JPH01189128A - プラズマｃｖｄ方法 - Google Patents
プラズマｃｖｄ方法Info
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- JPH01189128A JPH01189128A JP1341688A JP1341688A JPH01189128A JP H01189128 A JPH01189128 A JP H01189128A JP 1341688 A JP1341688 A JP 1341688A JP 1341688 A JP1341688 A JP 1341688A JP H01189128 A JPH01189128 A JP H01189128A
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子部品製造などに使用されるプラズマＣＶ
Ｄ方法に関するものである。
Ｄ方法に関するものである。
従来の技術
プラズマＣＶＤ方法は真空容器内に試料を保持し、形成
すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを供給しながら
、高周波エネルギによって、前記の化合物ガスを励起し
、試料表面をその低温プラズマ雰囲気に配置することに
よって、試料表面に薄膜を形成（堆積）する方法である
。
すべき薄膜の組成元素を含む化合物ガスを供給しながら
、高周波エネルギによって、前記の化合物ガスを励起し
、試料表面をその低温プラズマ雰囲気に配置することに
よって、試料表面に薄膜を形成（堆積）する方法である
。
まず、従来のプラズマＣＶＤ方法に使用するプラズマＣ
ＶＤ装置を第４図に基づいて説明する。第４図において
、１は反応ガスの供給と真空排気が可能な反応室を形成
する真空容器であり、真空容器１には真空容器ｌに設け
たガス導入口２を介してガス流量制御装置３から試料４
に形成すべきプラズマＣＶＤ膜の組成元素を含む化合物
ガス（反応ガスフが導入され、真空容器１に設けた排気
口５から真空容器１の内部の圧力を制御するためのバタ
フライバルブ６を介して真空排気ポンプ７により排気さ
れる。また、試料４はアース接地された試料保持手段で
ある試料台８に載置され、試料台８に搭載された加熱手
段であるヒータ９により加熱される。さらに、試料台８
に対向して電極１０が設けられており１ｗｔ極ｌＯは高
周波電源１１より高周波電力が供給されて真空容器ｌの
内部に低温プラズマを発生する。１２はヒータ９の交流
電源である。
ＶＤ装置を第４図に基づいて説明する。第４図において
、１は反応ガスの供給と真空排気が可能な反応室を形成
する真空容器であり、真空容器１には真空容器ｌに設け
たガス導入口２を介してガス流量制御装置３から試料４
に形成すべきプラズマＣＶＤ膜の組成元素を含む化合物
ガス（反応ガスフが導入され、真空容器１に設けた排気
口５から真空容器１の内部の圧力を制御するためのバタ
フライバルブ６を介して真空排気ポンプ７により排気さ
れる。また、試料４はアース接地された試料保持手段で
ある試料台８に載置され、試料台８に搭載された加熱手
段であるヒータ９により加熱される。さらに、試料台８
に対向して電極１０が設けられており１ｗｔ極ｌＯは高
周波電源１１より高周波電力が供給されて真空容器ｌの
内部に低温プラズマを発生する。１２はヒータ９の交流
電源である。
次に、上記装置を用いたプラズマＣＶＤ 方法について
説明する。
説明する。
まず、真空容器ｌの内部を真空排気ポンプ７で所定の圧
力まで真空排気した後、試料４の表面に形成すべきプラ
ズマＣＶＤ膜の組成元素を含む化合物ガスをガス流量制
御装置３を介して真空容器１の内部に導入しながら、バ
タフライバルブ６を操作して、薄膜形成条件である圧力
すなわち１００〜４００ｍＴｏｒｒ に真空容器１の
内部を制御する。また試料４は試料台８を介してヒータ
９によって３００℃程度の温度に加熱制御される。次に
、電極１０に周波数５０）Ｇ（ｚの高周波電力を３０〜
８０ｍＷ／Ｃｍ！程度供給することによって、前記化合
物ガスを励起し、試料４の表面をその低温プラズマ雰囲
