JPH01189135A - 気相成長法 - Google Patents
気相成長法Info
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- JPH01189135A JPH01189135A JP1508088A JP1508088A JPH01189135A JP H01189135 A JPH01189135 A JP H01189135A JP 1508088 A JP1508088 A JP 1508088A JP 1508088 A JP1508088 A JP 1508088A JP H01189135 A JPH01189135 A JP H01189135A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 8
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 14
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N tantalum(v) ethoxide Chemical compound [Ta+5].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] HSXKFDGTKKAEHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- KTOQRRDVVIDEAA-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropane Chemical compound [CH2]C(C)C KTOQRRDVVIDEAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQIIEHBULBHJKX-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropylalumane Chemical compound CC(C)C[AlH2] LQIIEHBULBHJKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical group 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
金属酸化物を基板表面に形成する気相成長法の改良に関
し、 容易に実施し得る方法によって均一な膜厚の誘電層を形
成することが可能な気相成長法の提供を目的とし、 有機金属或いは無機金属を用い、オゾンを含む酸素雰囲
気中で、金属酸化物を基板表面に形成するよう構成する
。
し、 容易に実施し得る方法によって均一な膜厚の誘電層を形
成することが可能な気相成長法の提供を目的とし、 有機金属或いは無機金属を用い、オゾンを含む酸素雰囲
気中で、金属酸化物を基板表面に形成するよう構成する
。
本発明は、気相成長法に係り、特に金属酸化物を基板表
面に形成する方法の改良に関するものである。
面に形成する方法の改良に関するものである。
超大集積回路装置（以下ＶＬＳ Ｉと略称する）におい
ては、集積度が高くなるのに伴い、各素子に許容される
面積が益々小さくなっている。
ては、集積度が高くなるのに伴い、各素子に許容される
面積が益々小さくなっている。
このため、例えばキャパシタを形成するのに許容される
面積も小さくなり、４Ｍ ｂｉｔのダイナミック・ラン
ダム・アクセス・メモリ（以下、ＤＲＡＭと略称する）
程度まではスタックドセル或いはトレンチ等の構造を利
用することにより、問題を解決してきた。
面積も小さくなり、４Ｍ ｂｉｔのダイナミック・ラン
ダム・アクセス・メモリ（以下、ＤＲＡＭと略称する）
程度まではスタックドセル或いはトレンチ等の構造を利
用することにより、問題を解決してきた。
しかしながら、更に集積度が高くなり、１６Ｍ ｂｉｔ
ＤＲＡＭ級の集積度の高いＶＬＳ Ｉにおいては、誘電
層の面積の縮小や膜厚の圧縮では問題の解決が困難にな
り、誘電層の材質を選択し、誘電率の高い材料を用いな
ければならなくなった。
ＤＲＡＭ級の集積度の高いＶＬＳ Ｉにおいては、誘電
層の面積の縮小や膜厚の圧縮では問題の解決が困難にな
り、誘電層の材質を選択し、誘電率の高い材料を用いな
ければならなくなった。
以上のような状況から誘電率の高い材料の膜を基板上に
均一に形成することが可能な気相成長法が要望されてい
る。
均一に形成することが可能な気相成長法が要望されてい
る。
従来の気相成長法は第４図に示すような気相成長装置を
用いて薄膜を基板の表面に成長している。
用いて薄膜を基板の表面に成長している。
図に示すように、下部に排気装置１８に接続した排気口
１１ａを設けた反応室１１の上部にはシャワー１４、下
