JPH01201902A - バリスタ - Google Patents
バリスタInfo
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- JPH01201902A JPH01201902A JP63026056A JP2605688A JPH01201902A JP H01201902 A JPH01201902 A JP H01201902A JP 63026056 A JP63026056 A JP 63026056A JP 2605688 A JP2605688 A JP 2605688A JP H01201902 A JPH01201902 A JP H01201902A
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- Japan
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- linear resistor
- linear
- resistor
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Links
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- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明はバリスタに関し、特に積層焼結体の内部に内
部電極が形成されたバリスタに関する。
部電極が形成されたバリスタに関する。
(従来技術)
この発明の背景となる従来のバリスタには、ZnO系の
積層焼結体の内部に内部電極が形成されたバリスタと5
rT103系の積層焼結体の内部に内部電極が形成され
たバリスタとがあった。
積層焼結体の内部に内部電極が形成されたバリスタと5
rT103系の積層焼結体の内部に内部電極が形成され
たバリスタとがあった。
(発明が解決しようとする問題点)
ZnO系のバリスタでは、その応答速度が遅いため、た
とえば静電気などのように急峻な立ち上がりを持つサー
ジを吸収する場合に立ち上がり時の電圧を制限電圧に抑
えきれないので、コンデンサを並列につないで立ち上が
り時の電圧を吸収しなければならない。
とえば静電気などのように急峻な立ち上がりを持つサー
ジを吸収する場合に立ち上がり時の電圧を制限電圧に抑
えきれないので、コンデンサを並列につないで立ち上が
り時の電圧を吸収しなければならない。
一方、S r T i O3系のバリスタでは、立ち上
がり時の電圧を吸収することができるが、その制限電圧
が高いため、たとえば誘導雷サージなどのような大きな
サージを効率よく吸収することができない。
がり時の電圧を吸収することができるが、その制限電圧
が高いため、たとえば誘導雷サージなどのような大きな
サージを効率よく吸収することができない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、立ち上がりが急
峻なサージおよび大きなサージを効率よ(吸収すること
ができる、バリスタを提供することである。
峻なサージおよび大きなサージを効率よ(吸収すること
ができる、バリスタを提供することである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、積層焼結体と積層焼結体の内部に形成され
る内部電極層とを備えたバリスタにおいて、積層焼結体
は、ZnOを主成分とする第1の非直線抵抗体と、第1
の非直線抵抗体に積層され3rTiO3を主成分とする
第2の非直線抵抗体とを含む、ハリスつてある。
る内部電極層とを備えたバリスタにおいて、積層焼結体
は、ZnOを主成分とする第1の非直線抵抗体と、第1
の非直線抵抗体に積層され3rTiO3を主成分とする
第2の非直線抵抗体とを含む、ハリスつてある。
(作用)
ZnOを主成分とする第1の非直線抵抗体と5rT10
Jを主成分とする第2の非直線抵抗体とが並列接続され
る。
Jを主成分とする第2の非直線抵抗体とが並列接続され
る。
(発明の効果)
この発明によれば、第2の非直線抵抗体によって立ち上
がりか急峻なサージを吸収することができ、しかも、第
1の非直線抵抗体によって制限電圧をより低い電圧に抑
えることができるので、立ち上がりか急峻なサージおよ
び大きなサージを効率よく吸収することができる。
がりか急峻なサージを吸収することができ、しかも、第
1の非直線抵抗体によって制限電圧をより低い電圧に抑
えることができるので、立ち上がりか急峻なサージおよ
び大きなサージを効率よく吸収することができる。
この発明の」二連の目的、その他の目的、特徴および利
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明か
ら一層明らかとなろう。
(実施例)
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この
バリスタ10は積層焼結体12を含み、積層焼結体12
は、Zn○を主成分とする第1の非直線抵抗体14とそ
れに積層されるS r T i○3を主成分とする第2
