JPH01189559A - Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 - Google Patents
Ｓｉ半導体基板の表面分析方法Info
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- JPH01189559A JPH01189559A JP1337388A JP1337388A JPH01189559A JP H01189559 A JPH01189559 A JP H01189559A JP 1337388 A JP1337388 A JP 1337388A JP 1337388 A JP1337388 A JP 1337388A JP H01189559 A JPH01189559 A JP H01189559A
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、Ｓｉ半導体基板の表面分析方法に関するも
ので、特にＳｉ半導体基板の表面に存在する超微量不純
物分析用試料（以下、単に「試料」と称する。）の採取
段階にその特徴を有するものである。
ので、特にＳｉ半導体基板の表面に存在する超微量不純
物分析用試料（以下、単に「試料」と称する。）の採取
段階にその特徴を有するものである。
（従来の技術）
素子製造工程では、その表面に付着する汚染物を除去す
べく、Ｓｉ半導体基板の洗浄が行なわれる。この洗浄後
、清浄度評価をするため各種表面分析が行なわれる。そ
して、この表面分析における適正な分析値把握は、超Ｌ
ＳＩ素子の性能及び歩留りを高める上で必須不可欠なも
のである。
べく、Ｓｉ半導体基板の洗浄が行なわれる。この洗浄後
、清浄度評価をするため各種表面分析が行なわれる。そ
して、この表面分析における適正な分析値把握は、超Ｌ
ＳＩ素子の性能及び歩留りを高める上で必須不可欠なも
のである。
従来は、Ｓｉ半導体基板を、覆い付きの容器内に垂直に
立てておき、薬液な噴霧ノズルから上記Ｓｉ半導体基板
の一面に噴霧し、Ｓｉ半導体基板の表面を溶解し滴下す
る溶液（以下、反応溶液と称する）を受皿に回収し、該
受皿内の反応溶液を試料として供していたのである。
立てておき、薬液な噴霧ノズルから上記Ｓｉ半導体基板
の一面に噴霧し、Ｓｉ半導体基板の表面を溶解し滴下す
る溶液（以下、反応溶液と称する）を受皿に回収し、該
受皿内の反応溶液を試料として供していたのである。
（発明が解決しようとする問題点）
そして、上述の従来法によれば、滴下した反応液が受皿
で汚染される可能性がある。
で汚染される可能性がある。
半導体基板の片面のみに噴霧しても、噴霧した薬液が裏
面にまわり込み、表面のみでなく、裏面の影響もうけた
反応溶液が滴下する可能性がある。Ｓｉ半導体基板の表
面分析は素子が作成される片面のみの評価値が必要とさ
れていて、裏面側の影響は避けなければならない。
面にまわり込み、表面のみでなく、裏面の影響もうけた
反応溶液が滴下する可能性がある。Ｓｉ半導体基板の表
面分析は素子が作成される片面のみの評価値が必要とさ
れていて、裏面側の影響は避けなければならない。
噴霧した薬液が微粒になりすぎて、反応溶液全部が受皿
に滴下せずにＳｉ半導体基板の表面上に付着して、全部
を回収し難い。
に滴下せずにＳｉ半導体基板の表面上に付着して、全部
を回収し難い。
等の不都合があり、総じて、試料がＳｉ半導体基板以外
から汚染されがちで、この結果、評価上清浄度の高いＳ
ｉ半導体基板の中にも、電気特性の劣るものがしばしば
存在していた。 ′すなわち、従来の表面分析による
分析値は、Ｓｉ半導体基板表面の適切な清浄度を表わす
ものでなかった。
から汚染されがちで、この結果、評価上清浄度の高いＳ
ｉ半導体基板の中にも、電気特性の劣るものがしばしば
存在していた。 ′すなわち、従来の表面分析による
分析値は、Ｓｉ半導体基板表面の適切な清浄度を表わす
ものでなかった。
また上記従来法はバッチ式であって作業性が悪いという
問題もあった。
問題もあった。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので
、Ｓｉ半導体基板を上面開口の容器内に水平に定置し、
定置されたＳｉ半導体基板の周辺に清浄ガスを導入する
と共に、キャリアガスで揮発性薬品の蒸気を案内して前
記Ｓｉ半導体基板の上面に所定時間放出し、ここに得ら
れる反応物を回収して元素分析に供することを第１の発
明とし、更に、前記反応物に超純水を滴下した後これを
回収して、元素分析に供する方法を第２の発明としてい
る。
、Ｓｉ半導体基板を上面開口の容器内に水平に定置し、
定置されたＳｉ半導体基板の周辺に清浄ガスを導入する
と共に、キャリアガスで揮発性薬品の蒸気を案内して前
記Ｓｉ半導体基板の上面に所定時間放出し、ここに得ら
れる反応物を回収して元素分析に供することを第１の発
明とし、更に、前記反応物に超純水を滴下した後これを
回収して、元素分析に供する方法を第２の発明としてい
る。
ここで揮発性薬品としては弗化水素水やアンモニアが用
いられ、キャリアガスとしては清浄化された空気や窒素
ガスが用いられる。また「所定時間」とは、Ｓｉ半導体
基板の表面が反応溶解する時間を意味する。
