JPH01185942A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH01185942A JPH01185942A JP1132888A JP1132888A JPH01185942A JP H01185942 A JPH01185942 A JP H01185942A JP 1132888 A JP1132888 A JP 1132888A JP 1132888 A JP1132888 A JP 1132888A JP H01185942 A JPH01185942 A JP H01185942A
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- Japan
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- groove
- wiring part
- aluminum wiring
- semiconductor substrate
- silicon substrate
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 30
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路等の半導体装置に関し、特に半
導体基板表面と裏面の各金属配線を電気接続する構造を
有する半導体装置に関する。
導体基板表面と裏面の各金属配線を電気接続する構造を
有する半導体装置に関する。
従来、半導体基板表面に形成された金属配線を基板裏面
の金属配線と電気接続するために、基板の表面から裏面
に貫通するスルーホールを形成しその内壁に金属膜を形
成して電気接続する構造が提案されている。
の金属配線と電気接続するために、基板の表面から裏面
に貫通するスルーホールを形成しその内壁に金属膜を形
成して電気接続する構造が提案されている。
上述した従来のスルーホールによる基板表面と裏面の金
属配線の接続構造では、一般にスルーホールが基板面に
対してほぼ垂直に形成されるため、その内壁に金属膜を
均一な厚さに形成することは極めて困難であり、場合に
よっては金属膜が不連続となって電気接続がとれないこ
とがある等、製造上の歩留りや回路動作時の信頼性が大
きく低下する問題があった。
属配線の接続構造では、一般にスルーホールが基板面に
対してほぼ垂直に形成されるため、その内壁に金属膜を
均一な厚さに形成することは極めて困難であり、場合に
よっては金属膜が不連続となって電気接続がとれないこ
とがある等、製造上の歩留りや回路動作時の信頼性が大
きく低下する問題があった。
本発明は、基板表面及び裏面の金属配線の電気接続の信
頼性を向上し、かつ製造上の歩留りを向上できる半導体
装置を提供することを目的としている。
頼性を向上し、かつ製造上の歩留りを向上できる半導体
装置を提供することを目的としている。
本発明の半導体装置は、半導体基板の表面に断面■字形
の溝を形成しかつその内面に表面金属配線を形成し、こ
の表面金属配線の下端を半導体基板の裏面側に突出させ
て半導体基板の裏面金属配線に電気接続した構成として
いる。
の溝を形成しかつその内面に表面金属配線を形成し、こ
の表面金属配線の下端を半導体基板の裏面側に突出させ
て半導体基板の裏面金属配線に電気接続した構成として
いる。
上述した構成の半導体装置では、■溝内に好適に表面金
属配線を形成し、この金属配線を利用して高信頼性状態
に裏面金属配線を直接電気接続できる。
属配線を形成し、この金属配線を利用して高信頼性状態
に裏面金属配線を直接電気接続できる。
［実施例］
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明の半導体装置の第１実
施例の平面図及びそのＡＡ＆％断面図である。
施例の平面図及びそのＡＡ＆％断面図である。
図において、１はシリコン基板であり、その表面の周囲
には■溝６を形成している。そして、この■溝６の表面
には絶縁膜２を形成し、更にこの上にアルミニウム配線
４を形成している。また、前記シリコン基板１の中央領
域にはトランジスタ回路等の回路部５を形成している。
には■溝６を形成している。そして、この■溝６の表面
には絶縁膜２を形成し、更にこの上にアルミニウム配線
４を形成している。また、前記シリコン基板１の中央領
域にはトランジスタ回路等の回路部５を形成している。
更に、この上にはカバー膜３２表面カバー膜７を形成し
ている。
ている。
一方、シリコン基板１の裏面には前記Ｖ溝６の下端を露
呈させ、前記アルミニウム配線４の先端を突出させてい
る。そして、裏面には裏面絶縁膜８を形成し、裏面に形
成した所要パターンのアルミニウム配線９を前記裏面絶
縁膜８の開口を通して前記アルミニウム配線４に接続さ
せている。
呈させ、前記アルミニウム配線４の先端を突出させてい
る。そして、裏面には裏面絶縁膜８を形成し、裏面に形
成した所要パターンのアルミニウム配線９を前記裏面絶
縁膜８の開口を通して前記アルミニウム配線４に接続さ
せている。
第２図（ａ）乃至（ｃ）は前記半導体装置の製造方法を
工程順に示す断面図である。
工程順に示す断面図である。
先ず、第２図（ａ）のように、通常のウェハー製造工程
により、半導体装置を形成する。このとき、シリコン基
板１に形成する■溝６は、ウェハー製造工程の初期に例
えば水酸化カリウム液によって選択エツチングする方法
等で容易に形成できる。この方法によれば溝内壁の基板
面に対する傾斜は５０〜６０度程度となる。このため、
その上部に絶縁膜２を形成後、１着又はスパッタ等によ
り容易に均一なアルミニウム配線４を形成できる。
により、半導体装置を形成する。このとき、シリコン基
板１に形成する■溝６は、ウェハー製造工程の初期に例
えば水酸化カリウム液によって選択エツチングする方法
等で容易に形成できる。この方法によれば溝内壁の基板
面に対する傾斜は５０〜６０度程度となる。このため、
その上部に絶縁膜２を形成後、１着又はスパッタ等によ
り容易に均一なアルミニウム配線４を形成できる。
この場合、アルミニウム配線４の一部を第２図（ａ）の
ようにシリコン基板１の平坦部まで延長して形成してお
けば、この時点（通常のウェハー製造工程完了時点）で
のウェハー検査も可能となる。
ようにシリコン基板１の平坦部まで延長して形成してお
けば、この時点（通常のウェハー製造工程完了時点）で