の非直線抵抗体16とを含む。この実施例では、特に、
2層の第1の非直線抵抗体14と2層の第2の非直線抵
抗体16とが交互に積層された形で形成される。
バリスタ10は積層焼結体12を含み、積層焼結体12
は、Zn○を主成分とする第1の非直線抵抗体14とそ
れに積層されるS r T i○3を主成分とする第2
の非直線抵抗体16とを含む。この実施例では、特に、
2層の第1の非直線抵抗体14と2層の第2の非直線抵
抗体16とが交互に積層された形で形成される。
さらに、第1の非直線抵抗体14と第2の非直線抵抗体
16との間、すなわち、積層焼結体12の内部には、内
部電極18a、18bおよび18Cかそれぞれ形成され
る。この場合、外側の内部電極18 aおよび18Cは
、その一端面が積層焼結体12の一方端面から露出する
ように形成され、中央の内部電極18bは、その一端面
が積層焼結体12の他方端面から露出するように形成さ
れる。
16との間、すなわち、積層焼結体12の内部には、内
部電極18a、18bおよび18Cかそれぞれ形成され
る。この場合、外側の内部電極18 aおよび18Cは
、その一端面が積層焼結体12の一方端面から露出する
ように形成され、中央の内部電極18bは、その一端面
が積層焼結体12の他方端面から露出するように形成さ
れる。
この積層焼結体12および内部電極18a〜18Cは、
第1の非直線抵抗体14の材料となりZnoを主成分と
するセラミックグリーンシートおよび第2の非直線抵抗
体16の材料となり5rT103を主成分とするセラミ
ックグリーンシートを、所定の大きさにカットし、これ
らの一方主面に内部電極の材料となるたとえばAg−P
dなどの高融点電極材料を塗布したものを2枚ずつ交互
に重ねて圧着し、この圧着物を所定の大きさにカッ1−
シたとえば900〜X300°Cで焼成することによっ
て形成される。
第1の非直線抵抗体14の材料となりZnoを主成分と
するセラミックグリーンシートおよび第2の非直線抵抗
体16の材料となり5rT103を主成分とするセラミ
ックグリーンシートを、所定の大きさにカットし、これ
らの一方主面に内部電極の材料となるたとえばAg−P
dなどの高融点電極材料を塗布したものを2枚ずつ交互
に重ねて圧着し、この圧着物を所定の大きさにカッ1−
シたとえば900〜X300°Cで焼成することによっ
て形成される。
さらに、積層焼結体12の一方端部および他方端部には
、外部電極20aおよび20bがそれぞれ形成される。
、外部電極20aおよび20bがそれぞれ形成される。
この場合、外部電極20aは内部電極18aおよび18
Cに、外部電極20bは内部電極18bに、それぞれ、
電気的に接続されるように形成される。これらの外部電
極20aおよび20bは、たとえば根なとの電極材料を
積層焼結体12の両端部に焼き付けることによって形成
される。
Cに、外部電極20bは内部電極18bに、それぞれ、
電気的に接続されるように形成される。これらの外部電
極20aおよび20bは、たとえば根なとの電極材料を
積層焼結体12の両端部に焼き付けることによって形成
される。
このバリスタ10では、Zn○を主成分とする第1の非
直線抵抗体14と5rTIO3を主成分とする第2の非
直線抵抗体16とが並列接続された回路構成となるので
、立ち上がりか急峻なサージを第2の非直線抵抗体16
で吸収することができ、しかも、第1の非直線抵抗体1
4によって制限電圧をより低い電圧に抑えるごとができ
る。
直線抵抗体14と5rTIO3を主成分とする第2の非
直線抵抗体16とが並列接続された回路構成となるので
、立ち上がりか急峻なサージを第2の非直線抵抗体16
で吸収することができ、しかも、第1の非直線抵抗体1
4によって制限電圧をより低い電圧に抑えるごとができ
る。
実験例
まず、第1図に示す実施例と同様の構造のバリスタをつ
くり、これを実施例Iとした。この場合、第1の非直線
抵抗体14となるZnO系のセラミックグリーンシート
の材料として、Zn○、B2O3、COO,5b203
およびMnOの混合物を空気中で800℃で仮焼した後
粉砕した原料を用いた。また、第2の非直線抵抗体16
となる5rTio3系のセラミックグリーンシー1・の
材料として、(S r o、I]Ca o、 +sYo
、os) T i O3の組成物を用いた。この組成物
は、所定組成の原料を1200℃で仮焼した後粉砕し、
さらに還元雰囲気で1400℃で焼成した後粉砕し、次
いでこの原料にBig ○:++Naz ○、Cu○2
Mn○などの粒界酸化剤、焼結助剤を加えたものからな
る。また、それらのセラミックグリーンシートの厚さを
、それぞれ、100μmとした。そして、セラミックグ
リーンシー1−などの圧着物を空気中で1100 ’C
て焼成した。
くり、これを実施例Iとした。この場合、第1の非直線
抵抗体14となるZnO系のセラミックグリーンシート
の材料として、Zn○、B2O3、COO,5b203
およびMnOの混合物を空気中で800℃で仮焼した後
粉砕した原料を用いた。また、第2の非直線抵抗体16
となる5rTio3系のセラミックグリーンシー1・の
材料として、(S r o、I]Ca o、 +sYo
、os) T i O3の組成物を用いた。この組成物
