酸化され易く、焼成時の寸法変化が不安
定になるので、結晶化させることが必要である。
以上の様にして予備処理した窒化珪素質成形体の酸素含
有量は、 1.0重量%以下となり、この成形体を焼結
した焼結製品は通常の方法で焼成した焼結製品に比較し
て高い高温強度を示した。
有量は、 1.0重量%以下となり、この成形体を焼結
した焼結製品は通常の方法で焼成した焼結製品に比較し
て高い高温強度を示した。
以下実施例により、さらに詳細に説明する。
実施例
実施例1
窒化珪素質粉末としては、市販のα型窒化珪素質粉末の
脱酸化物処理をしていないもの(酸素分析値: 1.
8wt%)を用い、焼結助剤としてイツトリア、アルミ
ナ、さらに、前記有機金属高分子ポリサイラゼンを第1
表の成分割合で配合し、テトラヒドロフラン中で遊星型
ボールミルの密閉式ポットにて混練した。得られたスラ
リーを窒素ガス循環型の噴霧熱乾燥法にて造粒し、平均
粒径30ルmの二次粒子を得た。
脱酸化物処理をしていないもの(酸素分析値: 1.
8wt%)を用い、焼結助剤としてイツトリア、アルミ
ナ、さらに、前記有機金属高分子ポリサイラゼンを第1
表の成分割合で配合し、テトラヒドロフラン中で遊星型
ボールミルの密閉式ポットにて混練した。得られたスラ
リーを窒素ガス循環型の噴霧熱乾燥法にて造粒し、平均
粒径30ルmの二次粒子を得た。
この粉末を、100100O/c層2で一軸成形し、さ
らに静水圧加圧にて7000kgf/cm2で50av
X5GmmX 10Iの寸法に成形した。この成形体を
、水素5マof%を含む窒素中で1400℃、1時間熱
処理した後に、酸素量を分析した。このサンプルを17
50℃、5時間焼成し焼結体を得た。得られた焼結体か
ら3mmX4腸層X40■思の角材を切り出し、研磨の
のちスパン30腸■、クロスヘツド速度0.51霞/鵬
inで三点曲げ抗折強度試験を行なった。その結果を第
1表に示す。
らに静水圧加圧にて7000kgf/cm2で50av
X5GmmX 10Iの寸法に成形した。この成形体を
、水素5マof%を含む窒素中で1400℃、1時間熱
処理した後に、酸素量を分析した。このサンプルを17
50℃、5時間焼成し焼結体を得た。得られた焼結体か
ら3mmX4腸層X40■思の角材を切り出し、研磨の
のちスパン30腸■、クロスヘツド速度0.51霞/鵬
inで三点曲げ抗折強度試験を行なった。その結果を第
1表に示す。
(以下余白)
データ番号1〜3は本発明の実施例であり、データ番号
4は比較例である。これから本発明の場合、明らかに高
温強度に優れていることがわかる。
4は比較例である。これから本発明の場合、明らかに高
温強度に優れていることがわかる。
実施例2
極低酸素のα型窒化珪素粉末(酸素分析値二〇、3重量
%)を原料とし、脱酸化物処理をせずに、混合・造粒ま
では、噴霧乾燥の代わりに、グローブボックス中で行な
い、成形は大気中で行なった。その他は実施例1と同じ
条件で実施した。
%)を原料とし、脱酸化物処理をせずに、混合・造粒ま
では、噴霧乾燥の代わりに、グローブボックス中で行な
い、成形は大気中で行なった。その他は実施例1と同じ
条件で実施した。
その結果、ポリサイラゼンを配合した場合は酸素量は0
.4重量%を示し、三点曲げ抗折強度試験の結果として
は、R,T、で78kgF/−12、1200℃で55
kgf/am2が得られた。また、ポリサイラゼンを配
合しない場合は酸素量は1.7重量%に上昇し、120
0℃三点曲げ抗折強度は37kgf/■會2と低下した
。
.4重量%を示し、三点曲げ抗折強度試験の結果として
は、R,T、で78kgF/−12、1200℃で55
kgf/am2が得られた。また、ポリサイラゼンを配
合しない場合は酸素量は1.7重量%に上昇し、120
0℃三点曲げ抗折強度は37kgf/■會2と低下した
。
発明の効果
本発明の予備処理を行うことにより、酸化物層の再生成
が抑制され、高温強度の優れた窒化珪素質焼結体を得る
ことができる。
が抑制され、高温強度の優れた窒化珪素質焼結体を得る
ことができる。
Claims (2)
- (1)窒化珪素質粉末に対して5〜20重量%の有機金
属高分子を混合し、これを有機溶媒にてスラリーとなし
、このスラリーを粉末とした後、これを成形した成形体
を、またはスラリーを直接鋳込み成形を行なうことによ
って得られた成形体を、非酸化性雰囲気中もしくは真空
中で、1350〜1800℃、1時間以上保持して熱処
理することを特徴とする窒化珪素質焼結体用原料の予備
処理方法。 - (2)有機金属高分子として、−Si(CH_3)H−
NH−を主骨格にもつポリサイラゼンを用いる特許請求
の範囲第1項記載の窒化珪素質焼結体用原料の予備処理
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63027795A JPH01203269A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 窒化珪素質焼結体用原料の予備処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63027795A JPH01203269A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 窒化珪素質焼結体用原料の予備処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01203269A true JPH01203269A (ja) | 1989-08-16 |
Family
ID=12230910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63027795A Pending JPH01203269A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | 窒化珪素質焼結体用原料の予備処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01203269A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5631090A (en) * | 1992-11-20 | 1997-05-20 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Iron-based material having excellent oxidation resistance at elevated temperatures and process for the production thereof |
WO2010082478A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素基板の製造方法、窒化珪素基板、窒化珪素回路基板および半導体モジュール |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63027795A patent/JPH01203269A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5631090A (en) * | 1992-11-20 | 1997-05-20 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Iron-based material having excellent oxidation resistance at elevated temperatures and process for the production thereof |
WO2010082478A1 (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-22 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素基板の製造方法、窒化珪素基板、窒化珪素回路基板および半導体モジュール |
US8858865B2 (en) | 2009-01-13 | 2014-10-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Silicon nitride substrate manufacturing method, silicon nitride substrate, silicon nitride circuit substrate, and semiconductor module |
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