部にはヒータ１３を内蔵して加熱された載物台１２が設
けられており、載物台１２には基板１９が搭載されてい
る。
１１ａを設けた反応室１１の上部にはシャワー１４、下
部にはヒータ１３を内蔵して加熱された載物台１２が設
けられており、載物台１２には基板１９が搭載されてい
る。
このシャワー１４には反応ガスが反応ガス導入口１６か
ら導入され、これとは別に酸素が導入されている。
ら導入され、これとは別に酸素が導入されている。
このシャワーＩ４から反応ガス及び酸素を吹き出させて
、加熱された基板１９の表面に薄膜を成長させている。
、加熱された基板１９の表面に薄膜を成長させている。
以上説明の従来の気相成長法で問題となるのは、従来の
ＣＶＤ法で誘電率の高い酸化アルミニウム或いは酸化タ
ンタルを形成すると、形状の異なるダレインの発止に伴
い、均一な膜厚の誘電層を形成することが困難なことで
ある。
ＣＶＤ法で誘電率の高い酸化アルミニウム或いは酸化タ
ンタルを形成すると、形状の異なるダレインの発止に伴
い、均一な膜厚の誘電層を形成することが困難なことで
ある。
本発明は以上のような状況から容易に実施し得る方法に
よって均一な膜厚の誘電層を形成することが可能な気相
成長法の提供を目的としたものである。
よって均一な膜厚の誘電層を形成することが可能な気相
成長法の提供を目的としたものである。
上記問題点は、有機金属或いは無機金属を用い、オゾン
を含む酸素雰囲気中で、金属酸化物を基板表面に形成す
る本発明による気相成長法によって解決される。
を含む酸素雰囲気中で、金属酸化物を基板表面に形成す
る本発明による気相成長法によって解決される。
即ち本発明においては、有機金属或いは無機金属を用い
、オゾンを含む酸素雰囲気中で、金属酸化物を基板表面
に形成すると、オゾンの作用により下記の反応式に示す
ように、低温でカバレッジが優れており、緻密で絶縁耐
圧の高い、誘電率の高い膜を形成することが可能となる
。
、オゾンを含む酸素雰囲気中で、金属酸化物を基板表面
に形成すると、オゾンの作用により下記の反応式に示す
ように、低温でカバレッジが優れており、緻密で絶縁耐
圧の高い、誘電率の高い膜を形成することが可能となる
。
ＭＲＩ、＋０１→ＭＯ＋ｔ＋Ｒｎ
Ｍ（０−Ｒ）、＋Ｏｆｆ−ＭＯ＋ｔ＋Ｒ，−ＭＸ、１＋
０３→ＭＯｆｉ＋Ｘ、Ｉ Ｍ：金属、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）
。
０３→ＭＯｆｉ＋Ｘ、Ｉ Ｍ：金属、例えば、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）
。
アルミニウム（ＡＩ）
Ｒ：有機化合物、例えば、炭化水素、
Ｘ：ハロゲン化物、例えば、塩素（Ｃ４’２）。
臭素（Ｂｒ）、弗素（Ｆ）
を示す。
以下第１図〜第３図により本発明の第１、第２、第３の
実施例について説明する。
実施例について説明する。
第１図は、第１の実施例の酸化タンタルの膜を成長させ
る気相成長法の場合を示す。
る気相成長法の場合を示す。
下部に排気装置８に接続した排気口１ａを設けた反応室
Ｉの上部にはシャワー４、下部にはヒータ３を内蔵して
４００℃に加熱された載物台２が設けられている。載物
台２には基板９が搭載されており、シャワー４から基板
１表面にガスを吹きだしている。
Ｉの上部にはシャワー４、下部にはヒータ３を内蔵して
４００℃に加熱された載物台２が設けられている。載物
台２には基板９が搭載されており、シャワー４から基板
１表面にガスを吹きだしている。
このシャワー４には反応ガス導入口６から液体のペンタ
・エトキシ・タンタル（Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ）の入っ
たバブリング装置７を通ってきた１００ｃｃ ／ｍｉｎ
の流量の酸素或いは水素と、これとは別にオゾン発生器
５を通った４〜５％のオゾンを含む流量１．０００ｃｃ
／ｍｉｎの酸素とが導入されている。
・エトキシ・タンタル（Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ）の入っ
たバブリング装置７を通ってきた１００ｃｃ ／ｍｉｎ
の流量の酸素或いは水素と、これとは別にオゾン発生器
５を通った４〜５％のオゾンを含む流量１．０００ｃｃ
／ｍｉｎの酸素とが導入されている。
この気相成長装置においては、下記の反応式の反応が起
こり酸化タンタルの均一な膜厚の薄膜が基板９の表面に
成長する。
こり酸化タンタルの均一な膜厚の薄膜が基板９の表面に
成長する。
Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ ＋ ０３−”Ｔａｎｇ ＋ Ｃ
ＩＩＨＩＩＯＩＩ第２図は、第２の実施例の塩化アルミ
ニウムを用いて酸化アルミニウムの膜を成長させる気相
成長法の場合を示す。