気にさらすことによって、試料４の表面にプラズマＣＶ
Ｄ膜を形成する。
力まで真空排気した後、試料４の表面に形成すべきプラ
ズマＣＶＤ膜の組成元素を含む化合物ガスをガス流量制
御装置３を介して真空容器１の内部に導入しながら、バ
タフライバルブ６を操作して、薄膜形成条件である圧力
すなわち１００〜４００ｍＴｏｒｒ に真空容器１の
内部を制御する。また試料４は試料台８を介してヒータ
９によって３００℃程度の温度に加熱制御される。次に
、電極１０に周波数５０）Ｇ（ｚの高周波電力を３０〜
８０ｍＷ／Ｃｍ！程度供給することによって、前記化合
物ガスを励起し、試料４の表面をその低温プラズマ雰囲
気にさらすことによって、試料４の表面にプラズマＣＶ
Ｄ膜を形成する。
一般にプラズマＣＶＤ方法で形成する膜は、パッシベー
ション膜としてのＳｉＮ膜や、太陽電池などに用いられ
るα−８ｔ膜をはじめ、ＳｉＯ膜、５Ｍ０Ｎ膜などがあ
げられる。いずれもＳｉＨ，を化合物ガスとして使うこ
とが多く、したがって形成されたプラズマＣＶＤ膜中に
水素を多少混合しており、これがプラズマＣＶＤ膜の性
質を大きく左右している。
ション膜としてのＳｉＮ膜や、太陽電池などに用いられ
るα−８ｔ膜をはじめ、ＳｉＯ膜、５Ｍ０Ｎ膜などがあ
げられる。いずれもＳｉＨ，を化合物ガスとして使うこ
とが多く、したがって形成されたプラズマＣＶＤ膜中に
水素を多少混合しており、これがプラズマＣＶＤ膜の性
質を大きく左右している。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような従来の方法では、試料４を３
００℃程度に加熱するため、樹脂材料など面Ｊ熱性の乏
しい材料にプラズマＣＶＤ膜を形成することができない
という問題点があった。また、単に加熱温度を下げてプ
ラズマＣＶＤ膜を形成すると、水素を多く含有したプラ
ズマＣＶＤ膜となり、高温で形成するプラズマＣＶＤ膜
と異なった性質を示し。
００℃程度に加熱するため、樹脂材料など面Ｊ熱性の乏
しい材料にプラズマＣＶＤ膜を形成することができない
という問題点があった。また、単に加熱温度を下げてプ
ラズマＣＶＤ膜を形成すると、水素を多く含有したプラ
ズマＣＶＤ膜となり、高温で形成するプラズマＣＶＤ膜
と異なった性質を示し。
特に、パッシベーション膜として用いられる場合におい
ては水素の混入はプラズマＣＶＤ膜のパッシベーション
性能を著るしく劣化させてしまうという問題があった。
ては水素の混入はプラズマＣＶＤ膜のパッシベーション
性能を著るしく劣化させてしまうという問題があった。
本発明は上記問題を解決するものであり、耐熱性の乏し
い材料にもプラズマＣＶＤ膜の形成が可能で、かつ優れ
たパッシベーション性能を有するプラズマＣＶＤ膜を形
成可能なプラズマＣＶＤ方法を提供することを目的とす
るものである。
い材料にもプラズマＣＶＤ膜の形成が可能で、かつ優れ
たパッシベーション性能を有するプラズマＣＶＤ膜を形
成可能なプラズマＣＶＤ方法を提供することを目的とす
るものである。
課題を解決するための手段
上記問題を解決するため本発明のプラズマＣＶＤ方法は
、反応ガスおよび供給と真空排気が可能な真空容器と、
前記真空容器内に低温プラズマを発生させるプラズマ発
生手段と、プラズマＣＶＤ膜を堆積させる試料を保持す
る試料保持手段と、前記試料を加熱する加熱手段とを備
えたプラズマＣＶＤ装置を用いて、前記加熱手段により
前記試料を１００℃以下の温度に加熱し、前記プラズマ
発生手段によりプラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ
２以上の低温プラズマを発生させて前記試料上にプラズ
マＣＶＤ膜を形成する方法である。
、反応ガスおよび供給と真空排気が可能な真空容器と、
前記真空容器内に低温プラズマを発生させるプラズマ発
生手段と、プラズマＣＶＤ膜を堆積させる試料を保持す
る試料保持手段と、前記試料を加熱する加熱手段とを備
えたプラズマＣＶＤ装置を用いて、前記加熱手段により
前記試料を１００℃以下の温度に加熱し、前記プラズマ