は、所定組成の原料を1200℃で仮焼した後粉砕し、
さらに還元雰囲気で1400℃で焼成した後粉砕し、次
いでこの原料にBig ○:++Naz ○、Cu○2
Mn○などの粒界酸化剤、焼結助剤を加えたものからな
る。また、それらのセラミックグリーンシートの厚さを
、それぞれ、100μmとした。そして、セラミックグ
リーンシー1−などの圧着物を空気中で1100 ’C
て焼成した。
さらに、この実施例■と比べて、積層焼結体を上述のZ
nO系のセラミックグリーンシートのみから形成してバ
リスタをつくりそれを比較例■とし、積層焼結体を上述
の5rTi○3系のセラミックグリーンシートのみから
形成してバリスタをつくりそれを比較例■とした。
nO系のセラミックグリーンシートのみから形成してバ
リスタをつくりそれを比較例■とし、積層焼結体を上述
の5rTi○3系のセラミックグリーンシートのみから
形成してバリスタをつくりそれを比較例■とした。
そして、実施例1.比較例Iおよび比較例Hについて、
バリスタ電圧、非直線係数、静電容量および1.OAの
電流を流した場合の制限電圧を測定し、その測定結果を
表1に示した。
バリスタ電圧、非直線係数、静電容量および1.OAの
電流を流した場合の制限電圧を測定し、その測定結果を
表1に示した。
(以下余白)
表1
次に、実施例1.比較例1および比較例Hについて、8
/ 20 /’Secで10OAのサージ電流を印加
した場合のバリスタ電圧および制限電圧を測定し、バリ
スタ電圧の変化率および制限電圧を表2に示した。なお
、8/20μSecのサージ電流とは、8μsecでピ
ーク電流となり、20μsecでピークの50%となる
電流をいう。また、この場合の実施例I、比較例■およ
び比較例■における外部電極間の電圧波形を、第2図(
A)、(B)および(C)のグラフにそれぞれ示した。
/ 20 /’Secで10OAのサージ電流を印加
した場合のバリスタ電圧および制限電圧を測定し、バリ
スタ電圧の変化率および制限電圧を表2に示した。なお
、8/20μSecのサージ電流とは、8μsecでピ
ーク電流となり、20μsecでピークの50%となる
電流をいう。また、この場合の実施例I、比較例■およ
び比較例■における外部電極間の電圧波形を、第2図(
A)、(B)および(C)のグラフにそれぞれ示した。
表2
表11表2および第2図(A)〜(C)のグラフから明
らかなように、実施例1では、比較例■および比較例H
に比へて、サージに対して強くしかも電圧の抑制もよい
ことがわかる。
らかなように、実施例1では、比較例■および比較例H
に比へて、サージに対して強くしかも電圧の抑制もよい
ことがわかる。
なお、上述の実施例では、積層焼結体12が2層の第1
の非直線抵抗体14と2層の第2の非直線抵抗体16と
を交互に積層した形で形成されているが、積層焼結体1
2は、たとえば1層あるいは多層の第1の非直線抵抗体
と1層あるいは多層の第2の非直線抵抗体とを積層した
形で形成されてもよく、あるいは、3層以上の第1の非
直線抵抗体と3層以上の第2の非直線抵抗体とを交互に
積層した形で形成されてもよい。
の非直線抵抗体14と2層の第2の非直線抵抗体16と
を交互に積層した形で形成されているが、積層焼結体1
2は、たとえば1層あるいは多層の第1の非直線抵抗体
と1層あるいは多層の第2の非直線抵抗体とを積層した
形で形成されてもよく、あるいは、3層以上の第1の非
直線抵抗体と3層以上の第2の非直線抵抗体とを交互に
積層した形で形成されてもよい。
第1図はこの発明の一実施例を示す断面図である。
第2図(A)、 (B)および(C)は、それぞれ、
実験例の実施例I、比較例Iおよび比較例Hの特性を示
すグラフであり、横軸に時間を示し縦軸に電圧を示す。 図において、10はバリスタ、12は積層焼結体、14
は第1の非直線抵抗体、16は第2の非直線抵抗体、1
8a〜18cは内部電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (B) 電、ノ (C) 圧(V) 1(v)
実験例の実施例I、比較例Iおよび比較例Hの特性を示
すグラフであり、横軸に時間を示し縦軸に電圧を示す。 図において、10はバリスタ、12は積層焼結体、14
は第1の非直線抵抗体、16は第2の非直線抵抗体、1
8a〜18cは内部電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (B) 電、ノ (C) 圧(V) 1(v)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 積層焼結体と前記積層焼結体の内部に形成される内部
電極層とを備えたバリスタにおいて、前記積層焼結体は
、 ZnOを主成分とする第1の非直線抵抗体、および 前記第1の非直線抵抗体に積層されSrTiO_3を主
成分とする第2の非直線抵抗体を含むことを特徴とする
、バリスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63026056A JPH01201902A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63026056A JPH01201902A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | バリスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01201902A true JPH01201902A (ja) | 1989-08-14 |
Family
ID=12183024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63026056A Pending JPH01201902A (ja) | 1988-02-05 | 1988-02-05 | バリスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01201902A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291404A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-24 | Avx Corp | バリスタ、キャパシタ及びその製法 |
US7067172B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-06-27 | Avx Corporation | Component formation via plating technology |
US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
US7344981B2 (en) | 2002-04-15 | 2008-03-18 | Avx Corporation | Plated terminations |
US7463474B2 (en) | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
US7576968B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63026056A patent/JPH01201902A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291404A (ja) * | 1988-05-06 | 1989-11-24 | Avx Corp | バリスタ、キャパシタ及びその製法 |
US7067172B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-06-27 | Avx Corporation | Component formation via plating technology |
US7152291B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-12-26 | Avx Corporation | Method for forming plated terminations |
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US7344981B2 (en) | 2002-04-15 | 2008-03-18 | Avx Corporation | Plated terminations |
US7463474B2 (en) | 2002-04-15 | 2008-12-09 | Avx Corporation | System and method of plating ball grid array and isolation features for electronic components |
US7576968B2 (en) | 2002-04-15 | 2009-08-18 | Avx Corporation | Plated terminations and method of forming using electrolytic plating |
US9666366B2 (en) | 2002-04-15 | 2017-05-30 | Avx Corporation | Method of making multi-layer electronic components with plated terminations |
US10020116B2 (en) | 2002-04-15 | 2018-07-10 | Avx Corporation | Plated terminations |
US10366835B2 (en) | 2002-04-15 | 2019-07-30 | Avx Corporation | Plated terminations |
US11195659B2 (en) | 2002-04-15 | 2021-12-07 | Avx Corporation | Plated terminations |
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