ＩＩＨＩＩＯＩＩ第２図は、第２の実施例の塩化アルミ
ニウムを用いて酸化アルミニウムの膜を成長させる気相
成長法の場合を示す。
この場合には、第１の実施例の液体のペンタ・エトキシ
・タンタル（Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ）の入ったバブリン
グ装置７を通ってきた１００ｃｃ／ｍｉｎの流量の酸素
或いは水素の代わりに、気体の塩化アルミニウム（ＡＩ
！（Ｊ ｘ ）を１０〜２０ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入
しているのと、基板１の加熱温度が３００℃であること
以外は、第１の実施例の場合と同じである。
・タンタル（Ｔａ（ＯＣｚＨｓ）ｓ）の入ったバブリン
グ装置７を通ってきた１００ｃｃ／ｍｉｎの流量の酸素
或いは水素の代わりに、気体の塩化アルミニウム（ＡＩ
！（Ｊ ｘ ）を１０〜２０ｃｃ／ｍｉｎの流量で導入
しているのと、基板１の加熱温度が３００℃であること
以外は、第１の実施例の場合と同じである。
この場合は、下記の反応式の反応が起こり酸化アルミニ
ウムの均一な膜厚の薄膜が基板９の表面に成長する。
ウムの均一な膜厚の薄膜が基板９の表面に成長する。
２ Ａｌｃｉ、 ＋ Ｏ、−ｐ、ｌｚＯ、、＋ ３ ｃ
！！２第３図は、第３の実施例の３イソブチル・アルミ
ニウムを用いて酸化アルミニウムの膜を成長させる気相
成長法の場合を示す。
！！２第３図は、第３の実施例の３イソブチル・アルミ
ニウムを用いて酸化アルミニウムの膜を成長させる気相
成長法の場合を示す。
この場合には、第１の実施例の液体のペンタ・エトキシ
・タンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ３）Ｓ）の入ったバブリン
グ装置７を通ってきた１００ｃｃ／ｍｉｎの流量の酸素
或いは水素の代わりに、気体の３イソブチル・アルミニ
ウム（ＡＩ（ｉｓｏ−Ｃｓ Ｈ９） ３を１０〜２０ｃ
ｃ／ｍｉｎの流量で導入しているのと、基板１の加熱温
度が２５０℃であること以外は、第１の実施例の場合と
同じである。
・タンタル（Ｔａ（ＯＣ２Ｈ３）Ｓ）の入ったバブリン
グ装置７を通ってきた１００ｃｃ／ｍｉｎの流量の酸素
或いは水素の代わりに、気体の３イソブチル・アルミニ
ウム（ＡＩ（ｉｓｏ−Ｃｓ Ｈ９） ３を１０〜２０ｃ
ｃ／ｍｉｎの流量で導入しているのと、基板１の加熱温
度が２５０℃であること以外は、第１の実施例の場合と
同じである。
この場合は、下記の反応式の反応が起こり酸化アルミニ
ウムの均一な膜厚の薄膜が基板９の表面に成長する。
ウムの均一な膜厚の薄膜が基板９の表面に成長する。
２ Ａｌ（ｉｓｏ−Ｃ４Ｈ９）Ｉ＋ ０ｚ−Ａｌｔｏａ
＋ Ｘ Ｃ１１Ｈａこのように雰囲気ガスである酸素に
オゾンを含有させることにより、基板９表面に均一な膜
厚の金属酸化物の薄膜を成長させることが可能であり、
これらの金属酸化物はシリコン、ポリシリコン或いは金
属の表面にのみ選択的に形成されるのでキャパシタの誘
電層を形成する場合には好都合である。緻密な膜が形成
できる機構としては、次式に示すようなペルオキサイド
構造を経て、反応が継続するためである。
＋ Ｘ Ｃ１１Ｈａこのように雰囲気ガスである酸素に
オゾンを含有させることにより、基板９表面に均一な膜
厚の金属酸化物の薄膜を成長させることが可能であり、
これらの金属酸化物はシリコン、ポリシリコン或いは金
属の表面にのみ選択的に形成されるのでキャパシタの誘
電層を形成する場合には好都合である。緻密な膜が形成
できる機構としては、次式に示すようなペルオキサイド
構造を経て、反応が継続するためである。
以上の説明から明らかなように本発明によれば極めて簡
単な構成の、オゾン発生器を含む酸素供給回路に設ける
ことにより、低温でカバレッジが優れ緻密で絶縁耐圧の
高い、誘電率の高い膜を形成することが可能となり、ま
たリソグラフィー技術によるバターニング工程を行わな
いで、表面反応に伴い、シリコンや金属表面等の酸化物
表面より活性である面上に膜を選択成長させることがで
きるので、工程を短縮することが可能となる等の利点が
あり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき
工業的には極めて有用なものである。
単な構成の、オゾン発生器を含む酸素供給回路に設ける
ことにより、低温でカバレッジが優れ緻密で絶縁耐圧の
高い、誘電率の高い膜を形成することが可能となり、ま
たリソグラフィー技術によるバターニング工程を行わな
いで、表面反応に伴い、シリコンや金属表面等の酸化物
表面より活性である面上に膜を選択成長させることがで
きるので、工程を短縮することが可能となる等の利点が
あり、著しい経済的及び、信頼性向上の効果が期待でき