発生手段によりプラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ
２以上の低温プラズマを発生させて前記試料上にプラズ
マＣＶＤ膜を形成する方法である。
さらに加熱手段の他に、試料を冷却する冷却手段と、試
料の温度を一定に保つように冷却手段および加熱手段を
制御する温度制御手段を加え、このプラズマＣＶＤ装置
を用いて、試料を冷却手段により強制冷却しつつ加熱手
段により１００℃以下の温度に加熱制御し、プラズマ発
生手段によりプラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ”
以上の低温プラズマを発生させて試料上にプラズマＣＶ
Ｄ膜を形成する方法である。
料の温度を一定に保つように冷却手段および加熱手段を
制御する温度制御手段を加え、このプラズマＣＶＤ装置
を用いて、試料を冷却手段により強制冷却しつつ加熱手
段により１００℃以下の温度に加熱制御し、プラズマ発
生手段によりプラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ”
以上の低温プラズマを発生させて試料上にプラズマＣＶ
Ｄ膜を形成する方法である。
作用
上記構成により、１００℃以下に加熱することで耐熱性
の乏しい材料にプラズマＣＶＤ膜の形成が可能となり、
プラズマパワー密度を３００ｍＷ／ｃｍ” 以上とする
ことで、プラズマＣＶＤ膜に取り込まれる水素の量を抑
え、パッシベーション膜に適したプラズマＣＶＤ膜が形
成される。
の乏しい材料にプラズマＣＶＤ膜の形成が可能となり、
プラズマパワー密度を３００ｍＷ／ｃｍ” 以上とする
ことで、プラズマＣＶＤ膜に取り込まれる水素の量を抑
え、パッシベーション膜に適したプラズマＣＶＤ膜が形
成される。
さらに、試料を冷却手段により強制冷却しつつ加熱手段
によす１００℃以下の温度に加熱制御することにより、
試料上に成膜を繰り返す場合にプラズマによって発生す
る試料台の発熱により起る試料の温度上昇を抑え、かつ
プラズマパワー密度を３００ｍＷ／ｃｍ”以上とするこ
とにより、パッシベーション膜に適した水素含有量のプ
ラズマＣＶＤ膜が耐熱性の乏しい材料上にも再現性よく
形成される。
によす１００℃以下の温度に加熱制御することにより、
試料上に成膜を繰り返す場合にプラズマによって発生す
る試料台の発熱により起る試料の温度上昇を抑え、かつ
プラズマパワー密度を３００ｍＷ／ｃｍ”以上とするこ
とにより、パッシベーション膜に適した水素含有量のプ
ラズマＣＶＤ膜が耐熱性の乏しい材料上にも再現性よく
形成される。
実施例
以下本発明の一実施例のプラズマＣＶＤ方法を図面に基
づいて説明する。
づいて説明する。
第１図に本発明のプラズマＣＶＤ方法に使用するプラズ
マＣＶＤ装置の概略断面図を示す。以下従来の第４図の
プラズマＣＶＤ装置と同一構成には同一の符号を付して
説明を省略する。
マＣＶＤ装置の概略断面図を示す。以下従来の第４図の
プラズマＣＶＤ装置と同一構成には同一の符号を付して
説明を省略する。
ｍ１図において、１３は試料台８の内部に設けられた試
料４の冷却手段としての冷却水路であり、冷却水路１３
に冷却水を流すことにより試料台８を介して試料４は強
制冷却される。また試料台８の内部には、試料台８を介
して試料の温度を測定する温度検出手段であるｍ度セン
サ（温度計口４が設けられており、温度センサ１４の試
料ｍ度検出信号ａは温度制御装置１５に大刀される。温
度制御装置１５は、試料４の温度を一定に保つように、
試料温度検出信号ａに基づいて交流電源１２を制御して
ヒータ９の電力を制御し、また冷却水を流すよう冷却水
路１３を開放する信号を出力する。
料４の冷却手段としての冷却水路であり、冷却水路１３
に冷却水を流すことにより試料台８を介して試料４は強
制冷却される。また試料台８の内部には、試料台８を介
して試料の温度を測定する温度検出手段であるｍ度セン
サ（温度計口４が設けられており、温度センサ１４の試
料ｍ度検出信号ａは温度制御装置１５に大刀される。温
度制御装置１５は、試料４の温度を一定に保つように、
試料温度検出信号ａに基づいて交流電源１２を制御して