いられ、キャリアガスとしては清浄化された空気や窒素
ガスが用いられる。また「所定時間」とは、Ｓｉ半導体
基板の表面が反応溶解する時間を意味する。
（作 用）
上記したように本発明では、容器内にＳｉ半導体基板を
定置しているところ、揮発性薬品の蒸気が他物体に接触
してその後滴下するようなことがなく、そのために不純
物混入の可能性が少なくなる。そしてＳｉ半導体基板の
表面の反応に供される揮発性薬品は、蒸気としてキャリ
アガスで的確にＳｉ半導体基板の表面に案内放出される
。また、上記Ｓｉ半導体基板の定置位置には清浄ガスが
導入され、反応雰囲気が清浄化されると共に、Ｓｉ基板
を冷却することにもなって、良好な試料作成に寄与して
いる。
定置しているところ、揮発性薬品の蒸気が他物体に接触
してその後滴下するようなことがなく、そのために不純
物混入の可能性が少なくなる。そしてＳｉ半導体基板の
表面の反応に供される揮発性薬品は、蒸気としてキャリ
アガスで的確にＳｉ半導体基板の表面に案内放出される
。また、上記Ｓｉ半導体基板の定置位置には清浄ガスが
導入され、反応雰囲気が清浄化されると共に、Ｓｉ基板
を冷却することにもなって、良好な試料作成に寄与して
いる。
（実施例）
以下に本発明の一実施例を図面に基づき説明する。
図面は、本発明の実施態様を示す縦断面であって、図中
、１は容器、２は上記容器に付設された清浄ガス導入口
であり、容器１内にはＳｉ半導体基板３を載置するため
の保持台４が複数個配設されている。
、１は容器、２は上記容器に付設された清浄ガス導入口
であり、容器１内にはＳｉ半導体基板３を載置するため
の保持台４が複数個配設されている。
そして、上記保持台４は、実施例の場合、その内部に例
えば冷却管５を具備し、Ｓｉ半導体基板３を低温保持す
るものとなされている。
えば冷却管５を具備し、Ｓｉ半導体基板３を低温保持す
るものとなされている。
６は、弗化水素水等揮発性薬品７を収納する収納容器で
あり、該収納容器６の上部には揮発性薬品７の蒸気を各
Ｓｉ半導体基板３表面へと案内する配管８が接続され、
該配管８の基部若しくは収納容器６の上部には、揮発性
薬品７の蒸気を携行するためのキャリアガス導入口９が
設けられている。なお、図面ではキャリアガスな矢印１
０で示している。１１は揮発性薬品７を気化するため収
納容器６に付設した加熱手段を示す。
あり、該収納容器６の上部には揮発性薬品７の蒸気を各
Ｓｉ半導体基板３表面へと案内する配管８が接続され、
該配管８の基部若しくは収納容器６の上部には、揮発性
薬品７の蒸気を携行するためのキャリアガス導入口９が
設けられている。なお、図面ではキャリアガスな矢印１
０で示している。１１は揮発性薬品７を気化するため収
納容器６に付設した加熱手段を示す。
本発明方法は、上記例示した如き装置を使用して実施さ
れる。
れる。
すなわち、冷却された保持台４上にＳｉ半導体基板３を
載置し、清浄ガス導入口２から清浄化された空気や窒素
ガスを容器１内に導入し、しかる後、加熱手段１１によ
って揮発性薬品７を気化すると共にキャリアガス１０を
吹き込み、該キャリアガス１０によって揮発性薬品７の
蒸気をＳｉ半導体基板３表面へ案内放出する。そして、
この放出状態を所定時間続けてＳｉ半導体基板３の表面
層に揮発性薬品７を反応させ後これを回収し、フレーム
レス原子吸光法で分析する。なお、本発明の他の方法と
して、Ｓｉ半導体基板３の表面層に揮発性薬品７を反応
させ、この反応後、マイクロとベット（図示せず）等を
用いてＳｉ半導体基板３表面に超純水を滴下した後これ
を回収し、フレームレス原子吸光法で分析する。
載置し、清浄ガス導入口２から清浄化された空気や窒素
ガスを容器１内に導入し、しかる後、加熱手段１１によ
って揮発性薬品７を気化すると共にキャリアガス１０を
吹き込み、該キャリアガス１０によって揮発性薬品７の
蒸気をＳｉ半導体基板３表面へ案内放出する。そして、
この放出状態を所定時間続けてＳｉ半導体基板３の表面
層に揮発性薬品７を反応させ後これを回収し、フレーム
レス原子吸光法で分析する。なお、本発明の他の方法と
して、Ｓｉ半導体基板３の表面層に揮発性薬品７を反応
させ、この反応後、マイクロとベット（図示せず）等を
用いてＳｉ半導体基板３表面に超純水を滴下した後これ
を回収し、フレームレス原子吸光法で分析する。
なお、上記本発明の実施においては、容器１の上面に図
示を省略した配管を用いてエアーカーテンを配すれば、
清浄ガス、揮発性薬品７の蒸気の逸散が避は得て、反応
が効率良く行われる。
示を省略した配管を用いてエアーカーテンを配すれば、
清浄ガス、揮発性薬品７の蒸気の逸散が避は得て、反応
が効率良く行われる。
そして、上記の如き実施例では、容器１が開口されてい
て、Ｓｉ半導体基板３の設置及び排除が容易であり、蓋
体がないゆえに凝縮滴下する液が存在し得ない。また、
容器１は開口物ではあるが、該容器内には清浄ガスが導
入されているので、不純物を含んだ空気の侵入が阻止さ
れることになる。
て、Ｓｉ半導体基板３の設置及び排除が容易であり、蓋
体がないゆえに凝縮滴下する液が存在し得ない。また、
容器１は開口物ではあるが、該容器内には清浄ガスが導
入されているので、不純物を含んだ空気の侵入が阻止さ