工業的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による第１の実施例の構成を示す図、
第２図は本発明による第２の実施例の構成を示す図、
第３図は本発明による第３の実施例の構成を示す図、
第４図は従来の気相成長装置の構成を示す図、である。
図において、
１は反応室、
ｌａは排気口、
２は載物台、
３はヒータ、
４はシャワー、
５はオゾン発生器、
６は反応ガス導入口、
７はバブリング装置、
８は排気装置、
９は基板、
本発明による第１の実施例の構成を示す図第１図
本発明による第２の実施例の構成を示す図第２図
本発明による第３の実施例の構成を示す図第３図
従来の気相成長装置の構成を示す図
第４図
Claims (1)
- 有機金属或いは無機金属を用い、オゾンを含む酸素雰
囲気中で、金属酸化物を基板表面に形成することを特徴
とする気相成長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1508088A JPH01189135A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 気相成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1508088A JPH01189135A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 気相成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189135A true JPH01189135A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11878869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1508088A Pending JPH01189135A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | 気相成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189135A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196427A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nec Corp | 金属酸化膜の気相成長方法 |
| JPH04145623A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773178A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-07 | Hitachi Ltd | Production of oxide |
| JPS6274081A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPS62149876A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Canon Inc | 酸化膜の形成方法 |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1508088A patent/JPH01189135A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5773178A (en) * | 1980-10-23 | 1982-05-07 | Hitachi Ltd | Production of oxide |
| JPS6274081A (ja) * | 1985-09-28 | 1987-04-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法とその装置 |
| JPS62149876A (ja) * | 1985-12-24 | 1987-07-03 | Canon Inc | 酸化膜の形成方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196427A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Nec Corp | 金属酸化膜の気相成長方法 |
| JPH04145623A (ja) * | 1990-10-08 | 1992-05-19 | Handotai Process Kenkyusho:Kk | 半導体装置の製造方法 |
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