ヒータ９の電力を制御し、また冷却水を流すよう冷却水
路１３を開放する信号を出力する。
次に、上記のように構成されたプラズマＣＶＤ装置を用
いたプラズマＣＶＤ方法を説明する。
いたプラズマＣＶＤ方法を説明する。
まず、真空容器ｌの内部を真空排気ポンプ７によって、
３０ｒｌＴｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後に、
試料４の表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガス、すなわち、モノシラン（ＳｉＨｓ）。
３０ｒｌＴｏｒｒ以下の真空度まで真空排気した後に、
試料４の表面に形成すべき薄膜の組成元素を含む化合物
ガス、すなわち、モノシラン（ＳｉＨｓ）。
アンモニア（ＮＨ３）、窒素（Ｎ２）の混合ガスを各々
１３ＳＣＣＭ 、 ３１ ＳＣＣＭ 、 １４２ ＳＣ
ＣＭのガス流量で、ガス流量制御装置３より真空容器ｌ
の内部に導入し−かつ、真空容器１の内部の圧力をバタ
フラ、イバルフ６を操作して、２６０ｍＴｏｒｒに保持
する。また、試料４は、試料台８の冷却水路１３を流れ
る冷却水によって強制冷却されつつ、温度制御装置１５
によってヒータ９の電力が制御され、６０℃に制御され
る。
１３ＳＣＣＭ 、 ３１ ＳＣＣＭ 、 １４２ ＳＣ
ＣＭのガス流量で、ガス流量制御装置３より真空容器ｌ
の内部に導入し−かつ、真空容器１の内部の圧力をバタ
フラ、イバルフ６を操作して、２６０ｍＴｏｒｒに保持
する。また、試料４は、試料台８の冷却水路１３を流れ
る冷却水によって強制冷却されつつ、温度制御装置１５
によってヒータ９の電力が制御され、６０℃に制御され
る。
次に電極ｌＯに周波数５ＯＫＨｚの高周波電力を３３０
ｍＷ／ｃｍ” （１００Ｗ）にて供給することによって
試料４を含む室間に低温プラズマを発生させる。これに
よって、試料４の表面にプラズマＳｉＮ膜が形成される
。
ｍＷ／ｃｍ” （１００Ｗ）にて供給することによって
試料４を含む室間に低温プラズマを発生させる。これに
よって、試料４の表面にプラズマＳｉＮ膜が形成される
。
第２図に、試料４の温度、プラズマ密度を（３００℃、
６６ｍＷ／ｃｍ” ）、〔６０℃、 ６６ｒｎＷ／ｃ
ｍ” ）および〔６０℃、 ３３０ｍＷ／ｃｍ’ ）の
各条件で形成したＳｉＮ膜の水素含有量と成長速度の結
果を示す。水素含有量はパッシベーション性能の目定で
あり、その値が小さい程ち密で良質の膜である。第２図
によると、単に温度を６０℃に下げただけで形成したＳ
ｉＮ膜は、水素含有量が３００℃にて形成したＳｉＮ膜
のほぼ２倍程度となり、パッシベーションに適さない膜
であることがわかる。しかしプラズマパワー密度を上げ
た場合は、水素含有量が３００℃で形成したＳｉＮ膜と
ほぼ同等となり、ち密で良好な膜が得られることがわか
る。また、成長速度を見ると。
６６ｍＷ／ｃｍ” ）、〔６０℃、 ６６ｒｎＷ／ｃ
ｍ” ）および〔６０℃、 ３３０ｍＷ／ｃｍ’ ）の
各条件で形成したＳｉＮ膜の水素含有量と成長速度の結
果を示す。水素含有量はパッシベーション性能の目定で
あり、その値が小さい程ち密で良質の膜である。第２図
によると、単に温度を６０℃に下げただけで形成したＳ
ｉＮ膜は、水素含有量が３００℃にて形成したＳｉＮ膜
のほぼ２倍程度となり、パッシベーションに適さない膜
であることがわかる。しかしプラズマパワー密度を上げ
た場合は、水素含有量が３００℃で形成したＳｉＮ膜と
ほぼ同等となり、ち密で良好な膜が得られることがわか
る。また、成長速度を見ると。
６６ｍＷ／ｃｍ”のときに比べて４倍程度の高速成長が
得られることがわかる。
得られることがわかる。
次に第３図に成膜を繰り返した場合の特性を、横軸を成
膜回数とし、縦軸をＳｉＮ膜の水素含有量として、冷却
水路１３に冷却水を流した場合と流さない場合について
示す。成膜を繰り返すことにより冷却水を流さない場合
は水素含有量が増加してゆく様子がわかる。冷却水によ
り強制冷却した場合に再現性がよいのは、プラズマによ
り発生り、 ｆニー熱を奪いさることにより、試料４の