れることになる。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明は、Ｓｉ半導体基板を容器
内に水平に定置し、定置されたＳｉ半導体基板の周辺に
清浄ガスを導入すると共にキャリアガスで前記Ｓｉ半導
体基板の上面に揮発性薬品の蒸気を所定時間案内放出し
、ここに得られる反応物を回収し、又は超純水を用いて
回収し、これを元素分析に供するので、Ｓｉ半導体基板
の表面側のみ回収することができ、裏面の影響を受けな
い試料が得られ蓋体に起因する不純物の混入が起り得す
、この結果目的とする的確な信頼に足る試料が得られて
表面分析値が正確となる。また、上記本発明方法は、複
数のＳｉ半導体基板を用いて行うことができ、バッチ式
でないゆえに作業性も向上する。
内に水平に定置し、定置されたＳｉ半導体基板の周辺に
清浄ガスを導入すると共にキャリアガスで前記Ｓｉ半導
体基板の上面に揮発性薬品の蒸気を所定時間案内放出し
、ここに得られる反応物を回収し、又は超純水を用いて
回収し、これを元素分析に供するので、Ｓｉ半導体基板
の表面側のみ回収することができ、裏面の影響を受けな
い試料が得られ蓋体に起因する不純物の混入が起り得す
、この結果目的とする的確な信頼に足る試料が得られて
表面分析値が正確となる。また、上記本発明方法は、複
数のＳｉ半導体基板を用いて行うことができ、バッチ式
でないゆえに作業性も向上する。
図面は、本発明の一実施態様を示す縦断面である。
ｌ・・・容器 ２・・・清浄ガス導入口３・・・Ｓｉ半
導体基板 ７・・・揮発性薬品１０・・・キャリアガス
導体基板 ７・・・揮発性薬品１０・・・キャリアガス
Claims (2)
- （１）Ｓｉ半導体基板を容器内に水平に定置し、定置さ
れたＳｉ半導体基板の周辺に清浄ガスを導入すると共に
、キャリアガスで揮発性薬品の蒸気を案内して前記Ｓｉ
半導体基板の上面に所定時間放出し、ここに得られる反
応物を回収して元素分析に供することを特徴とするＳｉ
半導体基板の表面分析方法。 - （２）Ｓｉ半導体基板を容器内に水平に定置し、定置さ
れたＳｉ半導体基板の周辺に清浄ガスを導入すると共に
、キャリアガスで揮発性薬品の蒸気を案内して前記Ｓｉ
半導体基板の上面に所定時間放出し、ここに得られる反
応物に超純水を滴下した後これを回収して、元素分析に
供することを特徴とするＳｉ半導体基板の表面分析方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337388A JPH01189559A (ja) | 1988-01-23 | 1988-01-23 | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337388A JPH01189559A (ja) | 1988-01-23 | 1988-01-23 | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189559A true JPH01189559A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11831292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337388A Pending JPH01189559A (ja) | 1988-01-23 | 1988-01-23 | Ｓｉ半導体基板の表面分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189559A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04252045A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 半導体素子製造工程評価方法 |
| WO2013035306A1 (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-14 | アトナープ株式会社 | ガス採取装置および検査装置 |
-
1988
- 1988-01-23 JP JP1337388A patent/JPH01189559A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04252045A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Nec Corp | 半導体素子製造工程評価方法 |
| WO2013035306A1 (ja) * | 2011-09-06 | 2013-03-14 | アトナープ株式会社 | ガス採取装置および検査装置 |
| JPWO2013035306A1 (ja) * | 2011-09-06 | 2015-03-23 | アトナープ株式会社 | ガス採取装置および検査装置 |
| US9625358B2 (en) | 2011-09-06 | 2017-04-18 | Atonarp Inc. | Gas sampling apparatus and monitoring apparatus |
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