のウェハー検査も可能となる。
次に、第２図（ｂ）のように、シリコン基板１の表面上
にＰＳＧの堆積又は窒化膜・ＰＳＧ・多結晶シリコンの
積層堆積又は樹脂デイツプ等により表面カバー膜７を形
成しチップの上部外界に対する電気的９機械的、環境的
保護力を強化しておく。
にＰＳＧの堆積又は窒化膜・ＰＳＧ・多結晶シリコンの
積層堆積又は樹脂デイツプ等により表面カバー膜７を形
成しチップの上部外界に対する電気的９機械的、環境的
保護力を強化しておく。
しかる上で、第２図（Ｃ）のように、シリコン基板１を
裏面よりエツチングしてアルミニウム配線４の下端を裏
面上に突出させる。
裏面よりエツチングしてアルミニウム配線４の下端を裏
面上に突出させる。
そして、ＰＳＧ等の裏面絶縁膜８を形成した後に必要箇
所を選択的にエツチングし、さらに裏面にアルミニウム
膜形成とその選択エツチングを行って裏面アルミニウム
配ｖＡ９を形成すれば、表面のアルミニウム配線４と裏
面アルミニウム配線９が■字形溝６を介して接合された
デバイス構造が完成する。
所を選択的にエツチングし、さらに裏面にアルミニウム
膜形成とその選択エツチングを行って裏面アルミニウム
配ｖＡ９を形成すれば、表面のアルミニウム配線４と裏
面アルミニウム配線９が■字形溝６を介して接合された
デバイス構造が完成する。
尚、本実施例を半導体装置として完成する為にはさらに
裏面に対するカバー膜を形成する必要が有る。
裏面に対するカバー膜を形成する必要が有る。
第３図は本発明の第２実施例の断面図であり、第１図と
同一部分には同一符号を付しである。
同一部分には同一符号を付しである。
本実施例は逆円錐又は逆角錐の溝６をチップ内部に一面
に分散配置して、その表面にアルミニウム配線４を形成
している。このアルミニウム配線４は、第２図の工程に
従って裏面に形成する裏面アルミニウム配線との電気接
続を行うことは勿論である０本実施例ではチップ面積に
比較して裏面延長配線数を多数確保できる利点が有る。
に分散配置して、その表面にアルミニウム配線４を形成
している。このアルミニウム配線４は、第２図の工程に
従って裏面に形成する裏面アルミニウム配線との電気接
続を行うことは勿論である０本実施例ではチップ面積に
比較して裏面延長配線数を多数確保できる利点が有る。
以上説明したように本発明は、半導体基板に形成した■
溝内面に設けた表面金属配線の下端を半導体基板の裏面
側に突出させて半導体基板の裏面金属配線に電気接続し
ているので、■溝内に好適に表面金属配線を形成して裏
面金属配線との電気接続が可能となり、高信頼性及び製
造歩留りの向上が達成できる。また、チップサイズによ
る端子数制限を緩和し、さらに電子装置基板への直接実
装の可能性を提供できる効果がある。
溝内面に設けた表面金属配線の下端を半導体基板の裏面
側に突出させて半導体基板の裏面金属配線に電気接続し
ているので、■溝内に好適に表面金属配線を形成して裏
面金属配線との電気接続が可能となり、高信頼性及び製
造歩留りの向上が達成できる。また、チップサイズによ
る端子数制限を緩和し、さらに電子装置基板への直接実
装の可能性を提供できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示し、同図（ａ）は平面図
、同図（ｂ）はそのＡＡ線に沿う断面図、第２図（ａ）
乃至第２図（ｃ）はその製造方法を工程順に示す断面図
、第３図は本発明の第２実施例の製造工程途中の断面図
である。 １・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、３・・・カバ
ー膜、４・・・アルミニウム配線、５・・・回路、６・
・・■溝、７・・・表面カバー膜、８・・・裏面絶縁膜
、９・・・裏面アルミニウム配線。 第１図 （ａ） 、２ （ｂ）
、同図（ｂ）はそのＡＡ線に沿う断面図、第２図（ａ）
乃至第２図（ｃ）はその製造方法を工程順に示す断面図
、第３図は本発明の第２実施例の製造工程途中の断面図
である。 １・・・シリコン基板、２・・・絶縁膜、３・・・カバ
ー膜、４・・・アルミニウム配線、５・・・回路、６・
・・■溝、７・・・表面カバー膜、８・・・裏面絶縁膜
、９・・・裏面アルミニウム配線。 第１図 （ａ） 、２ （ｂ）
Claims (1)
- １、表面側に回路を形成した半導体基板の表面一部に断
面Ｖ字形の溝を形成するとともにこの溝の内面に表面金
属配線を形成し、前記半導体基板の裏面を削成して前記
表面金属配線の下端を前記半導体基板の裏面側に突出さ
せ、この突出箇所において前記半導体基板の裏面に形成
した裏面金属配線に電気接続したことを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132888A JPH01185942A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1132888A JPH01185942A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01185942A true JPH01185942A (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=11774962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1132888A Pending JPH01185942A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01185942A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291975A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP1132888A patent/JPH01185942A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62291975A (ja) * | 1986-06-12 | 1987-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波半導体装置 |
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