温度が１００ Ｃ以下に一定に保たれているためである
。
膜回数とし、縦軸をＳｉＮ膜の水素含有量として、冷却
水路１３に冷却水を流した場合と流さない場合について
示す。成膜を繰り返すことにより冷却水を流さない場合
は水素含有量が増加してゆく様子がわかる。冷却水によ
り強制冷却した場合に再現性がよいのは、プラズマによ
り発生り、 ｆニー熱を奪いさることにより、試料４の
温度が１００ Ｃ以下に一定に保たれているためである
。
このように、試料を１００℃以下の温度′に加熱し、プ
ラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ”以上の低温プラ
ズマを発生させることにより、パッシベーション膜とし
て適したＳｉＮ膜を試料４の表面に形成することができ
、成膜を繰り返す場合には冷却手段により試料４を強制
冷却しつつ、同様に制御することによって、再現性よく
パッシベーション膜として適したＳｉＮ膜を試料４０表
面に形成することができる。
ラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ”以上の低温プラ
ズマを発生させることにより、パッシベーション膜とし
て適したＳｉＮ膜を試料４の表面に形成することができ
、成膜を繰り返す場合には冷却手段により試料４を強制
冷却しつつ、同様に制御することによって、再現性よく
パッシベーション膜として適したＳｉＮ膜を試料４０表
面に形成することができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、試料を１００℃以下の温
度に加熱し、かつプラズマパワー密ｆｆが３００ｍＷ／
ａｍ’以上の低温プラズマを発生させることによって、
耐熱性の乏しい材料に対しても優れたパッシベーション
性能を有するプラズマＣＶＤ膜を形成することができる
。
度に加熱し、かつプラズマパワー密ｆｆが３００ｍＷ／
ａｍ’以上の低温プラズマを発生させることによって、
耐熱性の乏しい材料に対しても優れたパッシベーション
性能を有するプラズマＣＶＤ膜を形成することができる
。
また成膜を繰り返した場合にも、試料を強制冷却しつつ
１００℃以下の温度に制御し、かつプラズマパワー密度
が３００ｍＷ／ｃｍ’以上の低温プラズマを発生させる
ことによって、耐熱性の乏しい材料に対しても優れたパ
ッシベーション性能を有するプラズマＣＶＤ膜を再現性
良く形成することができる。
１００℃以下の温度に制御し、かつプラズマパワー密度
が３００ｍＷ／ｃｍ’以上の低温プラズマを発生させる
ことによって、耐熱性の乏しい材料に対しても優れたパ
ッシベーション性能を有するプラズマＣＶＤ膜を再現性
良く形成することができる。
第１図は本発明のプラズマＣＶＤ方法の一実施例に用い
るプラズマＣＶＤ装置の概略断面図、第２図は従来のプ
ラズマＣＶＤ法と本発明によるプラズマＣＶＤ方法にて
形成されたＳｉＮ膜の水素含有量と成長速度を示す特性
図、第３図は強制冷却を行った場合と行わない場合のＳ
ｉＮ膜の処理回数と水素含有量の特性図、第４図は従来
のプラズマＣＶＤ方法に用いるプラズマＣＶＤ装置の概
略断面図である。 ｌ・・・真空容器（反応室）、４・・・試料、８・・・
試料台（試料保持手段）、９・・・ヒータ（加熱手段］
、１０・・・電極、１１・・・高周波電源、１３・・・
冷却水路（冷却手段）、１４・・・温度センサ、１５・
・・温度制御装置（温度制御手段）。
るプラズマＣＶＤ装置の概略断面図、第２図は従来のプ
ラズマＣＶＤ法と本発明によるプラズマＣＶＤ方法にて
形成されたＳｉＮ膜の水素含有量と成長速度を示す特性
図、第３図は強制冷却を行った場合と行わない場合のＳ
ｉＮ膜の処理回数と水素含有量の特性図、第４図は従来
のプラズマＣＶＤ方法に用いるプラズマＣＶＤ装置の概
略断面図である。 ｌ・・・真空容器（反応室）、４・・・試料、８・・・
試料台（試料保持手段）、９・・・ヒータ（加熱手段］
、１０・・・電極、１１・・・高周波電源、１３・・・
冷却水路（冷却手段）、１４・・・温度センサ、１５・
・・温度制御装置（温度制御手段）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応ガスの供給および真空排気が可能な真空容器と
、前記真空容器内に低温プラズマを発生させるプラズマ
発生手段と、プラズマ ＣＶＤ膜を堆積させる試料を保持する試料保持手段と、
前記試料を加熱する加熱手段とを備えたプラズマＣＶＤ
装置を用いて、前記加熱手段により前記試料を１００℃
以下の温度に加熱し、前記プラズマ発生手段によりプラ
ズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ＾２以上の低温プラ
ズマを発生させて前記試料上にプラズマＣＶＤ膜を形成
するプラズマＣＶＤ方法。 ２、反応ガスの供給および真空排気が可能な反応室と、
前記反応室内に低温プラズマを発生させるプラズマ発生
手段と、プラズマＣＶＤ膜を堆積させる試料を保持する
試料保持手段と、前記試料を冷却する冷却手段と、前記
試料を加熱する加熱手段と、前記試料の温度を一定に保
つように前記冷却手段および加熱手段を制御する温度制
御手段とを備えたプラズマ ＣＶＤ装置を用いて、前記試料を前記冷却手段により強
制冷却しつつ前記加熱手段により １００℃以下の温度に加熱制御し、前記プラズマ発生手
段によりプラズマパワー密度が３００ｍＷ／ｃｍ＾２以
上の低温プラズマを発生させて前記試料上にプラズマＣ
ＶＤ膜を形成するプラズマＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341688A JPH01189128A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | プラズマｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1341688A JPH01189128A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | プラズマｃｖｄ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189128A true JPH01189128A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11832530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1341688A Pending JPH01189128A (ja) | 1988-01-22 | 1988-01-22 | プラズマｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189128A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04120733A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Casio Comput Co Ltd | シリコン窒化膜の成膜方法 |
| JP2013517616A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
-
1988
- 1988-01-22 JP JP1341688A patent/JPH01189128A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04120733A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-21 | Casio Comput Co Ltd | シリコン窒化膜の成膜方法 |
| JP2013517616A (ja) * | 2010-01-06 | 2013-05-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 酸化物ライナを使用する流動可能な誘電体 |
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